JPS63306092A - 熱可塑性ポリカーボネートとスチレン及びアクリロニトリルのコポリマーとの混合物の光学的データ記憶装置の基材としての使用 - Google Patents
熱可塑性ポリカーボネートとスチレン及びアクリロニトリルのコポリマーとの混合物の光学的データ記憶装置の基材としての使用Info
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- JPS63306092A JPS63306092A JP63104379A JP10437988A JPS63306092A JP S63306092 A JPS63306092 A JP S63306092A JP 63104379 A JP63104379 A JP 63104379A JP 10437988 A JP10437988 A JP 10437988A JP S63306092 A JPS63306092 A JP S63306092A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、
a)芳香族ポリカーボネートである熱可塑性樹脂10乃
至90重量%、好ましくは40乃至80重量%、特に好
ましくは50乃至70重量%、ここで、この芳香族ポリ
カーボネートの分子は、式(I) 式中、Xは単結合、C0−C0−アルキレン、C、−C
、−アルキリデン、C、−C6−シクロアルキリデン又
はC、−C、−シクロアルキレン、好ましくはメチレン
、ブチレン又はインプロピリデン、最も好ましくはイソ
プロピリデンを表す、に相当する繰り返し単位少なくと
も75重量%1、好ましくは少なくとも85重量%、特
に好ましくは100重量%以下と、式(2) 式中−R−はアリーレン基を表し、該アリーレン基は核
においてアルキル化又はハロゲン化されていてもよくそ
して好ましくは6個乃至36個の炭素原子を含有し、最
も好ましくは式(3)、(式中、Xは式(1)で示した
意味を有しそして更に単結合、−〇−1−C−1−S−
1−SO□−又はアリールアルキリデンを表すことがで
き、TはC,−C,−アルキル、CI又はBrを表し、
nは0.1又は2を表す)に相当する基である、に相当
する繰り返し構造単位、多くても25重量%、好ましく
は多くても15重量%、特に好ましくは0重量%以上と
から成る、及び b)コポリマーの重量を基準としてアクリロニトリル含
有率が0.5乃至18重量%、好ましくは1.5乃至1
5重量%、特に好ましくは2乃至13重量%であるスチ
レンとアクリロニトリルとの熱可塑性コポリマー90乃
至10重量%、好ましくは60乃至20重量%、特に好
ましくは50乃至30重量%、 から成る混合物の光学的データ記憶装置の基材としての
使用に関する。
至90重量%、好ましくは40乃至80重量%、特に好
ましくは50乃至70重量%、ここで、この芳香族ポリ
カーボネートの分子は、式(I) 式中、Xは単結合、C0−C0−アルキレン、C、−C
、−アルキリデン、C、−C6−シクロアルキリデン又
はC、−C、−シクロアルキレン、好ましくはメチレン
、ブチレン又はインプロピリデン、最も好ましくはイソ
プロピリデンを表す、に相当する繰り返し単位少なくと
も75重量%1、好ましくは少なくとも85重量%、特
に好ましくは100重量%以下と、式(2) 式中−R−はアリーレン基を表し、該アリーレン基は核
においてアルキル化又はハロゲン化されていてもよくそ
して好ましくは6個乃至36個の炭素原子を含有し、最
も好ましくは式(3)、(式中、Xは式(1)で示した
意味を有しそして更に単結合、−〇−1−C−1−S−
1−SO□−又はアリールアルキリデンを表すことがで
き、TはC,−C,−アルキル、CI又はBrを表し、
nは0.1又は2を表す)に相当する基である、に相当
する繰り返し構造単位、多くても25重量%、好ましく
は多くても15重量%、特に好ましくは0重量%以上と
から成る、及び b)コポリマーの重量を基準としてアクリロニトリル含
有率が0.5乃至18重量%、好ましくは1.5乃至1
5重量%、特に好ましくは2乃至13重量%であるスチ
レンとアクリロニトリルとの熱可塑性コポリマー90乃
至10重量%、好ましくは60乃至20重量%、特に好
ましくは50乃至30重量%、 から成る混合物の光学的データ記憶装置の基材としての
使用に関する。
下記はアリールアルキリデン基の例である:上記混合物
は、高い剛性、低い複屈折及び特にそれらの光学的均一
性のため光学的データ記憶装置のだめの優れた基材であ
り、それ故に、コンパクトディスクの表面に対する軸線
方向、接線方向及び半径方向における格段に低い複屈折
を持った光学的に均一な成形物品(例えばコンパクトデ
ィスク)の製造に好適である。再生装置の記憶読出しの
光学機器にとって非常に重要な全射出成形体にわたる複
屈折の均一性が特に挙げられるべきである。
は、高い剛性、低い複屈折及び特にそれらの光学的均一
性のため光学的データ記憶装置のだめの優れた基材であ
り、それ故に、コンパクトディスクの表面に対する軸線
方向、接線方向及び半径方向における格段に低い複屈折
を持った光学的に均一な成形物品(例えばコンパクトデ
ィスク)の製造に好適である。再生装置の記憶読出しの
光学機器にとって非常に重要な全射出成形体にわたる複
屈折の均一性が特に挙げられるべきである。
複屈折の減少のみならず補償も受けるこのような混合物
の相対的組成は溶融物の流れプロセスの差を考慮に入れ
て成形体の構造に依存することができる。
の相対的組成は溶融物の流れプロセスの差を考慮に入れ
て成形体の構造に依存することができる。
