JPS63263779A - セラミツク超伝導体ジヨセフソン接合とその製造方法 - Google Patents
セラミツク超伝導体ジヨセフソン接合とその製造方法Info
- Publication number
- JPS63263779A JPS63263779A JP62100550A JP10055087A JPS63263779A JP S63263779 A JPS63263779 A JP S63263779A JP 62100550 A JP62100550 A JP 62100550A JP 10055087 A JP10055087 A JP 10055087A JP S63263779 A JPS63263779 A JP S63263779A
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- Japan
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- ceramic
- josephson junction
- cleavage plane
- ceramic superconductor
- superconductors
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高超伝導転移温度を持つセラミック超伝導体を
電極とするジョセフソン接合とその製造方法に関する。
電極とするジョセフソン接合とその製造方法に関する。
（従来の技術）
最近高超伝導転移温度（Ｔｃ）を持つセラミックスが次
々と発見されている。例えばＬａ−３ｒ−Ｃｏ−０で代
表される系ではＴＣは約４０に、Ｂａ４−Ｃ＋＋−０で
代表される系ではＴＣは約９０にである。このような高
ＴＣ材料を電極に持ち高い動作温度を持つジョセフソン
接合を作る事が当然期待されている。ジョセフソン接合
を作るに当り、一番単純な方式は二つの超伝導体バルク
同志をある一点で結合させる点接合ジョセフソン接合で
ある。第３図にこのようなセラミック超伝導体間点接合
の略図を示す。第３図中１は第１のセラミック超伝導体
、２は第２のセラミック超伝導体、３はジョセフソン接
合である。
々と発見されている。例えばＬａ−３ｒ−Ｃｏ−０で代
表される系ではＴＣは約４０に、Ｂａ４−Ｃ＋＋−０で
代表される系ではＴＣは約９０にである。このような高
ＴＣ材料を電極に持ち高い動作温度を持つジョセフソン
接合を作る事が当然期待されている。ジョセフソン接合
を作るに当り、一番単純な方式は二つの超伝導体バルク
同志をある一点で結合させる点接合ジョセフソン接合で
ある。第３図にこのようなセラミック超伝導体間点接合
の略図を示す。第３図中１は第１のセラミック超伝導体
、２は第２のセラミック超伝導体、３はジョセフソン接
合である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしセラミック超伝導体を使用したこのようなこころ
みはほとんど不成功に終っている。たとえ接合が出来た
としても、その超伝導ジョセフンン電流値は強い温度特
性を持ち、高い温度（たとえば液体ヘリウム温度以上）
ではなかなかジョセフソン接合特性を保つ事が出来なか
った。以上のようなバルク間ジョセフソン接合の作゛り
がなさは、主に高ＴＣセラミックスの大変短いコーヒレ
ンス長（約１〜２０ｍ）、及びバルク表面での超伝導結
晶相の欠乏などに起因していると思われる。
みはほとんど不成功に終っている。たとえ接合が出来た
としても、その超伝導ジョセフンン電流値は強い温度特
性を持ち、高い温度（たとえば液体ヘリウム温度以上）
ではなかなかジョセフソン接合特性を保つ事が出来なか
った。以上のようなバルク間ジョセフソン接合の作゛り
がなさは、主に高ＴＣセラミックスの大変短いコーヒレ
ンス長（約１〜２０ｍ）、及びバルク表面での超伝導結
晶相の欠乏などに起因していると思われる。
本発明の目的はこのような従来のセラミックジョセフソ
ン接合Ｂ点を解決する接合構造とその製造方法を提供す
ることにある。
ン接合Ｂ点を解決する接合構造とその製造方法を提供す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば劈開面を介してジョセフソン結合をして
いる第１及び第２のセラミック超伝導体より成るセラミ
ック超伝導体ジョセフソン接合が得られる。
いる第１及び第２のセラミック超伝導体より成るセラミ
ック超伝導体ジョセフソン接合が得られる。
さらに本発明によれば劈開面に圧力を加えながら劈開し
て、形成された劈開面を介してジョセフソン結合をさせ
ることを特徴とするセラミック超伝導体ジョセフソン接
合の製造方法が得られる。
て、形成された劈開面を介してジョセフソン結合をさせ
ることを特徴とするセラミック超伝導体ジョセフソン接
合の製造方法が得られる。
（作用）
第２図は本発明の詳細な説明するための略図である。第
２図中１．２はそれぞれ第１及び第２のセラミック超伝
導体、４は劈開面である。劈開面４が形成される以前は
、第１及び第２の超伝導体は一体のセラミック超伝導体
バルクである。外部からの力によりこの一体のセラミッ
クスに劈開面が形成されると、それにより分離した第１
及び第２のセラミック超伝導体はジョセフソン結合を容
易にする。その理由は劈開直後のフレッシュな劈開面に
は非超伝導な結晶相が出来にくい事と、劈開面どうしは
１〜２ ｎ ｍという短いセラミック超伝導体のコーヒ
レンス長と同じくらいな距離に容易に近接させる事が出
来るからである。このようにして第１及び第２のセラミ
ック超伝導体間にジョセフソン接合が出来る。
２図中１．２はそれぞれ第１及び第２のセラミック超伝
導体、４は劈開面である。劈開面４が形成される以前は
、第１及び第２の超伝導体は一体のセラミック超伝導体
バルクである。外部からの力によりこの一体のセラミッ
クスに劈開面が形成されると、それにより分離した第１
及び第２のセラミック超伝導体はジョセフソン結合を容
易にする。その理由は劈開直後のフレッシュな劈開面に
は非超伝導な結晶相が出来にくい事と、劈開面どうしは
１〜２ ｎ ｍという短いセラミック超伝導体のコーヒ
レンス長と同じくらいな距離に容易に近接させる事が出
来るからである。このようにして第１及び第２のセラミ
ック超伝導体間にジョセフソン接合が出来る。
（実施例）
第１図は本発明の実施例の略図を示す。第１図中１．２
はそれぞれ第１及び第２のセラミック超伝導体、４は劈
開面、５は劈開面形成機構、６は圧力調節機構、７はお
さえである。本来のセラミック超伝導体バルクは劈開面
形成機構５の図に示した矢印の方向の運動により劈開さ
れ、劈開面４により第１及び第２のセラミック超伝導体
