JPS63265493A - 多層セラミツク基板 - Google Patents
多層セラミツク基板Info
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- JPS63265493A JPS63265493A JP10070187A JP10070187A JPS63265493A JP S63265493 A JPS63265493 A JP S63265493A JP 10070187 A JP10070187 A JP 10070187A JP 10070187 A JP10070187 A JP 10070187A JP S63265493 A JPS63265493 A JP S63265493A
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- multilayer ceramic
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- ta2n
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ガラスセラミックからなるグリーンシートを使用した多
層セラミック基板において、 焼成してなる多層基板の表面を研磨加工で平滑化し、逆
スパッタにより清浄化したことにより、該基板上に薄膜
回路素子が形成可能とな、た新規多層セラミック基板で
ある。
層セラミック基板において、 焼成してなる多層基板の表面を研磨加工で平滑化し、逆
スパッタにより清浄化したことにより、該基板上に薄膜
回路素子が形成可能とな、た新規多層セラミック基板で
ある。
本発明は９００℃程度の低温で焼成するガラスセラミッ
クのグリーンシートを使用した多層セラミック基板、特
に薄膜回路素子を表面に形成した多層セラミック基板に
関する。
クのグリーンシートを使用した多層セラミック基板、特
に薄膜回路素子を表面に形成した多層セラミック基板に
関する。
バインダ樹脂を含むガラスセラミックのグリーンシート
を使用した多層セラミック基板は、特開昭５９−９９５
号公報によれば、熱解重合型樹脂を含むバインダを使用
してガラスセラミック層を形成し−、この層の上に銅導
体層を形成し、多層化した未焼結体を、ガラスセラミッ
クに含まれるガラス成分が加熱による変化を示さない温
度におい゛て、水蒸気分圧を０．００５〜０．３気圧に
制御した窒素雰囲気中でバインダを飛散させ焼成したも
のである。
を使用した多層セラミック基板は、特開昭５９−９９５
号公報によれば、熱解重合型樹脂を含むバインダを使用
してガラスセラミック層を形成し−、この層の上に銅導
体層を形成し、多層化した未焼結体を、ガラスセラミッ
クに含まれるガラス成分が加熱による変化を示さない温
度におい゛て、水蒸気分圧を０．００５〜０．３気圧に
制御した窒素雰囲気中でバインダを飛散させ焼成したも
のである。
なお、前記特開昭５９−９９５号公報による多層セラミ
ック基板では、誘電率に係わるガラスセラミックのアル
ミナ含有量は４０〜６０重量％、焼成時のクランクに係
わるガラスセラミックスリップのバインダ樹脂の含有量
は５〜１６重量％とじ、銅の表面抵抗に係わる水蒸気分
圧を０．００５〜０．３気圧に制御した窒素雰囲気中で
バインダを飛散させる焼成温度は５５０〜６５０℃、ガ
ラスセラミックの焼成温度は９００℃程度にすることが
推奨されている。
ック基板では、誘電率に係わるガラスセラミックのアル
ミナ含有量は４０〜６０重量％、焼成時のクランクに係
わるガラスセラミックスリップのバインダ樹脂の含有量
は５〜１６重量％とじ、銅の表面抵抗に係わる水蒸気分
圧を０．００５〜０．３気圧に制御した窒素雰囲気中で
バインダを飛散させる焼成温度は５５０〜６５０℃、ガ
ラスセラミックの焼成温度は９００℃程度にすることが
推奨されている。
複数枚（例えば３０枚）のグリーンシートを積層し焼成
する従来の前記多層セラミック基板は、それ以前の方法
で製造された多層セラミック回路基板より、銅導体層の
表面抵抗が低く、絶縁層は緻密でありクランクがなく、
炭素残留物が少ない等の利点を有する。しかし、部分的
に眉間導体層およびバイアホールが形成されるため、表
面に凹凸の生じることが不可抗力であり、該凹凸のある
表面に薄膜回路素子（例えば薄膜抵抗素子）を形成でき
ないという問題点があった。
する従来の前記多層セラミック基板は、それ以前の方法
で製造された多層セラミック回路基板より、銅導体層の
表面抵抗が低く、絶縁層は緻密でありクランクがなく、
炭素残留物が少ない等の利点を有する。しかし、部分的
に眉間導体層およびバイアホールが形成されるため、表
面に凹凸の生じることが不可抗力であり、該凹凸のある
表面に薄膜回路素子（例えば薄膜抵抗素子）を形成でき
ないという問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は前記問題点の除去を目的とし、第１図の実施例
の多層セラミック基板１によれば、所望の導体層２およ
びバイアホール３を形成したガラスセラミックのグリー
ンシートを複数枚積層し焼成した基板４の表面５に、研
磨加工と逆スパッタ処理を施したのち、薄膜回路素子を
形成してなることを特徴とするものである。
の多層セラミック基板１によれば、所望の導体層２およ
びバイアホール３を形成したガラスセラミックのグリー
ンシートを複数枚積層し焼成した基板４の表面５に、研
磨加工と逆スパッタ処理を施したのち、薄膜回路素子を
形成してなることを特徴とするものである。