光学的データキャリヤの情報は、レーザの直線偏光で読
み出されそして書き込まれた情報を記憶することができ
るデータ記憶装置の場合には、情報はこのような光で書
き込みもされる。データを書き込みそして消去すること
ができるプロセスのためのシステムの1つは磁気光学的
データ記憶装置から成る。これらにおいては、光の振動
面の僅かな回転(1’未満)ですら信号として読み出さ
れるので、基材の材料の複屈折がないことは特に重要で
ある。
み出されそして書き込まれた情報を記憶することができ
るデータ記憶装置の場合には、情報はこのような光で書
き込みもされる。データを書き込みそして消去すること
ができるプロセスのためのシステムの1つは磁気光学的
データ記憶装置から成る。これらにおいては、光の振動
面の僅かな回転(1’未満)ですら信号として読み出さ
れるので、基材の材料の複屈折がないことは特に重要で
ある。
プラスチック(熱可塑性樹脂)においては、複屈折は主
として2つのファクターから成る:材料特異的成分及び
配向複屈折としても知られているプロセスにより決定さ
れる成分。故に、殆ど複屈折を持たない熱可塑性成形部
品は理論的には2つの異なった方法: a)適当な加工パラメータの選択により、例えば、熱可
塑性ポリカーボネートの射出成形又は射出スタンピング
に使用される如き比較的高い温度で低粘度型のものを加
工すること、又は、b)実際にビデオディスクの製造に
使用されているポリメチルメタクリレートの如き基本的
に僅かな複屈折の傾向しか持っていない材料を使用する
ことによって製造することができる。
として2つのファクターから成る:材料特異的成分及び
配向複屈折としても知られているプロセスにより決定さ
れる成分。故に、殆ど複屈折を持たない熱可塑性成形部
品は理論的には2つの異なった方法: a)適当な加工パラメータの選択により、例えば、熱可
塑性ポリカーボネートの射出成形又は射出スタンピング
に使用される如き比較的高い温度で低粘度型のものを加
工すること、又は、b)実際にビデオディスクの製造に
使用されているポリメチルメタクリレートの如き基本的
に僅かな複屈折の傾向しか持っていない材料を使用する
ことによって製造することができる。
ケースa)は、射出成形の条件下ではポリマー鎖の配向
の完全な不存在は達成できないのでアカデミツクな興味
でしかない。
の完全な不存在は達成できないのでアカデミツクな興味
でしかない。
ケースb)においては、低い複屈折を持った熱可塑性プ
ラスチックの使用は、低い水吸収率(0゜3%以下)及
び連続使用(80℃以上)の際の熱下の成る寸法安定性
という付随する要件により相当制限される。磁気光学的
システムの如き書き込まれた情報を取り出すことができ
る記憶装置は、許容しうる信号/ノイズ比が得られるべ
き場合には書き込むだめの比較的高いエネルギーを必要
とする。大きい開口数を持った光学的システムがこの目
的に使用される。書き込み及び読出し光学システムの開
口角(opening angle)により、接線方向
及び半径方向のビームの針路についても非常に低い光学
的不等方性を確保することが重要である。
ラスチックの使用は、低い水吸収率(0゜3%以下)及
び連続使用(80℃以上)の際の熱下の成る寸法安定性
という付随する要件により相当制限される。磁気光学的
システムの如き書き込まれた情報を取り出すことができ
る記憶装置は、許容しうる信号/ノイズ比が得られるべ
き場合には書き込むだめの比較的高いエネルギーを必要
とする。大きい開口数を持った光学的システムがこの目
的に使用される。書き込み及び読出し光学システムの開
口角(opening angle)により、接線方向
及び半径方向のビームの針路についても非常に低い光学
的不等方性を確保することが重要である。
故に、軸線方向の複屈折の比較的小さい光路差(2On
m/mm)を持ったポリカーボネートのコンパクトディ
スクは、接線方向及び半径方向における依然として高い
値、典型的には、500乃至11000n/mmの範囲
の値を有する。開口数のサイズに依存して、接線方向及
び半径方向における複屈折のこれらの量は、多少軸線方
向の複屈折に加わる。
m/mm)を持ったポリカーボネートのコンパクトディ
スクは、接線方向及び半径方向における依然として高い
値、典型的には、500乃至11000n/mmの範囲
の値を有する。開口数のサイズに依存して、接線方向及
び半径方向における複屈折のこれらの量は、多少軸線方
向の複屈折に加わる。
複屈折値は、僅かな複屈折の補償がより容易に行なわれ
うるように全コンパクトディスクにわtこる比較的狭い
範囲の変動(fluctuation)を有するべきこ
とも必要である。
うるように全コンパクトディスクにわtこる比較的狭い
範囲の変動(fluctuation)を有するべきこ
とも必要である。
反対の複屈折を持ったポリマーを加えることによってポ
リマーの複屈折を減少させることの一般的可能性は周知
されている[ジエー・ヘニッヒ、1986年4月14/
15日、パッド・ナウハイムでの“新規ポリマー”につ
いての会議での講演:“光デイスク記憶装置のための基
材としてのポリマー″ (J、 Henn1g、 Le
cture in the Confarence f
or″New Polymers” in Bad N
auheim、 14./ 15、04.1986:“
Polymer als 5ubstrate fur
optische Plattenspeicher
”)]。
リマーの複屈折を減少させることの一般的可能性は周知
されている[ジエー・ヘニッヒ、1986年4月14/
