JPS63274691A

JPS63274691A - 単結晶育成方法と装置

Info

Publication number: JPS63274691A
Application number: JP10957687A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Nakagawa; 中川　正広; Masami Tatsumi; 雅美龍見
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1987-05-01
Filing date: 1987-05-01
Publication date: 1988-11-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（７）技術分野この発明は高解離圧化合物単結晶をチョクラルスキー法
（ＣＺ法）で製造する場合の改良に関する。

高解離圧化合物というのは、ＩｎＰ　、　ＧａＡｓ　、
・・・などの■−ｖ族化合物、ＺｎＳ１ＣｄＴｅ・・・
・・・などのＩ−■族化合物を意味する。

これらの化合物は、Ｐ、Ａｓなど高解離圧成分を含む。

従来は液体カプセル法（ＬＥＣ法）で作られたが、結晶
表面から高解離圧成分が揮散するという問題があった。

結晶が引上けられる空間には高圧の不活性気体が存在す
る。しかし、高解離圧成分ガスの分圧は低い。融液から
高解離圧成分が揮散するが、空間が広いので、高解離圧
成分ガスの分圧は低い。また容器の最低温度が低いから
、いちど揮散したガスが容器の低温部に付着する。

この難点を防ぐには、結晶の引上げられる空間を制限し
、ここに高解離圧成分ガスを充満させれば良い。

主にＱａＡｓの引上げについて、多くの改良法が提案さ
れている。

高解離圧成分をどのようにして供給するか、という事が
重大な問題になる。

げ）従来技術この中で有力なものは、２重の容器を用いる方法である
。内容器にはＡｓの蒸気を存在させる。こうして、Ａｓ
圧を平衡させ、結晶からのＡｓ抜けを防止する。

二重融液シール法という事がある。

例えば、特開昭５４−１２１５８５　（Ｓ５４．９．２
５公開）、特開昭５８−９９１９５　（５５８，６，１
８公開）はこのような方法を提案している。

これらは、縦長の石英製るつぼの中に、ＧａＡｓとＢ、
０．とを入れ、この中に上軸を差込んでいる。石英製る
つぼの上方は広い空間となっていて、ここへ結晶が引上
ってゆく。

上軸と、石英製るつぼ上端の挿入口は、　Ｂ２Ｏ３を入
れた受皿によってシールされている。るつぼ内の融液も
Ｂ、０３で覆われている。それ故二重融液シールという
。石英製るつぼの外）てはヒータがあり、これらの全体
を圧力容器が囲んでいる。

内容器の空間内には、Ａｓが存在する。Ａｓ圧のため結
晶表面からのＡｓ抜けが防止される。内部空間に供給さ
れるＡｓはＧａＡｓ原料融液から解離したものである。

この方法は、石英管を容器とするので、好都合な点がふ
たつあると考えられる。

（１，）　　石英は賦型性に富む材料であるから、この
ような異形の容器を作りやすい。

（２）　　石英は透明であるから、内部観察ができる。

しかし、反面、石英の中のＳｉがＧａＡｓの融液の中へ
入り、これを汚染する。Ｓｉはｎ型の不純物となるから
、これは重大な問題である。

特にノンドープＧａＡｓ単結晶を、この方法で作る事が
できない。

さらに、ＧａＡｓ単結晶を製造する方法として、特開昭
６０−１１２９８　（Ｓ６０．１．２１公開）、特開昭
６０−１１２９９　（５６０，１，２１公開）が提案さ
れている。

これも二重容器を用いる。二重融液シール法である。ｋ
だし、石英管によって内容器の全体を形成しない。るつ
ぼの中へ、下方の開口した石英製の蓋を差込み、密封空
間を形成している。