上記手段によれば、積層グリーンシートを焼成してなる
基板の表面を、研磨加工で平滑にし、逆スパッタによっ
て清浄にしたことで、該表面に薄膜回路素子の形成が可
能となり、そのことによって多層セラミック基板の高密
度構成および製造コストの低減が実現される。
基板の表面を、研磨加工で平滑にし、逆スパッタによっ
て清浄にしたことで、該表面に薄膜回路素子の形成が可
能となり、そのことによって多層セラミック基板の高密
度構成および製造コストの低減が実現される。
以下に、図面を用いて本発明の実施例による多層セラミ
ック基板を説明する。
ック基板を説明する。
第１図は本発明の一実施例による多層セラミック基板の
要部を示す模式断面図、第２図は該多層セラミック基板
の主要製造工程に対応する模式断面図である。
要部を示す模式断面図、第２図は該多層セラミック基板
の主要製造工程に対応する模式断面図である。
第１図において、Ｔａ、Ｎパターン６と導体パターン７
からなる′ｒｊＩｌ！抵抗素子を上面に形成した多層セ
ラミック基板１は、バインダ樹脂を含むガラスセラミッ
クからなり層間導体層２．異層間の導体層２を接続する
および上面に表呈するバイアホール３を形成してなる３
枚のグリーンシートを重ね、それを焼成して多層基板４
を作成する。しかるのち、表面粗さＲａ０．１μ−程度
に研磨加工したのち逆スパッタによって清浄化した上面
５に、スパッタにより被着した窒化タンタル（Ｔ ａ
！ Ｎ ）膜の不要部分をドライエツチングで除去して
なるＴａ、Ｎパターン６を形成し、Ｔａ、Ｎパターン６
に一端が積層する導体パターン７を形成し完成する。
からなる′ｒｊＩｌ！抵抗素子を上面に形成した多層セ
ラミック基板１は、バインダ樹脂を含むガラスセラミッ
クからなり層間導体層２．異層間の導体層２を接続する
および上面に表呈するバイアホール３を形成してなる３
枚のグリーンシートを重ね、それを焼成して多層基板４
を作成する。しかるのち、表面粗さＲａ０．１μ−程度
に研磨加工したのち逆スパッタによって清浄化した上面
５に、スパッタにより被着した窒化タンタル（Ｔ ａ
！ Ｎ ）膜の不要部分をドライエツチングで除去して
なるＴａ、Ｎパターン６を形成し、Ｔａ、Ｎパターン６
に一端が積層する導体パターン７を形成し完成する。
なお、導体パターン７はクローム（Ｃｒ）層７ａと銅（
Ｃｕ）層７ｂの積層構成であり、Ｃｒ膜にＣｕ膜を積層
形成しその不要部分を溶去し形成したものである。
Ｃｕ）層７ｂの積層構成であり、Ｃｒ膜にＣｕ膜を積層
形成しその不要部分を溶去し形成したものである。
以下に、第２図を用いて多層セラミック基板ｌの主要工
程を工程順に説明する。
程を工程順に説明する。
まず、樹脂バインダーを含むガラスセラミックのグリー
ンシートの所要部に銅導体層およびバイアホールを形成
し、複数枚の該グリーンシートを重ねて焼成し、第２図
（イ）に示す多層基板４が得られる。
ンシートの所要部に銅導体層およびバイアホールを形成
し、複数枚の該グリーンシートを重ねて焼成し、第２図
（イ）に示す多層基板４が得られる。
なお、使用したグリーンシートの厚さは厚さ約２００μ
ｍであり、導体層に金（Ａｕ）、銀パラジウム（Ａｇ／
Ｐｄ）等も使用できるが、本実施例では安価な銅を使用
している。
ｍであり、導体層に金（Ａｕ）、銀パラジウム（Ａｇ／
Ｐｄ）等も使用できるが、本実施例では安価な銅を使用
している。
また、熱解重合型樹脂を含むバインダを使用したガラス
セラミックのグリーンシートを重ねた前記焼成は、約６
００℃で該バインダを飛散させたのち、約９００℃でガ
ラスセラミックを焼結させる。
セラミックのグリーンシートを重ねた前記焼成は、約６
００℃で該バインダを飛散させたのち、約９００℃でガ
ラスセラミックを焼結させる。
次いで、基板４の上面５を研磨加工により表面粗さＲａ
０，１μ−程度に仕上げ、逆スパッタにより清浄にした
のち、窒素雰囲気中でタンタルをスバッタし第２図（Ｅ
ｌ）に示すように、Ｔａ、Ｎ膜８を上面５に被着させる
。
０，１μ−程度に仕上げ、逆スパッタにより清浄にした
のち、窒素雰囲気中でタンタルをスバッタし第２図（Ｅ
ｌ）に示すように、Ｔａ、Ｎ膜８を上面５に被着させる
。
次いで、Ｔａ、Ｎ膜８の上にレジストパターンを形成し
、ドライエツチングでＴａ１Ｎ膜８の不要部分を除去し
第２図（ハ）に示すように、ＴａｇＮパターン（抵抗体
パターン）６を形成させたのち、導体パターン７を形成
させ多層セラミック基板１が完成する。
、ドライエツチングでＴａ１Ｎ膜８の不要部分を除去し
第２図（ハ）に示すように、ＴａｇＮパターン（抵抗体
パターン）６を形成させたのち、導体パターン７を形成
させ多層セラミック基板１が完成する。
なお、前記実施例では薄膜回路素子として薄膜抵抗素子
を形成しているが、該抵抗素子と同様に薄膜コンデンサ
が形成できることを付記する。
を形成しているが、該抵抗素子と同様に薄膜コンデンサ
が形成できることを付記する。
以上説明したように本発明によれば、ガラスセラミック
からなる複数枚のグリーンシートを焼成で一体化し、研
磨、逆スパッタした該焼成基板の表面に薄膜回路素子の
形成を可能とし、多層セラミック基板は回路構成が高密
度化すると共に、安価に提供できるようにした効果があ
る。
からなる複数枚のグリーンシートを焼成で一体化し、研
磨、逆スパッタした該焼成基板の表面に薄膜回路素子の
形成を可能とし、多層セラミック基板は回路構成が高密
度化すると共に、安価に提供できるようにした効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例による多層セラミック基板の
