JPS63271931A - 現像装置 - Google Patents

現像装置

Info

Publication number
JPS63271931A
JPS63271931A JP62106126A JP10612687A JPS63271931A JP S63271931 A JPS63271931 A JP S63271931A JP 62106126 A JP62106126 A JP 62106126A JP 10612687 A JP10612687 A JP 10612687A JP S63271931 A JPS63271931 A JP S63271931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
developer
wafer
cup member
dip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62106126A
Other languages
English (en)
Inventor
Fuminori Matsuoka
松岡　史憲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP62106126A priority Critical patent/JPS63271931A/ja
Priority to KR1019880004285A priority patent/KR0129660B1/ko
Priority to US07/184,806 priority patent/US4855775A/en
Publication of JPS63271931A publication Critical patent/JPS63271931A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
    • G03D5/04—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected using liquid sprays
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ディップ現像するための現像装置に関する。
（従来の技術） 半導体を製造する場合の工程の一つに、ウェハ現像工程
がある。
この種のウェハ現像装置としては、複数枚のウェハをバ
ッチ処理的に現像する方式と、いわゆる枚葉処理方式と
称され、一枚づつ順次ウェハを現像装置に搬送して現像
する方式とがある。ウェハ現像の自動化を図る上では枚
葉処理方式が優れている。
従来の枚葉処理方式の現像装置は、ウェハに対して現像
液をスプレーするスプレ一方式と、ウニ　、ハ上に表面
張力によって現像液のパドルを形成して現像するパドル
方式とが主流であった。
ところで、近年の半導体デバイスの集積度の向上に伴い
、レジストの加工精度の向上、ドライエッチングに対応
するためのアスペクト比の向上が必要になってきた。
この要求に応えるため、レジストメーカは活性剤（浸透
剤１表面保護剤）入り現像液をリコメンドしている。
これは、アスペクト比向上に対しては大きな効果がある
が、現像方式によっては、均一性を損なうという欠点が
ある。
例えば、上記スプレ一方式の現像装置によれば、ウェハ
への現像液の吐出圧のバラツキにより、圧力の高い部分
に保護剤が析出し、レジストの溶解が遅れ、時にはまっ
たく現像が行われない場合も生ずる。
一方、前記パドル方式によれば、活性剤入り現像液の表
面張力の低下により、十分なパドルの形成ができないと
いう欠点があった。
従って、特に活性剤入りの現像液を用いたウェハ現像で
は、現像液の中にウェハを浸すディップ方式の現像が有
用となる。
枚葉処理方式のウェハ現像装置にディップ方式を採用す
るとすれば、第３図のように構成することが考えられる
。
同図において、アッパーカップ１およびローア−カップ
２は、共に現像液の飛散防止のためのカップである。イ
ンナーカップ３は、その上面が現像液のディップ槽を形
成するように四部３Ａとなっていて、その中心部にはス
ピンチャック７（詳細は後述する）の昇降経路を確保す
るために切り欠かれている。このインナーカップ３には
前記凹部３Ａに連通する残液ドレイン管４．ウェハシー
ル用バキューム管５とが設けられている。また、前記バ
キューム管５の一端側であって、前記インナーカップ３
の凹部３Ａに臨む位置には、この凹部３Ａの底面より突
出してウェハシール用パツキン６が設けられている。
そして、この稚のウェハ現像装置では、前記ウェハシー
ル用バキューム管５の作用によりウェハ１０を前記ウェ
ハシール用パツキン６上に吸着し、この吸着によって現
像液１１をシールしている。
ここで、この種のウェハ現像装置でディップ現像を実行
する場合にあっては、前記インナーカップ３への現像液
の供給を、ウェハ１０上に配置した図示しないノズル等
によって実行していた。
（発明が解決しようとする問題点） 上述した枚葉処理方式のディップ現像装置によれば、現
像液１１のディップ槽を形成するのに、やはりウェハ１
０上より現像液を吐出して供給しなければならないなめ
、ウェハ１０に吐出圧が作用し、この吐出圧に起因する
ウェハ１０の現像不良は防止することができなかった。
そこで、本発明の目的とするところは、上述した従来の
問題点を解決し、簡単な構造でありながら被処理体に作
用する現像液の吐出圧を大幅に低減することができ、も
って均一な現像を実行することのできる現像装置を提供
することにある。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、現像液のディップ槽を形成するカップ部材内
に被処理体を配置し、この被処理体をディップ現像する
現像装置において、前記カップ部材内に供給すべき現像
液の供給路を、前記カップ部材自体に設けた構成として
いる。
（作用） 現像液の供給路をカップ部材自体に設けることにより、
現像液はカップ部材の側壁あるいは底面より供給される
ことになる。従って、従来のように被処理体の上方より
