JPH0548235A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPH0548235A JPH0548235A JP3229536A JP22953691A JPH0548235A JP H0548235 A JPH0548235 A JP H0548235A JP 3229536 A JP3229536 A JP 3229536A JP 22953691 A JP22953691 A JP 22953691A JP H0548235 A JPH0548235 A JP H0548235A
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- particle film
- film
- circuit board
- ultrafine
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- Electronic Switches (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗やコンデンサ等の受動素子を一体に設け
られた回路基板において、抵抗やコンデンサ等の材質や
回路基板の材質の制約を小さくし、製造を容易にすると
共に受動素子の特性値の調整も容易に行なえるようにす
る。 【構成】 回路基板1の上にガスデポジション法により
抵抗材料の超微粒子膜2を形成することにより抵抗41
を形成する。また、回路基板1の上にコンデンサ電極4
3を設け、その上にガスデポジション法により誘電体4
4の超微粒子膜を形成し、さらにコンデンサ電極45を
形成することによりコンデンサ42を形成する。また、
抵抗41や誘電体44にレーザ光を照射することにより
抵抗値やキャパシタンスを調整する。
られた回路基板において、抵抗やコンデンサ等の材質や
回路基板の材質の制約を小さくし、製造を容易にすると
共に受動素子の特性値の調整も容易に行なえるようにす
る。 【構成】 回路基板1の上にガスデポジション法により
抵抗材料の超微粒子膜2を形成することにより抵抗41
を形成する。また、回路基板1の上にコンデンサ電極4
3を設け、その上にガスデポジション法により誘電体4
4の超微粒子膜を形成し、さらにコンデンサ電極45を
形成することによりコンデンサ42を形成する。また、
抵抗41や誘電体44にレーザ光を照射することにより
抵抗値やキャパシタンスを調整する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板に関する。具体
的にいうと、本発明は、抵抗もしくはコンデンサを一体
に形成された回路基板に関する。
的にいうと、本発明は、抵抗もしくはコンデンサを一体
に形成された回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子回路の高密度実装化が進み、
コンデンサや抵抗等の受動素子を回路基板に一体化する
ことが試みられている。
コンデンサや抵抗等の受動素子を回路基板に一体化する
ことが試みられている。
【0003】例えば、図12に示すものはサーマルプリ
ンタヘッドとして用いられる回路基板101の断面図で
あり、アルミナからなる放熱基板102の上にグレーズ
の保温層103とTa2Nの発熱抵抗体104を積層
し、その上にAuからなる電気導体105を設け、その
上方をSiO2の抵抗体保護層106及びTa2O5の耐
摩耗層107によって覆っている。
ンタヘッドとして用いられる回路基板101の断面図で
あり、アルミナからなる放熱基板102の上にグレーズ
の保温層103とTa2Nの発熱抵抗体104を積層
し、その上にAuからなる電気導体105を設け、その
上方をSiO2の抵抗体保護層106及びTa2O5の耐
摩耗層107によって覆っている。
【0004】このような回路基板101においては、マ
スクを用いて真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成工
程により発熱抵抗体104を所定パターンに成膜した
後、抵抗値を測定しながらレーザ光で発熱抵抗体104
をトリミング(ファンクショントリミング)し、抵抗値
が一定になるよう調整している。
スクを用いて真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成工
程により発熱抵抗体104を所定パターンに成膜した
後、抵抗値を測定しながらレーザ光で発熱抵抗体104
をトリミング(ファンクショントリミング)し、抵抗値
が一定になるよう調整している。
【0005】しかしながら、薄膜形成工程では蒸着金属
として金属酸化物を用いるのが一般的であり、抵抗体と
して用いる材料が制限され、抵抗体の特性に制約があっ
た。また、スパッタリング等の薄膜形成工程ではマスク
により抵抗体のパターン付けをする必要があり、また、
膜質や基板材質等のバラツキによる特性の誤差を調整す
るため、やっかいなファンクショントリミングが必要で
あり、抵抗体を形成する工程が面倒であった。さらに、
トリミング時に基板に熱ストレスが加わるので、基板材
料はセラミックのように耐熱性を有するものが用いられ
ている。
として金属酸化物を用いるのが一般的であり、抵抗体と
して用いる材料が制限され、抵抗体の特性に制約があっ
た。また、スパッタリング等の薄膜形成工程ではマスク
により抵抗体のパターン付けをする必要があり、また、
膜質や基板材質等のバラツキによる特性の誤差を調整す
るため、やっかいなファンクショントリミングが必要で
あり、抵抗体を形成する工程が面倒であった。さらに、
トリミング時に基板に熱ストレスが加わるので、基板材
料はセラミックのように耐熱性を有するものが用いられ