要部を示す模式断面図、 第２図は第１図に示す多層セラミック基板の主要製造工
程に対応する模式断面図、 である。 図中において、 １は多層セラミック基板、 ２は眉間導体層、 ３はバイアホール、 ４は多層基板、 ５は基板４の上面、 ６はＴａ、Ｎパターン、 ７は導体層、 ８はＴ ａ ｔ Ｎ膜、 を示す。
要部を示す模式断面図、 第２図は第１図に示す多層セラミック基板の主要製造工
程に対応する模式断面図、 である。 図中において、 １は多層セラミック基板、 ２は眉間導体層、 ３はバイアホール、 ４は多層基板、 ５は基板４の上面、 ６はＴａ、Ｎパターン、 ７は導体層、 ８はＴ ａ ｔ Ｎ膜、 を示す。
Claims (1)
- バインダ樹脂を含むガラスセラミックからなり所望の
導体層（２）およびバイアホール（３）を形成した複数
枚のグリーンシートを重ね焼成した基板（４）の表面（
５）に、研磨加工と逆スパッタ処理を施したのち、薄膜
回路素子を形成してなることを特徴とする多層セラミッ
ク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10070187A JPS63265493A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 多層セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10070187A JPS63265493A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 多層セラミツク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265493A true JPS63265493A (ja) | 1988-11-01 |
| JPH0521358B2 JPH0521358B2 (ja) | 1993-03-24 |
Family
ID=14281012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10070187A Granted JPS63265493A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 多層セラミツク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63265493A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575272A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH05315752A (ja) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | セラミックスプリント基板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128856A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-06 | Ibm | Method of fabricating electric connection package of glasssceramic*conductor |
| JPS5825475A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-15 | Nec Corp | スパツタ装置 |
| JPS61163696A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層回路基板 |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10070187A patent/JPS63265493A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128856A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-06 | Ibm | Method of fabricating electric connection package of glasssceramic*conductor |
| JPS5825475A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-15 | Nec Corp | スパツタ装置 |
| JPS61163696A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層回路基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575272A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH05315752A (ja) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | セラミックスプリント基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521358B2 (ja) | 1993-03-24 |
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