JPS63256360A - 研削寸法測定装置 - Google Patents
研削寸法測定装置Info
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- JPS63256360A JPS63256360A JP8820587A JP8820587A JPS63256360A JP S63256360 A JPS63256360 A JP S63256360A JP 8820587 A JP8820587 A JP 8820587A JP 8820587 A JP8820587 A JP 8820587A JP S63256360 A JPS63256360 A JP S63256360A
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
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Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テーブル上に載置された半導体ウェーハ、セ
ラミック基板などの被加工物の上面を砥石で研削するに
際し、その研削途中における研削寸法を測定するための
研削1法測定装置に関するものである。
ラミック基板などの被加工物の上面を砥石で研削するに
際し、その研削途中における研削寸法を測定するための
研削1法測定装置に関するものである。
半導体ウェーハ、セラミック基板などの被加工物の上面
を研削するに際しては、被加工物をテーブル上で回転さ
せると共に、上方から砥石を定寸送り降下させるように
する。そして、その途中で研削寸法を測定し、所定量研
削されていない場合には、例えば再び砥石を定寸送り降
下させて再研削するようにしている。
を研削するに際しては、被加工物をテーブル上で回転さ
せると共に、上方から砥石を定寸送り降下させるように
する。そして、その途中で研削寸法を測定し、所定量研
削されていない場合には、例えば再び砥石を定寸送り降
下させて再研削するようにしている。
研削寸法の測定は研削寸法測定装置により行われ、これ
はテーブルの上面に当接する第1触針と、被加工物の上
面に当接する第2触針とを有し、第1触針を基準とする
第2触針の鉛直方向変位量で測定するよう構成されてい
る。これら第1触針、第2触針には、従来はステンレス
製の針状部材が使用されている。一方、研削途中では研
削による摩擦熱が被加工物に生じるため、この被加工物
の上面に研削用冷却水などを供給し、被加工物を冷却す
るようにしている。
はテーブルの上面に当接する第1触針と、被加工物の上
面に当接する第2触針とを有し、第1触針を基準とする
第2触針の鉛直方向変位量で測定するよう構成されてい
る。これら第1触針、第2触針には、従来はステンレス
製の針状部材が使用されている。一方、研削途中では研
削による摩擦熱が被加工物に生じるため、この被加工物
の上面に研削用冷却水などを供給し、被加工物を冷却す
るようにしている。
(発明が解決しようとする問題点〕
ところで、この研削寸法の測定を各々ステンレス製の針
状部材から成る触針を用い、第1触針を基準とする第2
触針の鉛直方向変位量で測定するよう構成した従来の研
削寸法測定装置にあっては、第1触針および第2触針の
線膨張率が被加工物の厚さ方向の膨張率に比べて大きく
なる。このため、摩1察熱による熱膨張量が測定精度に
影響を及ぼすことになり、測定精度が悪化するという問
題が生じる。特に、半導体ウェーハ、セラミック基板な
どの被加工物の研削等のように、仕上がり精度を数ミク
ロンの単位で管理しなcノればならないような場合には
、上記問題は深刻な問題となっている。
状部材から成る触針を用い、第1触針を基準とする第2
触針の鉛直方向変位量で測定するよう構成した従来の研
削寸法測定装置にあっては、第1触針および第2触針の
線膨張率が被加工物の厚さ方向の膨張率に比べて大きく
なる。このため、摩1察熱による熱膨張量が測定精度に
影響を及ぼすことになり、測定精度が悪化するという問
題が生じる。特に、半導体ウェーハ、セラミック基板な
どの被加工物の研削等のように、仕上がり精度を数ミク
ロンの単位で管理しなcノればならないような場合には
、上記問題は深刻な問題となっている。
そこで本発明は、研削途中にあける研削寸法の測定を精
度良く行うことのできる研削寸法測定装置を提供するこ
とを目的とする。
度良く行うことのできる研削寸法測定装置を提供するこ
とを目的とする。
(問題点を解決するための手段〕
本発明に係る研削寸法測定装置は、テーブルの上面に当
接する第1触針と、テーブル上に載置された被加工物の
上面に当接する第2触針とのうち、少なくとも第2触針
は、被加工物の厚さ方向の熱膨張率にほぼ等しくなるよ
うな線膨張率を有する材料で形成されていることを特徴
とする。
接する第1触針と、テーブル上に載置された被加工物の
上面に当接する第2触針とのうち、少なくとも第2触針
は、被加工物の厚さ方向の熱膨張率にほぼ等しくなるよ