15日、パッド・ナウハイムでの“新規ポリマー”につ
いての会議での講演:“光デイスク記憶装置のための基
材としてのポリマー″ (J、 Henn1g、 Le
cture in the Confarence f
or″New Polymers” in Bad N
auheim、 14./ 15、04.1986:“
Polymer als 5ubstrate fur
optische Plattenspeicher
”)]。
ドイツ公開公報第3327929号(Le A220
15)(米国特許第4373065号も参照)は、複屈
折がなくそしてこの特徴は、少なくとも2つの平面表面
を有し、各々がこの表面に垂直な1つの光軸(opti
cal axis)を有するプラスチック構造体が90
°の角度で相互に平行に且つお互いの後ろに配列されて
おりそして光路差の合計はどこでも殆ど0であるという
ことにより得られるプラスチックを開示している。フォ
イルは、好ましくは、複屈折に対する補償が行なわれる
ようにこのように組み合わせされている(上記ドイツ公
開公報、6頁、2及び3節)。
15)(米国特許第4373065号も参照)は、複屈
折がなくそしてこの特徴は、少なくとも2つの平面表面
を有し、各々がこの表面に垂直な1つの光軸(opti
cal axis)を有するプラスチック構造体が90
°の角度で相互に平行に且つお互いの後ろに配列されて
おりそして光路差の合計はどこでも殆ど0であるという
ことにより得られるプラスチックを開示している。フォ
イルは、好ましくは、複屈折に対する補償が行なわれる
ようにこのように組み合わせされている(上記ドイツ公
開公報、6頁、2及び3節)。
好適なプラスチックは、例えば、ポリアリーレンスルホ
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル及びポリウレタンで
ある。好ましくは、スチレン−アクリロニトリル混成ポ
リマー、ポリメチルペンテン、ポリカーボネート、ポリ
アクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、セル
ロースエステル又はこれらのポリマーの混合物及びこれ
らのポリマーを含有するコポリマーの如き、良好な光学
的品質を持ったポリマーが使用される。ポリカーボネー
ト又はポリカーボネート少なくとも1O1t量%を含有
するプラスチックの混合物を使用するのが特に好ましい
。テトラメチル−ビスフェノール−Aの如き核において
アルキル化されているジフェノール類から得られるポリ
カーボネートも又好適である。
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル及びポリウレタンで
ある。好ましくは、スチレン−アクリロニトリル混成ポ
リマー、ポリメチルペンテン、ポリカーボネート、ポリ
アクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、セル
ロースエステル又はこれらのポリマーの混合物及びこれ
らのポリマーを含有するコポリマーの如き、良好な光学
的品質を持ったポリマーが使用される。ポリカーボネー
ト又はポリカーボネート少なくとも1O1t量%を含有
するプラスチックの混合物を使用するのが特に好ましい
。テトラメチル−ビスフェノール−Aの如き核において
アルキル化されているジフェノール類から得られるポリ
カーボネートも又好適である。
テトラメチルビスフェノールーポリカーポ不−ト類と異
なったコポリマー及び/又はグラフトコポリマーとの混
合物及びスチレン−アクリロニトリルコポリマーとの混
合物は知られている(例えば、ドイツ公開公報第225
2974号、第2259564号、第1−232243
5号、第2329585号、第2329646号、第3
314736号及び第3430234号参照)。これら
の文献は光学的データ記憶装置のだめの基材としてこの
ようなブレンドを使用することの可能性を述べていない
。
なったコポリマー及び/又はグラフトコポリマーとの混
合物及びスチレン−アクリロニトリルコポリマーとの混
合物は知られている(例えば、ドイツ公開公報第225
2974号、第2259564号、第1−232243
5号、第2329585号、第2329646号、第3
314736号及び第3430234号参照)。これら
の文献は光学的データ記憶装置のだめの基材としてこの
ようなブレンドを使用することの可能性を述べていない
。
ところで、テトラメチルビスフェノール−A −ポリカ
ーボネートと成るアクリロニトリル含有率(2乃至13
%)を持ったスチレン−アクリロニトリルコポリマーと
の混合物は単−相で且つ透明であることが文献[ニー・
シー・フエルナンデス、アイ・ダブリュ・バーロー及び
デ々・アール・ボウル、(1986)、1788 98
(A、 C,Fernandes、 1. ’Jj、
Barlow and D、 R,Paul in
Polymer 27 (1986)、 1788−9
8)に報告されている。
ーボネートと成るアクリロニトリル含有率(2乃至13
%)を持ったスチレン−アクリロニトリルコポリマーと
の混合物は単−相で且つ透明であることが文献[ニー・
シー・フエルナンデス、アイ・ダブリュ・バーロー及び
デ々・アール・ボウル、(1986)、1788 98
(A、 C,Fernandes、 1. ’Jj、
Barlow and D、 R,Paul in
Polymer 27 (1986)、 1788−9
8)に報告されている。
難燃剤としてのスチレンボッマーと組み合わせたテトラ
