JPS63284193A - ２’，３’−ジデオキシシチジン誘導体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目的〕 本発明は、エイズ治療薬として有用である２′。

３′−ジデオキシシチジン誘導体の優れた製法に関する
。

〈従来の技術〉 従来　２ｔ、３ｔ−ジデオキシシチジン誘導体を、りが
ヌクレオシＰ類から合成する方法としては、ホルピツツ
らの方法（ジャーナル・オブーオーガニツクーケミスト
リー、３２，８１７（１９６９））が知られているが、
最終の還元工程において副生成物ができるため生成物の
単離が困難であり、大量合成に向いていない。

く当該発明が解決しようとする問題点〉本発明者らは、
リデヌクレオシｒ類を原料とした２′、３′−ジデオキ
シシチジン誘導体の合成について、長年に亘シ鋭意研究
を行った結果、本発明の方法が、収率性及び単離の簡便
性の面において、優れていることを見い出し、本発明を
完成した。

〔構成〕

本発明の２７．３／−ジデオキシシチジン誘導体の製法
は、次式に示すように、 （１）　　　　　　　　　　　　＋Ｉｆ）（式中、Ｒ１
及びＲ２は同−又は異彦って、保護されていてもよい水
酸基又は置換された水酸基を示し、Ｘは一四ゲン原子を
示し、Ｙは保護されていてもよいアミノ基又は置換され
たアミノ基を示す、） 式（ＩＪを有する化合物を、式■を有する化合物（式中
、Ｙは前記と同意義を示す、）と反応させ、所望により
、保護基を除去することを特徴とする式（ｎ）で表わさ
れる２′、３′−ジデオキシシチジン誘導体の製法又は
、次式に示すように、（［１）　　　　　　　　　　　
　（Ｉｌｌ（式中、　Ｈｌ　、　Ｒ２及びＹは前記と同
意義を示す、）式（ＩＩＩ）を有する化合物と、ノ〜ロ
ゲン化試薬とを反応させ、次いで、生成物を単離し、又
は単離することなく、式ＴＨ’ｉ有する化合物（式中、
Ｙは前記と同意義を示す、）と反応させ、所望によ〕、
保護基を除去することｔ−特徴とする式（ＩＩ）で表わ
される２１．３／−ジデオキシシチジン誘導体の製法で
ある。