ている。
【0006】また、図13に示すものは厚膜印刷により
抵抗体を形成された従来の回路基板111を示す断面図
であって、両面にガラス層112,114を形成された
ステンレス板113の上方に下部電極115を設け、そ
の上にガラス層116を挟んで上部電極117を設け、
上部電極117間に厚膜印刷によって抵抗体118を設
け、抵抗体118の表面を抵抗保護ガラス層119によ
って被覆したものである。
抵抗体を形成された従来の回路基板111を示す断面図
であって、両面にガラス層112,114を形成された
ステンレス板113の上方に下部電極115を設け、そ
の上にガラス層116を挟んで上部電極117を設け、
上部電極117間に厚膜印刷によって抵抗体118を設
け、抵抗体118の表面を抵抗保護ガラス層119によ
って被覆したものである。
【0007】このような回路基板111にあっては、厚
膜用ペーストをスクリーン印刷した後、焼成することに
よって所定パターンの抵抗体118を形成している。
膜用ペーストをスクリーン印刷した後、焼成することに
よって所定パターンの抵抗体118を形成している。
【0008】しかし、厚膜形成工程によって抵抗体を形
成する場合には、スクリーンマスクを用いるため、工程
が複雑となっていた。さらに、厚膜用ペーストを高温で
焼成する必要があり、基板に熱ストレスが加わるので、
耐熱性を有する基板を用いる必要がある。
成する場合には、スクリーンマスクを用いるため、工程
が複雑となっていた。さらに、厚膜用ペーストを高温で
焼成する必要があり、基板に熱ストレスが加わるので、
耐熱性を有する基板を用いる必要がある。
【0009】また、コンデンサを薄膜形成工程や厚膜形
成工程により製作する場合も、抵抗体の場合と同様な問
題があった。しかも、誘電体はセンサやトランスジュー
サとしては実用化されているが、基板上に自由に誘電体
を作成できないので、コンデンサを形成すると1μF以
下となり、実用性に乏しかった。
成工程により製作する場合も、抵抗体の場合と同様な問
題があった。しかも、誘電体はセンサやトランスジュー
サとしては実用化されているが、基板上に自由に誘電体
を作成できないので、コンデンサを形成すると1μF以
下となり、実用性に乏しかった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、叙上の従来
例の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、自由な材質を用いて多様な基板の上に直接に
抵抗やコンデンサ等の受動素子を形成することができる
回路基板を提供することにある。
例の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、自由な材質を用いて多様な基板の上に直接に
抵抗やコンデンサ等の受動素子を形成することができる
回路基板を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の回路基板は、抵
抗やコンデンサ等の受動素子を一体に形成された回路基
板において、ガスデポジション法によって成膜された超
微粒子膜によって抵抗やコンデンサ等の受動素子の少な
くとも一部を形成したことを特徴としている。
抗やコンデンサ等の受動素子を一体に形成された回路基
板において、ガスデポジション法によって成膜された超
微粒子膜によって抵抗やコンデンサ等の受動素子の少な
くとも一部を形成したことを特徴としている。
【0012】また、この回路基板においては、超微粒子
膜に光を照射することにより受動素子の特性値を調整す
ることができる。
膜に光を照射することにより受動素子の特性値を調整す
ることができる。
【0013】
【作用】本発明にあっては、抵抗体や誘電体等の材料か
らなる超微粒子をガスデポジション法によって直接基板
の上に吹き付け、超微粒子膜からなる抵抗体や誘電体等
を基板の表面に形成し、抵抗やコンデンサ等を設ける。
らなる超微粒子をガスデポジション法によって直接基板
の上に吹き付け、超微粒子膜からなる抵抗体や誘電体等
を基板の表面に形成し、抵抗やコンデンサ等を設ける。
【0014】したがって、超微粒子流または基板を走査
させることにより所望パターンの超微粒子膜を得ること
ができ、マスク等を用いることなく簡単な工程で抵抗や
コンデンサ等を形成することができる。
させることにより所望パターンの超微粒子膜を得ること
ができ、マスク等を用いることなく簡単な工程で抵抗や
コンデンサ等を形成することができる。
【0015】ガスデポジション法を用いれば超微粒子膜
の材質も限定されず、抵抗体や誘電体等として用いる材
質の選択の幅も広くなる。また、耐熱性のない基板も用
いることができ、セラミックやエポキシ樹脂等の多様な
材質の基板を用いることができる。
の材質も限定されず、抵抗体や誘電体等として用いる材
質の選択の幅も広くなる。また、耐熱性のない基板も用
いることができ、セラミックやエポキシ樹脂等の多様な
材質の基板を用いることができる。
【0016】また、超微粒子膜の厚みや幅は広い範囲に
わたって制御することができるので、抵抗やコンデンサ
等の特性値の範囲も広くなり、用途も従来より広くな
る。
わたって制御することができるので、抵抗やコンデンサ
等の特性値の範囲も広くなり、用途も従来より広くな
る。
【0017】しかも、超微粒子は光の吸収能が高いの
で、ガスデポジション法によって超微粒子膜の抵抗体や
誘電体等を形成した後、当該超微粒子膜に光を照射する
ことによってその物性に変化を生じさせることができ、
超微粒子膜のパターン形状を変えることなく抵抗やコン
デンサ等の特性値(抵抗値やキャパシタンス)を調整す
ることができる。