メチルビスフェノール−F−ポリマー(ビス−(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−メタン−テト
ラメチルビスフェノール F)の使用はドイツ公開公報
第3344101号に請求されている。
メチルビスフェノール−F−ポリマー(ビス−(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−メタン−テト
ラメチルビスフェノール F)の使用はドイツ公開公報
第3344101号に請求されている。
テトラメチルビスフェノール−F−ポリカーボネートと
スチレン−アクリロニトリルコポリマーとの単−相混合
物の製造及び加工はドイツ公開公報第3344102号
に記載されている。光学的データ記憶装置の基材として
のこのような混合物の使用は前記文献には更には検討さ
れていない。
スチレン−アクリロニトリルコポリマーとの単−相混合
物の製造及び加工はドイツ公開公報第3344102号
に記載されている。光学的データ記憶装置の基材として
のこのような混合物の使用は前記文献には更には検討さ
れていない。
ポリカーボネートとスチレン樹脂コポリマーとの混合物
は、特願昭61−19656号に記載されており、これ
によれば、この混合物が光学的機器の原料として推奨さ
れている。ポリカーボネート類はビスフェノール類から
製造され、2,2−ビス−(4′−ヒドロキシ−3’
、5’ −ジメチル)−プロパンを含めてその幾つかが
挙げられているが、実施例ではビスフェノール−A−ポ
リカーボネートのみが使用されている。
は、特願昭61−19656号に記載されており、これ
によれば、この混合物が光学的機器の原料として推奨さ
れている。ポリカーボネート類はビスフェノール類から
製造され、2,2−ビス−(4′−ヒドロキシ−3’
、5’ −ジメチル)−プロパンを含めてその幾つかが
挙げられているが、実施例ではビスフェノール−A−ポ
リカーボネートのみが使用されている。
スチレン樹脂コポリマーは、不飽和モノカルボン酸及び
ジカルボン酸及びそれらの誘導体から成る群の1つ、2
つ又はそれより多くのものとのコポリマーであることが
できる。これらの不飽和モノカルボン酸及びジカルボン
酸及びそれらの誘導体はl乃至30重量%の量でスチレ
ン樹脂内に重合されている。
ジカルボン酸及びそれらの誘導体から成る群の1つ、2
つ又はそれより多くのものとのコポリマーであることが
できる。これらの不飽和モノカルボン酸及びジカルボン
酸及びそれらの誘導体はl乃至30重量%の量でスチレ
ン樹脂内に重合されている。
上記したモノカルボン酸類はアクリル酸及びメタクリル
酸であり、そしてアクリルアミド及びメタクリルアミ・
ドがそれらの誘導体として挙げられているが、アクリロ
ニトリルは挙げられていない。
酸であり、そしてアクリルアミド及びメタクリルアミ・
ドがそれらの誘導体として挙げられているが、アクリロ
ニトリルは挙げられていない。
これらの不飽和化合物の他に、アクリロニトリル、メタ
クリレートリル、メチルメタクリレート、メチルアクリ
レート、酢酸ビニル等の如き、それらと共重合すること
ができる他の不飽和化合物も又10重量%未満の割合で
重合によりスチレン樹脂内に導入されうろことが、上記
文献には述べられている。
クリレートリル、メチルメタクリレート、メチルアクリ
レート、酢酸ビニル等の如き、それらと共重合すること
ができる他の不飽和化合物も又10重量%未満の割合で
重合によりスチレン樹脂内に導入されうろことが、上記
文献には述べられている。
故に、特願昭61−19656号に従えば、アクリロニ
トリルはスチレン樹脂内の第3成分としてのみ含まれう
る。
トリルはスチレン樹脂内の第3成分としてのみ含まれう
る。
最適な光学的性質を有する混合物は特殊なポリカーボネ
ート及び特殊なスチレン共重合体を選択することにより
得られることが見出だされた。
ート及び特殊なスチレン共重合体を選択することにより
得られることが見出だされた。
ヨーロッパ特許公開公報EP−O3第0.199.82
4号の教示は、ポリカーボネートとしてテトラアルキル
ビスフェノールポリカーボネートにも、スチレン樹脂と
してスチレンアクリロニトリルにも言及していないので
、似通ったものではない。
4号の教示は、ポリカーボネートとしてテトラアルキル
ビスフェノールポリカーボネートにも、スチレン樹脂と
してスチレンアクリロニトリルにも言及していないので
、似通ったものではない。
本発明に使用される成形配合物の単−相的特質は必要で
はあるが、下記の実施例が示すように射出成形体の事実
上の光学的均一性に充分なものとはいえない:テトラメ
チルビスフェノールA−及びビスフェノールA−ポリカ
ーボネートの均質な巣−相的配合物は強い変動性を示す
(熱論成形体全体にわたる高度な複屈折の水準において
)(実施例3参照)。
はあるが、下記の実施例が示すように射出成形体の事実
上の光学的均一性に充分なものとはいえない:テトラメ
チルビスフェノールA−及びビスフェノールA−ポリカ
ーボネートの均質な巣−相的配合物は強い変動性を示す
(熱論成形体全体にわたる高度な複屈折の水準において
)(実施例3参照)。
本発明による配合物は又高度な寸法安定性を必要とする
寸法の大きいデータ記憶ディスクに有利に使用できる。
寸法の大きいデータ記憶ディスクに有利に使用できる。
従ってその内側表面に塗布された金属記憶層を有し、且
つスペーサーにより隔てられている二つのディスクから
成る30craのディスク方式において、支持体の基材
は少なくとも300ON/−の弾性率を持っていなけれ