上記式中、 Ｘで定義された「ハロゲン原子」とは、弗素、塩素、臭
素又は沃素を示す。

Ｒ１及びＲ２で定義された「保護されていてもよい水酸
基」の保護基としては、反応における保護基を示し、例
えば、ホルミル、アセチル、プ四ピオニル、ブチリル、
イソブチリル、ペンタノイル、ピバロイル、バレリル、
インバレリル、オクタノイル、ラウロイル、ノ臂ルミト
イル、ステアルイルのようなアルキルカルボニル基、り
四ロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル
、トリフルオロアセチルの↓うな＾ログン化アルキルカ
ルゴニル基、メトキシアセチルのような低級アルコキシ
アルキルカルボニル基、＋１＞　−２−メチル−２−ブ
テノイルのような不飽和アルキルカルボニル基等の脂肪
族アシル基；ベンゾイル、α−ナフトイル、β−ナフト
イルのようなアリールカルボニル基、２−ブロモベンゾ
イル、４−クロロベンゾイルのよりなハロゲン化アリー
ルカルデニル基、２，４．６−トリメチルベンゾイル、
４−トルオイルのような低級アルキル化アリールカルゴ
ニル基、４−アニソイルのような低級アルコキシ化アリ
ールカル？ニル基、４−ニトロベンソイル、２−ニトロ
ベンソイルのよりなニトロ化アリールカルデニル基、２
−（メトキシカルノニル）ベンゾイルのような低級アル
コキシカルがニル化アリールカルデニル基、４−フェニ
ルベンゾイルのような了り−ル化アリールカルゴニル基
等の芳香族アシル基；テトラヒドロピラン−２−イル、
３−ブロモテトラヒドロピラン−２−イル、４−メドキ
シテトラヒドロピラン−４−イル、テ′トラヒドロチオ
ピランー２−イル、４−メトキシテトラヒドロチオピラ
ン−４−イルのようなテトラヒドロピラニル又はテトラ
ヒドロチオピラニル基：テトラヒドロフラン−２−イル
、テトラヒドロチオ７ランー２−イルのようなテトラヒ
ドロフラニル又はテトラヒドロチオ７うニル基：）！ｊ
メチルシリル、トリエチルシリル、イソプロピルジメチ
ルシリル、ｔ−ジチルジメチルシリル、メチルジインプ
ロピルシリル、メチルジ−ｔ−ブチルシリル、トリイソ
プロピルシリルのようなトリ低級アルキルシリル基、ジ
フェニルメチルシリル、ジフェニルブチルシリル、ジフ
ェニルイソプロピルシリル、フェニルジイソプロピルシ
リルのような１乃至２個のアリール基で置換されたトリ
低級アルキルシリル基等のシリル基；メトキシメチル、
１，１−ジメチル−１−メトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチル、イソプロポキシメチル、ブトキ
シメチル、ｔ−ブトキシメチルのような低級アルコキシ
メチル基、２−メトキシエトキシメチルのような低級ア
ルコキシ化低級アルコキシメチル基、２，２．２−トリ
クロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メ
チルのような／％０ゲン化低級アルコキシメチル等のア
ルコキシメチル基；１−エトキシエチル、１−メチル−
１−メトキシエチル、１−（イソプロポキシ）エチルの
ような低級アルコキシ化エチル基、２．２．２−トリク
ロロ写チルのようなハロゲン化エチル基、２−（フェニ
ルゼレニル）エチルのような了り−ルゼレニル化エチル
基等の置ｍエテル基；ベンジル、フェネチル、３−フェ
ニルプロピル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチ
ル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、α−ナフ
チルジフェニルメチル、９−アンスリルメチルのような
１乃至３個のアリール基で置換された低級アルキル基、
４−メチルベンジル、２．４．６−　）リメチルベンジ
ル、３，４．５−　）リメチルペンジル、４−メトキシ
ベンジル、４−メトキシフェニルジフェニルメチル、２
−ニド、ロペンジル、４−ニトロベンジル、４−クロロ
ベンジル、４−ブロモベンジル、４−シアノペンノル、
４−シアノヘンゾルジフェニルメチル、ビス（２−ニト
ロフェニル）メチル、ビペロニルのような低級アルキル
、低級アルコキシ、ニトロ、ハロゲン、シアノ基でアリ
ール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換され
た低級アルキル基等のアラルキル基；メトキシカルがニ
ル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシメルゲニル、イ
ンブトキシカルブニルのような低級アルコキシカルがニ
ル基、２，２゜２−）’Ｊクロ四エトキシカルがニル、
２−トリメチルシリルエトキシカルｌニルのようなハロ
ゲン又はトリ低級アルキルシリル基で置換された低級ア
ルコキシカル−ニル基等のアルコキシカルぎニル基：ピ
ニルオキシカルゲニル、アリルオキシカル−ニルのよう
なアルケニルオキシカルがニル基：ベンジルオキシカル
ボニル、４−メトキシベンジルオキシカルゲニル、３．
４−ジメトキシペンジルオキシカルゲニル、２−二トｐ
ベンジルオキシカルゲニル、４−ニトロペンジルオキシ
カルボニルのような、１乃至２個の低級アル−キシ又は
ニトロ基でアリール環が置換されていてもよいアラルキ
ルオキシカル？ニル基のような反応における保護基を挙
げることができ、好適には、脂肪族アシル基及び芳香族
アシル基である。

Ｒ１及びＲ２で定義された「置換された水酸基」の置換
基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、８−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシルのような炭素数１乃至６個の低
級アルキル基又はフェニル、４−トリル、４−メトキシ
７エ二ル、４−り四ロフェニル、α若シくはβ−ナフチ
ルのような低級アルキル、低級アルコキシ、−ロゲン原
子で置換されていてもよいアリール基を挙げることがで
きる。

Ｙで定義された「保膨されていてもよいアミノ基」とは
、下記の保護基が１又は２個アミノ基を保護していても
よい基を示し、該保護基としては、通常アミン基の保護
基として使用するものであれば限定はないが、好適には
、例えば、前記脂肪族アシル基；前記芳香族アシル基：
前記アルコキシカルがニル基；前記アルケニルオキシカ
ルゲニル基；前記「１乃至２個の低級アルコキシ又はニ
トロ基でアリール環が置換されていてもよいアラルキル
オキシカルゲニル基」；前記シリル基：前記アラルキル
基；又はＮ、Ｎ。

