JPS63263641A - 情報の記録及び消去方法 - Google Patents
情報の記録及び消去方法Info
- Publication number
- JPS63263641A JPS63263641A JP62097167A JP9716787A JPS63263641A JP S63263641 A JPS63263641 A JP S63263641A JP 62097167 A JP62097167 A JP 62097167A JP 9716787 A JP9716787 A JP 9716787A JP S63263641 A JPS63263641 A JP S63263641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- information
- recording
- recording layer
- crystallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 23
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 23
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 9
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- PXSOHRWMIRDKMP-UHFFFAOYSA-N triaziquone Chemical compound O=C1C(N2CC2)=C(N2CC2)C(=O)C=C1N1CC1 PXSOHRWMIRDKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報記録媒体、さらに詳しくは、レーザ光線な
どの熱源を用いて、情報信号の高密度かつ高速度の記録
、再生及び消去が可能な情報記録媒体に関するものであ
る。
どの熱源を用いて、情報信号の高密度かつ高速度の記録
、再生及び消去が可能な情報記録媒体に関するものであ
る。
従来の技術
レーザ光線を利用した高密度な情報の記録、再生の技術
は公知であり、現在、文書ファイル、静止画ファイルな
どに実用化されつつある。
は公知であり、現在、文書ファイル、静止画ファイルな
どに実用化されつつある。
また、書き換え可能な記録媒体についてもいくつかの記
録材料が提案されている。これらの技術は、主に合金で
のアモルファス状態と結晶状態との間の状態変化を利用
し、情報の記録や消去を行うもっである。すなわち、照
射時間の短い高パワーのレーザ光照射にょクアモルファ
ス状態を形成し、他方、照射時間の長い低パワーのレー
ザ光照射によ多結晶状態を形成し、これら2つの状態の
光学定数の違いにより情報の記録や消去が行われる。
録材料が提案されている。これらの技術は、主に合金で
のアモルファス状態と結晶状態との間の状態変化を利用
し、情報の記録や消去を行うもっである。すなわち、照
射時間の短い高パワーのレーザ光照射にょクアモルファ
ス状態を形成し、他方、照射時間の長い低パワーのレー
ザ光照射によ多結晶状態を形成し、これら2つの状態の
光学定数の違いにより情報の記録や消去が行われる。
このような状態変化を利用する記録材料としては1例え
ばGo−Te系〔「アプライド・フィジカル・レターズ
(Appl、 Phys、 Lett、 ) J第49
巻、第502ページ(1986年)〕や、〕Te−Ge
−8n−Au系[スピー(sp工K)J第695巻、第
79ページ(1986年)]などが知られている。
ばGo−Te系〔「アプライド・フィジカル・レターズ
(Appl、 Phys、 Lett、 ) J第49
巻、第502ページ(1986年)〕や、〕Te−Ge
−8n−Au系[スピー(sp工K)J第695巻、第
79ページ(1986年)]などが知られている。
しかしながら、これらの合金においては、結晶化時間が
長いために、単一ビームで消去しながら同時に記録する
、いわゆる単一ビームオーバーライトを行うことができ
ず、通常の円形ビームに加えて長円ビームを併用する必
要があることから、ドライブ装置が複雑になるのを免れ
ず、実用上好ましくない。
長いために、単一ビームで消去しながら同時に記録する
、いわゆる単一ビームオーバーライトを行うことができ
ず、通常の円形ビームに加えて長円ビームを併用する必
要があることから、ドライブ装置が複雑になるのを免れ
ず、実用上好ましくない。
これに対し、結晶化時間が短くて、単一ビームオーバー
ライトが可能な記録材料としては1例えばIn−8o合
金〔「アプライド・フィジカル・レターズ(Appl、
Phys、 Lett、 ) J第50巻、第667
ページ(1987年)〕が提案されている。しかしなが
ら、このIn−8o合金においては、結晶化時間は短い
ものの、感度砿十分でなく、実用上問題があった。
ライトが可能な記録材料としては1例えばIn−8o合
金〔「アプライド・フィジカル・レターズ(Appl、