で、ガスデポジション法によって超微粒子膜の抵抗体や
誘電体等を形成した後、当該超微粒子膜に光を照射する
ことによってその物性に変化を生じさせることができ、
超微粒子膜のパターン形状を変えることなく抵抗やコン
デンサ等の特性値(抵抗値やキャパシタンス)を調整す
ることができる。
【0018】
【実施例】図2は本発明の一実施例による回路基板1の
概略を示す一部破断した正面図であって、超微粒子(例
えば、粒径が0.1μm程度、あるいはそれ以下のも
の)を堆積させた超微粒子膜2を有している。
概略を示す一部破断した正面図であって、超微粒子(例
えば、粒径が0.1μm程度、あるいはそれ以下のも
の)を堆積させた超微粒子膜2を有している。
【0019】図1は図2の超微粒子膜2を形成するため
の超微粒子膜形成装置3を示す概略構成図である。これ
は、ガスデポジション法(第90回ニューセラミクス懇
話会研究会資料に掲載されている。)を利用して超微粒
子膜2を直接に描画する装置であって、超微粒子生成室
4と膜形成室5を有し、両室4,5は搬送管6によって
結ばれている。また、超微粒子生成室4内と膜形成室5
内は真空ポンプ7によって減圧できるようになってい
る。超微粒子生成室4には流量調整弁8を介してHeガ
ス等のガス9が供給されている。この超微粒子生成室4
には、抵抗加熱法を熱源とする蒸発槽10が設けられて
おり、蒸発槽10内には超微粒子膜2を形成するための
原材料11が入れられている。一方、膜形成室5内に
は、回路基板1を保持して移動させるためのマニピュレ
ータ12が設けられており、搬送管6からマニピュレー
タ12側へ向けてノズル13が突出している。
の超微粒子膜形成装置3を示す概略構成図である。これ
は、ガスデポジション法(第90回ニューセラミクス懇
話会研究会資料に掲載されている。)を利用して超微粒
子膜2を直接に描画する装置であって、超微粒子生成室
4と膜形成室5を有し、両室4,5は搬送管6によって
結ばれている。また、超微粒子生成室4内と膜形成室5
内は真空ポンプ7によって減圧できるようになってい
る。超微粒子生成室4には流量調整弁8を介してHeガ
ス等のガス9が供給されている。この超微粒子生成室4
には、抵抗加熱法を熱源とする蒸発槽10が設けられて
おり、蒸発槽10内には超微粒子膜2を形成するための
原材料11が入れられている。一方、膜形成室5内に
は、回路基板1を保持して移動させるためのマニピュレ
ータ12が設けられており、搬送管6からマニピュレー
タ12側へ向けてノズル13が突出している。
【0020】しかして、回路基板1をマニピュレータ1
2に保持させ、真空ポンプ7により膜形成室5を減圧す
ると共に超微粒子生成室4にガス9を送り込んで加圧し
ながら、蒸発槽10で原材料11を加熱して蒸発させる
と、蒸発原子は空中で凝集して超微粒子となり、超微粒
子生成室4と膜形成室5との差圧によりHeガス等のガ
ス9と共に搬送管6を通って膜形成室5へ送られ、ノズ
ル13から高速で回路基板1の表面へ噴射され、図2に
示すように超微粒子膜2を形成される。このとき回路基
板1を移動させて走査することにより、マスクを用いる
ことなく所望パターンの超微粒子膜2を形成することが
できる。
2に保持させ、真空ポンプ7により膜形成室5を減圧す
ると共に超微粒子生成室4にガス9を送り込んで加圧し
ながら、蒸発槽10で原材料11を加熱して蒸発させる
と、蒸発原子は空中で凝集して超微粒子となり、超微粒
子生成室4と膜形成室5との差圧によりHeガス等のガ
ス9と共に搬送管6を通って膜形成室5へ送られ、ノズ
ル13から高速で回路基板1の表面へ噴射され、図2に
示すように超微粒子膜2を形成される。このとき回路基
板1を移動させて走査することにより、マスクを用いる
ことなく所望パターンの超微粒子膜2を形成することが
できる。
【0021】例えば、マニピュレータ12によって回路
基板1を直線的に移動させながら超微粒子膜2を形成す
れば、図3(a)に示すように直線状パターンの超微粒
子膜2を形成することができる。この直線状の超微粒子
膜2の幅はノズル13の先端径によって決まる。また、
そのときシャッターによりノズル13を開閉すれば、図
3(b)に示すように断続的な(あるいは、点状の)パ
ターンの超微粒子膜2を得ることができる。さらに、マ
ニピュレータ12によって回路基板1を回転させれば、
図3(c)に示すように、環状パターンの超微粒子膜2
を形成することができる。また、回路基板1を2次元的
に走査させれば、面状の超微粒子膜2を形成することも
できる。
基板1を直線的に移動させながら超微粒子膜2を形成す
れば、図3(a)に示すように直線状パターンの超微粒
子膜2を形成することができる。この直線状の超微粒子
膜2の幅はノズル13の先端径によって決まる。また、
そのときシャッターによりノズル13を開閉すれば、図
3(b)に示すように断続的な(あるいは、点状の)パ
ターンの超微粒子膜2を得ることができる。さらに、マ
ニピュレータ12によって回路基板1を回転させれば、
図3(c)に示すように、環状パターンの超微粒子膜2
を形成することができる。また、回路基板1を2次元的
に走査させれば、面状の超微粒子膜2を形成することも
できる。
【0022】こうして、回路基板1の上にガスデポジシ
ョン法によって超微粒子膜2を形成すれば、マスク等を
用いることなくインラインで抵抗体や誘電体等の超微粒
子膜2を容易に形成することができ、量産化にも適す
る。しかも、超微粒子膜2として用いることができる材
質の範囲も後述のように広くなり、抵抗やコンデンサ等
の抵抗値やキャパシタンス等の特性値の範囲も広くな
り、用途が拡大する。また、回路基板1も加熱されない
ので、耐熱性のない基板や耐熱性の低い基板も用いるこ
とが可能になる。さらに、超微粒子生成室4と膜形成室