ジメチルアミノメチレン、ベンジリデン、４−メトキシ
ベンジリデン、４−ニトロベンジリデン、サリシリデン
、５−クロロサリシリデン、ジフェニルメチレン、（５
−クロロ−２−ヒドロキシフェニル）フェニルメチレン
のようなシッフ塩基を形成する置換されたメチレン基全
挙げることができ、さらに好適にはアラルキル基である
。

Ｙで定義された「置換されたアミン基」とは、下記の置
換基が１又は２個アミノ基を置換している基を示し、該
置換基としては、例えば前記低級アルキル基；前記低級
アルコキシ基、２−メトキシエトキシのような低級アル
コキシ化低級アルコａシ基、２．２ｓ２−　）リクロロ
エトキシのようなハロゲン化低級アルコキシ基等のアル
コキシ基：ヘンジルオキシ、フェネチルオキシ、３−フ
ェニルプロポ中シ、α−ナフチルメトキシ、β−ナフチ
ルメトキシ、ジフェニルメトキシ、トリフェニルメトキ
シ、α−ナフチルジ７二二ルメトキシ、９−アンスリル
メトキシのような１乃至３個のアリール基で置換された
低級アルコキシ基、４−メチルベンジルオキシ、　２．
４．６−トリメチルベンジルオキシ、３．４．５−トリ
メチルベンジルオキシ、４−メトキシベンジルオキシ、
４−メトキシフェニルジフェニルメトキシ、２−ニトロ
ベンジルオキシ、４−ニトロベンジルオキシ、４−クロ
ロベンジルオキシ、４−ブロモベンジルオキシ、４−シ
アノベンジルオキシ、４−シアノベンジルジフェニルメ
トキシ、ビス（２−ニトロフェニル）メトキシ、ピペロ
ニルオキシのような低級アルキル、低級アルコキシ、ニ
ド寵、ハロゲン、シアノ基でアリール環が置換された１
乃至３個のアリール基で置換された低級アルコキシ基等
のアラルキルオキシ基：水酸基；ヒドロキシメチル、２
−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシエチルのようなヒ
ト四キシ置換低級アルキル基；２−アミノエチル、３−
アミノプロピルのよりなアミノ置換アルキル基又は前記
「低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲンで置換され
ていてもよいアリール基」を挙げることができ、好適に
は低級アルキル基である。

「ハロゲン化試薬」とは、例えば、スルフェニルクロリ
ド、スルフェニルプロミド、スルフェニルアイオダイド
のようなスルフェニル＾ライＰ類、スルホニルクロリド
、スルホニルブロミｒ１スルホニルアイオダイＰのよう
なスルホニルハライド類、三塩化燐、三臭化燐、三沃化
燐のよりな三ハロゲン化燐類、五塩化燐、五臭化燐、五
沃化燐のような五ハロゲン化燐類又はオキシ塩化燐、オ
キシ臭化燐、オキシ沃化燐のようなオキシハロゲン化燐
類を挙げることができ、好適には、オキシーロゲン化燐
類である。

第１工程は、化合物（りとアミン化合物とを溶媒中で反
応させ、所望により、アミン基の保護基又は／及び水酸
基の保護基を除去することにより、４位のハロゲン原子
を、式Ｙを有する基に置換した化合物（ＩＩ）を展進す
る工程である。

反応溶媒は、反応を阻害しないものであれば特に限定は
ないが、好適にはクロロホルム、ジクロルメタンのよう
なハロゲン化炭化水素類、メタノール、エタノールのよ
うな低級アルコール類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドのようなアミド類又は
ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロアミド、
トリエチルホスフェートのような極性溶媒類が用いられ
る。

