JP2613244B2 - 無電解めっきの前処理方法 - Google Patents
無電解めっきの前処理方法Info
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- JP2613244B2 JP2613244B2 JP6325388A JP6325388A JP2613244B2 JP 2613244 B2 JP2613244 B2 JP 2613244B2 JP 6325388 A JP6325388 A JP 6325388A JP 6325388 A JP6325388 A JP 6325388A JP 2613244 B2 JP2613244 B2 JP 2613244B2
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- plating
- plating film
- electroless plating
- pretreatment method
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1806—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by mechanical pretreatment, e.g. grinding, sanding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、無電解めっきの前処理方法に係り、特にセ
ラミック基板のメタライズ上に部品を搭載するための無
電解めっきに好適な前処理方法に関する。
ラミック基板のメタライズ上に部品を搭載するための無
電解めっきに好適な前処理方法に関する。
従来、異種金属上に無電解めっきを施す場合、異種金
属表面上を活性化した後、自己触媒によりめっき皮膜が
形成される。例えば電子部品用セラミック基板上に焼結
されたタングステンメタライズパターンに無電解ニッケ
ルめっきを施す場合には、特開昭58−202595号公報に記
載の技術によれば焼結後基板表面をアルカリ清浄作業に
より汚染物質を除去し、その後フェリシアン化カリウム
と水酸化ナトリウムの混合溶液によりタングステンメタ
ライズを軽くライトエツチングすることにより活性化を
はかっている。ところが、焼結されたタングステン表面
には焼結前もしくは焼結時に付着した不導体異物，及び
セラミック成分であるガラス成分の表面へのにじみ出し
があり、前記の様なめっき前処理では、これら表面汚染
物を除去できずピンホールの多いめっき膜になってしま
い後工程の半田濡れ不良につながる。まためっき下地を
直接機械的研摩，例えばサンドブラスト，液体ホーニン
グ等により清浄する方法があるが、下地金属も同時に除
去されてしまい、実質上適用できなかった。
属表面上を活性化した後、自己触媒によりめっき皮膜が
形成される。例えば電子部品用セラミック基板上に焼結
されたタングステンメタライズパターンに無電解ニッケ
ルめっきを施す場合には、特開昭58−202595号公報に記
載の技術によれば焼結後基板表面をアルカリ清浄作業に
より汚染物質を除去し、その後フェリシアン化カリウム
と水酸化ナトリウムの混合溶液によりタングステンメタ
ライズを軽くライトエツチングすることにより活性化を
はかっている。ところが、焼結されたタングステン表面
には焼結前もしくは焼結時に付着した不導体異物，及び
セラミック成分であるガラス成分の表面へのにじみ出し
があり、前記の様なめっき前処理では、これら表面汚染
物を除去できずピンホールの多いめっき膜になってしま
い後工程の半田濡れ不良につながる。まためっき下地を
直接機械的研摩，例えばサンドブラスト，液体ホーニン
グ等により清浄する方法があるが、下地金属も同時に除
去されてしまい、実質上適用できなかった。
上記従来技術は、めっき下地である異種金属上に強固
に付着している汚染物に対するめっき前処理として考慮
されておらず、そのままではピンホールの多い不均一な
めっき皮膜しか得られず問題であった。
に付着している汚染物に対するめっき前処理として考慮
されておらず、そのままではピンホールの多い不均一な
めっき皮膜しか得られず問題であった。
本発明の目的は、異種金属上にピンホールの少ない均
一なめっき膜を形成することにある。
一なめっき膜を形成することにある。
上記目的は、異種金属表面を通常の活性化処理後めっ
き膜を形成し、めっきの付着しかなかった部分、すなわ
ち強固に付着した表面汚染物質をめっき膜と同時に機械
的研摩により除去する。この時下地金属を浸さない程度
の研摩量とする。その後残在するめっき膜を化学的に剥
離除去し再度所望のめっき膜を形成することにより達成
される。また、この時点でめっき膜にピンホールが存在
する様ならば、前記前処理を複数回繰り返すことにより
目的が達成される。
き膜を形成し、めっきの付着しかなかった部分、すなわ
ち強固に付着した表面汚染物質をめっき膜と同時に機械