5との差圧、回路基板1の温度、超微粒子の温度、噴射
速度及び流量等によって超微粒子膜2の密度や粒径、結
晶粒界等を変化させることができ、また回路基板1の移
動速度や超微粒子の噴射量や超微粒子膜の重ね塗り等に
よって超微粒子膜2の膜厚を変えることができるので、
これらをコントロールすることにより超微粒子膜2の抵
抗値やキャパシタンス等(あるいは、抵抗率や誘電率
等)の特性値を調整できる。
ョン法によって超微粒子膜2を形成すれば、マスク等を
用いることなくインラインで抵抗体や誘電体等の超微粒
子膜2を容易に形成することができ、量産化にも適す
る。しかも、超微粒子膜2として用いることができる材
質の範囲も後述のように広くなり、抵抗やコンデンサ等
の抵抗値やキャパシタンス等の特性値の範囲も広くな
り、用途が拡大する。また、回路基板1も加熱されない
ので、耐熱性のない基板や耐熱性の低い基板も用いるこ
とが可能になる。さらに、超微粒子生成室4と膜形成室
5との差圧、回路基板1の温度、超微粒子の温度、噴射
速度及び流量等によって超微粒子膜2の密度や粒径、結
晶粒界等を変化させることができ、また回路基板1の移
動速度や超微粒子の噴射量や超微粒子膜の重ね塗り等に
よって超微粒子膜2の膜厚を変えることができるので、
これらをコントロールすることにより超微粒子膜2の抵
抗値やキャパシタンス等(あるいは、抵抗率や誘電率
等)の特性値を調整できる。
【0023】超微粒子膜2を形成するための材質として
は、種々のものを用いることができ、例えば、Fe,N
i,Co,Fe−Ni,Fe−Co,Ni−Cu,C
u,Ag,Au,Sn,Ag−Cu,Ti,Mn,T
a,Mo,Al,Pb,In,Cr,Pt,Sr,P
d,Y,Nb,Li,Ba,C,Bi,Ca,その他の
金属及び合金系、RuO2,Al2O3,MgO,Sn
O2,SiO2,ZnO,TiO2,ZrO2,PbO,B
aTiO3等の酸化物、TiN等の窒化物、SiC等の
炭化物などを用いることができる。また、有機化合物を
用いることも可能である。
は、種々のものを用いることができ、例えば、Fe,N
i,Co,Fe−Ni,Fe−Co,Ni−Cu,C
u,Ag,Au,Sn,Ag−Cu,Ti,Mn,T
a,Mo,Al,Pb,In,Cr,Pt,Sr,P
d,Y,Nb,Li,Ba,C,Bi,Ca,その他の
金属及び合金系、RuO2,Al2O3,MgO,Sn
O2,SiO2,ZnO,TiO2,ZrO2,PbO,B
aTiO3等の酸化物、TiN等の窒化物、SiC等の
炭化物などを用いることができる。また、有機化合物を
用いることも可能である。
【0024】また、蒸発槽内に沸点温度の等しい金属の
合金を入れておけば、合金の超微粒子膜2を形成するこ
ともできる。さらに、超微粒子生成室5内に2つ以上の
蒸発槽を設けて異なる金属材料を入れておけば、両金属
材料の沸点温度が異なる場合でも、2元系合金(共晶合
金)等の超微粒子膜2を形成できる。例えば、このよう
な合金作製法によれば、超微粒子膜2のオーミック接触
性を良好にしたり、適当なドーパントを母材金属に入れ
たりすることができる。なお、回路基板1は、セラミッ
ク基板等のほか、エポキシ樹脂等の有機化合物基板や金
属基板などでもよい。
合金を入れておけば、合金の超微粒子膜2を形成するこ
ともできる。さらに、超微粒子生成室5内に2つ以上の
蒸発槽を設けて異なる金属材料を入れておけば、両金属
材料の沸点温度が異なる場合でも、2元系合金(共晶合
金)等の超微粒子膜2を形成できる。例えば、このよう
な合金作製法によれば、超微粒子膜2のオーミック接触
性を良好にしたり、適当なドーパントを母材金属に入れ
たりすることができる。なお、回路基板1は、セラミッ
ク基板等のほか、エポキシ樹脂等の有機化合物基板や金
属基板などでもよい。
【0025】図5は本発明の別な実施例による回路基板
1の概略を示す一部破断した正面図であって、複合組成
の超微粒子膜2を有している。
1の概略を示す一部破断した正面図であって、複合組成
の超微粒子膜2を有している。
【0026】図4は図5の超微粒子膜2を形成するため
の超微粒子膜形成装置23を示す概略構成図である。こ
れは、2つの超微粒子生成室4a,4bと膜形成室5を
有し、両超微粒子生成室4a,4bと膜形成室5とはそ
れぞれ搬送管6a,6bによって結ばれている。各超微
粒子生成室4a,4bには、抵抗加熱法を熱源とする蒸
発槽10a,10bが設けられており、各蒸発槽10
a,10b内には超微粒子膜2を形成するための異なる
原材料11a,11bが入れられている。一方、膜形成
室5内には、回路基板1を保持し移動させるためのマニ
ピュレータ12が設けられており、隣接して配置された
各搬送管6a,6bからマニピュレータ12側へ向けて
それぞれノズル13a,13bが突出している。
の超微粒子膜形成装置23を示す概略構成図である。こ
れは、2つの超微粒子生成室4a,4bと膜形成室5を
有し、両超微粒子生成室4a,4bと膜形成室5とはそ
れぞれ搬送管6a,6bによって結ばれている。各超微
粒子生成室4a,4bには、抵抗加熱法を熱源とする蒸
発槽10a,10bが設けられており、各蒸発槽10
a,10b内には超微粒子膜2を形成するための異なる
原材料11a,11bが入れられている。一方、膜形成
室5内には、回路基板1を保持し移動させるためのマニ
ピュレータ12が設けられており、隣接して配置された
各搬送管6a,6bからマニピュレータ12側へ向けて
それぞれノズル13a,13bが突出している。
【0027】しかして、マニピュレータ12によって回
路基板1を移動させながら、第1の原材料11aからな
る超微粒子をノズル13aから高速で電子回路部品21
へ噴射し、下側超微粒子膜2aを形成し、第二の原材料