反応温度は、用いる原料、溶媒及び試薬により異なるが
、通常は一１０℃〜１００℃で、好適にはＯ℃〜５０℃
で実施される。

反応時間は、用いる原料、溶媒、試薬及び反応時間によ
り異なるが、通常１時間乃至４日間であり、好適には４
時間乃至３日間である。

所望の工程である保護基の除去反応はその種類によって
異なるが、一般にこの分野の技術において周知の方法に
よって以下の様に実施される。

水酸基又は／及びアミノ基の保護基が、シリル基である
場合は、保護基の除去は、弗化テトラブチルアンモニウ
ムのような弗素アニオンを生成する化合物で処理するこ
とによシ実施することができる。使用される溶媒として
は特に限定はないが、テトラヒドロフラン、ジオキサン
のようなエーテル類が好適である。反応は好適には、室
温付近において１０乃至１８時間処理することによって
行われる。

水酸基又は／及びアミノ基の保護基が、アラルキルオキ
シカル−ニル基又はアラルキル基である場合には、還元
剤と接触させることによシ除去することができる０例え
ば、／４ラジウム炭素、白金のような触媒を用い、常温
にて接触還元を行うか、または硫化ナトリウム、硫化カ
リウムのようなアルカリ金属硫化物を使用して実施され
る０反応は溶媒の存在下で行われ、使用される溶媒とし
ては本反応に関与しないものであれば特に限定はないが
、メタノール、エタノールのようなアルコール類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類または
酢酸のような脂肪数およびこれらの有機溶媒と水との混
合溶媒が好適である０反応温度は通常、０℃乃至室温付
近であり、反応時間は原料化合物および還元剤の種類に
よって異なるが、通常は５分乃至１２時間である。

水酸基又は／及びアミノ基の保護基が、脂肪族アシル基
、芳香族アシル基又はアル；キシカルボニル基である場
合には、水性溶媒の存在下に塩基で処理することにかル
除去することができる。使用される溶媒としては通常の
加水分解反応に使用されるものであれば特に限定はなく
、水、メタノール、エタノール、ｎ−７’ロノヤノール
のようなアルコール類、テトラヒドロ７ラン、゛　　ジ
オキサンのよりなエーテル類又はこれらの混合溶媒が好
適である。塩基としては、２化合物の他の部分に影響を
与えないものであれば特に限定はないが、好適には炭酸
ナトリウム、炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアルカリ
金属水酸化物、溶媒として用いたアルコールのアルカリ
金属アルコキシド類又は濃アンモニア−メタノールを用
いて実施される。好適な反応条件としては、アルコール
類中で当該アルコールのアルカリ金属塩と反応させるも
のである０反応温度は特に限定はないが、副反応を抑制
するために０℃乃至１５０℃付近が好適である。反応時
間は原料化合物の種類および反応温度などによシ異なる
が、通常５分乃至１０時間である。

水酸基又は／及びアミノ基の保護基が、アルコキシメチ
ル基、テトラヒドロピラニル又はテトラヒドロチオピラ
ニル基、テトラヒドロ７ラニル又はテトラヒドロチオ７
ラニル基又は置換されたエチル基である場合には、溶媒
中、酸で処理することにより、除去することができる。

使用される酸としては、好適には塩酸、酢酸−硫酸、ト
シル酸などである。溶媒としては、本反応に関与しない
ものであれば特に限定はないが、メタノール、エタノー
ルのようなアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サンのようなエーテル類またはこれらの有機溶媒と水と
の混合溶媒が好適である０反応温度は通常０℃乃至５０
℃で実施され、反応時間は原料化合物および酸の種類に
よって異なるが、通常１０分乃至１８時間である。

水酸基又は／及びアミノ基の保護基がアルケニルオキシ
カルブニル基である場合は、通常、前記水酸基の保護基
が低級脂肪族アシル基、芳香族アシル基またはアル−”
・−コ・・−１キシカルゴニル基である場合の除去反応
の条件と同様にして塩基と処理することにより脱離させ
ることができる。なおアリルオキシカルブニルの場合は
、特にノ々ラジウムおよＯトリフェニルホスフィンある
いはニッケルテトラカルゲニルを使用して除去する方法
が簡便で、副反応が少な〈実施することができる。

反応終了後、目的化合物は常法に従って反応混合物から
単離することができる０例えば、再結晶、分取用薄層ク
ロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィー等により
精製して、純品を得ることができる。