Phys、 Lett、 ) J第50巻、第667
ページ(1987年)〕が提案されている。しかしなが
ら、このIn−8o合金においては、結晶化時間は短い
ものの、感度砿十分でなく、実用上問題があった。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、このような従来の記録材料が有する欠点を克
服し、結晶化時間が短く、かつ感度に優nた記録材料を
用い、情報信号の高密度かつ高速度の記録、再生及び消
去が可能な情報記録媒体を提供することを目的としてな
されたものである。
服し、結晶化時間が短く、かつ感度に優nた記録材料を
用い、情報信号の高密度かつ高速度の記録、再生及び消
去が可能な情報記録媒体を提供することを目的としてな
されたものである。
問題点を解決するための手段
これまで、Ge−To金合金用いた記録材料に関しては
、Ge 50モル係以下の組成範囲のものが精力的に検
討されてきたが、このような組成では結晶化時間が長く
、感度が不十分であった。
、Ge 50モル係以下の組成範囲のものが精力的に検
討されてきたが、このような組成では結晶化時間が長く
、感度が不十分であった。
本発明者らは、結晶化時間が短く、かつ感度に優れた記
録材料について、鋭意研究を重ね、光にGe−Teの二
元系合金について、Geが50モルチ以上の組成とすれ
ば結晶化時間が極めて短かくなるが、これはアモルファ
ス化が困難であることを見い出した。そこで、本発明者
らはさらに研究を進めた結果、前記Go−Teの二元系
合金に、少なくともsbを、Ge、To及びsbの3元
累の原子数の割合が特定の範囲にあるように加えた材料
が結晶化時間が短く、かつ可逆性がある上に、感度も良
好であり、したがって、この材料から成る記録層を有す
る情報記録媒体が前記目的に適合しうろことを見い出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至つ几。
録材料について、鋭意研究を重ね、光にGe−Teの二
元系合金について、Geが50モルチ以上の組成とすれ
ば結晶化時間が極めて短かくなるが、これはアモルファ
ス化が困難であることを見い出した。そこで、本発明者
らはさらに研究を進めた結果、前記Go−Teの二元系
合金に、少なくともsbを、Ge、To及びsbの3元
累の原子数の割合が特定の範囲にあるように加えた材料
が結晶化時間が短く、かつ可逆性がある上に、感度も良
好であり、したがって、この材料から成る記録層を有す
る情報記録媒体が前記目的に適合しうろことを見い出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至つ几。
すなわち、本発明は、基板上に加熱によフ光学定数が変
化する材料から成る記録層を設け、該光学定数の変化に
対応して生じる光の反射率の変化によって情報の記録及
び消去を行う情報記録媒体において、該記録層が少なく
ともSb、Te及びGeの3元累から成り、かつこれら
3元累の原子数の割合が、Sb、To及びGeを頂点と
する三角座標において、A (Sb21 TJ6 Ge
60 )、B (at)21Teq Ge7g )、C
(Sb□ T+32g Ge8g )及びD (sb□
Tt3aa Ge5o )の4点で囲まれた範囲内にあ
る組成(ただしSbが00組底は除く)を有することを
特徴とする情報記録媒体を提供するものである。
化する材料から成る記録層を設け、該光学定数の変化に
対応して生じる光の反射率の変化によって情報の記録及
び消去を行う情報記録媒体において、該記録層が少なく
ともSb、Te及びGeの3元累から成り、かつこれら
3元累の原子数の割合が、Sb、To及びGeを頂点と
する三角座標において、A (Sb21 TJ6 Ge
60 )、B (at)21Teq Ge7g )、C
(Sb□ T+32g Ge8g )及びD (sb□
Tt3aa Ge5o )の4点で囲まれた範囲内にあ
る組成(ただしSbが00組底は除く)を有することを
特徴とする情報記録媒体を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の情報記録媒体における記録層には、少なくとも
8b、Te及びGeの3元累から成り、かつこれら3元
累の原子数の割合が、第1図に示すように、Sb、Te
及びGeを頂点とする三角座標において、A (Sb2
1 TeIB ()e60)、B (Sb21Te9G
e70 ) 、C(Sbo’re20 GeB□ )及
びD (SbOTe40 Geao )の4点で囲まれ
た範囲内にある組成、すなわち第11/において、A、
B、C及びDの4点で囲まれた斜線部分の組成を有する
材料を用いることが必要である。sbの含有量は21モ
ルチ以下、好ましくは15%以下である。sbO量が0
モル係、すなわちGe−Teのみの組成では、結晶化時
間は短いが、可逆性を示さず、しかもアモルファス化が
困難なので、記録材料として不適当であり。
8b、Te及びGeの3元累から成り、かつこれら3元
累の原子数の割合が、第1図に示すように、Sb、Te