現像液を吐出するものに比べれば、被処理体に対する現
像液吐出圧は極めて小さくなり、又は全くなくなるため
、特に現像液が活性剤を含むものである場合であっても
、従来のように前記吐出圧に起因する被処理体の現像不
良を大幅に低減することができる。
（実施例） 以下、本発明装置の実施例を参照して具体的に説明する
。
現像処理工程での現像液の周囲への飛散を防止する如く
円筒状アッパーカップ２０が設けられ、このカップ２０
の下側端と係合して円筒状ローア−カップ２１が設けら
れ、共に独立して昇降移動自在に配置されることで、外
囲器を構成している。
この外囲器内には円筒状カップ部材としてのインナーカ
ップ３０が設けられ、このカップ３０の上面は現像液の
ディップ槽を形成するように凹部３１が設けられている
。この四部３１の中心部にはスピンチャック４０（詳細
は後述する）の昇降経路を確保するために穴部３０Ａが
設けられている。
上記インナーカップ３０の外端部３２には、前記インナ
ーカップ３０の底面より上面に向けて配管された例えば
４本（図示では２本示している）の現像液供給管３３が
設けられ、その上方端は前記インナーカップ３０の凹部
３１の内周に例えば４分割して穿設された現像液吐出口
３４に連通されている。３５はウェハ１０の裏面洗浄用
の洗浄液供給管である。また、このインナーカップ３０
の中心側には段部３６が設けられ、この段部３６にはシ
ール材としてのＯリング３７が配置されている。さらに
、前記凹部３１は、インナーカップ３０の中心側に向け
て下方に傾斜するテーパ状となっている。尚、このイン
ナーカップ３０も昇降移動可能となっている。
前記スピンチャック４０は、ウェハチャックの一例であ
り、前記穴部３０Ａに挿通された軸４０Ａと、この軸４
ＯＡの上方端に支持されて前記四部３１内に配置される
チャック部４０Ｂとから構成され、前記チャック部４０
Ｂは回転可能であると共に、図示しないコンプレッサ等
により被処理体である半導体ウェハ１０を真空吸着可能
である。
また、この円盤状のスピンチャック４０の下側の外端部
はテーパ部４０Ａとなっていて、このテーパ部４１と前
記０リング３７とが当接して密閉することにより、前記
凹部３１によるディップ槽を密閉形成するようになって
いる。
以上のように構成された装置の作用について、第２図＜
Ａ）〜（Ｅ）を参照して説明する。
く第１工程〉 第２図（Ａ）は、ホームポジションを示すもので、アッ
パーカップ２０．ローア−カップ２１及びインナーカッ
プ３０は共に最下端に位置している。従って、スピンチ
ャック４０はアッパーカップ２０の上方に配置され、こ
の状態で図示しないトランスファーユニットでウェハ１
０を搬送してスピンチャック４０上に配置し、ウェハ１
０をスピンチャック４０で真空吸着する。
く第２工程〉 次に、第２図（Ｂ）に示すように、アッパーカップ２０
．ローア−カップ２１を上昇移動し、必要に応じてウェ
ハ１０のブリウェット処理を実行する。これは、ウェハ
１０の現像作用を促進するための処理でる。
く第３工程〉 次に、インナーカップ３０を上昇させて第２図（Ｃ）図
示の位置に設定し、インナーカップ３０内にウェハ１０
が配置されるようにする。この際、スピンチャック４０
の前記テーパ部４１がインナーカップの中心部に設けら
れているＯリング３７に当接することになる。従って、
インナーカップ３０の凹部３１．スピンチャック４０の
テーパ部４１及び０リング３７でチャンバーが形成され
ることになる。尚、この際スピンチャック４０のテーパ
部４１とＯリング３７とでこのチャンバーをシールする
ようにしているので、フラット面で位置合わせする場合
に比べて、インナーカップ３０の移動精度にバラツキが
あっても機器の破損を生ずること無く確実にシールする
ことができる。
く第４工程〉 次に、４本の現像液供給管３３より現像液を供給して、
前記インナーカップ３０の内周面側壁に４分割して穿設
した現像液吐出口３４より、それぞれ均一に現像液を吐
出する。そして、第２図（Ｄ）に示すように、ウェハ１
０の全面が現像液１１に浸されるように前記チャンバー
内に現像液を充填して現像処理を実行することになる。
ここで、上記のようにして現像液を供給すれば、現像液
はウェハ１０の外周より均一にディスペンスされるため
、ウェハ１０に直接吐出圧が作用することはない。従っ
て、活性剤（浸透剤２表面保護剤）入り現像液を使用し
なとしても、従来のようにウェハ１０に対する現像液の
吐出圧のバラツキにより、圧力の高い部分に保護剤が析
出してレジストの溶解が遅れ、時にはまったく現像が行
われない場合が生ずるような欠点を解消することができ
る。
また、特に現像液を均一にディスペンスするようにすれ
ば、ウェハ１０の全面に均一に現像液が供給されるので
、より均一な現像を図ることができる。
く第５工程〉 上記の現像処理の終了後、第２図（Ｅ）に示すように、
ローア−カップ２１及びインナーカップ３０を下降移動
する。そうすると、前記スピンチャック４０のテーパ面
４１より、インナーカッアブ３０のＯリング３７がはな
されるため、インナーカップ３０の穴部３０Ａが開口し
、同図に示すようにスピンチャック４０とインナーカッ
プ３０との隙間から現像液が排出されることになる。こ
の際、インナーカップ３０の凹部３１の内面は、中心に
向けて斜め下方に傾斜するテーバ状となっているので、
現像液はインナーカップ３０の内面に滞留することなく
その自重によって確実に排出され、別個の吸引装置を使
用して現像液を排出するような特別の措置を講する必要
がない。
尚、第２図（Ｅ）の状態で、現像液の排出終了後にウェ
ハ１０のリンス及び裏面洗浄を実行し、この後ウェハ１
０を乾燥させた後にアッパーカップ２０を下降移動し、
第２図（Ａ）のホームポジションに再設定する。そして
、この状態で現像処理の終了したウェハ１０を搬出し、
次の新たなウェハ１０を搬入し、以降同様な動作を繰り
返し実行することになる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で程々の変形実施が可能である。例
