JPS63310147A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63310147A JPS63310147A JP14743887A JP14743887A JPS63310147A JP S63310147 A JPS63310147 A JP S63310147A JP 14743887 A JP14743887 A JP 14743887A JP 14743887 A JP14743887 A JP 14743887A JP S63310147 A JPS63310147 A JP S63310147A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- solder
- lead frame
- molten solder
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
外部リードを溶融半田にて被覆する方法に関する。
外部リードを溶融半田にて被覆する方法に関する。
従来、この種の外部リードの半田被覆方法は、半導体装
置の外部リード及びリードフレーム全体を溶融半田に浸
漬する方法であった。
置の外部リード及びリードフレーム全体を溶融半田に浸
漬する方法であった。
上述した従来の外部リードの半田被覆方法は、半田被覆
を必要とする半導体装置の外部リードのみでなくリード
フレームの枠部等の半田被覆不要部分にまで半田が付着
するため、半田材料を多量に消費し、また溶融半田の温
度、流れ等の制御を困難にせしめているという欠点があ
る。
を必要とする半導体装置の外部リードのみでなくリード
フレームの枠部等の半田被覆不要部分にまで半田が付着
するため、半田材料を多量に消費し、また溶融半田の温
度、流れ等の制御を困難にせしめているという欠点があ
る。
本発明の目的は、従来の欠点を除去し、半導体装置のリ
ード部分のみに半田被覆することができ半田材料を節減
すると同時に溶融半田の温度、流れの制御が容易に出来
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
ード部分のみに半田被覆することができ半田材料を節減
すると同時に溶融半田の温度、流れの制御が容易に出来
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレ−ムに搭
載され樹脂封止された半導体装置の外部リードを溶融半
田にて被覆する半導体装置の製造方法において、半導体
装置の外部リードフレームより分離し、該半導体装置を
タブリードのみにより保持するよう加工する工程と、前
記半導体装置が前記リードフレーム面より下方に位置す
るようリードフレームをプレス成形する工程と、前記半
導体装置を溶融半田に浸漬し外部リードに半田被覆する
工程とを含んで構成される。
載され樹脂封止された半導体装置の外部リードを溶融半
田にて被覆する半導体装置の製造方法において、半導体
装置の外部リードフレームより分離し、該半導体装置を
タブリードのみにより保持するよう加工する工程と、前
記半導体装置が前記リードフレーム面より下方に位置す
るようリードフレームをプレス成形する工程と、前記半
導体装置を溶融半田に浸漬し外部リードに半田被覆する
工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）、（ｂ）〜第４図は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した説明図で第１図（ａ）、（ｂ）乃
至第３図（−ａ）、（ｂ）は何れも平面図およびその側
面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸漬されている
状態を示す側面図である。本実施例は次の工程より構成
される。
（ａ）、（ｂ）〜第４図は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した説明図で第１図（ａ）、（ｂ）乃
至第３図（−ａ）、（ｂ）は何れも平面図およびその側
面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸漬されている
状態を示す側面図である。本実施例は次の工程より構成
される。
まず、第１図（ａ）、（ｂ）に示すようにリードフレー
ムに搭載された半導体素子を樹脂封止する。図において
１はリードフレーム、２は樹脂封止された半導体装置、
３は外部リー ドである。
ムに搭載された半導体素子を樹脂封止する。図において
１はリードフレーム、２は樹脂封止された半導体装置、
３は外部リー ドである。
次に、第２図（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置
の外部リードをリードフレームから分離成形し、半導体
装置をタブリードのみによりリードフレーム１につなが
る状態にする。
の外部リードをリードフレームから分離成形し、半導体
装置をタブリードのみによりリードフレーム１につなが
る状態にする。
次に、第３図（ａ）、（ｂ）に示すように半導体装置が
リードフレーム面より下方に位置するよう成形加工する
。なお第２図（ａ）、（ｂ）及び第３図（ａ）、（ｂ）
の工程を一工程で実施してもよい。
リードフレーム面より下方に位置するよう成形加工する
。なお第２図（ａ）、（ｂ）及び第３図（ａ）、（ｂ）
の工程を一工程で実施してもよい。
次に、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、半田槽５の
溶融半田４に第３図に示す半導体装置を浸漬し外部リー
ドの半田被覆を行う。この場合リードフレーム枠部分は
溶融半田に浸漬されず、必要とされる外部リードのみを
浸漬できるので本発明の目的を達成することが出来る。
溶融半田４に第３図に示す半導体装置を浸漬し外部リー
ドの半田被覆を行う。この場合リードフレーム枠部分は
溶融半田に浸漬されず、必要とされる外部リードのみを
浸漬できるので本発明の目的を達成することが出来る。
以上説明したように本発明は、半導体装置の外部リード
を溶融半田に浸漬する際に、半導体装置がリードフレー
ム面より下方に位置するように加工してリードフレーム
枠部等に溶融半田が付着することを防止することにより
、半田材料の使用量を低減し、かつ溶融半田の温度、流
れ等の制御が容易にできる効果がある。
を溶融半田に浸漬する際に、半導体装置がリードフレー
ム面より下方に位置するように加工してリードフレーム
枠部等に溶融半田が付着することを防止することにより
、半田材料の使用量を低減し、かつ溶融半田の温度、流
れ等の制御が容易にできる効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）〜第４図は本発明の一実施例を説
明するために工程順に示した説明図で、第１図（ａ）、
（ｂ） 〜第３図（ａ）、（ｂ）は何れも平面図および
その側面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸漬され
ている状態を示す側面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体装置、３・・
・外部リード、４・・・溶融半田、５・・・半田槽。 月１図 嶌２ＶＪ 昂３図 第４ｚ
明するために工程順に示した説明図で、第１図（ａ）、
（ｂ） 〜第３図（ａ）、（ｂ）は何れも平面図および
その側面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸漬され
ている状態を示す側面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体装置、３・・
・外部リード、４・・・溶融半田、５・・・半田槽。 月１図 嶌２ＶＪ 昂３図 第４ｚ
Claims (1)
- リードフレームに搭載され樹脂封止された半導体装置の
外部リードを溶融半田にて被覆する半導体装置の製造方
法において、半導体装置の外部リードをリードフレーム
より分離し、該半導体装置をダブリードのみにより保持
するよう加工する工程と、前記半導体装置が前記リード
フレーム面より下方に位置するようリードフレームをプ
レス成形する工程と、前記半導体装置を溶融半田に浸漬
し外部リードに半田被覆する工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14743887A JPS63310147A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14743887A JPS63310147A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310147A true JPS63310147A (ja) | 1988-12-19 |
| JPH0533828B2 JPH0533828B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=15430338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14743887A Granted JPS63310147A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144987A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Kyocera Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP14743887A patent/JPS63310147A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144987A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Kyocera Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533828B2 (ja) | 1993-05-20 |
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