第２工程は、本庄らの方法（ケミカル・７アーマシユー
テイカル・プルティン、１８＊　５５４（１９７０））
に従って製造されるＺ／　３／−ジデオキシウリジン化
合物ＣＤＩ）と、溶媒の存在下又は非存在下に、脱酸剤
及びノーロゲン化試薬とを反応させ、次いで、生成物を
単離し、又は単離することなく、アミン化合物と反応さ
せ、所望により、第１工程の所望の工程の記載に準じて
脱保護することにより　２／、　３／−ジデオキシシチ
ジン銹導体＋Ｉｌｌを製造する工程である。

溶媒を使用する場合の反応溶媒としては、反応を阻害し
ないものであれば特に限定はないが、好適には、酢酸エ
チル、プロピオン酸エチルのようなエステル類又はノク
ロルメタン、クロロホルムのようなノ・ロゲン化炭化水
素類である。

使用される脱酸剤としては、有機塩基であれば、特に限
定はないが、好適には、ジエチルアニリン、ジメチルア
ニリンのような芳香族第三級アミン類又はトリエチルア
ミンのようなトリ低級アルキルアミン類である。

反応温度は、原料、溶媒の有無、使用溶媒の種類及び使
用するハロゲン化試薬により異なるが、通常は３０℃乃
至２００℃で、好適には、反応液の沸点で行われる。

反応時間は、原料、溶媒の有無、使用溶媒の種類、使用
するハロゲン化試薬及び反応温度によシ異なるが、通常
、１０分乃至５時間であり、好適には２０分乃至４時間
である。

反応終了後、本反応の目的化合物は常法に従って、反応
混合物から採取される０例えば、反応混合物に水と混和
しない有機溶媒を加え、水洗後、溶剤を留去することに
よって得られる。

得られた目的化合物は必要ならば、常法、例えば再結晶
、再沈殿又はクロマトグラフィー等によって更に精製で
きる。

以下に実施例をあげて、更に詳しく述べる。

オキシ塩化リン２６．５Ｍに、ジエチルアニリン４．４
ｄを加え、還流５分後、放冷し、この溶液ｆ　５’−ｏ
−ベンゾイル−２／、　３／−シアオキシウリジン３．
０２を酢酸エチル２６．５ｄに懸濁した溶液に加えると
直ちに溶けた。還流２３分後、溶媒を留去し、酢酸エチ
ル１１００Ｉ、氷水１００１を加えて溶かし、酢酸エチ
ル層を分取後、氷水１００１で２回洗浄した。さらに氷
を含む５チ炭酸水素ナトリウム水溶液１００反で洗浄後
、氷水１００１で２回洗浄した後、酢酸エチル層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、戸去し、溶媒を留去して、
４−クロロ−５′−〇−ペンソイルー２′、３′−ゾデ
オキシクリジンを得た。上記化合物を乾燥クロロホルム
１８０ｍＪに溶かし、−１０〜−１５℃に冷却し、乾燥
アンモニアガスを１時間導通した。密＠をして室温に３
日間放置後、溶媒を留去すると、粗Ｍ５メー０−ベンゾ
イル−２／、３／−ジデオキシジチゾンが得られた。こ
の化合物をさらに、乾燥メタノール’ｉｏｍｔに溶かし
２８チナトリウムメチラート溶液１．１３ｍ／ｉ加えて
、１０分間還流を行った。溶媒を留去して、酢酸エチル
５Ｑｍ／と水５０ｍ／に溶かし、水層を分取し、更に酢
酸エチル５０ｍ１で２回洗浄した。各酢酸エチル層を水
３０ｄで順次逆抽出した後、水層を合せて、−規定塩酸
で−７，０とした後に、ｃＨＰ２０Ｐ　（ハイデーラス
ポリマー７５〜１５０μ：三菱ケミカル社製）３００ｍ
／を詰め九カラム圧通し、水で溶出した１表記化合物を
含む部分を濃縮し、凍結乾燥して１．１１の表記化合物
を得た。（５４，９％）エタノール６０ｍ１で再結晶す
ると０．８７６Ｆ（４３，７悌）が得られた。さらに母
液を濃縮し、エタノール１０ｄから結晶化させて第二結
晶として、０．１７ｔを得、合せて１．０４６ｆ　（５
２，２％）の表記化合物を得た。なおここで得られた表
記目的化合物の諸性質は前記ホルビツツらの報告してい
る化合物に完全に一致した。