えば、上記実施例ではインナーカップ３０に現像液供給
管を配置する構成として、ウェハ１０の外端部より現像
液を吐出可能としたが、この構成に限定されるものでは
ない。例えば、ウェハ１０の底面側より現像液を吐出す
るように構成しても良い。このようにすれば、現像液の
供給によってその液面は均一に上昇するので、前記実施
例と同様にウェハ１０に吐出圧を直接作用することなく
、しかも結果的に均一に吐出したことになるので、より
均一な現像を図ることができる。
まな、本発明では現像液のディップ槽をどの様に形成す
るかは問わず、前記実施例に限定されるものではない。
従って、第３図のようにインナーカップとウェハとを当
接させてディップ槽をシールするようにしてもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば現像液のディップ
槽を形成するカップ自体に現像液の供給経路を形成して
被処理体に直接現像液吐出圧がかからないようにしてい
るので、吐出圧のバラツキによる現像不良を効果的に防
止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例装置の概略断面図、第２図（
Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ実施例装置の現像工程を説明す
る動作説明図、第３図は従来の現像装置の概略説明図で
ある。 １０・・・被処理体、３０・・・カップ部材、３３，３
４・・・現像液供給経路。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）現像液のディップ槽を形成するカップ部材内に被
    処理体を配置し、この被処理体をディップ現像する現像
    装置において、前記カップ部材内に供給すべき現像液の
    供給路を、前記カップ部材自体に設けたことを特徴とす
    る現像装置。
  2. （２）現像液の供給路は、前記カップ部材の内周面側壁
    に連通する現像液供給管を、前記カップ部材に埋設して
    構成した特許請求の範囲第１項記載の現像装置。
  3. （３）現像液供給管の吐出口を、前記側壁に複数配置し
    、各吐出口より現像液を均一に供給するものである特許
    請求の範囲第２項記載の現像装置。
  4. （４）現像液の供給路は、前記カップ部材の底面に連通
    する現像液供給管を、前記カップ部材に埋設して構成し
    た特許請求の範囲第１項記載の現像装置。
JP62106126A 1987-04-28 1987-04-28 現像装置 Pending JPS63271931A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62106126A JPS63271931A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 現像装置
KR1019880004285A KR0129660B1 (ko) 1987-04-28 1988-04-15 현상장치
US07/184,806 US4855775A (en) 1987-04-28 1988-04-22 Developing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62106126A JPS63271931A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 現像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63271931A true JPS63271931A (ja) 1988-11-09

Family

ID=14425731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62106126A Pending JPS63271931A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 現像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4855775A (ja)
JP (1) JPS63271931A (ja)
KR (1) KR0129660B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04117435U (ja) * 1991-03-29 1992-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0264646A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Toshiba Corp レジストパターンの現像方法及びこの方法に使用する現像装置
US5826129A (en) * 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
US5966635A (en) * 1997-01-31 1999-10-12 Motorola, Inc. Method for reducing particles on a substrate using chuck cleaning
US6481447B1 (en) * 2000-09-27 2002-11-19 Lam Research Corporation Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
US7874260B2 (en) * 2006-10-25 2011-01-25 Lam Research Corporation Apparatus and method for substrate electroless plating
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US9117856B2 (en) 2011-07-06 2015-08-25 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having an air bearing support