しかも、石英製蓋の下端が８２０３中にとどまるように
している。下端がＧａＡｓ融液に触れないようにする。

ＧａＡｓ融液が石英中のＳｉによって汚染されないため
である。るつぼはＰＢＮるつぼである。るつぼと石英製
蓋により内容器を形成する。

この方法は前述の方法に比べて、Ｓｉ汚染を避は得ると
いう点で優れている。

さらに、この方法は、内容器の中にＡｓだけでなく、Ｎ
２などの不活性気体も入れている。外容器は不活性気体
だけである。

特開昭６０−２５５６９２号（Ｓ６０．１２．１７公開
）も、同様である。Ａｓのガスを容器内に充満させ、Ａ
ｓ圧を高めて、結晶からのＡｓ抜けを防いでいる。この
Ａｓは原料のＧａＡｓ融液から抜けたものである。

しかし、これらの方法は、原料ＧａＡｓから抜けたＡｓ
を利用するので、原料融液ＧａＡｓがストイキオメトリ
から外れるという難点がある。

特開昭６０−４１６３９号（Ｓ６０．９．１８公開）は
、炉の内部にＡｓ固体を置く容器を別に設けている。Ａ
ｓを加熱して、Ａｓの蒸気を発生させて、Ａｓ雰囲気を
形成している。

沙）従来技術の問題点高解離圧成分ガスを得るのに、原料融液から解離させる
方法は、原料融液の組成がストイキオメトリからずれて
くるという問題がある。

高解離圧成分の固体を炉の中に置いて、これをヒータで
加熱して高解離圧成分ガスの圧力を制御するものは、原
料固体が溶融し原料融液となるタイミングと同期させる
事が難しい。

又、高解離圧成分固体の温度変動に対する圧力変動が著
しいので制御性が悪い。

Ｂρ３を先に軟化させなければならない。このため炉内
温度を５００°Ｃ〜６００°Ｃ程度にする。特にＰの場
合、この温度までにＰ固体は殆ど全て蒸発してしまう。

この後、圧力制御を行なう事ができない。

に）本発明の方法本発明の方法は、主るつぼの側周に副るつぼを形成し、
いずれにも同じ組成の化合物半導体の原料となる融液を
入れ、副るつぼの融液から揮発性成分を気化させて、揮
発性成分の雰囲気を形成する。

第１図によって本発明の詳細な説明する。

主るつぼ１が下軸９によって支持されている。

主るつぼ１の側周に同心円状に副るつぼ２が形成されて
いる。

主るつぼ１の中にも、副るつぼ２の中にも、化合物半導
体の原料となり得るものを入れる。しかし、結晶引上げ
は主るつぼ１からのみ行う。副るつぼ２の化合物の融液
は結晶引上げのために用いない。これは、上方の空間Ｓ
に揮発性成分ガスの雰囲気を形成するためにのみ用いる
。そこで副るつぼ２の融液を雰囲気形成用融液４と呼ぶ
事にする。

揮発性成分のことを高解離圧成分と書く事もある。同じ
ものである。

第１図では図示していないが、副るつぼ２のさらＩｃ外
側にヒータがある。ヒータの内向きの輻射熱により副る
つぼ２がまず加熱される。副るつぼ２から、主に熱伝導
により主るつぼ１に熱が伝わる。

このような関係が主るつぼ１と副るつぼ２の間に常に存
在する。このようになるためには、両るつぼが、同心円
状にあって、液の高さがほぼ等しければ良い。しかし、
厳密に液の高さが等しい必要はない。かなり違っても良
い。

又、二重るつぼ法とは違い、２つのるつぼの間に融液の
流通がない。

主るつぼ１、副るつぼ２は独立の空間を有する。

融液が交換されるわけではない。このため液面高さが異
なるのが普通である。

副るつぼ２の方がヒータに近く、より高温になる。そう
すると、融液から揮発性成分が解離する。

この揮発性成分ガスは上方へ抜け、主るつぼ１の上方の
空間に揮発性成分ガスの雰囲気Ｑを形成する。この雰囲
気が優勢であるため、主るつぼ１の融液からの揮発性成
分ガスの揮発が抑えられる。