窒素気流下にオキシ塩化リンＱ、９３ｍとジエチルアニ
リン１．５９Ｍ、酢酸エチル１０−の混液に、５′−〇
−ベンゾイルー２′、３′−ジデオキシウリジン３１６
１＋ｌｖを加えて、加熱還流１００分行った。溶媒を留
去し、残留物に酢酸エチル２０−と氷水２０　ｄ　ｆ加
え、酢酸エチル層を分取後、氷を含む希塩酸水溶液、氷
を含む炭酸水素ナトリウム水溶液、氷水各１５廐で順次
洗浄後、酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、戸去して、溶媒を留去した。残留物をシリカゲルクロ
マトで分離精製しく１％メタノール−塩化メチレン溶液
）、２５０η（７４，５１の表記化合物を得た。

、　　　ＴＨＦ ＵＶスペクトル、λ　　　２７５　ｎｍ　（ｓｈ）、２
８４ｎｍａｘ （ｓｈ）、３０５ｎｍ、　３１４ｎｍ ＮＭＲスペクトル（δｉｎ　ＣＤＣｌ２　）　：　７．
４〜８．３・（６１１！。

ｍ、６−Ｈ，フェニル）、６．２１（ＩＥＩ、ｄ、Ｊ＝
７、Ｏｃｐｓ　、　５−Ｈ）、６．００　（Ｉ　Ｔｌ　
、　ｑ　、　Ｊ＝２．６゜１’−Ｈ）、４．３〜４．７
（３Ｈ，ｍ、４’、５’−１）、１．７〜２．８　（４
Ｈ、ｍ　、　２’、３’−Ｈ）実施例２の化合物２５０
Ｗｑを乾燥クロロホルム２０１に溶かし、−１０〜−１
５℃に冷却して、乾燥アンモニアガスを１５分間導通し
た。＠栓をして、室温に３日間放置した。溶媒を留去す
ると、粗製５１−０−ベンゾイル−２／、３／−ジデオ
キシシチジンが得られた。この化合物を乾燥メタノール
１０ゴに溶かし、２８チナトリウムメチラート溶液０．
１５Ｎを加え、１０分間還還流性った。溶媒を留去して
、酢酸エチル１０１と水１０ゴに溶かし、水層を分取し
、更に酢酸エチル１０ばで２回洗浄した。各酢酸エチル
層を水５１で、順次逆抽出した。水層を合せて、−規定
塩酸でｐＨ７，０とした後に、ＣＩ’１Ｐ−２０Ｐ　４
０プを詰めたカラムに通し、水で溶出した。表記化合物
を含む部分を濃縮し、凍結乾燥して１３０１ｑ（８２，
６１）の表記化合物を得た。エタノール４１Ｌｔで結晶
化させ１０９１Ｆ（６−９，３％）が得られた。さらに
母液を濃縮してエタノール１ｒＩＬｔで結晶化させて第
二結晶として９ｗＩｆを得、合せて１１８ｗ（７５，３
１）の表記目的化合物を得た。

なおここに得られた表記目的化合物の諸性質は実施例１
で得られた化合物と一致した。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ＾１は保護されて
   いてもよい水酸基又は置換された水酸基を示す。）を有
   する化合物を、式ＹＨを有する化合物（式中、Ｙは保護
   されていてもよいアミノ基又は置換されたアミノ基を示
   す。）と反応させ、所望により、保護基を除去すること
   を特徴とする 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｙは前記と同意義を示し、Ｒ＾２はＲ＾１と同
   様の基を示す。）で表わされる２′，３′−ジデオキシ
   シチジン誘導体の製法。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＾１は保護されていてもよい水酸基又は置換
   された水酸基を示す。）を有する化合物と、ハロゲン化
   試薬とを反応させ、次いで、生成物を単離し、又は単離
   することなく、式ＹＨを有する化合物（式中、Ｙは保護
   されていてもよいアミノ基又は置換されたアミノ基を示
   す。）と反応させ、所望により保護基を除去することを
   特徴とする 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｙは前記と同意義を示し、Ｒ＾２はＲ＾１と同
   様の基を示す。）で表わされる２′，３′−ジデオキシ
   シチジン誘導体の製法。