11bからなる超微粒子をノズル13bから噴射して下
側超微粒子膜2aの上に上側超微粒子膜2bを形成す
る。この結果、下側超微粒子膜2aと上側超微粒子膜2
bとからなる図4のような傾斜組成の超微粒子膜2が得
られる。
路基板1を移動させながら、第1の原材料11aからな
る超微粒子をノズル13aから高速で電子回路部品21
へ噴射し、下側超微粒子膜2aを形成し、第二の原材料
11bからなる超微粒子をノズル13bから噴射して下
側超微粒子膜2aの上に上側超微粒子膜2bを形成す
る。この結果、下側超微粒子膜2aと上側超微粒子膜2
bとからなる図4のような傾斜組成の超微粒子膜2が得
られる。
【0028】下側及び上側超微粒子膜22a,22bは
互いに性能が異なっており、物理的性質や化学的性質、
用途、機能、密着性、経済性、その他の違いを考慮して
異なる原材料を用いることができる。あるいは、同じ原
材料を用い、噴射速度の違い等によって超微粒子の粒径
や密度などを異ならせ、物理定数等の異なる層としても
よい。具体的にいうと、例えば、下側超微粒子膜2aを
回路基板1との密着性のよい材質とし、上側超微粒子膜
2bを必要な特性を有する材質とすることができる。あ
るいは、下側超微粒子膜2aを必要な抵抗特性を有する
層とし、上側超微粒子膜2bを硬度の高い層とすれば、
摺動抵抗として利用できる。
互いに性能が異なっており、物理的性質や化学的性質、
用途、機能、密着性、経済性、その他の違いを考慮して
異なる原材料を用いることができる。あるいは、同じ原
材料を用い、噴射速度の違い等によって超微粒子の粒径
や密度などを異ならせ、物理定数等の異なる層としても
よい。具体的にいうと、例えば、下側超微粒子膜2aを
回路基板1との密着性のよい材質とし、上側超微粒子膜
2bを必要な特性を有する材質とすることができる。あ
るいは、下側超微粒子膜2aを必要な抵抗特性を有する
層とし、上側超微粒子膜2bを硬度の高い層とすれば、
摺動抵抗として利用できる。
【0029】なお、図5の傾斜組成の超微粒子膜2で
は、下側超微粒子膜2aと上側超微粒子膜2bとが区分
的に積層されているが、下側超微粒子膜2aから上側超
微粒子膜2bへ徐々に変化するようにしてもよい。その
ためには、ノズル13a及び13bの先端を一致させ、
両ノズル13a,13bから噴射される超微粒子の噴射
量を徐々に変化させればよい。あるいは、1つの超微粒
子膜生成室に2つの蒸発槽を設け、両蒸発槽からの原材
料の蒸発速度を徐々に変化させることにより、ノズルか
ら噴射される超微粒子の組成が変化するようにしてもよ
い。
は、下側超微粒子膜2aと上側超微粒子膜2bとが区分
的に積層されているが、下側超微粒子膜2aから上側超
微粒子膜2bへ徐々に変化するようにしてもよい。その
ためには、ノズル13a及び13bの先端を一致させ、
両ノズル13a,13bから噴射される超微粒子の噴射
量を徐々に変化させればよい。あるいは、1つの超微粒
子膜生成室に2つの蒸発槽を設け、両蒸発槽からの原材
料の蒸発速度を徐々に変化させることにより、ノズルか
ら噴射される超微粒子の組成が変化するようにしてもよ
い。
【0030】図7は本発明のさらに別な実施例による回
路基板1の概略を示す一部破断した正面図であって、超
微粒子膜2の表層部2cをレーザ加熱により改質したも
のである。
路基板1の概略を示す一部破断した正面図であって、超
微粒子膜2の表層部2cをレーザ加熱により改質したも
のである。
【0031】図6は図7の超微粒子膜2を形成するため
の超微粒子膜形成装置35を示す概略構成図である。こ
の超微粒子膜形成装置35にあっては、膜形成室5内で
ノズル13の近傍に光ファイバ33のレーザ光出射端3
3aが配置されており、光ファイバ33の他端33bか
らはレーザ発振器(図示せず)から出射されたレーザ光
34を入射させるようにしている。
の超微粒子膜形成装置35を示す概略構成図である。こ
の超微粒子膜形成装置35にあっては、膜形成室5内で
ノズル13の近傍に光ファイバ33のレーザ光出射端3
3aが配置されており、光ファイバ33の他端33bか
らはレーザ発振器(図示せず)から出射されたレーザ光
34を入射させるようにしている。
【0032】しかして、マニュピレータ12によって回
路基板31を移動させながら、ノズル13から高速で噴
射した超微粒子によって回路基板1の上に所定形状の超
微粒子膜2を形成し、レーザ光出射端33aから出射さ
れたレーザ光34を超微粒子膜2の表面に照射する。超
微粒子の径とレーザ光の波長とは近いオーダーの寸法で
あるから、超微粒子膜2は光吸収能が高く、超微粒子が
レーザ光34のエネルギーを吸収してさらに凝集し、よ
り大きな粒径に成長したり、結晶型が変化したり、粒界
の大きさが変化したりし、超微粒子膜2の表層部2cの
抵抗率や誘電率等の物性が変化する。したがって、例え
ば、超微粒子膜2を回路基板1への密着性の良好な状態
で形成し、この後レーザ光34を照射して表層部2cの
物性を調整することができる。しかも、超微粒子2は光
を吸収し易いので、レーザ光によって効率よく加熱アニ
ールでき、回路基板1に熱ストレスを加える恐れがな
い。なお、バンプ32にレーザ光34を照射する装置
は、ガスデポジション法によってバンプ32を形成する
装置とは別体とし、バンプ形成工程とレーザ光照射工程
とは別々の工程としてもよい。
路基板31を移動させながら、ノズル13から高速で噴
射した超微粒子によって回路基板1の上に所定形状の超
微粒子膜2を形成し、レーザ光出射端33aから出射さ
れたレーザ光34を超微粒子膜2の表面に照射する。超
微粒子の径とレーザ光の波長とは近いオーダーの寸法で
あるから、超微粒子膜2は光吸収能が高く、超微粒子が
レーザ光34のエネルギーを吸収してさらに凝集し、よ
り大きな粒径に成長したり、結晶型が変化したり、粒界