ばならない。驚くべきことに、本発明による配合物は夫
々の混合比及び原料重合体の弾性率の混合による加酸関
数から予想されたものよりも高い弾性率を有することが
見出だされた(第1表参照)。従って所与の適当な混合
比(例えば第1表参照)において、テトラメチルビスフ
ェノール−A−PC/スチレンーアクリロニトリル成形
配合物は、大きい寸法のデータ記憶ディスクを製造する
のに特に優れている。
つスペーサーにより隔てられている二つのディスクから
成る30craのディスク方式において、支持体の基材
は少なくとも300ON/−の弾性率を持っていなけれ
ばならない。驚くべきことに、本発明による配合物は夫
々の混合比及び原料重合体の弾性率の混合による加酸関
数から予想されたものよりも高い弾性率を有することが
見出だされた(第1表参照)。従って所与の適当な混合
比(例えば第1表参照)において、テトラメチルビスフ
ェノール−A−PC/スチレンーアクリロニトリル成形
配合物は、大きい寸法のデータ記憶ディスクを製造する
のに特に優れている。
成分a)として使用されるポリカーボネートはそれ自体
既知であるか又は既知の方法により製造することができ
る。
既知であるか又は既知の方法により製造することができ
る。
成分a)のポリカーボネートの分子量は、一般にMW値
(ゲル透過クロマトグラフィーにより測定された重量平
均分子量)として10,000ないし5o、ooo、好
適1:は15,000ないL45.000、特に20,
000ないし30,000を有している。
(ゲル透過クロマトグラフィーにより測定された重量平
均分子量)として10,000ないし5o、ooo、好
適1:は15,000ないL45.000、特に20,
000ないし30,000を有している。
分子量調節剤として使用できる物質はフェノール及びア
ルキルフェノール、例えばp−第三ブチルフェノール、
p−イソオクチルフェノール及ヒ2.6−シメチルフエ
ノール、並びにベンゾイルクロリド及びp−第三ブチル
ベンゾイルクロリドのような芳香族カルボン酸の酸塩化
物を含んでいる。
ルキルフェノール、例えばp−第三ブチルフェノール、
p−イソオクチルフェノール及ヒ2.6−シメチルフエ
ノール、並びにベンゾイルクロリド及びp−第三ブチル
ベンゾイルクロリドのような芳香族カルボン酸の酸塩化
物を含んでいる。
構造単位(2)の基礎となる式HO−R−OHのジフェ
ノール(4)は好適には2,2.−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)−プロパン、ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−メタン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサン及び1゜l−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−フェニル−1−メチル−メタ
ンである。
ノール(4)は好適には2,2.−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)−プロパン、ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−メタン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサン及び1゜l−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−フェニル−1−メチル−メタ
ンである。
成分a)として使用されるポリカーボネートは既知の方
式で分校していても良い(例えば西ドイツ特許明細書第
2.500,092号及び米国特許第4.185.00
9号参照)。分校化合物の例として三つ又はそれ以上の
官能基を含む化合物、例えば1.1.1−1−リス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタン、ヘキサ−(4−(
4−ヒドロキシフェニルイソプロピル)−フェニル)−
オルト−テレフタール酸エステル及び1.4−ビス−(
(4’、4”−ジヒドロキシトリフェニル)−メチル)
−ベンゼンのようなトリフエノール又はテトラフェノー
ル、並びに2,4−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン
酸及び3.3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−メチル−
フェニル)−2−オキソ−2,3−ジヒドロインドール
が含まれている。
式で分校していても良い(例えば西ドイツ特許明細書第
2.500,092号及び米国特許第4.185.00
9号参照)。分校化合物の例として三つ又はそれ以上の
官能基を含む化合物、例えば1.1.1−1−リス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタン、ヘキサ−(4−(
4−ヒドロキシフェニルイソプロピル)−フェニル)−
オルト−テレフタール酸エステル及び1.4−ビス−(
(4’、4”−ジヒドロキシトリフェニル)−メチル)
−ベンゼンのようなトリフエノール又はテトラフェノー
ル、並びに2,4−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン
酸及び3.3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−メチル−