さらに、主るつぼ１の原料融液３から単結晶を引上げた
時、結晶表面が揮発性成分ガス雰囲気Ｑで囲まれている
ので、結晶表面からの揮発性成分ガスの解離が抑制され
る。

副るつぼ２の融液を、揮発性成分ガス雰囲気の形成に用
いたところが、本発明の特徴である。

こうなるために、副るつぼ２を主るつぼ１の外周に設け
、副るつぼ２の温度を主るつぼの温度より常に高くなる
ようにしてある。

ここで融液というのはＩｎＰ　１ＧａＡｓ　、　ＧａＰ
　、　ＩｎＡｓ　。

ＣｄＴｅ　、　ＺｎＳ　　などである。

又、内外の融液３．４の両方、又はいずれか一方を液体
封止剤Ｂ２Ｏ３によって覆うようにしても良い。

主るつぼ１の原料融液３を液体封止剤で覆い、不活性気
体によって高圧を加えるのは、通常のＬＥＣ法と同じで
ある。

副るつぼ２については事情が異なる。雰囲気形成用融液
４を液体封止剤で覆うと、揮発性成分の解離を遅らせる
事になる。このため揮発性成分ガスの雰囲気形成が妨げ
られる。しかし、反面、化合物のまま蒸発するという事
を防ぐ事ができる。

化合物のまま蒸発すると、容器の内部についてしまう。

石英容器であれば、内部観察が妨げられる。

又、のぞき窓に蒸着すると、化合物の蒸着層により、内
部観察ができなくなる。

液体封止剤は、化合物の蒸発をほぼ完全に抑える事がで
きる。揮発性成分ガスの揮散のみを許すという効果があ
る。揮発性成分が、のぞき窓に固着しても、視野が妨げ
られない。

こういう事があるので、副るつぼ２の雰囲気形成用融液
４を液体封止剤で覆うことにも意義がある。

本発明の方法は、第１図に原理を示したとおりである。

しかし、雰囲気を形成するためには、主るつぼ１と副る
つぼ２の少なくとも一部を含んで密封された空間が存在
しなければならない。

この空間では不活性気体の圧力と、揮発性成分ガスの圧
力とが存在する。この空間を内部空間Ｓと呼ぶ。引上げ
られた結晶は内部空間Ｓの中にある。内部空間Ｓには揮
発性成分ガスの高い分圧が存在するから、結晶表面から
の揮発性成分の抜けを有効に防止できる。

内部空間の形成について、いくつかの場合があり得る。

以下に４つの例を説明する。

いずれの例に於ても、密閉された内部空間の温度は十分
に高い事が必要である。内部空間の最低温度が、揮発性
成分ガスの固化する温度より高くなっていなければなら
ない。

そうでなければ、最低温度領域の壁面に揮発性成分ガス
が固化して付き、揮発性成分ガス分圧が十分に上らない
からである。

（イ）包含型第２図に縦断面図を示す。

主るつぼ１と副るつぼ２の全体を、ベッセル５によって
完全に包含したものである。

ベッセル５の中心に於て、上方からは上軸８が垂下され
る。下方から下軸９が設けられる。

上軸８の下端には種結晶１０を取付ける。原料融液３に
種結晶１０を漬けて種付けし、回転させながら上軸８を
引上ける。種結晶１０に続いて単結晶１４が引上げられ
てゆく。

ベッセル５の外側には、主るつぼ１、副るつぼ２の融液
３．４を加熱するｋめのヒータ６が設けられる。

結晶成長の様子を観察するために、のぞき窓γがベッセ
ル５の側壁を貫いて設けられている。

のぞき窓７は透明石英、又はサファイヤの棒材からなっ
ている。これらの棒材は凹レンズ加工されている事もあ
る。又は棒材の先端のみが凹レンズ加工されている事も
ある。

石英の場合は　Ｓｉ　ｋよる汚染を避けるため、のぞき
窓にＩｎ、Ｏ，の薄膜をコーティングすると良い。

ベッセル５、ヒータ６、上軸８、下軸９などを、外容器
である圧力容器１３が囲んでいる。

圧力容器１３とベッセル５ではさまれる外部空間Ｗにも
、高圧の不活性気体が存在する。ベッセル５の内部空間
Ｓには、高圧の不活性気体と揮発性ガス成分が存在する
。

ベッセル５の上軸通し穴１８の周囲に、上封止剤溜め２
１が形成される。この中に液体封止剤２３が収容される
。これは上軸８を液封するものである。ヒータ２７によ
って液体封止剤２３を加熱できるようになっている。