の大きさが変化したりし、超微粒子膜2の表層部2cの
抵抗率や誘電率等の物性が変化する。したがって、例え
ば、超微粒子膜2を回路基板1への密着性の良好な状態
で形成し、この後レーザ光34を照射して表層部2cの
物性を調整することができる。しかも、超微粒子2は光
を吸収し易いので、レーザ光によって効率よく加熱アニ
ールでき、回路基板1に熱ストレスを加える恐れがな
い。なお、バンプ32にレーザ光34を照射する装置
は、ガスデポジション法によってバンプ32を形成する
装置とは別体とし、バンプ形成工程とレーザ光照射工程
とは別々の工程としてもよい。
【0033】つぎに、超微粒子膜からなるコンデンサや
抵抗を有する具体的な回路基板について説明する。図8
は超微粒子膜によって表面に抵抗及びコンデンサを形成
された回路基板1である。この抵抗41は、例えば図1
のような装置を用いてガスデポジション法によって回路
基板の表面にRuO2のような抵抗体の超微粒子膜を直
線状に形成したものである。この抵抗41の抵抗値は、
超微粒子膜の膜厚や幅、長さによっても調整することが
できる。従って、抵抗41の形成後に抵抗値が所望の値
になっていない場合には、再び抵抗41の上に抵抗材料
の超微粒子膜を塗り重ねたり、幅を増加させたり、長さ
を増加させたりすることにより、抵抗値を調整できる。
さらに、抵抗41の形成後に抵抗41の表面にレーザ光
を照射して加熱アニールし、超微粒子膜の抵抗率を変化
させることによっても抵抗値を微調整することができ
る。
抵抗を有する具体的な回路基板について説明する。図8
は超微粒子膜によって表面に抵抗及びコンデンサを形成
された回路基板1である。この抵抗41は、例えば図1
のような装置を用いてガスデポジション法によって回路
基板の表面にRuO2のような抵抗体の超微粒子膜を直
線状に形成したものである。この抵抗41の抵抗値は、
超微粒子膜の膜厚や幅、長さによっても調整することが
できる。従って、抵抗41の形成後に抵抗値が所望の値
になっていない場合には、再び抵抗41の上に抵抗材料
の超微粒子膜を塗り重ねたり、幅を増加させたり、長さ
を増加させたりすることにより、抵抗値を調整できる。
さらに、抵抗41の形成後に抵抗41の表面にレーザ光
を照射して加熱アニールし、超微粒子膜の抵抗率を変化
させることによっても抵抗値を微調整することができ
る。
【0034】また、コンデンサ42は、図9に示すよう
に、回路基板1の表面に成膜されたコンデンサ電極43
の上に超微粒子膜からなる誘電体44を形成し、その上
面にさらにコンデンサ電極45を形成したものである。
このようなコンデンサ42においては、両コンデンサ電
極43,45を真空蒸着やスパッタリング等によって形
成し、誘電体44だけをガスデポジション法によって形
成してもよい。あるいは、両コンデンサ電極43,45
及び誘電体44を超微粒子膜によって形成してもよい。
後者の場合には、電極材料の超微粒子を噴射する一対の
ノズル間に誘電体の超微粒子を噴射するノズルを配置
し、回路基板1をノズルの配列方向へ移動させながら一
度に3層の超微粒子膜(コンデンサ電極43,45及び
誘電体44)を形成してもよい(図示せず)。なお、コ
ンデンサ42にあっても、誘電体の超微粒子膜にレーザ
光を照射させることによって誘電率を変化させたり、あ
るいは、誘電体材料の超微粒子膜を誘電体44の上や周
囲に付加したりすることにより、コンデンサのキャパシ
タンスを微調整することができる。しかも、容量の大き
なコンデンサを形成することができる。
に、回路基板1の表面に成膜されたコンデンサ電極43
の上に超微粒子膜からなる誘電体44を形成し、その上
面にさらにコンデンサ電極45を形成したものである。
このようなコンデンサ42においては、両コンデンサ電
極43,45を真空蒸着やスパッタリング等によって形
成し、誘電体44だけをガスデポジション法によって形
成してもよい。あるいは、両コンデンサ電極43,45
及び誘電体44を超微粒子膜によって形成してもよい。
後者の場合には、電極材料の超微粒子を噴射する一対の
ノズル間に誘電体の超微粒子を噴射するノズルを配置
し、回路基板1をノズルの配列方向へ移動させながら一
度に3層の超微粒子膜(コンデンサ電極43,45及び
誘電体44)を形成してもよい(図示せず)。なお、コ
ンデンサ42にあっても、誘電体の超微粒子膜にレーザ
光を照射させることによって誘電率を変化させたり、あ
るいは、誘電体材料の超微粒子膜を誘電体44の上や周
囲に付加したりすることにより、コンデンサのキャパシ
タンスを微調整することができる。しかも、容量の大き
なコンデンサを形成することができる。
【0035】図10は別な構造のコンデンサ46であっ
て、ガスデポジション法によって回路基板1の表面に形
成された超微粒子膜からなる一対の櫛歯状電極47,4
8を噛み合わせるように対向させ、さらに、ガスデポジ
ション法によって両櫛歯状電極47,48間に誘電体4
9の超微粒子膜を成膜したものである。このようにコン
デンサ46を平面構成とすることにより、誘電体49に
レーザ光34を照射してコンデンサ46のキャパシタン
ス調整を簡単にできる。
て、ガスデポジション法によって回路基板1の表面に形
成された超微粒子膜からなる一対の櫛歯状電極47,4
8を噛み合わせるように対向させ、さらに、ガスデポジ
ション法によって両櫛歯状電極47,48間に誘電体4
9の超微粒子膜を成膜したものである。このようにコン
デンサ46を平面構成とすることにより、誘電体49に
レーザ光34を照射してコンデンサ46のキャパシタン
ス調整を簡単にできる。
【0036】図11は多層構造の回路基板1の実施例で
あって、ガスデポジション法により超微粒子膜を用いて
形成されたコンデンサ42や抵抗41が、接着剤50等
