JPS5910753Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5910753Y2 JPS5910753Y2 JP1977129093U JP12909377U JPS5910753Y2 JP S5910753 Y2 JPS5910753 Y2 JP S5910753Y2 JP 1977129093 U JP1977129093 U JP 1977129093U JP 12909377 U JP12909377 U JP 12909377U JP S5910753 Y2 JPS5910753 Y2 JP S5910753Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- resin
- main surface
- semiconductor
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体チップを薄型に樹脂封止した半導体装置
の改良に関する。
の改良に関する。
最近電子腕時計、電子式カメラおよび電子式卓上計算機
等の電子機器が小型化，薄型化するにつれて、機器内部
に組み込まれる半導体装置に対する小形，薄形化の要望
も非常に強まって来ている。
等の電子機器が小型化，薄型化するにつれて、機器内部
に組み込まれる半導体装置に対する小形，薄形化の要望
も非常に強まって来ている。
このような要望に適する半導体装置として、ポリイミド
等の耐熱性の極めて薄いフイルムを利用した半導体装置
が開発され実用に供されるようになってきた。
等の耐熱性の極めて薄いフイルムを利用した半導体装置
が開発され実用に供されるようになってきた。
この種の半導体装置は、半導体チップをフイルム面の導
電体パターンに電気的接続した後樹脂封止することによ
って外部環境からの保護が図られている。
電体パターンに電気的接続した後樹脂封止することによ
って外部環境からの保護が図られている。
まず従来装置における樹脂封止方法を説明すると、第１
図に示す如く、金属条体２に電気的接続された半導体チ
ツプ１の裏面に半硬化性の樹脂ペレット３を配置し、炉
中で溶融させてゲル化させた後、半導体チツプ１が接着
された金属条体２を反転させ、次に半導体チツプ１の主
面を上記裏面と同様にして樹脂をポツテイングし、樹脂
封止するか或いは半硬化性の樹脂ペレットの代りに液状
樹脂を用いてポツテイングすることが一般に広く行われ
ている。
図に示す如く、金属条体２に電気的接続された半導体チ
ツプ１の裏面に半硬化性の樹脂ペレット３を配置し、炉
中で溶融させてゲル化させた後、半導体チツプ１が接着
された金属条体２を反転させ、次に半導体チツプ１の主
面を上記裏面と同様にして樹脂をポツテイングし、樹脂
封止するか或いは半硬化性の樹脂ペレットの代りに液状
樹脂を用いてポツテイングすることが一般に広く行われ
ている。
上記のようにして得られた半導体装置は、樹脂の表面張
力により、第２図に示す如く半導体チップの表・裏両面
共に樹脂は外側に凸にふくらんだ形状を呈して硬化する
。
力により、第２図に示す如く半導体チップの表・裏両面
共に樹脂は外側に凸にふくらんだ形状を呈して硬化する
。
このような外形の半導体装置は見掛け上薄く見えるが、
実際の装置としての厚みは両凸間の距離となって比較的
厚くなり、考案者の実験によれば４０ｍｍの半導体チッ
プを上記の方式によって樹脂封止した場合、装置の厚み
は平均２ｍｍ程度となり、上記のような両面樹脂ポツテ
イングによる封止は薄型化に障害となっていた。
実際の装置としての厚みは両凸間の距離となって比較的
厚くなり、考案者の実験によれば４０ｍｍの半導体チッ
プを上記の方式によって樹脂封止した場合、装置の厚み
は平均２ｍｍ程度となり、上記のような両面樹脂ポツテ
イングによる封止は薄型化に障害となっていた。
また上記半導体装置は平坦な配線基板上に組立てる場合
、装置が湾曲して凸状にふくらんでいるので安定性に欠
け、非常に作業し難い欠点があった。
、装置が湾曲して凸状にふくらんでいるので安定性に欠
け、非常に作業し難い欠点があった。
このような欠点に対して配線基板側に孔或いは窪みによ
って半導体装置の凸部を逃がす様な月策を講じられてい
る。
って半導体装置の凸部を逃がす様な月策を講じられてい
る。
しかしながら上記のように基板に孔或いは窪みを設けた
場合、その部分にはもちろん配線できないので配線基板
の配線可能な有効面積が非常に狭くなり、高集積度を要
する電子腕時計等の電子機器に適用する場合、製品設計
を難かしくする原因となっていた。
場合、その部分にはもちろん配線できないので配線基板
の配線可能な有効面積が非常に狭くなり、高集積度を要
する電子腕時計等の電子機器に適用する場合、製品設計
を難かしくする原因となっていた。
本考案は上記従来装置の欠点に鑑みなされたもので、半
硬化の樹脂が塗布されているチップサイズより太き目の
板をチップ裏面に固着し、チップ表面より樹脂ポツテイ
ングすることにより薄くかつ少なくとも一面が平坦な半
導体装置を得ることを目的とするもので、以下図面を用
いて本考案の実施例について説明する。
硬化の樹脂が塗布されているチップサイズより太き目の
板をチップ裏面に固着し、チップ表面より樹脂ポツテイ
ングすることにより薄くかつ少なくとも一面が平坦な半
導体装置を得ることを目的とするもので、以下図面を用
いて本考案の実施例について説明する。
尚本考案は金属板にエッチング或いは打抜き等によって
多数のリード線を形或したリードフレームに半導体チッ
プを電気的接続し、該接続された半導体チップを封止す
る半導体装置にも適用することができるが、以下実施例
としてポリイミドフイルムを使用したテープキャリア方
式に本考案を適用した場合を挙げて装置の製造工程に従
って説明する。
多数のリード線を形或したリードフレームに半導体チッ
プを電気的接続し、該接続された半導体チップを封止す
る半導体装置にも適用することができるが、以下実施例
としてポリイミドフイルムを使用したテープキャリア方
式に本考案を適用した場合を挙げて装置の製造工程に従
って説明する。
第３図ａに於で、４はポリイミド等からなる長尺のフレ
キシブルフイルムで、該フイルム４の幅中央部には半導
体チツプ１を設置する孔５が穿設され、該孔５の周辺に
は設置された半導体チツプ１の主面上の電極１ａと整合
する関係に金属条体２，２・・・・・・が、フイルム４
の表面に接着された金属薄膜をエッチングすることによ
って形戊され、半導体チップ側電極１ａと電気的に接続
される。
キシブルフイルムで、該フイルム４の幅中央部には半導
体チツプ１を設置する孔５が穿設され、該孔５の周辺に
は設置された半導体チツプ１の主面上の電極１ａと整合
する関係に金属条体２，２・・・・・・が、フイルム４
の表面に接着された金属薄膜をエッチングすることによ
って形戊され、半導体チップ側電極１ａと電気的に接続
される。
上記フレキシブルフイルム４にボンデイングされた半導
体チツプ１の裏面には図に示す如く半導体チツプ１の厚
さに比べて薄い被覆板６が配置される。
体チツプ１の裏面には図に示す如く半導体チツプ１の厚
さに比べて薄い被覆板６が配置される。
該被覆板６は半導体チツプ１より大きい寸法に裁断され
且つ略平坦な板状に形或された例えばプラスチック，セ
ラミック，ＡＩ ，Ｃｕ等の芯材７の少なくとも一方の
表面に半硬化性の樹脂層８を形或してなり、半導体チツ
プ１の裏面に配置された状態で加熱することにより樹脂
層８が溶融し、ゲル化することによって芯材７と半導体
チツプ１を固着させる。
且つ略平坦な板状に形或された例えばプラスチック，セ
ラミック，ＡＩ ，Ｃｕ等の芯材７の少なくとも一方の
表面に半硬化性の樹脂層８を形或してなり、半導体チツ
プ１の裏面に配置された状態で加熱することにより樹脂
層８が溶融し、ゲル化することによって芯材７と半導体
チツプ１を固着させる。
次にフレキシブルフイルム４を反転させ、金属条体２を
ボンデイングした半導体チツプ１の主面側に、或いは半
硬化性の樹脂ペレット９を用いて樹脂ポツテイングする
。
ボンデイングした半導体チツプ１の主面側に、或いは半
硬化性の樹脂ペレット９を用いて樹脂ポツテイングする
。
第３図ｂに示すように主面上に配置された樹脂ペレット
９は加熱によって溶融し第３図Ｃに示す如く上記被覆板
６とによって半導体チツプ１を完全に封止する。
９は加熱によって溶融し第３図Ｃに示す如く上記被覆板
６とによって半導体チツプ１を完全に封止する。
この時被覆板６は半導体チツプ１の寸法より予め大きく
形戊されているため、隣接する金属条体２，２間の間隙
から毛細管現象により流れ出た樹脂は被覆板６の周縁で
流出が阻止されて硬化し、半導体チツプ１の側壁部を被
うことができ、主面に残留した樹脂９及び上記被覆板６
とによって半導体チツプ１を完全に封止する。
形戊されているため、隣接する金属条体２，２間の間隙