ベッセルの下軸通し穴１９の周囲にも、下封止剤溜め２
２があり、液体封止剤２４が、下軸９を液封している。

結晶成長の過程は次のようである。

圧力容器１３、ベッセル５を開く。上軸８に種結晶１０
を取付ける。主るつぼ１と副るつぼ２に、化合物原料の
固体、必要であれば不純物を入れる。

液体カプセル法とする場合は、主るつぼ１、副るつぼ２
へさらに、Ｂ２Ｏ３の固体を入れる。Ｂ２Ｏ３は上下封
止剤溜め２１．２２にも入れる。

圧力容器１３を閉じる。

圧力容器１３をいったん真空に引いてから、不活性気体
を導入する。ベッセルを閉じ、ヒータ６．２７へ通電す
る。まず液体封止剤Ｂ２Ｏ３が軟化し、液状となる。

副るつぼ２の方が先に高温になるから、副るつぼ２の融
液４が盛んに解離し、揮発性成分が抜ける０揮発性成分
ガスが内部空間Ｓに満ちる。ここは不活性気体と揮発性
成分ガスが共存する事になる。

この状態で、種付けし、単結晶を引上げる。内部空間Ｓ
には不活性気体と揮発性成分ガスがあり、結晶表面から
の揮発性ガス成分の解離を防ぐ事ができる。解離圧と揮
発性成分ガスの空間Ｓに於ける分圧が平衡するからであ
る。

又、液体封止剤がある場合は、これを、不活性気体と揮
発性成分ガスで押えているので、原料融液３からの揮発
性成分ガスの解離を防ぐ事ができる。

ベッセル５の材質について述べる。

原料融液３と直接に触れないので、ベッセル５は石英で
あっても良い。

しかし、より高品質の結晶を引上げたい場合は、ＦＢＩ
、ＰＢＮを被覆したカーボン、非晶質不透過性カーボン
、窒化アルミニウム、窒化はう素、窒化けい素、炭化け
い素、モリブデンなどで作るようにする。

のぞき窓７、ベッセル５については、以下の例でも同様
である。

（至）一体型第３図にベッセルと副るつぼが一体化している例を示す
。

ベッセル５が閉じた空間を形成するのであるが、副るつ
ぼ２の外周壁とベッセル５の下端が共通になっている。

主るつぼは別体である。

ここでは、主るつぼ１、副るつぼ２に融液３．４のみが
入っている状態を示している。もちろん、両方に液体封
止剤を入れても良い。

ベッセル５を上げると、副るつぼ２０部分が主るつぼ１
の外周壁に沿って上る。

（１）分離型第４図と第５図に示す。

ベッセル５が下方の開口した円筒状の容器となっている
。ベッセル５の下端が副るつぼ２の液体の中に浸漬して
いる。

第４図に於て、副るつぼ２の壁面と、ベッセル５の下端
の外周の間に液体封止剤１１が収容されている。

副るつぼ２の雰囲気形成用融液４の揮発性成分は、ベッ
セル５の内部空間Ｓに充満すべきものである。外部空間
Ｗへ揮散すると無駄になる。これを防ぐために液体封止
剤１１がある。

この場合、化合物の融液にベッセルの下端が触れている
。しかし、ベッセルが石英であったとしてもこれは問題
ない。副るつぼの融液は結晶成長に使われないからであ
る。

第５図のものは、同じく分離型であるが、主るつぼ１に
も副るつぼ２にも液体封止剤１１が入っている。

主るつぼ１の原料融液３を液体封止剤で押えるのは、Ｌ
ＥＣ法と同じ意味がある。

副るつぼ２の雰囲気形成用融液４を液体封止剤で押える
のは、揮発性成分ガスの外部空間Ｗへの急激な揮発を避
けるためである。

ベッセル５の下端が液体封止剤１１の途中にある。この
ため、副るつぼ内の液体封止剤の液面口、ハが同一高さ
く内外圧が等しい場合）になる。口の方が低い方が良い
のであるが、そうでなくても良い。副るつぼの融液４の
揮発性成分は口を通って内部空間Ｓへ入る事ができる。