により貼り合わせられた基板51間に配置されている。
あって、ガスデポジション法により超微粒子膜を用いて
形成されたコンデンサ42や抵抗41が、接着剤50等
により貼り合わせられた基板51間に配置されている。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、超微粒子流または基板
を走査させることにより所望のパターンの超微粒子膜を
得ることができ、マスク等を用いることなく簡単な工程
で抵抗体や誘電体等を形成することができる。
を走査させることにより所望のパターンの超微粒子膜を
得ることができ、マスク等を用いることなく簡単な工程
で抵抗体や誘電体等を形成することができる。
【0038】また、ガスデポジション法を用いれば超微
粒子膜の材質も限定されず、抵抗体や誘電体等として用
いる材質の選択の幅も広くなる。また、回路基板への熱
ストレスも小さくなるので、耐熱性の低い基板も用いる
ことができ、セラミックやエポキシ樹脂等の多様な材質
の基板を用いることができる。
粒子膜の材質も限定されず、抵抗体や誘電体等として用
いる材質の選択の幅も広くなる。また、回路基板への熱
ストレスも小さくなるので、耐熱性の低い基板も用いる
ことができ、セラミックやエポキシ樹脂等の多様な材質
の基板を用いることができる。
【0039】さらに、超微粒子膜の厚みや幅は広い範囲
にわたって制御することができるので、抵抗やコンデン
サ等の特性値の範囲も広くなり、用途も従来より広くな
る。
にわたって制御することができるので、抵抗やコンデン
サ等の特性値の範囲も広くなり、用途も従来より広くな
る。
【0040】しかも、超微粒子は光の吸収能が高いの
で、ガスデポジション法によって超微粒子膜の抵抗体や
誘電体等を形成した後、当該超微粒子膜に光を照射する
ことによってその物性に変化を生じさせることができ、
超微粒子膜のパターン形状を変えることなく抵抗やコン
デンサ等の特性値(抵抗値やキャパシタンス)を調整す
ることができる。
で、ガスデポジション法によって超微粒子膜の抵抗体や
誘電体等を形成した後、当該超微粒子膜に光を照射する
ことによってその物性に変化を生じさせることができ、
超微粒子膜のパターン形状を変えることなく抵抗やコン
デンサ等の特性値(抵抗値やキャパシタンス)を調整す
ることができる。
【図1】本発明の一実施例にかかる超微粒子膜形成装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図2】同上の装置によって回路基板の上に形成された
超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
【図3】(a)(b)(c)は上記超微粒子膜形成装置
によって形成される超微粒子膜のパターンの数例を示す
図である。
によって形成される超微粒子膜のパターンの数例を示す
図である。
【図4】本発明の別な実施例にかかる超微粒子膜形成装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
【図5】同上の装置によって回路基板の上に形成された
超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
【図6】本発明のさらに別な実施例にかかる超微粒子膜
形成装置を示す概略構成図である。
形成装置を示す概略構成図である。
【図7】同上の装置によって回路基板の上に形成された
超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
【図8】本発明の具体的な実施例であって、コンデンサ
及び抵抗を一体に形成された回路基板を示す一部破断し
た斜視図である。
及び抵抗を一体に形成された回路基板を示す一部破断し
た斜視図である。
【図9】同上の回路基板の表面に形成されたコンデンサ
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図10】超微粒子膜を用いた別な構造のコンデンサを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図11】本発明の別な具体的実施例であって、コンデ
ンサ及び抵抗を形成された多層回路基板を示す断面図で
ある。
ンサ及び抵抗を形成された多層回路基板を示す断面図で
ある。
【図12】従来例を示す断面図である。
【図13】別な従来例を示す断面図である。
1 回路基板 2 超微粒子膜 41 抵抗 42 コンデンサ 46 コンデンサ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年10月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】しかして、マニピュレータ12によって回
路基板1を移動させながら、第1の原材料11aからな
る超微粒子をノズル13aから高速で電子回路部品21
へ噴射し、下側超微粒子膜2aを形成し、第二の原材料
11bからなる超微粒子をノズル13bから噴射して下
側超微粒子膜2aの上に上側超微粒子膜2bを形成す
る。この結果、下側超微粒子膜2aと上側超微粒子膜2
bとからなる図5のような傾斜組成の超微粒子膜2が得
られる。
路基板1を移動させながら、第1の原材料11aからな
る超微粒子をノズル13aから高速で電子回路部品21
へ噴射し、下側超微粒子膜2aを形成し、第二の原材料
11bからなる超微粒子をノズル13bから噴射して下
側超微粒子膜2aの上に上側超微粒子膜2bを形成す
る。この結果、下側超微粒子膜2aと上側超微粒子膜2
bとからなる図5のような傾斜組成の超微粒子膜2が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 13/00 391 C 9174−5E