から毛細管現象により流れ出た樹脂は被覆板６の周縁で
流出が阻止されて硬化し、半導体チツプ１の側壁部を被
うことができ、主面に残留した樹脂９及び上記被覆板６
とによって半導体チツプ１を完全に封止する。
溶融した樹脂９が上記のように被覆板６側に流れ込むた
め、半導体チツプ１の主面側に残留した樹脂は比較的薄
く且つ平坦になり、従来装置のように凸状のふくらみは
軽減され、本考案者の実験によれば４０ｍｍの半導体チ
ップに適用した場合装置の厚さは１．５ｍｍ以下にする
ことができ、また被覆板を構或する芯材７の形状及び樹
脂９の量によって装置の厚さを制御することができる。
め、半導体チツプ１の主面側に残留した樹脂は比較的薄
く且つ平坦になり、従来装置のように凸状のふくらみは
軽減され、本考案者の実験によれば４０ｍｍの半導体チ
ップに適用した場合装置の厚さは１．５ｍｍ以下にする
ことができ、また被覆板を構或する芯材７の形状及び樹
脂９の量によって装置の厚さを制御することができる。
上記実施例に示す如く長尺のフイルムを使用して連続且
つ自動的に半導体装置を量産する場合、自動化を何等阻
害することなく本考案による封止を実施することができ
る。
つ自動的に半導体装置を量産する場合、自動化を何等阻
害することなく本考案による封止を実施することができ
る。
即ち、半導体チツプ１がボンデイングされた長尺のフイ
ルムに、部品供給部より送り出された被覆板６を真空チ
ャックにより半導体チップ裏面に自動的に且つ半導体チ
ップの有無を判別しながら乗せ、その後樹脂硬化用の炉
中に通すことにより、被覆板６上に形或された樹脈層８
を溶融し、ゲル化させて被覆板６を半導体チップに固着
させる。
ルムに、部品供給部より送り出された被覆板６を真空チ
ャックにより半導体チップ裏面に自動的に且つ半導体チ
ップの有無を判別しながら乗せ、その後樹脂硬化用の炉
中に通すことにより、被覆板６上に形或された樹脈層８
を溶融し、ゲル化させて被覆板６を半導体チップに固着
させる。
続いてフイルムを反転させ、リールからリールへとフイ
ルムを送りながら位置決めして樹脂ペレット９を半導体
チツプ１の主面側に配置し、炉中で溶融しゲル化させる
ことによって半導体装置を得ることができる。
ルムを送りながら位置決めして樹脂ペレット９を半導体
チツプ１の主面側に配置し、炉中で溶融しゲル化させる
ことによって半導体装置を得ることができる。
上記実施例では芯板７の一方の面にのみ半硬化性樹脂層
８を形或した場合について述べたが、製造工程時の繁雑
さを除くため予め芯材７の両面に樹脂層８を形或しても
実施することができる。
８を形或した場合について述べたが、製造工程時の繁雑
さを除くため予め芯材７の両面に樹脂層８を形或しても
実施することができる。
以上本考案の半導体装置によれば、半導体チップの一方
の主表面に平坦な薄い被覆板を貼り付け、他方の主表面
に被着される樹脂を受ける支持板とするため、軟化した
樹脂を被覆板全体に広げて凸状の盛り上りを減少させ、
被覆板と併せて装置の厚さを全体として薄くすることが
できる。
の主表面に平坦な薄い被覆板を貼り付け、他方の主表面
に被着される樹脂を受ける支持板とするため、軟化した
樹脂を被覆板全体に広げて凸状の盛り上りを減少させ、
被覆板と併せて装置の厚さを全体として薄くすることが
できる。
また被覆板は平坦面をなしているため従来装置のごとく
配線基板に孔を開ける必要がなく、組立て作業が行い易
く、組立てられた装置の安定性もすぐれたものになる。
配線基板に孔を開ける必要がなく、組立て作業が行い易
く、組立てられた装置の安定性もすぐれたものになる。
更に半導体チップの他方の主表面は樹脂ペレットを用い
て封止されるため、樹脂の形状及び量が一定しており、
半導体装置の外形状を揃えることができ、また樹脂封止
工程に必要となる製造装置も液状樹脂を滴下する場合に
比べてメンテナンスが著しく簡単になり作業性にすぐれ
たものになる。
て封止されるため、樹脂の形状及び量が一定しており、
半導体装置の外形状を揃えることができ、また樹脂封止
工程に必要となる製造装置も液状樹脂を滴下する場合に
比べてメンテナンスが著しく簡単になり作業性にすぐれ
たものになる。
また製造工程の自動化がなされたフイルムキャノア方式
やリードフレーム方式を使用した半導体装置に対して、
工程の自動化を妨げることなく本考案を実施することが
でき、量産に適した半導体装置を得ることができる。