フェニル)−2−オキソ−2,3−ジヒドロインドール
が含まれている。
成分b)として使用されるスチレンとアクリロニトリル
の分子量は広範囲にわたることができる。
の分子量は広範囲にわたることができる。
30.000ないし600.000の重量平均分子量が
適当であり、50.000ないし250.000が好適
で、80,000ないし200.000が最も好適であ
る。これらは既知のゲル透過クロマトグラフィー法によ
り測定される。
適当であり、50.000ないし250.000が好適
で、80,000ないし200.000が最も好適であ
る。これらは既知のゲル透過クロマトグラフィー法によ
り測定される。
共重合体の不均一性は0.5ないし3.5の範囲に在り
%n
及び使用される作業条件によって変化する。
共重合体の製造に適当なスチレンは、スチレンそれ自体
と並んで、例えばσ−メチルスチレン、p−メチルスチ
レン及び2.4−’;メチルスチレンが含まれる。
と並んで、例えばσ−メチルスチレン、p−メチルスチ
レン及び2.4−’;メチルスチレンが含まれる。
成分b)として使用される共重合体の製造は、無溶剤、
溶液、懸濁又は乳化重合のような基本的に既知の方法で
行なわれるが、重合によって取り込まれるアクリロニト
リル含量が所与の0.5ないし18重量%の範囲内であ
ることを確保するよう注意を払う必要がある。
溶液、懸濁又は乳化重合のような基本的に既知の方法で
行なわれるが、重合によって取り込まれるアクリロニト
リル含量が所与の0.5ないし18重量%の範囲内であ
ることを確保するよう注意を払う必要がある。
共重合は遊離基重合法によって行なわれることが好まし
い。
い。
成分b)として使用するのに適当な共重合体は一般に直
鎖状重合体であるが、分校状構造を持った共重合体も使
用することができる。
鎖状重合体であるが、分校状構造を持った共重合体も使
用することができる。
本発明の適当な混合物は、例えば押し出し工程中で配合
することにより、既知の方法で製造される。成形物品又
はデータ記憶装置を製造するための混合物の加工は、例
えば射出成形により行なわれる。
することにより、既知の方法で製造される。成形物品又
はデータ記憶装置を製造するための混合物の加工は、例
えば射出成形により行なわれる。
光学的データ記憶装置の基材としての混合物の使用は下
記のように説明される:本発明の意図する範囲の光学的
データ記憶装置用の“基材”は、情報層又は面の支持体
として、及び情報を支持するこれらの表面とディスクの
外側の平面との間のスペーサーとしての双方に役立つデ
ータ・ディスクの機械的基盤の材料である。
記のように説明される:本発明の意図する範囲の光学的
データ記憶装置用の“基材”は、情報層又は面の支持体
として、及び情報を支持するこれらの表面とディスクの
外側の平面との間のスペーサーとしての双方に役立つデ
ータ・ディスクの機械的基盤の材料である。
読み取り及び書き出しの両方に際し、情報を搬送する光
線はディスクの平面から対向するデータ側まで光路上の
基材を変化せずに通過しなければならず、且つ読み取り
の場合は、検出器に送るべき情報を担持後、後記の表面
から外側表面まで同様に変化せずに返送しなければなら
ない。
線はディスクの平面から対向するデータ側まで光路上の
基材を変化せずに通過しなければならず、且つ読み取り
の場合は、検出器に送るべき情報を担持後、後記の表面
から外側表面まで同様に変化せずに返送しなければなら
ない。
オーディオ・コンパクト・ディスク及びヴイデオ・ディ
スクは光学的データ記憶装置の例である。
スクは光学的データ記憶装置の例である。
実施例 1
1.30の相対溶液粘度(100g中0.59の溶液と
してCH、CI、中で25°Cで測定)を有するテトラ
メチルビスフェノール−A単独ポリカーボネート60部
を、150.000のMW(ゲル透過クロマトグラフィ
ーにより測定)を有し、10重量%のアクリロニトリル
を含むスチレン−アクリロニトリル共重合体40部と3
00°Cで配合した。得られる配合物をネツタル(N
etstal)射出成形機で成形し、直径12c+*の
コンパクト・ディスクを製造した(材料温度約320℃
)。
してCH、CI、中で25°Cで測定)を有するテトラ
メチルビスフェノール−A単独ポリカーボネート60部
を、150.000のMW(ゲル透過クロマトグラフィ
ーにより測定)を有し、10重量%のアクリロニトリル
を含むスチレン−アクリロニトリル共重合体40部と3
00°Cで配合した。得られる配合物をネツタル(N
etstal)射出成形機で成形し、直径12c+*の
コンパクト・ディスクを製造した(材料温度約320℃
)。
実施例 2(比較実施例)
1.20の相対溶液粘度(100,中0.5gの溶液と
してCH,CI、中で25℃で測定)を有するテトラメ
チルビスフェノール−A単独ポリカーボネート60部を
、8%の無水マレイン酸を含むスチレン/無水マレイン
酸共重合体40部と280℃で配合した。共重合体はゲ
ル透過クロマトグラフィーで測定したところ、257,
000のMWを有している。
してCH,CI、中で25℃で測定)を有するテトラメ
チルビスフェノール−A単独ポリカーボネート60部を
、8%の無水マレイン酸を含むスチレン/無水マレイン
酸共重合体40部と280℃で配合した。共重合体はゲ
ル透過クロマトグラフィーで測定したところ、257,
000のMWを有している。
得られる配合物をネツタル射出成形機で成形し、直径1
2c+mのコンパクト・ディスクを製造した(材料温度
約320°C)。
2c+mのコンパクト・ディスクを製造した(材料温度