うな線膨張率を有する材料で形成されていることを特徴
とする。
本発明に係る研削寸法測定装置は、以上の通りに構成さ
れるので、第2触針おJζび被加工物の鉛直方向熱膨張
量の合i¥1母が、研削量にかかわらず温度に対してほ
ぼ等しくなり、研削時に生じる摩擦熱による影響を殆ど
無視できる程度に精度の良い測定が可能になる。
れるので、第2触針おJζび被加工物の鉛直方向熱膨張
量の合i¥1母が、研削量にかかわらず温度に対してほ
ぼ等しくなり、研削時に生じる摩擦熱による影響を殆ど
無視できる程度に精度の良い測定が可能になる。
以下、添附図面を参照して本発明の詳細な説明する。な
お、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、
重複する説明を省略する。
お、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、
重複する説明を省略する。
第1図は実施例に係る研削寸法測定装置の全体斜視図で
ある。図示の通り、この研削寸法測定装置1は基台2と
、この基台2に立設された支柱3と、この支柱3に上下
動自在に外嵌された可動部材4と、この可動部材4に連
結部材5を介して固着された測定装置本体6と、この測
定装置本体6に鉛直方向への変位可能に連結された第1
アーム7および第2アーム8と、これら第1アーム7、
第2アーム8の先端部に各々固着された第1触針10、
第2触針11とを有している。ここで、測定装置本体6
には第1アーム7、第2アーム8を鉛直方向へ変位可能
に支持する支持機構(図示しない。)と、それらの変位
量を電気的に変換して出力する検出器(図示しない。)
とが内蔵されている。 ′ 研削寸法を測定するに際しては、第1触針10の先端を
テーブル12の上面に当接させ、第2触針11の先端を
テーブル12上に載置された被加工物13(例えば、化
合物半導体ウェーハGaAs、GaP、InP、セラミ
ック基板等)の上面に当接させて行う。一方、被加工物
13の上面を研削するに際しては、被加工物13をテー
ブル12上で回転させ、砥石15を上方より昇降軸16
を介して定寸送り降下させて行う。これにより、被加工
物13の上面全域が研削されるわけであるが、その間は
常に冷却管18より被加工物13の上面に研削用の冷却
水が供給されている。
ある。図示の通り、この研削寸法測定装置1は基台2と
、この基台2に立設された支柱3と、この支柱3に上下
動自在に外嵌された可動部材4と、この可動部材4に連
結部材5を介して固着された測定装置本体6と、この測
定装置本体6に鉛直方向への変位可能に連結された第1
アーム7および第2アーム8と、これら第1アーム7、
第2アーム8の先端部に各々固着された第1触針10、
第2触針11とを有している。ここで、測定装置本体6
には第1アーム7、第2アーム8を鉛直方向へ変位可能
に支持する支持機構(図示しない。)と、それらの変位
量を電気的に変換して出力する検出器(図示しない。)
とが内蔵されている。 ′ 研削寸法を測定するに際しては、第1触針10の先端を
テーブル12の上面に当接させ、第2触針11の先端を
テーブル12上に載置された被加工物13(例えば、化
合物半導体ウェーハGaAs、GaP、InP、セラミ
ック基板等)の上面に当接させて行う。一方、被加工物
13の上面を研削するに際しては、被加工物13をテー
ブル12上で回転させ、砥石15を上方より昇降軸16
を介して定寸送り降下させて行う。これにより、被加工
物13の上面全域が研削されるわけであるが、その間は
常に冷却管18より被加工物13の上面に研削用の冷却
水が供給されている。
第2図は本発明による研削寸法測定装置の要部を示す側
面図である。
面図である。
図示の通り、第り触針11は第2アーム8を貫通してビ
ス20で止着され、第1触針10(第2図では図示せず
。)は同様の構成で第1アーム7に止着されている。こ
のにうにして、本実施例番こ係る第1触針10および第
2触針11は、被加工物13の厚さ方向の熱膨張率にほ
ぼ等しくなるような線膨張率を有する材料で形成されて
いる。これら材料としては、例えば銅タングステン合金
(Cu W)が好適である。
ス20で止着され、第1触針10(第2図では図示せず
。)は同様の構成で第1アーム7に止着されている。こ
のにうにして、本実施例番こ係る第1触針10および第
2触針11は、被加工物13の厚さ方向の熱膨張率にほ
ぼ等しくなるような線膨張率を有する材料で形成されて
いる。これら材料としては、例えば銅タングステン合金
(Cu W)が好適である。
この銅タングステン合金は、銅とタングステンとの混合
割合を変えることにJ:す、その線膨張率を任意に変化
させる性質を有する。従って、混合割合の異なる銅タン
グステン合金から成る第1触針10、第2触針11を任
意に使用すれば、いかなる鉛直方向熱膨張率を有する被
加工物13にも対応できることになり、精度の良い測定
結果を得ることができる。
割合を変えることにJ:す、その線膨張率を任意に変化