原料融液３の液体封止剤イは、副るつぼ２の液体封止剤
口、ハより厚くなっている。

（７）実施例第３図に示すような装置で、ＩｎＰ単結晶を育成した。

すなわち、ベッセルとるつぼが一体型のものである。

主るつぼ１は４インチ直径のＰＢＮるつぼである。ベッ
セルはＰＢＮを被覆したグラファイトである。ＰＢＮる
つぼはグラファイトサセプタで支持されている。のぞき
窓はサファイヤである。

主るつぼの中に　　ＩｎＰ　　１０００　ｇ８２０３３
００　ｇ副ルツぼの中に　　　ＩｎＰ　　　５００．０　ｇＢ２
０３５００　　ｇをチャージした。

容器を閉じ、内部Ｓ１Ｗを真空にし、窒素ガスを導入し
４０ａｔｍとした。

ヒータ６．２７に通電し加熱した。

Ｂ２０！が溶けたところで、ベッセル５を降下させて、
第３図に示すように、ベッセル５で内部空間Ｓを密封空
間とした。

さらに昇温を続けた。

副るつぼ２内のＩｎＰが先に溶融し始めた。それととも
にＰの解離も起こる。解離したＰはベッセル内に充満し
た。

これをて続いて主るつぼ１内のＩｎＰが溶融した。

上軸８を下げ、種結晶１０を原料であるＩｎＰ融液に漬
けて、続いて単結晶を引上げた。

２インチ径のＩｎＰ単結晶が得られた。この単結晶イン
ゴットをスライスしてウエノ１−とし、ＥＰＤを測定し
た。平均値は８　Ｘ　１０”／ｄ　　であった。

通常のＬＥＧ法で成長させたＩｎＰ単結晶のＥＰＤは４
×１０４／ｉ程度である。これに比べて１桁ＥＰＤが減
少している。

結晶重量は９６０．９　ｇであった。

主るつぼに残留したＩｎＰ重量は３８．２ｇであった。

副るつぼに残留した（ＩｎＰ＋Ｉｎ）の重量は４２６．
０　ｇであった。

副るつぼから引上げているわけではないのに、７４ｇの
重量減少がある。主るつぼの残留分と結晶重量の和が９
９９．１　ｇである。主るつぼ原料からの減少は０．９
ｇにすぎない。

これらの事から、ベッセル内には副るつぼのＩｎＰ融液
からＰが解離し、ベッセル内に充満したという事が明ら
かである。

Ｐの高い圧力により結晶表面からのＰの解離が抑制され
たという事も分る。

（２）効　果結晶が引上げられる空間に、高解離圧成分ガスを充満さ
せる事ができるので、結晶表面からの高解離成分の抜け
を防ぐ事ができる。

原料融液の方が温度が低いので、必ず副るつぼの融液か
ら高解離圧成分が解離する事になる。原料融液はストイ
キオメトリを保つ事ができる。

副るつぼの温度は主るつぼの温度と平行して上り、必ず
副るつぼの温度の方が高い。るつぼの加熱のタイミング
と、高解離圧成分ガス分圧の上昇するタイミングとが自
然に適合する。

高解離圧成分の固体を炉の内部に置くものは、分圧の制
御が容易でない。温度−圧力の関係が急だからである。

本発明では化合物の融液を用いる。

融液を解離させて高解離圧成分のガスを発生させる。こ
のため温度−圧力の関係がより緩やかである。

高解離圧成分元素がＡｓでなく、Ｐである場合、Ｂ２Ｏ
３との関係がある。Ｂ２Ｏ３の軟化温度でＰの固体は殆
ど気化してしまい、Ｂ２Ｏ３でシールする前にＰ成分が
なくなってしまう。