約320°C)。
実施例 3(比較実施例)
1.30の相対溶液粘度(1009中0.5gの溶液と
してCH、C1,中で25℃で測定)を有するテトラメ
チルビスフェノール−Aポリカーボネート60部を、1
.20の相対溶液粘度(100g中0.5gの溶液とし
てCH,C1,中で25℃で測定)を有するビスフェノ
ール−Aポリカーボネート40部と300°Cで配合し
た。
してCH、C1,中で25℃で測定)を有するテトラメ
チルビスフェノール−Aポリカーボネート60部を、1
.20の相対溶液粘度(100g中0.5gの溶液とし
てCH,C1,中で25℃で測定)を有するビスフェノ
ール−Aポリカーボネート40部と300°Cで配合し
た。
得られる配合物をネツタル射出成形機で成形し、直径1
2cmのコンパクト・ディスクを製造した(材料温度約
320°C)。
2cmのコンパクト・ディスクを製造した(材料温度約
320°C)。
実施例1ないし3で得られたコンパクト・ディスクを三
つの異なった点−中心から25i*+m、40mm及び
55+++m−において、軸方向、接線方向及び半径方
向で複屈折の試験を行った。複屈折は偏光顕微鏡により
、通常のコンパレーターを用いて光路差から評価した。
つの異なった点−中心から25i*+m、40mm及び
55+++m−において、軸方向、接線方向及び半径方
向で複屈折の試験を行った。複屈折は偏光顕微鏡により
、通常のコンパレーターを用いて光路差から評価した。
又コパクト・ディスクは視覚的にその透明性を評価した
。
。
更にDIN 53457によりその弾性率を測定する
ために実施例1の配合物から、及び対応する原材料から
試験片を製造した。
ために実施例1の配合物から、及び対応する原材料から
試験片を製造した。
V’> 1−一 ℃ +へ一
轢−1十 轢り 1 十
服 匿
病マ I + 名で 1 +2コ
・コ K K り 1 co の ト 1 + 浬 本発明の主なる特徴及び態様は下記のとおりである。
・コ K K り 1 co の ト 1 + 浬 本発明の主なる特徴及び態様は下記のとおりである。
■、a)芳香族ポリカーボネートである熱可塑性樹脂I
O乃至90重量%、ここで、この芳香族ポリカーボネー
トの分子は、 式(I) 式中、Xは単結合、C,−C,−アルキレン、C2−C
、−アルキリデン、CsCs−シクロアルキリデン又は
Cs Ca−シクロアルキレンを表す、に相当する繰
り返し単位少なくとも75重量%と、式(2) 式中−R−はアリーレン基を表し、該アリーレン基は核
においてアルキル化又はハロゲン化されていてもよい、 に相当する繰り返し構造単位、多くても25重量%とか
ら成る、及び b)コポリマーの重量を基準としてアクリロニトリル含
有率が0.5乃至18重量%であるスチレンとアクリロ
ニトリルとの熱可塑性コポリマー90乃至10重量%、 から成る混合物の光学的データ記憶装置の基材としての
使用。
O乃至90重量%、ここで、この芳香族ポリカーボネー
トの分子は、 式(I) 式中、Xは単結合、C,−C,−アルキレン、C2−C
、−アルキリデン、CsCs−シクロアルキリデン又は
Cs Ca−シクロアルキレンを表す、に相当する繰
り返し単位少なくとも75重量%と、式(2) 式中−R−はアリーレン基を表し、該アリーレン基は核
においてアルキル化又はハロゲン化されていてもよい、 に相当する繰り返し構造単位、多くても25重量%とか
ら成る、及び b)コポリマーの重量を基準としてアクリロニトリル含
有率が0.5乃至18重量%であるスチレンとアクリロ
ニトリルとの熱可塑性コポリマー90乃至10重量%、 から成る混合物の光学的データ記憶装置の基材としての
使用。
2.5!分b)のアクリロニトリル含有率は1゜5乃至
15重量%である上記lに記載の使用。
15重量%である上記lに記載の使用。
3、混合物が、成分a)40乃至80重量%及び成分b
)60乃至20重量%から成る上記l又は2に記載の使
用。
)60乃至20重量%から成る上記l又は2に記載の使
用。
4、成分a)は、式(I)の繰り返し構造単位少なくと
も85重量%及び式(II)の繰り返し構造単位、多く
ても15重量%から成る上記lに記載の使用。
も85重量%及び式(II)の繰り返し構造単位、多く
ても15重量%から成る上記lに記載の使用。
5、ポリカーボネートの成分a)の構造単位(2)にお
いて、Rは6個乃至36個の炭素原子を含有する上記l
乃至4のいずれかに記載の使用。
いて、Rは6個乃至36個の炭素原子を含有する上記l
乃至4のいずれかに記載の使用。
6、Rが、式(3)
式中、Xは上記lに記載の意味を有し、そして更に単結
合、−0−1−C−1−S−1−SO,−冒 又はアリールアルキリデンを表すことができ、TはC,
−C4−アルキル、CI又はBrを表し、nは0.1又
は2を表す、 に対応する基である上記5に記載の使用。
合、−0−1−C−1−S−1−SO,−冒 又はアリールアルキリデンを表すことができ、TはC,
−C4−アルキル、CI又はBrを表し、nは0.1又
は2を表す、 に対応する基である上記5に記載の使用。
7、成分a)は式(I)の繰り返し構造単位100重量
%から成る上記l乃至4のいずれかに記載の使用。
%から成る上記l乃至4のいずれかに記載の使用。
特許出願人 バイエル・アクチェンゲゼルシャフト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)芳香族ポリカーボネートである熱可塑性樹脂1
0乃至90重量%、ここでこの芳香族ポリカーボネート