に分離される。この劈開時に第１のセラミック超伝導体
と第２のセラミック超伝導体が完全に分離しないように
おさえ７および圧力調節機構６によりセラミック超伝導
体を固定しておく。圧力調節機構６の図に示した矢印の
方向の運動及びおさえ７の機能により、劈開面において
の第１及び第２のセラミ・ツク超伝導体の結合の度合が
調節される。つまり接合の臨界電流とノーマル抵抗の積
が最大になるように最適化されたジョセフソン接合が得
られる。この時第１及び第２のセラミック超伝導体はそ
れぞれおさえ７と圧力調節機構に機械的に接続している
ものとする。またエポキシなどの凝固剤により第１及び
第２のセラミック超伝導体を固定する事により、永久的
に使用出来るジョセフソン接合が出来る。
はそれぞれ第１及び第２のセラミック超伝導体、４は劈
開面、５は劈開面形成機構、６は圧力調節機構、７はお
さえである。本来のセラミック超伝導体バルクは劈開面
形成機構５の図に示した矢印の方向の運動により劈開さ
れ、劈開面４により第１及び第２のセラミック超伝導体
に分離される。この劈開時に第１のセラミック超伝導体
と第２のセラミック超伝導体が完全に分離しないように
おさえ７および圧力調節機構６によりセラミック超伝導
体を固定しておく。圧力調節機構６の図に示した矢印の
方向の運動及びおさえ７の機能により、劈開面において
の第１及び第２のセラミ・ツク超伝導体の結合の度合が
調節される。つまり接合の臨界電流とノーマル抵抗の積
が最大になるように最適化されたジョセフソン接合が得
られる。この時第１及び第２のセラミック超伝導体はそ
れぞれおさえ７と圧力調節機構に機械的に接続している
ものとする。またエポキシなどの凝固剤により第１及び
第２のセラミック超伝導体を固定する事により、永久的
に使用出来るジョセフソン接合が出来る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明により高Ｔｃセラミック超
伝導体を電極とした、高い動作温度を持ったジョセフソ
ン接合が出来る。
伝導体を電極とした、高い動作温度を持ったジョセフソ
ン接合が出来る。
第１図は本発明の実施例の概略図、第２図は本発明の詳
細な説明する概略図、第３図は従来例を示す概略図。 １・・・第１のセラミック超伝導体 ２・・・第２のセラミック超伝導体 ３・・・ジョセフソン接合 ４・・・劈開面 ５・・・劈開面形成機構 ６・・・圧力調節機構 ”°°″８８．ｔ 、”、＞代
理人ブ１゛工゛。、内 Ｚ［晋 “ ７・＼＋＋−一 第１図 １．第１のセラミック超電導体 ６．圧力調節機構第
２図 ４、ｑ開面 １、第１のセラミック超電導体
細な説明する概略図、第３図は従来例を示す概略図。 １・・・第１のセラミック超伝導体 ２・・・第２のセラミック超伝導体 ３・・・ジョセフソン接合 ４・・・劈開面 ５・・・劈開面形成機構 ６・・・圧力調節機構 ”°°″８８．ｔ 、”、＞代
理人ブ１゛工゛。、内 Ｚ［晋 “ ７・＼＋＋−一 第１図 １．第１のセラミック超電導体 ６．圧力調節機構第
２図 ４、ｑ開面 １、第１のセラミック超電導体
Claims (2)
- （１）劈開面を介してジョセフソン結合をしている第１
及び第２のセラミック超伝導体より成るセラミック超伝
導体ジョセフソン接合。 - （２）劈開面に圧力を加えながら劈開して、形成された
劈開面を介してジョセフソン結合をさせることを特徴と
するセラミック超伝導体ジョセフソン接合の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100550A JPS63263779A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | セラミツク超伝導体ジヨセフソン接合とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100550A JPS63263779A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | セラミツク超伝導体ジヨセフソン接合とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263779A true JPS63263779A (ja) | 1988-10-31 |
| JPH0560677B2 JPH0560677B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=14277051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100550A Granted JPS63263779A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | セラミツク超伝導体ジヨセフソン接合とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108520A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 磁性成形体の製造方法および装置 |
| JPH0379092A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導三端子素子 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62100550A patent/JPS63263779A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108520A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 磁性成形体の製造方法および装置 |
| JP2613930B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1997-05-28 | 松下電工株式会社 | 磁性成形体の製造方法および装置 |
| JPH0379092A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導三端子素子 |
| JPH0587192B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1993-12-15 | Hitachi Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0560677B2 (ja) | 1993-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |