JPS63286817A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPS63286817A JPS63286817A JP12179187A JP12179187A JPS63286817A JP S63286817 A JPS63286817 A JP S63286817A JP 12179187 A JP12179187 A JP 12179187A JP 12179187 A JP12179187 A JP 12179187A JP S63286817 A JPS63286817 A JP S63286817A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、強誘電性液晶を用いた液晶素子を製造する
方法に関する。
方法に関する。
「従来の技術」
カイラルスメクチックC相を呈する強誘電性液晶を用い
た液晶素子は、この強誘電性液晶が双安定状態を有し、
表示のメモリ性を持ち、かつ高速応答性を備えているこ
とから、大容量ディスプレイ、メモリ形ディスプレイ、
高速光シャッタなどに応用されつつある。
た液晶素子は、この強誘電性液晶が双安定状態を有し、
表示のメモリ性を持ち、かつ高速応答性を備えているこ
とから、大容量ディスプレイ、メモリ形ディスプレイ、
高速光シャッタなどに応用されつつある。
しかし、一般に強誘電性液晶においては、通常のネマチ
ック液晶に比べてその粘度が極めて高いことなどから、
セル内に注入した後、均一に配向させるのが困難であり
、例えばスメクチックC相の層面の食い違い等による配
向欠陥を発生し易いという問題がある。従来、このよう
な配向欠陥を解消し、強誘電性液晶の配向状態を改善す
るための手段として、基板上に形成した電極を覆う配向
膜を改良したり、ラビング処理方法を改善したり、ある
いは液晶材料の物性定数をコントロールするなどの方法
がなされている。
ック液晶に比べてその粘度が極めて高いことなどから、
セル内に注入した後、均一に配向させるのが困難であり
、例えばスメクチックC相の層面の食い違い等による配
向欠陥を発生し易いという問題がある。従来、このよう
な配向欠陥を解消し、強誘電性液晶の配向状態を改善す
るための手段として、基板上に形成した電極を覆う配向
膜を改良したり、ラビング処理方法を改善したり、ある
いは液晶材料の物性定数をコントロールするなどの方法
がなされている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、上記の方法にあっても強誘電性液晶の配
向欠陥を解消して配向状態を均一にするには不十分であ
り、例えば液晶部において配向状態の不連続な領域が形
成され、これによって表示コントラストや駆動特性が低
下しさらにしきい電圧が変化する、いわゆるジグザグド
メインと呼ばれる配向欠陥などを解消するまでには至っ
ていない。
向欠陥を解消して配向状態を均一にするには不十分であ
り、例えば液晶部において配向状態の不連続な領域が形
成され、これによって表示コントラストや駆動特性が低
下しさらにしきい電圧が変化する、いわゆるジグザグド
メインと呼ばれる配向欠陥などを解消するまでには至っ
ていない。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、強誘電性
液晶からなる液晶部の配向状態を均一化し、ジグザグド
メインなどの配向欠陥を防止して良好な表示コントラス
トや駆動特性を確保でき−る液晶素子の製造方法を提供
することを目的とするものである。
液晶からなる液晶部の配向状態を均一化し、ジグザグド
メインなどの配向欠陥を防止して良好な表示コントラス
トや駆動特性を確保でき−る液晶素子の製造方法を提供
することを目的とするものである。
「問題点を解決するための手段」
この発明では、強誘電性液晶を注入してなる液晶セルに
、その強誘電性液晶の層面に対して平行な方向に超音波
を照射するようにして上記問題点の解決を図った。
、その強誘電性液晶の層面に対して平行な方向に超音波
を照射するようにして上記問題点の解決を図った。
したがってこの製造方法では、照射した超音波のエネル
ギーによって液晶セル中の強誘電性液晶の構成分子を再
配列し、これにより配向欠陥を改善して液晶をセルへの
注入以前の均一な配向状態に復帰せしめることができる
。
ギーによって液晶セル中の強誘電性液晶の構成分子を再
配列し、これにより配向欠陥を改善して液晶をセルへの
注入以前の均一な配向状態に復帰せしめることができる
。
以下、第1図ないし第3図を参照してこの発明の液晶素
子の製造方法の一具体例を説明する。図中符号1は下基
板である。この下基板1はガラス板等からなり、その内
表面には透明電極2、配向膜3が順次形成されている。
子の製造方法の一具体例を説明する。図中符号1は下基
板である。この下基板1はガラス板等からなり、その内
表面には透明電極2、配向膜3が順次形成されている。
この下基板1には上基板4が重ね合わされており、該上
基板4には同様に透明電極5、配向膜6が順次形成され
ている。
基板4には同様に透明電極5、配向膜6が順次形成され
ている。
これら上下基板1.4は、封着材7を介して重ね合わさ
れ、貼着されてセルとされる。そして、このセル内にカ
イラルスメクチックC相を呈する強誘電性液晶を注入し
て液晶部8を形成し、液晶セル9を得る。ここで、カイ
ラルスメクチックC相を呈する強誘電性液晶は、第2図
に示すようにその棒状の構成分子10.10・・・が層
状構造を形成し、かつ互いに平行配列したものである。
れ、貼着されてセルとされる。そして、このセル内にカ
