JPS6090895A - 揮発性を有する化合物半導体単結晶育成方法 - Google Patents
揮発性を有する化合物半導体単結晶育成方法Info
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- JPS6090895A JPS6090895A JP19533883A JP19533883A JPS6090895A JP S6090895 A JPS6090895 A JP S6090895A JP 19533883 A JP19533883 A JP 19533883A JP 19533883 A JP19533883 A JP 19533883A JP S6090895 A JPS6090895 A JP S6090895A
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- layer
- single crystal
- crucible
- compound semiconductor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は揮発性を有する砒化ガリウム（ＧａＡＳ）、燐
化インジウム（ＴｎＰ）の様な■−ｖ族化合物半導体単
結晶をその融液から引き上げて育成する方法に関し、詳
しくは前記単結晶育成においてルツボ中の該単結晶原料
融液層を液体カブヒル材と溶融浮揚材で覆うこ′とによ
りその熱的環境を改善すると共にルツボからの汚染を防
止した従来より行なわれている融液カプセル結晶引き上
げ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｃ
ｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ・・・・・・略してＬＥＣ法）は
第１図に示すような装置を用いて、■−ｖ族化合物半導
体単結晶原料の粒状物を石英ルツボ１の底部に充填し、
その上にカプセル材である酸化硼素（［３２０３＞を載
せ両者を加熱溶融して融液層２の上に液体カプセル材層
３を形成させて融液層２を外部の雰囲気から遮断して、
その表面からの元素の揮発を防止しながら、種子結晶４
を付した引き上げ軸５を回転して該融液層２より単結晶
６を引き上げて育成している。
化インジウム（ＴｎＰ）の様な■−ｖ族化合物半導体単
結晶をその融液から引き上げて育成する方法に関し、詳
しくは前記単結晶育成においてルツボ中の該単結晶原料
融液層を液体カブヒル材と溶融浮揚材で覆うこ′とによ
りその熱的環境を改善すると共にルツボからの汚染を防
止した従来より行なわれている融液カプセル結晶引き上
げ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｃ
ｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ・・・・・・略してＬＥＣ法）は
第１図に示すような装置を用いて、■−ｖ族化合物半導
体単結晶原料の粒状物を石英ルツボ１の底部に充填し、
その上にカプセル材である酸化硼素（［３２０３＞を載
せ両者を加熱溶融して融液層２の上に液体カプセル材層
３を形成させて融液層２を外部の雰囲気から遮断して、
その表面からの元素の揮発を防止しながら、種子結晶４
を付した引き上げ軸５を回転して該融液層２より単結晶
６を引き上げて育成している。
７はカーボンサセプター、８は高周波加熱用コイル、９
はルツボサセプター、１０は内部観察用窓で、この高圧
容器１１内には例えば単結晶原料として砒化ガリウムを
用いる場合には砒素の解離を抑制するためにアルゴン等
の不活性ガス１２が５気圧程度で封入されている。
はルツボサセプター、１０は内部観察用窓で、この高圧
容器１１内には例えば単結晶原料として砒化ガリウムを
用いる場合には砒素の解離を抑制するためにアルゴン等
の不活性ガス１２が５気圧程度で封入されている。
このような従来法では単結晶原料はその溶融前後におい
て直接石英ルツボ内壁に接触するために常にそれからの
汚染を受け融液中にシリコンが導入される。
て直接石英ルツボ内壁に接触するために常にそれからの