本発明はこのような欠点からも免れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための主るつぼ、副る
つぼの縦断面図。第２図は本発明の装置の一例を示しベッセルがるつぼを
包含するタイプのものの断面図。第３図は本発明の装置の第２の例を示し、ベッセルとる
つぼが一体型のものの断面図。第４図は本発明の装置の第３の例を示し、ベッセル下端
が副るつぼ融液に浸漬しているものを示す断面図。第５図は本発明の装置の第４の例を示し、ベッセル下端
が副るつぼの液体封止剤に浸漬しているものを示す断面
図。１　・・・・・・・・・　主るつぼ２　・・・・・・・・・　副るつぼ３　・・・・・・・・・　原料融液４　・・・・・・・・・　雰囲気形成用融液５　・・・
・・・・・・　ベッセル６　　　・・・・・・・・・　　　ヒ　　　−　　　タ
フ　・・・・・・・・・　のぞき窓８・・・・・・・・・上　軸９・・・・・・・・・下　軸１０・・・・・・・・・種結晶１１　　・・・・・・・・・　液体封止剤１３・・・・
・・・・・　圧力容器１８　・・・・・・・・・　上軸通し穴１９　　・・・
・・・・・・　下軸通し穴２１　　・・・・・・・・・
　上封止剤溜め２２　　・・・・・・・・・　下封止剤
溜め２３．２４・・・・・・　液体封止剤Ｓ　・・・・・・・・・　内部空間Ｗ　・・・・・・・・・　外部空間Ｑ　・・・・・・・・・　揮発性成分ガス雰囲気発　　
明　者　　　　中　　川　　正　　広面　　見　　雅　
　美第　　　１　　　図内部空間Ｓ第　　２ｒｘＪ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）るつぼの中へ高解離圧化合物の原料と、必要であ
れば不純物とを入れ、或はこれらと液体封止剤とを入れ
、ヒータで加熱して原料融液とし、種結晶を原料融液に
漬け、不活性気体と、前記化合物半導体の揮発性成分ガ
スの雰囲気の中で、種結晶を回転させながら引上げる事
によつて単結晶を引上げるようにした高解離圧化合物単
結晶育成方法に於て、単結晶引上げを行なうべき主るつ
ぼ１の他に主るつぼ１と連通しない副るつぼ２を設け、
副るつぼ２にも同じ高解離圧化合物を入れ、主るつぼ１
の原料融液３よりも副るつぼ２の雰囲気形成用融液４の
温度の方が高くなるように加熱し、雰囲気形成用融液４
を解離させ、解離によつて生じた揮発性成分ガスを主る
つぼ１の上方の空間Ｓに充満させる事を特徴とする単結
晶育成方法。
（２）主るつぼ１の融液３と副るつぼ２の融液４が液体
封止剤で覆われている事を特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の単結晶育成方法。
（３）主るつぼ１の原料融液３は液体封止剤によつて覆
われ、副るつぼ２の雰囲気形成用融液４は液体封止剤で
覆われていない事を特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載の単結晶育成方法。
（４）主るつぼ１の原料融液３も、副るつぼ２の雰囲気
形成用融液４も液体封止剤で覆われていない事を特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の単結晶育成方法。
（５）主るつぼ１の上部空間と副るつぼ２の少なくとも
一部の上部空間とがベッセル５によつて囲まれ、この内
部空間Ｓに雰囲気形成用融液４から解離した揮発性成分
ガスと不活性気体とが共存し、ベッセル５の外部で圧力
容器１３の内部にあたる外部空間Ｗには不活性気体が存
在し、内部空間Ｓと外部空間Ｗの圧力が、上軸の液封機
構を通じて均衡している事を特徴とする特許請求の範囲
第（１）項〜第（４）項のいずれかに記載の単結晶育成
方法。
（６）ベッセル５が下方の開口した容器であり、その下