させる性質を有する。従って、混合割合の異なる銅タン
グステン合金から成る第1触針10、第2触針11を任
意に使用すれば、いかなる鉛直方向熱膨張率を有する被
加工物13にも対応できることになり、精度の良い測定
結果を得ることができる。
次に、上記実施例に係る研削寸法測定装置の作用を説明
する。
する。
冷却管18より被加工物13の上面に研削用冷却水を供
給しながら砥石15で被加工物13を研削している途中
において、一旦研削を停止させ、第1触針10および第
2触針11を各々テーブル12、被加工物13の上面に
当接させる。第1アーム7、第2アーム8は各々鉛直方
向へ変位可能に支持されているので、第2アーム8は被
加工物13の厚さ分だけ上方へ変位し、この変位量で既
に研削した寸法が測定装置本体6を介して測定される。
給しながら砥石15で被加工物13を研削している途中
において、一旦研削を停止させ、第1触針10および第
2触針11を各々テーブル12、被加工物13の上面に
当接させる。第1アーム7、第2アーム8は各々鉛直方
向へ変位可能に支持されているので、第2アーム8は被
加工物13の厚さ分だけ上方へ変位し、この変位量で既
に研削した寸法が測定装置本体6を介して測定される。
所定量研削されていない場合には、例えば砥石15を下
方へ定寸送り降下させて再研削する。
方へ定寸送り降下させて再研削する。
研削時において、被加工物13の温度は摩擦熱により上
昇し、これに伴ってテーブル12の温度・b上昇する。
昇し、これに伴ってテーブル12の温度・b上昇する。
しかし本発明によれば、測定時に被加工物13およびテ
ーブル12の上面に当接される第1触針10、第2触針
110線膨張率は、被加工物13の厚さ方向の熱膨張率
にほぼ等しく設定されているので、第1触針10の鉛直
方向熱膨張ωと、第2触針11および被加工物13の鉛
直方向熱膨張量の合計量とがほぼ等しくなり、研削時に
生じる摩i察熱による影響を殆ど無視できる程度に精度
の良い測定が可能となる。
ーブル12の上面に当接される第1触針10、第2触針
110線膨張率は、被加工物13の厚さ方向の熱膨張率
にほぼ等しく設定されているので、第1触針10の鉛直
方向熱膨張ωと、第2触針11および被加工物13の鉛
直方向熱膨張量の合計量とがほぼ等しくなり、研削時に
生じる摩i察熱による影響を殆ど無視できる程度に精度
の良い測定が可能となる。
本発明に係る研削寸法測定装置は、上記実施例のものに
限定されることなく、種々の変形が可能である。
限定されることなく、種々の変形が可能である。
例えば、第2触針のみについて被加工物の線膨張率と一
致させた材料にしてもよい。このようにずれば、第1触
針と第2触針のうち第2触針のみが温度上昇するときで
も、第2触針と被加工物の線膨張の合計量は温度変化に
対して研削量にかかわらず一定とできるので、精度のよ
い制御が可能となる。また、第1触針および第2触針を
形成する材料により、研削寸法測定装置1全体を形成す
ることも可能である。このJ:うに寸れば、[1熱によ
り熱せられた研削用冷却水が研削寸法測定装置の支柱等
にかかり、これが鉛直方向へ膨張するような場合に効果
的である。
致させた材料にしてもよい。このようにずれば、第1触
針と第2触針のうち第2触針のみが温度上昇するときで
も、第2触針と被加工物の線膨張の合計量は温度変化に
対して研削量にかかわらず一定とできるので、精度のよ
い制御が可能となる。また、第1触針および第2触針を
形成する材料により、研削寸法測定装置1全体を形成す
ることも可能である。このJ:うに寸れば、[1熱によ
り熱せられた研削用冷却水が研削寸法測定装置の支柱等
にかかり、これが鉛直方向へ膨張するような場合に効果
的である。
以上、詳細に説明した通り、本発明に係る研削寸法測定
装置によれば、第2触針および被加工物の鉛直方向熱膨
張量の合計量が、研削ωにかかわりなく温度に対してほ
ぼ等しくなるので、研削時に生じる摩擦熱による影響を
殆ど無視できる程度に精度の良い測定が可能となる等の
効果がある。
装置によれば、第2触針および被加工物の鉛直方向熱膨
張量の合計量が、研削ωにかかわりなく温度に対してほ
ぼ等しくなるので、研削時に生じる摩擦熱による影響を
殆ど無視できる程度に精度の良い測定が可能となる等の
効果がある。
第1図は本発明に係る研削寸法測定装置の実施例の全体
構成を示す斜視図、第2図は本発明に係る研削寸法測定
装置の要部を示す側面図である。 1・・・研削寸法測定装置ミロ・・・測定装置本体、7
・・・第1アーム、8・・・第2アーム、10・・・第
1触針、11・・・第2触針、12・・・テーブル、1
3・・・被加工物、15・・・砥石。 第 1 図
構成を示す斜視図、第2図は本発明に係る研削寸法測定
装置の要部を示す側面図である。 1・・・研削寸法測定装置ミロ・・・測定装置本体、7
・・・第1アーム、8・・・第2アーム、10・・・第
1触針、11・・・第2触針、12・・・テーブル、1
