JPS63291868A - プロトン導電性セラミックスの製造方法 - Google Patents
プロトン導電性セラミックスの製造方法Info
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はSr (Ce、Zr)OJ系のプロトン導電性
セラミックスの製造方法に関する。
セラミックスの製造方法に関する。
Sr (Ce、Zr)O3系セラミツクスはプロトン導
電体として各種センサ、燃料電池などの機能性セラミッ
クスとして高範囲な分野で利用されている。
電体として各種センサ、燃料電池などの機能性セラミッ
クスとして高範囲な分野で利用されている。
[従来の技術]
高性能が要求されるセラミックス製品の製造には良質の
原料粉末を得ることが重要な要件であり、一般に高密度
の焼結体を得るためにはなるべく粒径の小さい粉末の使
用が有利である。
原料粉末を得ることが重要な要件であり、一般に高密度
の焼結体を得るためにはなるべく粒径の小さい粉末の使
用が有利である。
一方、Sr (Ce、Zr)O3系セラミツクスは、通
常S r CO3、Ce 02 、Z r 02を出発
原料として使用し、乾式法で焼結用原料粉末を調製して
いる。しかしながらジルコニア粉末は極めて凝集しやす
く、これを出発原料としても得られる原料粉末の平均粒
径では3〜5μm以上となり、そのまま焼結用原料とし
て使用しても高密度かつ高性能の機能性セラミックスを
得ることは難しい。
常S r CO3、Ce 02 、Z r 02を出発
原料として使用し、乾式法で焼結用原料粉末を調製して
いる。しかしながらジルコニア粉末は極めて凝集しやす
く、これを出発原料としても得られる原料粉末の平均粒
径では3〜5μm以上となり、そのまま焼結用原料とし
て使用しても高密度かつ高性能の機能性セラミックスを
得ることは難しい。
そこで従来は、さらに原料粉末の粉砕工程を必要とし、
またより高密度の焼結体を得るために装置が複雑化する
などコストが増大する傾向にあった。
またより高密度の焼結体を得るために装置が複雑化する
などコストが増大する傾向にあった。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は前述した乾式法の欠点を解消し、サブミクロン
級の粉末特性の優れた原料粉末を得、簡単な工程でかつ
高性能を有するSr (Ce、Zr)O3系セラミツク
スを得る方法を提供することを目的とする。
級の粉末特性の優れた原料粉末を得、簡単な工程でかつ
高性能を有するSr (Ce、Zr)O3系セラミツク
スを得る方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記実情に鑑みなされたものであり、Sr (
Ce、Zr)O3’系のプロトン導電性セラミックスを
製造するに際し、先ず第1工程としてジルコニウム以外
の少なくとも一成分とジルコニウム溶液との混合溶液を
加水分解してゾルを形成し、乾燥後700〜1300℃
で仮焼する。
Ce、Zr)O3’系のプロトン導電性セラミックスを
製造するに際し、先ず第1工程としてジルコニウム以外
の少なくとも一成分とジルコニウム溶液との混合溶液を
加水分解してゾルを形成し、乾燥後700〜1300℃
で仮焼する。
次に第2工程として得られた仮焼物粉末と目的とする組
成の残りの成分の化合物粉末を混合して500〜130
0℃で仮焼する。
成の残りの成分の化合物粉末を混合して500〜130
0℃で仮焼する。
さらに第3工程で得られた仮焼物粉末を成形して700
〜1700℃で焼結する。
〜1700℃で焼結する。
木1工程において、ジルコニウム溶液としては、オキシ
塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化ジル
コニウム、硝酸ジルコニウム及び金属ジルコニウム等の
水溶液またはアルコール溶液が挙げられる。
塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化ジル
コニウム、硝酸ジルコニウム及び金属ジルコニウム等の
水溶液またはアルコール溶液が挙げられる。
ジルコニウム溶液と混合するジルコニウム以外の成分の
化合物としてはセリウムおよびストロンチウムのハロゲ
ン化物、硝酸塩、硫酸塩等が挙げられ、焼成して得られ
るジルコニア粉末の凝集を抑制するものが好ましい。
化合物としてはセリウムおよびストロンチウムのハロゲ
ン化物、硝酸塩、硫酸塩等が挙げられ、焼成して得られ
るジルコニア粉末の凝集を抑制するものが好ましい。
得られた混合溶液は煮沸により加水分解してゾルを形成
し、乾燥後仮焼する。仮焼温度は700〜1300℃が
好ましく、700℃より低いと凝集が顕著に起り130
0℃を越えると粒子が粗大化する傾向がある。
し、乾燥後仮焼する。仮焼温度は700〜1300℃が
好ましく、700℃より低いと凝集が顕著に起り130
0℃を越えると粒子が粗大化する傾向がある。