及びGeを頂点とする三角座標において、A (Sb2
1 TeIB ()e60)、B (Sb21Te9G
e70 ) 、C(Sbo’re20 GeB□ )及
びD (SbOTe40 Geao )の4点で囲まれ
た範囲内にある組成、すなわち第11/において、A、
B、C及びDの4点で囲まれた斜線部分の組成を有する
材料を用いることが必要である。sbの含有量は21モ
ルチ以下、好ましくは15%以下である。sbO量が0
モル係、すなわちGe−Teのみの組成では、結晶化時
間は短いが、可逆性を示さず、しかもアモルファス化が
困難なので、記録材料として不適当であり。
一方21モル係を超えると結晶化時間が長くなり、本発
明の効果が十分に発揮されない。また、Geの含有量は
60〜80モル係の範囲であり、この1が80モルチを
超えると結晶化が極めて困難となる。
明の効果が十分に発揮されない。また、Geの含有量は
60〜80モル係の範囲であり、この1が80モルチを
超えると結晶化が極めて困難となる。
以上よp、sbの効果としては、Ge−Teの結晶化を
妨げてアモルファス化を促進する働きがあると思われる
。
妨げてアモルファス化を促進する働きがあると思われる
。
本発明における記録材料は、Sb、Te及びGeの3元
素のみから成るものでも、実用上十分に使用できるが、
必要に応じ、本発明の目的をそこなわない範囲で他の元
素を添加してもよい。
素のみから成るものでも、実用上十分に使用できるが、
必要に応じ、本発明の目的をそこなわない範囲で他の元
素を添加してもよい。
基板上K、これらの材料から成る記録層を設けるには、
従来記録層の形成に慣用されている方法、例えば真空蒸
着やスパッタリングなどの方法が用いられる。組成のコ
ントロールは、真空蒸着においては、三元共蒸着法など
によって行うことができるし、スパッタリングにおいて
は、特定組成のターゲットを用いるか、合金ターゲット
上にチップを置いて行うことができる。このようにして
形成された記録層は、十分なコントラストを得るために
は、その膜厚が20〜200 nmの範囲にあることが
望ましい。
従来記録層の形成に慣用されている方法、例えば真空蒸
着やスパッタリングなどの方法が用いられる。組成のコ
ントロールは、真空蒸着においては、三元共蒸着法など
によって行うことができるし、スパッタリングにおいて
は、特定組成のターゲットを用いるか、合金ターゲット
上にチップを置いて行うことができる。このようにして
形成された記録層は、十分なコントラストを得るために
は、その膜厚が20〜200 nmの範囲にあることが
望ましい。
本発明における基板としては、例えばガラスやガラス上
に光硬化性樹脂を設けたもの、あるいはポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどの
プラスチック基板、アルミニウム合金などの金属板など
が用いられる。
に光硬化性樹脂を設けたもの、あるいはポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどの
プラスチック基板、アルミニウム合金などの金属板など
が用いられる。
第2図は本発明の情報記録媒体の構成の1例を示す断面
図であって、基板1上に、少なくともsb、Te及びG
eの3元素から成る記録層2が設けられた構造を示して
いる。
図であって、基板1上に、少なくともsb、Te及びG
eの3元素から成る記録層2が設けられた構造を示して
いる。
発明の効果
本発明の情報記録媒体は、記録層に、少なくとも特定組
成のSb、Te及びGeの3元素から成る、結晶化時間
が短く、かつ感度に優れた記録材料を用いたものであっ
て、情報信号の高密度かつ高速度の記録、再生及び消去
が可能であるなど、優れ比特性を有している。
成のSb、Te及びGeの3元素から成る、結晶化時間
が短く、かつ感度に優れた記録材料を用いたものであっ
て、情報信号の高密度かつ高速度の記録、再生及び消去
が可能であるなど、優れ比特性を有している。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によってなんら限定さnるものではな
い。
発明はこれらの例によってなんら限定さnるものではな
い。
実施例1
厚さ1.2鵡のポリカーボネート基板上に、三元共蒸着
法により、真空度1 、OX 10 Torrで、5
b−Te−Geから成る膜厚100 nmの記録層を形
成した。すなわち、抵抗加熱法によりWボートからGe
及びTeをとばし、電子ビーム蒸着法によりsbをとば
して、組成5b1oT19240e66 の記録層を
形成し、サンプルを作成した。
法により、真空度1 、OX 10 Torrで、5
b−Te−Geから成る膜厚100 nmの記録層を形
成した。すなわち、抵抗加熱法によりWボートからGe
及びTeをとばし、電子ビーム蒸着法によりsbをとば
して、組成5b1oT19240e66 の記録層を
形成し、サンプルを作成した。
一方、同様の方法で、厚さ1.21mのスライドガラス