的研摩により除去する。この時下地金属を浸さない程度
の研摩量とする。その後残在するめっき膜を化学的に剥
離除去し再度所望のめっき膜を形成することにより達成
される。また、この時点でめっき膜にピンホールが存在
する様ならば、前記前処理を複数回繰り返すことにより
目的が達成される。
本発明によれば、めっき膜を施した後に機械的研摩を
施すことにより下地金属を侵すことがなく、めっきの析
出しなかった下地金属汚染物部分を除去できる。またそ
の後残在めっき膜を化学的に剥離除去し再度下地金属の
表面活性化を行なうことで、下地金属全面が活性化され
るようになるので、ピンホールの少ない均一性のよいめ
っき皮膜を形成することができる。
施すことにより下地金属を侵すことがなく、めっきの析
出しなかった下地金属汚染物部分を除去できる。またそ
の後残在めっき膜を化学的に剥離除去し再度下地金属の
表面活性化を行なうことで、下地金属全面が活性化され
るようになるので、ピンホールの少ない均一性のよいめ
っき皮膜を形成することができる。
以下、本発明の一実施例について図面により説明す
る。電子部品用のセラミック基板は半導体用CCB付パッ
ト、リード付パット等を有し、これらのパッドはタング
ステンなどの高融点金属を用いアルミナを主成分とした
グリーンシートの表裏面にスクリーン印刷で配線パター
ンを形成する。その後これらのグリーンシートを複数枚
貼合せて一体化し焼結することで、セラミック基板１と
配線メタライズ層２が形成される。この配線メタライズ
層２上に無電解めっき法によりニッケルめっき膜３を形
成する。その後半田４によりLSIチップ５及びリード６
を接合し部品は完成する。次にめっき膜形成方法を具体
的に述べる。セラミック基板１を60％の硝酸溶液中に
１分間浸漬し、次いで純水洗を２分間行なう。次いで
100g/のカ性ソーダを含む水溶液（90℃に加熱）に3
0分間浸漬し、次いで純水洗を２分間行なう。次いで
18％の塩酸溶液中（常温）に30秒間浸漬し、次いで
純水洗を２分間行なう。次いでパラジウムを主成分と
する活性化液（たとえば日本カニゼン製活性化No3液）
中に３分間浸漬し、次いで純水洗を４分間行なう。次
いで次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき浴中（たとえば日本カンゼン製シューマ、68
0）に厚さがほぼ５〜10ミクロンのニッケルめっき皮膜
を得るまで浸漬を続け、次いで純水洗を５分間行な
う。この時、第２図に示した様に不導体の表面汚染物７
の上にはニッケルめっきが析出しない。この表面汚染物
とニッケルめっき膜が混在する表面を例えば液体ホー
ニングにより除去する。この時めっき下地である配線メ
タライズ層にホーニングが達しない程度にとどめてお
く。その後、60％硝酸溶液中（常温）に２分間浸漬し
製品の揺動を行ない、残在するニッケル皮膜を剥離除去
する。この作業によりめっきが析出しなかった汚染物が
除去された。もし除去状態が完全でなければ前記工程
からまでを複数回繰返せばよい。次いで前記工程か
らまでの作業を行ない、次いでの作業により厚さを
ほぼ２から３ミクロンのニッケルめっき皮膜を形成す
る。次いで純水洗を５分間を行なった後、湯洗、イソプ
ロピルアルコール浸漬及び乾燥を行ない作業を終了す
る。この方法により、各々の必要なパッド上にピンホー
ルの少ない均一なニッケルめっき皮膜を形成することが
できる。
る。電子部品用のセラミック基板は半導体用CCB付パッ
ト、リード付パット等を有し、これらのパッドはタング
ステンなどの高融点金属を用いアルミナを主成分とした
グリーンシートの表裏面にスクリーン印刷で配線パター
ンを形成する。その後これらのグリーンシートを複数枚
貼合せて一体化し焼結することで、セラミック基板１と
配線メタライズ層２が形成される。この配線メタライズ
層２上に無電解めっき法によりニッケルめっき膜３を形
成する。その後半田４によりLSIチップ５及びリード６
を接合し部品は完成する。次にめっき膜形成方法を具体
的に述べる。セラミック基板１を60％の硝酸溶液中に
１分間浸漬し、次いで純水洗を２分間行なう。次いで
100g/のカ性ソーダを含む水溶液（90℃に加熱）に3
0分間浸漬し、次いで純水洗を２分間行なう。次いで
18％の塩酸溶液中（常温）に30秒間浸漬し、次いで
純水洗を２分間行なう。次いでパラジウムを主成分と
する活性化液（たとえば日本カニゼン製活性化No3液）
中に３分間浸漬し、次いで純水洗を４分間行なう。次
いで次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき浴中（たとえば日本カンゼン製シューマ、68
0）に厚さがほぼ５〜10ミクロンのニッケルめっき皮膜
を得るまで浸漬を続け、次いで純水洗を５分間行な
う。この時、第２図に示した様に不導体の表面汚染物７
の上にはニッケルめっきが析出しない。この表面汚染物
とニッケルめっき膜が混在する表面を例えば液体ホー
ニングにより除去する。この時めっき下地である配線メ