の分子は、 式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 式中、Xは単結合、C_1−C_6−アルキレン、C_
2−C_6−アルキリデン、C_5−C_6−シクロア
ルキリデン又はC_5−C_6−シクロアルキレンを表
す、に相当する繰り返し単位、少なくとも75重量%と
、式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中−R−はアリーレン基を表し、該アリーレン基は核
においてアルキル化又はハロゲン化されていてもよい、 に相当する繰り返し構造単位、多くても25重量%とか
ら成る、及び b)コポリマーの重量を基準としてアクリロニトリル含
有率が0.5乃至18重量%であるスチレンとアクリロ
ニトリルとの熱可塑性コポリマー90乃至10重量%、 から成る混合物の光学的データ記憶装置の基材としての
使用。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3717836 | 1987-05-27 | ||
DE3717836.9 | 1987-05-27 | ||
DE3807098.7 | 1988-03-04 | ||
DE3807098A DE3807098A1 (de) | 1987-05-27 | 1988-03-04 | Verwendung von mischungen aus thermoplastischen polycarbonaten und copolymerisaten von styrolen mit acrylnitril als substrate fuer optische datenspeicher |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63306092A true JPS63306092A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=25856058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63104379A Pending JPS63306092A (ja) | 1987-05-27 | 1988-04-28 | 熱可塑性ポリカーボネートとスチレン及びアクリロニトリルのコポリマーとの混合物の光学的データ記憶装置の基材としての使用 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0292722B1 (ja) |
JP (1) | JPS63306092A (ja) |
DE (2) | DE3807098A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3823196A1 (de) * | 1988-07-08 | 1990-01-11 | Bayer Ag | Verwendung von mischungen aus thermoplastischen polycarbonaten und copolymerisaten von styrolen mit methacrylnitril als substrate fuer optische datenspeicher |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3344101A1 (de) * | 1983-12-07 | 1985-06-13 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verwendung von halogenfreien polycarbonaten auf basis von bis-(3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-methan in kombination mit polymerisaten als flammschutzmittel |
DE3344102A1 (de) * | 1983-12-07 | 1985-06-13 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung und/oder weiterverarbeitung von polymermischungen |
-
1988
- 1988-03-04 DE DE3807098A patent/DE3807098A1/de not_active Withdrawn
- 1988-04-28 JP JP63104379A patent/JPS63306092A/ja active Pending
- 1988-04-28 EP EP88106797A patent/EP0292722B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-28 DE DE8888106797T patent/DE3861908D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3861908D1 (de) | 1991-04-11 |
EP0292722B1 (de) | 1991-03-06 |
EP0292722A1 (de) | 1988-11-30 |
DE3807098A1 (de) | 1988-12-08 |
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