やリードフレーム方式を使用した半導体装置に対して、
工程の自動化を妨げることなく本考案を実施することが
でき、量産に適した半導体装置を得ることができる。
第１図及び第２図は従来装置の製造工程を説明するため
の断面図、第３図ａ−ｃは本考案による半導体装置の製
造工程を説明するための断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・金属条体
、４・・・・・・フイルム、６・・・・・・被覆体、７
・・・・・・芯材、８・・・・・・半硬化性樹脂、９・
・・・・・樹脂。
の断面図、第３図ａ−ｃは本考案による半導体装置の製
造工程を説明するための断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・金属条体
、４・・・・・・フイルム、６・・・・・・被覆体、７
・・・・・・芯材、８・・・・・・半硬化性樹脂、９・
・・・・・樹脂。
Claims (1)
- 主面上に電極が形或された半導体チップと、該半導体チ
ップの平面より大きい孔及び少なくとも一面に配線パタ
ーンを有し、且つ上記配線パターンの一部金属条体が上
記孔に片持ちで上記半導体チップの電極と整合する関係
に形或されてなるフレキシブルフイルムと、表面が絶縁
性であって上記孔より大きく略平坦な耐熱性芯材にその
少なくとも一方の面に半硬化性樹脂層が形或され、且つ
上記半導体チップの金属条体が接続された主面と対向す
る面に接着された被覆板と、半導体チップの主面上に置
かれた樹脂ペレットの溶融によって、上記被覆板とで半
導体チップをほぼ偏平な外形に封止してなる樹脂体とを
備えてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977129093U JPS5910753Y2 (ja) | 1977-09-22 | 1977-09-22 | 半導体装置 |
| US06/190,744 US4300153A (en) | 1977-09-22 | 1980-09-25 | Flat shaped semiconductor encapsulation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977129093U JPS5910753Y2 (ja) | 1977-09-22 | 1977-09-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5455270U JPS5455270U (ja) | 1979-04-17 |
| JPS5910753Y2 true JPS5910753Y2 (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=29093414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977129093U Expired JPS5910753Y2 (ja) | 1977-09-22 | 1977-09-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910753Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116877A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Sharp Kk |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040165U (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-24 | ||
| JPS5074279U (ja) * | 1973-11-08 | 1975-06-28 |
-
1977
- 1977-09-22 JP JP1977129093U patent/JPS5910753Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116877A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5455270U (ja) | 1979-04-17 |
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