上に1組成Sb1g Te24 Gg366 から成
る膜厚50 nmの薄膜を形成した。このスライドガラ
ス上に薄膜を形成したサンプルをオープン中で50℃か
ら300℃の温度範囲で約10分間の加熱処理を施し、
それぞれの温度での光透過率を波長830nmで測定し
た。その結果より、初期状態に対し透過率が1割減少し
几温度(これを結晶化温度と定義する)は約160℃で
あった。
上に1組成Sb1g Te24 Gg366 から成
る膜厚50 nmの薄膜を形成した。このスライドガラ
ス上に薄膜を形成したサンプルをオープン中で50℃か
ら300℃の温度範囲で約10分間の加熱処理を施し、
それぞれの温度での光透過率を波長830nmで測定し
た。その結果より、初期状態に対し透過率が1割減少し
几温度(これを結晶化温度と定義する)は約160℃で
あった。
ポリカーボネート上に薄膜を形成したサンプルに静止状
態でレーザ光照射を行ったのちの反射率の“変化を測定
した。第3図は静止状態でのレーザ光照射装置の構成を
示している。半導体レーザ3を発した光は第1のレンズ
4で平行光とされたのち、第2のレンズ系及びプリズム
5、λ/4板6を通って対物レンズ7によって集光され
記録媒体上に照射さnる。反射光は、入射光と反対の経
路をtどりプリズム5で曲げられレンズ8によって集光
されて光検出器9により検出される。この装置を用いて
サンプルの結晶化及びアモルファス化を行った結果を第
4図に示す。この図より明らかなように、パルス幅06
2μsecにおいて、1.5mWで結晶化し、5mWで
アモルファス化しており。
態でレーザ光照射を行ったのちの反射率の“変化を測定
した。第3図は静止状態でのレーザ光照射装置の構成を
示している。半導体レーザ3を発した光は第1のレンズ
4で平行光とされたのち、第2のレンズ系及びプリズム
5、λ/4板6を通って対物レンズ7によって集光され
記録媒体上に照射さnる。反射光は、入射光と反対の経
路をtどりプリズム5で曲げられレンズ8によって集光
されて光検出器9により検出される。この装置を用いて
サンプルの結晶化及びアモルファス化を行った結果を第
4図に示す。この図より明らかなように、パルス幅06
2μsecにおいて、1.5mWで結晶化し、5mWで
アモルファス化しており。
結晶化時間が短く、かつ、高感度であった。
実施例2
第1表に示す組成のサンプルを実施例1と同様の方法で
ポリカーボネート基板上に厚さ100 nmに形成した
。これらのサンプルに静止状態で2mWのレーザ光を照
射し友際の結晶化に要したパルス巾を第1表に示す。第
1表において、結晶化に要したパルス幅はすべて1.5
II8eC以下と短く、特に81)1g Te24 G
g366及びf3b5 Te25 G、62の組成では
0.2μθecと実用上十分な値であつ友。
ポリカーボネート基板上に厚さ100 nmに形成した
。これらのサンプルに静止状態で2mWのレーザ光を照
射し友際の結晶化に要したパルス巾を第1表に示す。第
1表において、結晶化に要したパルス幅はすべて1.5
II8eC以下と短く、特に81)1g Te24 G
g366及びf3b5 Te25 G、62の組成では
0.2μθecと実用上十分な値であつ友。
第 1 表
実施例3
直径5V4インチ、厚さ1.2flの、射出成形法によ
って得られた円板状のポリカーボネート基板の上に、実
施例1と同様の作成法で5t)1oTe2B Ge62
の組成比の薄膜を厚さ100 nmに形成した。このサ
ンプルを900rpmで基板回転させ、基板越しに半導
体レーザ(波長s3onm)の光を4mWの出力でディ
スク1回転分発光させ、半径約30絹の位置を1トラツ
ク結晶化させた。次に、この結晶化させたトラック上に
、IMHzの信号を記録した。
って得られた円板状のポリカーボネート基板の上に、実
施例1と同様の作成法で5t)1oTe2B Ge62
の組成比の薄膜を厚さ100 nmに形成した。このサ
ンプルを900rpmで基板回転させ、基板越しに半導
体レーザ(波長s3onm)の光を4mWの出力でディ
スク1回転分発光させ、半径約30絹の位置を1トラツ
ク結晶化させた。次に、この結晶化させたトラック上に
、IMHzの信号を記録した。
この際、記録に要したレーザパワーは7mWであり、そ
の信号を消去するのに必要なパワーは4mWと実用上十
分な感度を有していた。
の信号を消去するのに必要なパワーは4mWと実用上十
分な感度を有していた。
実施例4
実施例3と同様のポリカーボネート基板上に、5b13
Te22 Ge65 の組成比の薄膜を基板を回転
させた状態でRFスパッタ法によりスバッタ圧1.OX
10”” Torrで厚さ100 nmに形成した。
Te22 Ge65 の組成比の薄膜を基板を回転
させた状態でRFスパッタ法によりスバッタ圧1.OX
10”” Torrで厚さ100 nmに形成した。
このサンプルについて実施例3と同様な評価を行った。
基板回転900 rpm 、半径30 mmの位置にI
MHzの信号を記録するのに要したレーザパワーは、
8mWであシ、消去に必要なレーザパワーは6.5 m
Wと十分な感度を有していた。
MHzの信号を記録するのに要したレーザパワーは、
8mWであシ、消去に必要なレーザパワーは6.5 m
Wと十分な感度を有していた。
比較例
実施例1と同様な方法で、第2表に示す組成のGe−T
e薄膜を、厚さ1.2111mのポリカーボネート基板
上に膜厚1100nに形成した。
e薄膜を、厚さ1.2111mのポリカーボネート基板
上に膜厚1100nに形成した。
一方、同様の組成の薄膜を、厚さ1.21111のスラ
イドガラス上に膜厚50nmに形成した。このサンプル
を、50℃から300 Cまでの温度範囲で約10分間
の加熱処理を施し、それぞれの温度における光透過率を
波長830nmで測定し結晶化温度を求めた。その結果
を第2表に示す。第2表よシ明らかなようにGeの量が
増すに伴って結晶化温度が上昇する。
イドガラス上に膜厚50nmに形成した。このサンプル
を、50℃から300 Cまでの温度範囲で約10分間
の加熱処理を施し、それぞれの温度における光透過率を
波長830nmで測定し結晶化温度を求めた。その結果
を第2表に示す。第2表よシ明らかなようにGeの量が
増すに伴って結晶化温度が上昇する。
第 2 表
また、ポリカーボネート上に薄膜を形成したサンプルに
静止状態でレーザ光照射を行い、結晶化に必要なレーザ
パワー及びパルス巾を測定した。
静止状態でレーザ光照射を行い、結晶化に必要なレーザ
パワー及びパルス巾を測定した。
結果を@5図に示す。この図から明らかなように0.2
μsec以下の短時間でも結晶化が起こり始めることが
分かる。しかし、静止状態においてさえも、8mW以下
ではアモルファス化が不可能であり、実用性に欠けるも
のであった。
μsec以下の短時間でも結晶化が起こり始めることが
分かる。しかし、静止状態においてさえも、8mW以下
ではアモルファス化が不可能であり、実用性に欠けるも
のであった。
第1図は、本発明の情報記録媒体の記録層に用いられる
材料の組成範囲を示す三角座標図、第2囚は本発明の情
報記録媒体の構成の1例を示す断面口、第3図は記録媒
体上にレーザ光を照射するための静止状態でのレーザ光
照射装置の1例の構成図、第4図は実施例における記録
層の静止状態でのアモルファス化しきい値及び結晶化し
きい値を示すグラフ、第5図は比較例における記録層の
静止状態での結晶化しきい値を示すグラフである。 式中の符号lは基板、2は記録層、3は半導体レーザ、
4及び8はレンズ、5はプリズム、7は対物レンズ、9
は光検出器である。
材料の組成範囲を示す三角座標図、第2囚は本発明の情
報記録媒体の構成の1例を示す断面口、第3図は記録媒
体上にレーザ光を照射するための静止状態でのレーザ光
照射装置の1例の構成図、第4図は実施例における記録
層の静止状態でのアモルファス化しきい値及び結晶化し
きい値を示すグラフ、第5図は比較例における記録層の
静止状態での結晶化しきい値を示すグラフである。 式中の符号lは基板、2は記録層、3は半導体レーザ、
4及び8はレンズ、5はプリズム、7は対物レンズ、9
は光検出器である。
Claims (1)
- 1 基板上に加熱により光学定数が変化する材料から成
る記録層を設け、該光学定数の変化に対応して生じる光
の反射率の変化によつて情報の記録及び消去を行う情報
記録媒体において、該記録層が少なくともSb、Te及
びGeの3元素から成り、かつこれら3元素の原子数の
割合が、Sb、Te及びGeを頂点とする三角座標にお
いて、A(Sb_2_1Te_1_9Ge_6_0)、
B(Sb_2_1Te_9Ge_7_0)、C(Sb_
0Te_2_0Ge_8_0)及びD(Sb_0Te_
4_0Ge_8_0)の4点で囲まれた範囲内にある組
成(ただしSbが0の組成は除く)を有することを特徴
とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097167A JP2538915B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 情報の記録及び消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62097167A JP2538915B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 情報の記録及び消去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63263641A true JPS63263641A (ja) | 1988-10-31 |