このようにして得られた粉末はジルコニウム以外の構成
成分を一種以上含む変成ジルコニア粉末であり、分散性
の良いサブミクロン級の微細粒子である。
成分を一種以上含む変成ジルコニア粉末であり、分散性
の良いサブミクロン級の微細粒子である。
第2工程では上記仮焼物粉末と目的とするセラミックス
組成を構成するに必要な残りの成分の化金物粉末を混合
し仮焼する。この残りの成分は、第1工程で添加した成
分と同じであってもよく、通常、塩または酸化物として
添加され、具体的には炭酸ストロンチウム、酸化セリウ
ム、ジルコニア等が挙げられる。粒径は上記仮焼物粉末
とほぼ同じ粒度のものを用いることが望ましい。
組成を構成するに必要な残りの成分の化金物粉末を混合
し仮焼する。この残りの成分は、第1工程で添加した成
分と同じであってもよく、通常、塩または酸化物として
添加され、具体的には炭酸ストロンチウム、酸化セリウ
ム、ジルコニア等が挙げられる。粒径は上記仮焼物粉末
とほぼ同じ粒度のものを用いることが望ましい。
仮焼温度は固相反応がほぼまたは完全に終了する最低温
度以上で顕著な粒子成長が生じない最高温度範囲内で行
なわれ、通常500〜1300℃である。
度以上で顕著な粒子成長が生じない最高温度範囲内で行
なわれ、通常500〜1300℃である。
得られる仮焼物粉末は分散性の良いサブミクロン級の微
細粒子であり、粉砕工程を特に必要としないで第3工程
における原料粉末として使用することができる。
細粒子であり、粉砕工程を特に必要としないで第3工程
における原料粉末として使用することができる。
第3工程では、第2工程で得られた仮焼物粉末を通常の
方法で成形し焼結する。焼結温度は通常700〜170
0℃の範囲である。700℃より低いと焼結が不十分で
あり、1700℃を越えると粒子が粗大化したりあるい
は構成成分の揮発が起る。
方法で成形し焼結する。焼結温度は通常700〜170
0℃の範囲である。700℃より低いと焼結が不十分で
あり、1700℃を越えると粒子が粗大化したりあるい
は構成成分の揮発が起る。
また焼結性や特性を改善するために微量の助剤例えばY
b2O3等を添加してもよい。これら助剤は本発明の第
1工程あるいは第2工程で適宜添加される。
b2O3等を添加してもよい。これら助剤は本発明の第
1工程あるいは第2工程で適宜添加される。
なお、得られるSr (Ce、Zr)O3系セラミツク
スにおいてSrと(Ce、Zr)のモル比は1.0ない
しそれに近似した値を取り得る。
スにおいてSrと(Ce、Zr)のモル比は1.0ない
しそれに近似した値を取り得る。
[作用効果]
本発明によれば、第1工程で極めて分散性の良いサブミ
クロン級の変成ジルコニア粉末を得、これと他の原料粉
末を混合して容易にSr (Ce。
クロン級の変成ジルコニア粉末を得、これと他の原料粉
末を混合して容易にSr (Ce。
Zr)O3系セラミツクスの原料粉末を得ることができ
る。得られる原料は易焼結性かつ高嵩密度の特性を有し
、従って極めて高密度のものが要求されるSr (Ce
、Zr)O3系セラミツクスをホットプレスや熱間ガス
圧焼結(HIP)などの操作を要せずに単なる固相焼結
によって製造することができる。
る。得られる原料は易焼結性かつ高嵩密度の特性を有し
、従って極めて高密度のものが要求されるSr (Ce
、Zr)O3系セラミツクスをホットプレスや熱間ガス
圧焼結(HIP)などの操作を要せずに単なる固相焼結
によって製造することができる。
[実施例]
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は以下
の実施例により限定されるものではない。
の実施例により限定されるものではない。
実施例1
オキシ塩化ジルコニウム水溶液(0,5モル/N>20
0cc と硝酸第2セリウムアンモニウム水溶液(0
,5モル/ρ)50cc の混合溶液を100℃で1
00時間保持してジルコニウム、セリウムを含むゾルを
得た。これを洗浄、乾燥した後1100℃で仮焼して(
CeO,2Z ro、B ) 02粉末を調製した。平
均粒径は0.32μmであった。
0cc と硝酸第2セリウムアンモニウム水溶液(0
,5モル/ρ)50cc の混合溶液を100℃で1
00時間保持してジルコニウム、セリウムを含むゾルを
得た。これを洗浄、乾燥した後1100℃で仮焼して(
CeO,2Z ro、B ) 02粉末を調製した。平
均粒径は0.32μmであった。
得られた粉末13.3gと市販のSrCO3粉末59.
052g、CeO248,1936g、Yb2033.
9408gとをボールミルで一昼夜混合した後、110
0℃で1時間仮焼してSrO,750,20,05°3
粉末を得た・Ce Zr Yb
052g、CeO248,1936g、Yb2033.
9408gとをボールミルで一昼夜混合した後、110
0℃で1時間仮焼してSrO,750,20,05°3
粉末を得た・Ce Zr Yb
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Sr(Ce、Zr)O_3系のプロトン導電性セラミッ
クスを製造する方法であつて、 (1)ジルコニウム以外の少なくとも一成分とジルコニ
ウム溶液との混合溶液を加水分解してゾルを形成し、乾
燥後700〜1300℃で仮焼する第1工程、 (2)得られた仮焼物粉末と、目的とする組成の残りの
成分の化合物粉末を混合して500〜1300℃で仮焼
する第2工程、 (3)得られた仮焼物粉末を成形して700〜1700
℃で焼結する第3工程 とからなることを特徴とするプロトン導電性セラミック
スの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62125374A JP2616772B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | プロトン導電性セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62125374A JP2616772B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | プロトン導電性セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63291868A true JPS63291868A (ja) | 1988-11-29 |
JP2616772B2 JP2616772B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=14908550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62125374A Expired - Lifetime JP2616772B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | プロトン導電性セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2616772B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0697594A2 (en) | 1994-08-17 | 1996-02-21 | Haldor Topsoe A/S | Ion selective ceramic membrane |
WO2019087736A1 (ja) * | 2017-11-03 | 2019-05-09 | 株式会社デンソー | 固体電解質、その製造方法、ガスセンサ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6291467A (ja) * | 1985-06-20 | 1987-04-25 | 東ソー株式会社 | 透光性ジルコニア焼結体の製造法 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62125374A patent/JP2616772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6291467A (ja) * | 1985-06-20 | 1987-04-25 | 東ソー株式会社 | 透光性ジルコニア焼結体の製造法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0697594A2 (en) | 1994-08-17 | 1996-02-21 | Haldor Topsoe A/S | Ion selective ceramic membrane |
US5632874A (en) * | 1994-08-17 | 1997-05-27 | Haldor Topsoe A/S | Ion selective ceramic membrane |
WO2019087736A1 (ja) * | 2017-11-03 | 2019-05-09 | 株式会社デンソー | 固体電解質、その製造方法、ガスセンサ |
JP2019085285A (ja) * | 2017-11-03 | 2019-06-06 | 株式会社デンソー | 固体電解質、その製造方法、ガスセンサ |
CN111372905A (zh) * | 2017-11-03 | 2020-07-03 | 株式会社电装 | 固体电解质、其制造方法、气体传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2616772B2 (ja) | 1997-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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