汚染を受け融液中にシリコンが導入される。
又、このような従来法により口径の大きな単結晶育成を
行なう場合、育成が堺むに従って融液量は減少し、結晶
と融液の界面は次第に下がってゆきその熱的環境は大き
く変化する。したがって高品質で均一口径の結晶を育成
するための最適条件は大きくくずれ、又融液量の減少に
伴ないルツボ底部の形状〈椀形）の影響が表われ重量測
定法による結晶径計算、制御が困難となる。
行なう場合、育成が堺むに従って融液量は減少し、結晶
と融液の界面は次第に下がってゆきその熱的環境は大き
く変化する。したがって高品質で均一口径の結晶を育成
するための最適条件は大きくくずれ、又融液量の減少に
伴ないルツボ底部の形状〈椀形）の影響が表われ重量測
定法による結晶径計算、制御が困難となる。
本発明はこのような従来の■−ｖ族化合物半導体単結晶
育成法における欠点を排除すべくなされたものであり、
該単結晶をその融液から引き上げて育成するに際し、単
結晶育成炉９ルツボ中の融液層の表面を液体カプセル材
層で覆うと共に、その下層に該融液と非反応性が比重１
、比熱ともにそれより大なる溶融浮揚材層を、収容し、
かつ該融液層と接するルツボ内側面を該溶融浮揚材で被
覆するか、又は該育成炉のルツボ中に所定の間隔を保っ
て窒化硼素（ＰｖｒｏｌｙｔｉＣＢｏｒｏｒ＋ Ｎ１ｔ
ｒｉｄｅ）製内筒を挿入設置し、その中に融液層及びそ
の上層に液体カプセル材層を収容すると共に、その下層
に該窒化硼素製円筒下部の内外部を埋めるように該溶融
浮揚材層を収容して、その熱的環境を改善すると同時に
ルツボからの汚染を防止するようにした化合物半導体単
結晶育成方法である。
育成法における欠点を排除すべくなされたものであり、
該単結晶をその融液から引き上げて育成するに際し、単
結晶育成炉９ルツボ中の融液層の表面を液体カプセル材
層で覆うと共に、その下層に該融液と非反応性が比重１
、比熱ともにそれより大なる溶融浮揚材層を、収容し、
かつ該融液層と接するルツボ内側面を該溶融浮揚材で被
覆するか、又は該育成炉のルツボ中に所定の間隔を保っ
て窒化硼素（ＰｖｒｏｌｙｔｉＣＢｏｒｏｒ＋ Ｎ１ｔ
ｒｉｄｅ）製内筒を挿入設置し、その中に融液層及びそ
の上層に液体カプセル材層を収容すると共に、その下層
に該窒化硼素製円筒下部の内外部を埋めるように該溶融
浮揚材層を収容して、その熱的環境を改善すると同時に
ルツボからの汚染を防止するようにした化合物半導体単
結晶育成方法である。
融液よりも比重、比熱共に大なる溶融浮揚材層をルツボ
内の下層に収容して熱的縁Ｉｌｉ層を形成し、この上に
融液層を浮／ｖだ状態でイ＾持してその上層を液体カプ
セル材層で覆うことにより、単結晶育成中の融液量の減
少に伴なう一熱的環境の変化を防いで育成の最適条件を
維持することができ、全体的に均一な特性を有する高品
質の単結晶を育成することができる。また融液の接する
ルツボ内側面をも溶融浮揚材被膜で被覆するか、又はル
ツボ中に窒化硼素製円筒を挿入設置することにより、融
液とルツボ内側面との接触を完全に遮断するのでルツボ
からの不純物の混入により融液の汚染を防止することが
できる。 、 以下図面に基づいて砒化ガリウム単結晶を育成する場合
の実施例により本発明を説明する。
内の下層に収容して熱的縁Ｉｌｉ層を形成し、この上に
融液層を浮／ｖだ状態でイ＾持してその上層を液体カプ
セル材層で覆うことにより、単結晶育成中の融液量の減
少に伴なう一熱的環境の変化を防いで育成の最適条件を
維持することができ、全体的に均一な特性を有する高品
質の単結晶を育成することができる。また融液の接する
ルツボ内側面をも溶融浮揚材被膜で被覆するか、又はル
ツボ中に窒化硼素製円筒を挿入設置することにより、融
液とルツボ内側面との接触を完全に遮断するのでルツボ
からの不純物の混入により融液の汚染を防止することが
できる。 、 以下図面に基づいて砒化ガリウム単結晶を育成する場合
の実施例により本発明を説明する。
第２図は単結晶育成炉の部分断面図を示すものである。
この炉において、まず各原料を装填して石英ルツボ２１
中の液体カプセル材層（酸化硼素（８２０３） ） ２