イラルスメクチックC相を呈する強誘電性液晶を注入し
て液晶部8を形成し、液晶セル9を得る。ここで、カイ
ラルスメクチックC相を呈する強誘電性液晶は、第2図
に示すようにその棒状の構成分子10.10・・・が層
状構造を形成し、かつ互いに平行配列したものである。
また、このような強誘電性液晶としてはMBRA−8や
MORA−8などが用いられる。
MORA−8などが用いられる。
次いで、このようにして形成された液晶セル9を、第3
図に示すようにセルホルダー11で固定し、超音波発振
器12の槽内の媒質13中に垂下せしめ、これに超音波
発振器12の発振子14より超音波を照射する。ここで
、超音波発振器12の出力は、50〜200W程度とさ
れ、好ましくは100〜150Wとされる。また、この
場合液晶セル9は、その液晶部8を構成する強誘電性液
晶の第2図に示した層面15.15・・・が、その延長
方向に発振子14が位置するようにして配置され、これ
により発振子14から発振された超音−波は、第3図中
矢印へ方向に伝播し、液晶セル9に対してその液晶部8
の層面15.15・・・に平行に照射される。すると液
晶セル9中の強誘電性液晶は、カイラルスメクチックC
相の層面15.15・・・に平行な方向から超音波が照
射されたことにより、この超音波のエネルギーによって
分子10、lO・・・の再配列が起こり、層面15.1
5・・・に対して直交する方向に生じた配向欠陥が改善
され、液晶がセルへの注入以前の均一な配向状態に復帰
する。
図に示すようにセルホルダー11で固定し、超音波発振
器12の槽内の媒質13中に垂下せしめ、これに超音波
発振器12の発振子14より超音波を照射する。ここで
、超音波発振器12の出力は、50〜200W程度とさ
れ、好ましくは100〜150Wとされる。また、この
場合液晶セル9は、その液晶部8を構成する強誘電性液
晶の第2図に示した層面15.15・・・が、その延長
方向に発振子14が位置するようにして配置され、これ
により発振子14から発振された超音−波は、第3図中
矢印へ方向に伝播し、液晶セル9に対してその液晶部8
の層面15.15・・・に平行に照射される。すると液
晶セル9中の強誘電性液晶は、カイラルスメクチックC
相の層面15.15・・・に平行な方向から超音波が照
射されたことにより、この超音波のエネルギーによって
分子10、lO・・・の再配列が起こり、層面15.1
5・・・に対して直交する方向に生じた配向欠陥が改善
され、液晶がセルへの注入以前の均一な配向状態に復帰
する。
その後、この液晶セル9に常法によって偏光板等を取り
付け、液晶素子とする。
付け、液晶素子とする。
このような液晶素子の製造方法によれば、強誘電性液晶
を注入してなる液晶セル9に、その強誘電性液晶の層面
15.15・・・に対して平行な方向に超音波が照射さ
れるので、強誘電性液晶の構成分子1O1IO・・・が
再配列し、よって液晶がセルに注入される以前の均一な
配向状態に復帰する。
を注入してなる液晶セル9に、その強誘電性液晶の層面
15.15・・・に対して平行な方向に超音波が照射さ
れるので、強誘電性液晶の構成分子1O1IO・・・が
再配列し、よって液晶がセルに注入される以前の均一な
配向状態に復帰する。
「実施例」
2枚のガラス製基板の表面にインジウムスズオキサイド
からなる透明電極およびポリイミドからなる配向膜を形
成し、配向膜をラビング処理した。
からなる透明電極およびポリイミドからなる配向膜を形
成し、配向膜をラビング処理した。
この基板の配向膜上にアルミナ粉末rPPS−2゜0」
(昭和電工(株)製)をスペーサとして散布し、さらに
この基板の周辺部に紫外線硬化樹脂「ロックタイト35
0Jにホンロックタイト(株)製)を塗布して封着材と
した。そして、この基板上に他の基板を重ね合わせた後
、紫外線照射器にて3分間紫外線を照射し、封着材を硬
化させて2枚の基板を接合してセルとした。
(昭和電工(株)製)をスペーサとして散布し、さらに
この基板の周辺部に紫外線硬化樹脂「ロックタイト35
0Jにホンロックタイト(株)製)を塗布して封着材と
した。そして、この基板上に他の基板を重ね合わせた後
、紫外線照射器にて3分間紫外線を照射し、封着材を硬
化させて2枚の基板を接合してセルとした。
このようにして作製したセルの基板間隔をマイケルソン
干渉計rM I−μ5J(iill尻光学(株)製)に
て測定したところ、2.2μ劇であった。
干渉計rM I−μ5J(iill尻光学(株)製)に
て測定したところ、2.2μ劇であった。
次に、このセル内に強誘電性液晶rcs−t。
14」(チッソ(株)製)を注入して液晶セルとし、さ
らに等方性液体相より徐冷して液晶セル全体で均一な配
向が得られるようにした。しかしながら、この液晶セル
を偏光顕微鏡にて観察したところ、ジグザグドメインが
多数確認された。
らに等方性液体相より徐冷して液晶セル全体で均一な配
向が得られるようにした。しかしながら、この液晶セル
を偏光顕微鏡にて観察したところ、ジグザグドメインが
多数確認された。
次いで、この液晶セルをセルホルダーで固定し、超音波
発振器の槽内の水中に垂下せしめ、液晶セル中の強誘電
性液晶の層面に対して平行な方向に発振子より超音波を
照射し、液晶の配向を均一化した。このようにして得た
液晶セルを再度偏光顕微鏡にて観察したところ、超音波
を照射する前に比べ、そのジグザグドメインが1/4程
度に減少していることが確認された。
発振器の槽内の水中に垂下せしめ、液晶セル中の強誘電
性液晶の層面に対して平行な方向に発振子より超音波を
照射し、液晶の配向を均一化した。このようにして得た
液晶セルを再度偏光顕微鏡にて観察したところ、超音波