Claims (2)
- 【請求項1】 抵抗やコンデンサ等の受動素子を一体に
形成された回路基板において、ガスデポジション法によ
って成膜された超微粒子膜によって抵抗やコンデンサ等
の受動素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とす
る回路基板。 - 【請求項2】 前記超微粒子膜に光を照射することによ
り受動素子の特性値を調整した請求項1に記載の回路基
板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3229536A JPH0548235A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3229536A JPH0548235A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0548235A true JPH0548235A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16893712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3229536A Pending JPH0548235A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0548235A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
US6502930B1 (en) | 1999-08-04 | 2003-01-07 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head, method for manufacturing the same, and ink jet recorder |
KR100463434B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-12-23 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
EP1020889B1 (en) * | 1999-01-13 | 2006-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming non-evaporative getter and method of producing image forming apparatus |
JP2008057000A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fuchita Nano Giken:Kk | リチウムまたはリチウム合金の成膜装置 |
JP2008218481A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
US7533972B2 (en) | 2004-02-06 | 2009-05-19 | Fujifilm Corporation | Inkjet head and manufacturing method thereof |
US7579251B2 (en) | 2003-05-15 | 2009-08-25 | Fujitsu Limited | Aerosol deposition process |
JP2010103556A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-05-06 | Fujitsu Ltd | 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
JP2010251757A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Korea Inst Of Mach & Materials | 高密度及びナノ結晶粒スピネル系負温度係数サーミスタ厚膜及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP3229536A patent/JPH0548235A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
US5976393A (en) * | 1994-07-21 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
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JP2008218481A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
JP2010251757A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Korea Inst Of Mach & Materials | 高密度及びナノ結晶粒スピネル系負温度係数サーミスタ厚膜及びその製造方法 |
JP2010103556A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-05-06 | Fujitsu Ltd | 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
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