２、砒化ガリウム融液層２３及び溶融浮揚材層（酸化ビ
スマス（Ｂｉ ｚ Ｏｇ ＞ ）２４を図示のような所
定の状態に保持し、かつ融液層２３と接するルツボ内側
面に溶融浮揚材被膜２５を形成させるのであるが、これ
には各種の方法が考えられる。その例を第３図によって
示すと、砒化ガリウム破砕物２３′をルツボ２１の形状
に整合するようにルツボ型に成型した浮揚材２４′ 中
に充填し、これに板状に成型したカプセル材２２′の蓋
をした後、このものをルツボ２１に装填し炉内を真空に
引きながらカーボンヒーター２６によって加熱し、内容
物を溶融する。前記真空引きは内容物の水分を取り除く
効果をもつ。約４６０℃に至ってカプセル材２２′ は
溶融して液体カプセル材層２２を形成し、砒化ガリウム
破砕物２３′ の表面を覆うようになる。
中の液体カプセル材層（酸化硼素（８２０３） ） ２
２、砒化ガリウム融液層２３及び溶融浮揚材層（酸化ビ
スマス（Ｂｉ ｚ Ｏｇ ＞ ）２４を図示のような所
定の状態に保持し、かつ融液層２３と接するルツボ内側
面に溶融浮揚材被膜２５を形成させるのであるが、これ
には各種の方法が考えられる。その例を第３図によって
示すと、砒化ガリウム破砕物２３′をルツボ２１の形状
に整合するようにルツボ型に成型した浮揚材２４′ 中
に充填し、これに板状に成型したカプセル材２２′の蓋
をした後、このものをルツボ２１に装填し炉内を真空に
引きながらカーボンヒーター２６によって加熱し、内容
物を溶融する。前記真空引きは内容物の水分を取り除く
効果をもつ。約４６０℃に至ってカプセル材２２′ は
溶融して液体カプセル材層２２を形成し、砒化ガリウム
破砕物２３′ の表面を覆うようになる。
その後炉内を不活性ガスで満たして砒化ガリウム破砕物
２３′からの砒素の解−１を防ぐＪ：うにする。
２３′からの砒素の解−１を防ぐＪ：うにする。
約８２０℃に至って浮揚材２４′が溶融し始め、ルツボ
内側面を濡らしてそれに被膜２５を形成しなからルツボ
２１の底部に沿って溶融浮揚初層２４となる。
内側面を濡らしてそれに被膜２５を形成しなからルツボ
２１の底部に沿って溶融浮揚初層２４となる。
溶融浮揚材はその粘性が大きいのでルツボ内側面に形成
された前記溶融浮揚材被覆２５は長時間にわたってその
状態を雑持してルツボ内壁と融液層２３の接触を遮断す
る。ついで約１２４０℃に至って砒化ガリウム破砕物２
３′ は溶融し、融液層２３を形成する。この結果、液
体カプセル材層（８２０５）２２の比重が１．５２ （
１０００℃）、砒化ガリウム融液層２３の比重がｓ：ｒ
ｌ（１２４０℃）１、溶融浮揚材層２４の比重が８．４
（１０００℃）の関係からして、図に示すように砒化
ガリウム融液層２３はその上１；を液体カプセル材層２
２と溶融浮揚材層２４によって覆われ、しかもその側面
を溶融浮揚材被膜２５によって囲まれて全体としてそれ
らにより包み込まれた状態に保持される。ついで観察用
窓２７から児ながら、引き上げ軸２８に支持された種子
結晶２９を液体ｈブセル材層２２を通して融液層２３に
接触してなじませた後、毎分３〜２０回転で回転させな
がら毎時１〜１００ｍ＋の速度で上方に引上げ、砒化ガ
リウム単結晶３０を徐々に育成する。３１はカーボンサ
セプター、３２はサセプターペース、３３は高圧容器で
ある。このようにして単結晶３０の育成が進むに従って
融液層２３の聞は減少してゆ（が、融液層２３（定圧比
熱１１．０ｃａｌ／ｄｅｇ ｍｏｌ ）より熱容量の大
きい液体カプセル材層２２（定圧比熱１５．０ ｃａｌ
／ｄｅｇ ｍｏｌ 、）と溶融浮揚材層２４（定圧比熱
２７．１ ｃａｌ／ｄｅｇ ｍｏｌ ＞ににり上下を覆
われているのでその熱的環境の変化は少なく、結晶育成
の条件がくずれることはない。
された前記溶融浮揚材被覆２５は長時間にわたってその
状態を雑持してルツボ内壁と融液層２３の接触を遮断す
る。ついで約１２４０℃に至って砒化ガリウム破砕物２
３′ は溶融し、融液層２３を形成する。この結果、液
体カプセル材層（８２０５）２２の比重が１．５２ （
１０００℃）、砒化ガリウム融液層２３の比重がｓ：ｒ
ｌ（１２４０℃）１、溶融浮揚材層２４の比重が８．４
（１０００℃）の関係からして、図に示すように砒化
ガリウム融液層２３はその上１；を液体カプセル材層２
２と溶融浮揚材層２４によって覆われ、しかもその側面
を溶融浮揚材被膜２５によって囲まれて全体としてそれ
らにより包み込まれた状態に保持される。ついで観察用
窓２７から児ながら、引き上げ軸２８に支持された種子
結晶２９を液体ｈブセル材層２２を通して融液層２３に
接触してなじませた後、毎分３〜２０回転で回転させな
がら毎時１〜１００ｍ＋の速度で上方に引上げ、砒化ガ
リウム単結晶３０を徐々に育成する。３１はカーボンサ
セプター、３２はサセプターペース、３３は高圧容器で
ある。このようにして単結晶３０の育成が進むに従って
融液層２３の聞は減少してゆ（が、融液層２３（定圧比
熱１１．０ｃａｌ／ｄｅｇ ｍｏｌ ）より熱容量の大
きい液体カプセル材層２２（定圧比熱１５．０ ｃａｌ
／ｄｅｇ ｍｏｌ 、）と溶融浮揚材層２４（定圧比熱
２７．１ ｃａｌ／ｄｅｇ ｍｏｌ ＞ににり上下を覆
われているのでその熱的環境の変化は少なく、結晶育成
の条件がくずれることはない。
特に熱容量の大きい溶融浮揚材層２４の酸化ビスマスは
砒化ガリウムとは反応せずそれ自身安定であって、１３
００℃にても蒸気圧は数ａｍ Ｈ（ｌ以下であり、融液
層２３の熱的環境を保持するための緩衝材の役目を果し
ており、これにより融液層２３の温度勾配も緩和されて
いる。又、ルツボ内側面は溶融浮揚材被膜２５により被
覆され、融液層２３との接触が遮断されるので、ルツボ
２１からのシリカの混入により融１１１２３の汚染が防
止できる。これに対し従来法では融液量の減少につれて
サセプターベース３２からの熱伝導による熱の逃げが大
きく融液層の熱的環境が変化し、結晶育成の条件が大き
くくずれて引き上シた単結晶の尻部分の特性が不均一と
なるが、本発明では前記したように結晶育成の条件のく
ずれがないので融液層２３がなくなるまで高品質で均一
な特性を有する砒化ガリウム単結晶３０が得られる。ま
た従来法では熱的環境の変化の他に融液量の減少に伴な
うルツボ底部の形状（逆椀形）の変化が結晶の形状制御
に悪影響を及ぼしていたが、本発明では融液がなくなる
二にで同筒状を保ち、融液又は砒化ガリウム単結晶の重
量変化率による直径自動制御が容易となる。
砒化ガリウムとは反応せずそれ自身安定であって、１３
００℃にても蒸気圧は数ａｍ Ｈ（ｌ以下であり、融液
層２３の熱的環境を保持するための緩衝材の役目を果し
ており、これにより融液層２３の温度勾配も緩和されて
いる。又、ルツボ内側面は溶融浮揚材被膜２５により被
覆され、融液層２３との接触が遮断されるので、ルツボ
２１からのシリカの混入により融１１１２３の汚染が防
止できる。これに対し従来法では融液量の減少につれて
サセプターベース３２からの熱伝導による熱の逃げが大
きく融液層の熱的環境が変化し、結晶育成の条件が大き
くくずれて引き上シた単結晶の尻部分の特性が不均一と
なるが、本発明では前記したように結晶育成の条件のく
ずれがないので融液層２３がなくなるまで高品質で均一
な特性を有する砒化ガリウム単結晶３０が得られる。ま
た従来法では熱的環境の変化の他に融液量の減少に伴な
うルツボ底部の形状（逆椀形）の変化が結晶の形状制御
に悪影響を及ぼしていたが、本発明では融液がなくなる
二にで同筒状を保ち、融液又は砒化ガリウム単結晶の重
量変化率による直径自動制御が容易となる。
次に本発明の他の実施例について述べる。
第４図は外部の高圧容器を省略した中結晶育成炉の部分
断面図を示すもので、石英ルツボ４１中にはその内壁面
及び底面に対して所定の間隔を保って窒化硼素製円筒４
２が挿入設冒されており、該円筒４２はカーボン断熱１
，１４３に支１．１．＼れたカーボンプレート４４に止
め具４５で固定されている。この巾に各原料を装填して
加熱溶融して液体カプセル材層（Ｂｚ ０３ ） ４６
、砒化ガリウム融液層４７、溶融浮揚材層（Ｂｉ ｚ
Ｏｇ ＞４８を図示のような状態に保持するのであるが
、これは例えばまず所定最の浮揚材ついで多結晶砒化ガ
リウム、最後に円板状に成形したカプセル材の順序で装
填し、前記実施例におけるように炉内を真空に引きなが
らカーボンヒーター４９により加熱し溶融させる。なお
、多結晶砒化ガリウムはガリウムと砒素を装填して直接
合成によることもできる。内容物は前記実施例における
と同様にまずカプセル材が溶融して液体カプセル材層４
６を形成して多結晶砒化ガリウムを覆い、ついで浮揚材
が溶融してルツボ４１の底部及び窒化硼素製円筒４２下
部の内外部を埋めて溶融浮揚材層４８となり、最後に中
間の多結晶砒化ガリウムが溶融し、融液層４７を形成す
る。この結果、図に示すように砒化ガリウム融液Ｉ４７
はその上下を液体カプセル材層４６と溶融浮揚材層４８
によって覆われ、その側面は窒化硼素製円筒４２の内側
面に接した状態に保持される。ついで前記実施例と同様
に引き上げ軸５０に支持された種子結晶５１を液体カプ
セル材層４６を通し融液層４７に接触してなじませた後
、回転させながら所定の速度でＬ方に引トげ、砒化ガリ
ウム単結晶５２を徐々に育成１６ｏ５３はカーボンサセ
プター、５４はサセプターペース、５５はルツボ下軸で
ある。このようにして単結晶５２の育成が進むに従って
融液層４７の引は減少してゆくが熱容量の大きい液体カ
プセル材層４６と溶融浮揚材層４８により上下を覆われ
ているので・での熱的環境の変化を少なく、結晶育成の
条件がくずれることはない。
断面図を示すもので、石英ルツボ４１中にはその内壁面
及び底面に対して所定の間隔を保って窒化硼素製円筒４
２が挿入設冒されており、該円筒４２はカーボン断熱１
，１４３に支１．１．＼れたカーボンプレート４４に止
め具４５で固定されている。この巾に各原料を装填して
加熱溶融して液体カプセル材層（Ｂｚ ０３ ） ４６
、砒化ガリウム融液層４７、溶融浮揚材層（Ｂｉ ｚ
Ｏｇ ＞４８を図示のような状態に保持するのであるが
、これは例えばまず所定最の浮揚材ついで多結晶砒化ガ
リウム、最後に円板状に成形したカプセル材の順序で装
填し、前記実施例におけるように炉内を真空に引きなが
らカーボンヒーター４９により加熱し溶融させる。なお
、多結晶砒化ガリウムはガリウムと砒素を装填して直接
合成によることもできる。内容物は前記実施例における
と同様にまずカプセル材が溶融して液体カプセル材層４
６を形成して多結晶砒化ガリウムを覆い、ついで浮揚材
が溶融してルツボ４１の底部及び窒化硼素製円筒４２下
部の内外部を埋めて溶融浮揚材層４８となり、最後に中
間の多結晶砒化ガリウムが溶融し、融液層４７を形成す
る。この結果、図に示すように砒化ガリウム融液Ｉ４７
はその上下を液体カプセル材層４６と溶融浮揚材層４８
によって覆われ、その側面は窒化硼素製円筒４２の内側
面に接した状態に保持される。ついで前記実施例と同様
に引き上げ軸５０に支持された種子結晶５１を液体カプ
セル材層４６を通し融液層４７に接触してなじませた後
、回転させながら所定の速度でＬ方に引トげ、砒化ガリ
ウム単結晶５２を徐々に育成１６ｏ５３はカーボンサセ
プター、５４はサセプターペース、５５はルツボ下軸で
ある。このようにして単結晶５２の育成が進むに従って
融液層４７の引は減少してゆくが熱容量の大きい液体カ
プセル材層４６と溶融浮揚材層４８により上下を覆われ
ているので・での熱的環境の変化を少なく、結晶育成の
条件がくずれることはない。
又、融液層４７の側面は終始窒化硼素製円筒４２の内側
面に接していて石英ルツボ４１と接触することがないの
で、シリカの混入による汚染を防止Ｊ′ることができる
。さらに単結晶育成後石英ルツボ４１を下方に押し下げ
て窒化硼素製円筒４２を該ルツボ４１中の内容物から引
き離すことにより、それら内容物の冷却による固化ＷＩ
Ｈによって該円筒４２が破損することを防止することが
でき、繰り返し使用することができる。
面に接していて石英ルツボ４１と接触することがないの
で、シリカの混入による汚染を防止Ｊ′ることができる
。さらに単結晶育成後石英ルツボ４１を下方に押し下げ
て窒化硼素製円筒４２を該ルツボ４１中の内容物から引
き離すことにより、それら内容物の冷却による固化ＷＩ
Ｈによって該円筒４２が破損することを防止することが
でき、繰り返し使用することができる。
第１図は従来の融液カプセル結晶引き上げ法の装置の断
面図、第２図は木発晶の実施例に用いた単結晶育成炉の
部分断面図、第３図は実施例における原料装填方法の一
例を示す説明図、゛第４図は本発明の他の実施例に用い
た単結晶育成炉の部分断面図である。 ２１．２４ ・・・ 石英ルツボ ２２．４６ ・・・ 液体カプセル材層２３．４７ ・
・・ 砒化ガリウム融液層２４．４８ ・・・ 溶融浮
揚材層 ２５ ・・・・・・・・・ 溶融浮揚材被膜２６．４９
・・・ カーボンヒーター２７ ・・・・・・・・・
観察用窓 ２８．５０ ・・・ 引き上げ軸 ２９．５１ ・・・ 種子結晶 ３０．５２ ・・・ 砒化ガリウム単結晶３１．５３
・・・ カーボンサセプター３２．５４ ・・・ サセ
プターペース３３ ・・・・・・・・・ 真Ｒ”＊去４
２ ・・・・・・・・・ 窒化硼素製円筒４３ ・・・
・・・・・・ カーボン断熱月４４ ・・・・・・・・
・ カーボンプレート４５ ・・・・・・・・・ 止め
具
面図、第２図は木発晶の実施例に用いた単結晶育成炉の
部分断面図、第３図は実施例における原料装填方法の一
例を示す説明図、゛第４図は本発明の他の実施例に用い
た単結晶育成炉の部分断面図である。 ２１．２４ ・・・ 石英ルツボ ２２．４６ ・・・ 液体カプセル材層２３．４７ ・
・・ 砒化ガリウム融液層２４．４８ ・・・ 溶融浮
揚材層 ２５ ・・・・・・・・・ 溶融浮揚材被膜２６．４９
・・・ カーボンヒーター２７ ・・・・・・・・・
観察用窓 ２８．５０ ・・・ 引き上げ軸 ２９．５１ ・・・ 種子結晶 ３０．５２ ・・・ 砒化ガリウム単結晶３１．５３
・・・ カーボンサセプター３２．５４ ・・・ サセ
プターペース３３ ・・・・・・・・・ 真Ｒ”＊去４
２ ・・・・・・・・・ 窒化硼素製円筒４３ ・・・
・・・・・・ カーボン断熱月４４ ・・・・・・・・
・ カーボンプレート４５ ・・・・・・・・・ 止め
具
Claims (7)
- （１）単結晶育成炉において■−ｖ族化合物半導体単結
晶をその融液から引上げて育成するに際し、該育成炉の
ルツボ中の融液層の表面を液体カプセル材層で覆うと共
に、その下層に該融液と非反応性で比重、比熱と返それ
より大なる一溶融浮揚材層を収容し、かつ該融液層と接
するルツボ内側面を該溶融浮揚材で被覆してその熱的環
境を改善すると同時にルツボからの汚染を防止したこと
を特徴とする化合物半導体単結晶育成方法。 - （２）夫々所定量の、ルツボ型に成型した浮揚材に■−
ｖ族化合物半導体単結晶原料破砕物を充填し、その上部
に板状に成型したカプセル材の蓋をしたものを、単結晶
育成炉のルツボ中に装ｍｌ−所宝濡釘に加熱して前記単
結晶原料の融液層の表面を液体カプセル材層で留うと共
に、その下層に溶融浮揚材層を収容し、かつ該融液層と
接するルツボ内側面を該溶融浮揚材で被覆した特許請求
の範囲（１）項記載の化合物半導体単結晶育成方法。 - （３）ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が砒化ガリウム及び燐
化インジウムのうちのいずれかである特許請求の範囲（
１）項又は（２）項記載の化合物半導体単結晶育成方法
。 - （４）カプセル材が酸化硼素（Ｂｚ ０３ ）で浮揚材
が酸化ビスマス（８ｉ ｚ ０３ ）である特許請求の
範囲（１）項から（３）項までのいずれか１項記載の化
合物半導体単結晶育成方法。。 - （５）単結晶育成炉において■−ｖ族化合物半導体単結
晶をその融液から引上げて育成するに際し、゛該育成炉
のルツボ中に所定の間隔を保って窒化硼素製円筒を挿入
設冒し、ぞの中に融液層及びその上層に液体カプセル材
層を収容すると共に、その下層に該窒化硼素製円筒下部
の内外部を埋めるように該融液と非反応性で比重、比熱
ともそれより大なる溶融浮揚材層を収容してその熱的環
境を改善すると同時にルツボからの汚染を防止したこと
を特徴とする化合物半導体単結晶育成方法。 - （６）Ｉ［Ｉ−Ｖ族化合物半導体が砒化ガリウム及び燐
化インジウムのうちのいずれかである特許請求の範囲（
５）項記載の化合物半導体単結晶育成方法。 - （７）カプセル材が酸化硼素（ＢＺ ０３ ）で浮揚材
が酸化ビスマス（ＢｉｚＯ３’）である特許請求の範囲
〈５）項又は（６）項記載の化合物半導体単結晶育成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19533883A JPS6090895A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 揮発性を有する化合物半導体単結晶育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19533883A JPS6090895A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 揮発性を有する化合物半導体単結晶育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090895A true JPS6090895A (ja) | 1985-05-22 |
Family
ID=16339508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19533883A Pending JPS6090895A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 揮発性を有する化合物半導体単結晶育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090895A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38382E1 (en) | 1996-04-04 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat sink and electronic device employing the same |
| CN102628180A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 南京金美镓业有限公司 | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 |
| US8665595B2 (en) | 2002-06-06 | 2014-03-04 | Ol Security Limited Liability Company | Method and apparatus for cooling a circuit component |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19533883A patent/JPS6090895A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38382E1 (en) | 1996-04-04 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat sink and electronic device employing the same |
| USRE40369E1 (en) | 1996-04-04 | 2008-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat sink and electronic device employing the same |
| US8665595B2 (en) | 2002-06-06 | 2014-03-04 | Ol Security Limited Liability Company | Method and apparatus for cooling a circuit component |
| CN102628180A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 南京金美镓业有限公司 | 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法 |
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