を照射する前に比べ、そのジグザグドメインが1/4程
度に減少していることが確認された。
その後、この液晶セルに偏光板等を取り付けて液晶素子
とした。そして、この液晶素子の特性を調べた結果、十
分な表示コントラストや駆動特性が得られ、また安定し
たしきい電圧が得られることが確認された。
とした。そして、この液晶素子の特性を調べた結果、十
分な表示コントラストや駆動特性が得られ、また安定し
たしきい電圧が得られることが確認された。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の液晶素子の製造方法は
、2枚の基板を対向させて形成される空隙に強誘電性液
晶を注入して液晶セルを形成し、その後この液晶セルに
、その強誘電性液晶の層面に対して平行な方向に超音波
を照射するものであるから、超音波のエネルギーによっ
て分子の再配列が起こり、これにより強誘電性液晶の層
面に対して直交する方向に生じたジグザグドメイン等の
配向欠陥が改善され、よって液晶がセルに注入する以前
の均一な配向状態に復帰するので、ジグザグドメイン等
の配向欠陥に起因する表示コントラストや駆動特性の低
下を防止することができ、さらにしきい電圧の変化を防
止することができる。
、2枚の基板を対向させて形成される空隙に強誘電性液
晶を注入して液晶セルを形成し、その後この液晶セルに
、その強誘電性液晶の層面に対して平行な方向に超音波
を照射するものであるから、超音波のエネルギーによっ
て分子の再配列が起こり、これにより強誘電性液晶の層
面に対して直交する方向に生じたジグザグドメイン等の
配向欠陥が改善され、よって液晶がセルに注入する以前
の均一な配向状態に復帰するので、ジグザグドメイン等
の配向欠陥に起因する表示コントラストや駆動特性の低
下を防止することができ、さらにしきい電圧の変化を防
止することができる。
第1図ないし第3図はこの発明の液晶素子の製造方法の
一具体例を示す図であって、第1図は液晶素子の概略構
成図、第2図は強誘電性液晶相における分子の配列構造
を説明するための拡大図、第3図は液晶セルへの超音波
の照射を説明するための側断面図である。 1・・・・・・下基板、4・・・・・・上基板、8・・
・・・・液晶部、9・・・・・・液晶セル、11・・・
・・・超音波発振器、14・・・・・・発振子、15・
・・・・・層面。
一具体例を示す図であって、第1図は液晶素子の概略構
成図、第2図は強誘電性液晶相における分子の配列構造
を説明するための拡大図、第3図は液晶セルへの超音波
の照射を説明するための側断面図である。 1・・・・・・下基板、4・・・・・・上基板、8・・
・・・・液晶部、9・・・・・・液晶セル、11・・・
・・・超音波発振器、14・・・・・・発振子、15・
・・・・・層面。
Claims (1)
- 2枚の基板を対向させて形成される空隙に強誘電性液晶
を注入して液晶セルを形成し、その後この液晶セルに、
その強誘電性液晶の層面に対して平行な方向に超音波を
照射することを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12179187A JPS63286817A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12179187A JPS63286817A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63286817A true JPS63286817A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14819990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12179187A Pending JPS63286817A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63286817A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647020A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Idemitsu Kosan Co | Method for controlling orientation of liquid crystal optical element |
KR20130015588A (ko) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 셀 열처리장치 및 방법 |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP12179187A patent/JPS63286817A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647020A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Idemitsu Kosan Co | Method for controlling orientation of liquid crystal optical element |
KR20130015588A (ko) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 셀 열처리장치 및 방법 |
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