タライズ層にホーニングが達しない程度にとどめてお
く。その後、60％硝酸溶液中（常温）に２分間浸漬し
製品の揺動を行ない、残在するニッケル皮膜を剥離除去
する。この作業によりめっきが析出しなかった汚染物が
除去された。もし除去状態が完全でなければ前記工程
からまでを複数回繰返せばよい。次いで前記工程か
らまでの作業を行ない、次いでの作業により厚さを
ほぼ２から３ミクロンのニッケルめっき皮膜を形成す
る。次いで純水洗を５分間を行なった後、湯洗、イソプ
ロピルアルコール浸漬及び乾燥を行ない作業を終了す
る。この方法により、各々の必要なパッド上にピンホー
ルの少ない均一なニッケルめっき皮膜を形成することが
できる。
本発明によれば、下地金属に析出させた無電解めっき
の上から液体ホーニング等の機械的研摩を施すことによ
り、下地金属を痛めることなく下地金属に付着している
表面汚染物を除去することが可能となり、所望パターン
を欠損することなくその上にピンホールの無い均一な無
電解めっきが施された。
の上から液体ホーニング等の機械的研摩を施すことによ
り、下地金属を痛めることなく下地金属に付着している
表面汚染物を除去することが可能となり、所望パターン
を欠損することなくその上にピンホールの無い均一な無
電解めっきが施された。
第１図は本発明の実施例に関するセラミック基板の断面
図、第２図は第１図のめっき部分を拡大した図であり、
機械的研摩前の断面図、第３図は第２図で機械的研摩後
めっきを施した断面図である。 １……セラミック基板、２……配線メタライズ層、３…
…ニッケルめっき膜、４……半田、５……LSIチップ、
６……リード、７……表面汚染物。
図、第２図は第１図のめっき部分を拡大した図であり、
機械的研摩前の断面図、第３図は第２図で機械的研摩後
めっきを施した断面図である。 １……セラミック基板、２……配線メタライズ層、３…
…ニッケルめっき膜、４……半田、５……LSIチップ、
６……リード、７……表面汚染物。
Claims (1)
- 【請求項１】無電解めっきの前処理として、下地金属表
面または表面上の金属化された部分にめっきを施し、め
っき未析出部分を研磨し下地金属表面を露出させ、更
に、残存するめっき膜に化学的研磨を施してめっき膜を
除去することを特徴とする無電解めっきの前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325388A JP2613244B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 無電解めっきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325388A JP2613244B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 無電解めっきの前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01240669A JPH01240669A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2613244B2 true JP2613244B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=13223905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6325388A Expired - Lifetime JP2613244B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 無電解めっきの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613244B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242327A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミックパッケージの電極構造及びその製造方法 |
| JP5526455B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2014-06-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 芯体 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6325388A patent/JP2613244B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01240669A (ja) | 1989-09-26 |
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