端が副るつぼ２の雰囲気形成用融液４の中へ漬けられて
いる事を特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載の単
結晶育成方法。
（７）ベッセル５の外周と副るつぼ２の間には液体封止
剤があり、ベッセル５の内周と主るつぼ１の外周の間に
は液体封止剤が存しない事を特徴とする特許請求の範囲
第（６）項記載の単結晶育成方法。
（８）ベッセル５が下方の開口した容器であり、副るつ
ぼ２の中には液体封止剤１１が収容してあつて、ベッセ
ル５の下端は副るつぼ２の液体封止剤１１の中へ浸漬さ
れている事を特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載
の単結晶育成方法。
（９）高解離圧化合物がIII−Ｖ族化合物である事を特
徴とする特許請求の範囲第（１）項〜第（８）項のいず
れかに記載の単結晶育成方法。
（１０）高解離圧化合物がII−VI族化合物である事を特
徴とする特許請求の範囲第（１）項〜第（８）項のいず
れかに記載の単結晶育成方法。
（１１）高解離圧化合物の原料又は原料と液体封止剤を
入れるべき主るつぼ１と、主るつぼ１の外周に形成され
高解離圧化合物原料又は原料と液体封止剤を入れるべき
副るつぼ２と、主るつぼ１と副るつぼ２を回転昇降自在
に支持する下軸９と、下端に種結晶を取付けて主るつぼ
１の中の原料融液から単結晶を引上げるべき回転昇降可
能な上軸８と、主るつぼ１の上部と少なくとも副るつぼ
２の一部の上部を密封空間とするためのベッセル５と、
ベッセル５上端の上軸通し穴１８を液封するための上封
止剤溜め２１と、ベッセル５の側壁を貫いて設けられる
のぞき窓７と、ベッセル５の外側にあつて副るつぼ２と
主るつぼ１とを加熱するヒータ６と、上封止剤溜め２１
の液体封止剤２３を加熱するためのヒータ２７と、ベッ
セル５の下端と副るつぼ２の間又はベッセル５の下面と
下軸通し穴との間を液封する液封機構と、主るつぼ１、
副るつぼ２、ヒータ６、ベッセル５、上軸８、下軸９、
のぞき窓７を囲む圧力容器１３とよりなる事を特徴とす
る単結晶育成装置。
（１２）ベッセル５が閉じられた容器であつて主るつぼ
１、副るつぼ２の全体を包含するものである事を特徴と
する特許請求の範囲第（１１）項記載の単結晶育成装置
。
（１３）ベッセル５が副るつぼ２及び主るつぼ１と一体
となつて密封空間を形成するものである事を特徴とする
特許請求の範囲第（１１）項記載の単結晶育成装置。
（１４）ベッセル５が下端の開口した円筒容器状であつ
て、下端が副るつぼ２の原料融液又は液体封止剤の中へ
浸漬されている事を特徴とする特許請求の範囲第（１１
）項記載の単結晶育成装置。
（１５）のぞき窓７が透明石英である事を特徴とする特
許請求の範囲第（１１）項〜第（１４）項のいずれかに
記載の単結晶育成装置。
（１６）のぞき窓７のベッセル５の内部にある部分にＩ
ｎ＿２Ｏ＿３がコーティングしてある事を特徴とする特
許請求の範囲第（１５）項記載の単結晶育成装置。
（１７）のぞき窓７がサファイアである事を特徴とする
特許請求の範囲第（１１）項〜第（１４）項のいずれか
に記載の単結晶育成装置。
（１８）のぞき窓が凹レンズであるか、先端が凹レンズ
加工されたものである事を特徴とする特許請求の範囲第
（１１）項〜第（１７）項のいずれかに記載の単結晶育
成装置。
（１９）ベッセルの材質が、ＰＢＮ、ＰＢＮを被覆した
カーボン、非晶質不透過性カーボン、窒化アルミニウム
、窒化ホウ素、窒化けい素、炭化けい素、モリブデンの
中の一種又は数種の組合せである事を特徴とする特許請
求の範囲第（１１）項〜第（１４）項のいずれかに記載
の単結晶育成装置。
（２０）ベッセルの材質が石英である事を特徴とする特
許請求の範囲第（１１）項〜第（１４）項のいずれかに
記載の単結晶育成装置。