3・・・被加工物、15・・・砥石。 第 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テーブルの上面に当接する第1触針と、前記テーブ
ル上に載置された被加工物の上面に当接する第2触針と
を有し、前記第1触針を基準とする前記第2触針の鉛直
方向変位量に基づき前記テーブル上で研削された前記被
加工物の研削寸法を測定する研削寸法測定装置において
、 前記第1触針および第2触針のうち少なくとも前記第2
触針は、前記被加工物の厚さ方向の熱膨張率にほぼ等し
くなるような線膨張率を有する材料で形成されているこ
とを特徴とする研削寸法測定装置。 2、前記材料は銅タングステン合金から成る特許請求の
範囲第1項記載の研削寸法測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8820587A JPS63256360A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 研削寸法測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8820587A JPS63256360A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 研削寸法測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63256360A true JPS63256360A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=13936399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8820587A Pending JPS63256360A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 研削寸法測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63256360A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2380700A (en) * | 1998-10-16 | 2003-04-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
WO2003049164A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-12 | Disco Corporation | Procede de production de microplaquette semi-conductrice |
JP2008290201A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削加工方法 |
KR20160088815A (ko) | 2015-01-16 | 2016-07-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 연삭 방법 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8820587A patent/JPS63256360A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2380700A (en) * | 1998-10-16 | 2003-04-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
GB2380700B (en) * | 1998-10-16 | 2003-05-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
WO2003049164A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-12 | Disco Corporation | Procede de production de microplaquette semi-conductrice |
US6852608B2 (en) | 2001-11-30 | 2005-02-08 | Disco Corporation | Production method for semiconductor chip |
JP2008290201A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削加工方法 |
KR20160088815A (ko) | 2015-01-16 | 2016-07-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 연삭 방법 |
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