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS623971A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 Mita Ind Co Ltd 補助記憶装置付デ−タ処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4161356A (en) * 1977-01-21 1979-07-17 Burchard John S Apparatus for in-situ processing of photoplates
JPS5655047A (en) * 1979-10-11 1981-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Developing method and device therefor
JPS5745232A (en) * 1980-08-29 1982-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device and method for developing
US4429983A (en) * 1982-03-22 1984-02-07 International Business Machines Corporation Developing apparatus for exposed photoresist coated wafers
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US4519846A (en) * 1984-03-08 1985-05-28 Seiichiro Aigo Process for washing and drying a semiconductor element
US4682615A (en) * 1984-07-02 1987-07-28 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
JPS61251135A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Toshiba Corp 自動現像装置
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
US4745422A (en) * 1985-11-18 1988-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Automatic developing apparatus
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS623971A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 Mita Ind Co Ltd 補助記憶装置付デ−タ処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04117435U (ja) * 1991-03-29 1992-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4855775A (en) 1989-08-08
KR0129660B1 (ko) 1998-04-06
KR880013229A (ko) 1988-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63271931A (ja) 現像装置
US20160086811A1 (en) Vertical no-spin process chamber
JPH0573245B2 (ja)
EP0823607A2 (en) Method and apparatus for drying flat objects
JPH088222A (ja) スピンプロセッサ
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
JPH0714811A (ja) 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JP2513680B2 (ja) 現像装置
US9919350B2 (en) Cup-wash device, semiconductor apparatus, and cup cleaning method
JPS63152123A (ja) 浸漬式の液処理装置
JPS60161767A (ja) 自動回転塗布機
KR102535798B1 (ko) 기판 세정 장치
JPH0262549A (ja) スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法
JP2724870B2 (ja) 処理装置
KR20110055983A (ko) 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법
JP2564065B2 (ja) 回転塗布方法およびその装置
JPS63281428A (ja) 半導体基板現像装置
JPH0469920A (ja) 現像装置
JPS63221627A (ja) ウエ−ハ裏面のウエツトエツチング装置
KR20200077119A (ko) 기판 세정 장치
US20040074102A1 (en) Dryer lid for substrate dryer
JP2668548B2 (ja) 半導体製造装置及び処理装置及び処理方法
JPH0374837A (ja) 被処理体の現像方法
JPS63260025A (ja) 回転塗布装置
JPH05243143A (ja) 現像処理装置