JP2538915B2 JP2538915B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=14185018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62097167A Expired - Fee Related JP2538915B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 情報の記録及び消去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2538915B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01251342A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
JPH01277336A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材と光ディスク |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62097167A patent/JP2538915B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01251342A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
JPH01277336A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材と光ディスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2538915B2 (ja) | 1996-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2746896B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
JPS63237990A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0371035B2 (ja) | ||
JPH04134643A (ja) | 光学的情報記録媒体及び光学的記録・消去方法 | |
JPS63263641A (ja) | 情報の記録及び消去方法 | |
JP2629746B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0194545A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JP2726259B2 (ja) | 情報記録方法 | |
US5862122A (en) | Phase change optical disk and a method for recording and playbacking optical information on or from an optical disk | |
JPH0526668B2 (ja) | ||
JPH04232780A (ja) | 相変化光学式記録用媒体 | |
JP2557347B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2803245B2 (ja) | 情報記録再生方法 | |
JPH03224791A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH01100748A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2615627B2 (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JPH01112538A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JPS63167440A (ja) | 情報を記録もしくは記録及び消去する方法 | |
JP2560711B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2913521B2 (ja) | 光記録媒体と光記録媒体用スパッタリングターゲット並びにその製造方法 | |
JP2798247B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH01102751A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH06150375A (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
Uchino et al. | High Density PWM Recording And Rewritable Capability In The GeSbTe Phase Change System By Using Visual Laser Beam At Lower Linear Velocity | |
JPS63104886A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |