JP2002164311A - インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 - Google Patents
インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置Info
- Publication number
- JP2002164311A JP2002164311A JP2000357832A JP2000357832A JP2002164311A JP 2002164311 A JP2002164311 A JP 2002164311A JP 2000357832 A JP2000357832 A JP 2000357832A JP 2000357832 A JP2000357832 A JP 2000357832A JP 2002164311 A JP2002164311 A JP 2002164311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- orientation flat
- main shaft
- shaft portion
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インゴットのオリエンテーションフラット加
工方法及びオリエンテーションフラット加工装置におい
て、芯ずれが生じても高精度にオリフラを研削加工する
こと。 【解決手段】 円柱状に研削加工された半導体単結晶の
インゴットＩを砥石１で研削してオリエンテーションフ
ラットを加工する方法であって、前記インゴットを主軸
部２に固定する工程と、前記インゴットの直径Ｄを測定
する工程と、前記主軸部を基準とした位置座標の検出が
可能な測定子３を主軸部に固定された前記インゴットに
当接させる工程と、検出した前記位置座標に基づいて前
記インゴットの中心軸Ｃ１と前記主軸部の中心軸Ｃ２と
の位置ずれ量を測定する工程と、測定された前記直径及
び前記位置ずれ量に基づいて前記主軸部を基準に前記砥
石による研削位置を調整する工程とを有する。
工方法及びオリエンテーションフラット加工装置におい
て、芯ずれが生じても高精度にオリフラを研削加工する
こと。 【解決手段】 円柱状に研削加工された半導体単結晶の
インゴットＩを砥石１で研削してオリエンテーションフ
ラットを加工する方法であって、前記インゴットを主軸
部２に固定する工程と、前記インゴットの直径Ｄを測定
する工程と、前記主軸部を基準とした位置座標の検出が
可能な測定子３を主軸部に固定された前記インゴットに
当接させる工程と、検出した前記位置座標に基づいて前
記インゴットの中心軸Ｃ１と前記主軸部の中心軸Ｃ２と
の位置ずれ量を測定する工程と、測定された前記直径及
び前記位置ずれ量に基づいて前記主軸部を基準に前記砥
石による研削位置を調整する工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉ（シリコン）
等の半導体単結晶インゴットに研削加工を施してオリエ
ンテーションフラットを形成するインゴットのオリエン
テーションフラット加工方法及びオリエンテーションフ
ラット加工装置に関する。
等の半導体単結晶インゴットに研削加工を施してオリエ
ンテーションフラットを形成するインゴットのオリエン
テーションフラット加工方法及びオリエンテーションフ
ラット加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ
素（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶は、ＣＺ法を用いた単
結晶引上装置により円柱状の半導体単結晶インゴットと
して引上成長される。通常、引き上げられた半導体単結
晶のインゴットは、その外周面が円筒研削されて直径が
均一な円柱状に加工され、さらに一定の結晶方位を示す
オリエンテーションフラット（以下、オリフラと称す）
が砥石による研削加工により形成される。この後、イン
ゴットは、オリフラ面を当て板に接着してワイヤーソー
装置等でスライスされ、ウェーハ状に加工される。
素（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶は、ＣＺ法を用いた単
結晶引上装置により円柱状の半導体単結晶インゴットと
して引上成長される。通常、引き上げられた半導体単結
晶のインゴットは、その外周面が円筒研削されて直径が
均一な円柱状に加工され、さらに一定の結晶方位を示す
オリエンテーションフラット（以下、オリフラと称す）
が砥石による研削加工により形成される。この後、イン
ゴットは、オリフラ面を当て板に接着してワイヤーソー
装置等でスライスされ、ウェーハ状に加工される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記イ
ンゴットのオリフラ加工 技術には、以下のような課題
が残されている。すなわち、オリフラを形成する場合、
円筒研削の完了したインゴットを一度クランプから取り
外し、再度オリフラ加工を行うためにクランプさせる
と、クランプの中心軸に対してインゴットの中心軸がず
れてしまう、いわゆる芯ずれが生じる場合がある。例え
ば、図３に示すように、円筒研削済みである直径２０
１．００ｍｍのインゴットＩを再度オリフラ加工のため
にクランプしてオリフラＯＦの幅５７．５で研削する場
合、オリフラ研削の切り込み量ｄは、以下の式（１）
（２）（３） ｄ＝（２０１．００／２）−ｂ ・・・（１） ｂ＝（（２０１．００／２）2−（５７．５／２）2）1/2 ＝９６．３０ ・・・（２） ｄ＝（２０１．００／２）−９６．３０ ＝４．２０ ・・・（３） から求められ、切り込み量ｄが４．２００ｍｍとなる。
このとき、オリフラ幅５７．５±０．５ｍｍで研削する
場合、例えば、オリフラ幅５７．０ｍｍのときに切り込
み量ｄは４．１２６ｍｍとなり、差を求めると公差に入
れるために ４．２００−４．１２６＝０．０７４ となり、許容される芯ずれ誤差が０±７／１００ｍｍ以
内となる。このような芯ずれ誤差内で再度クランプする
ことは、かなり困難であり、高精度にオリフラを研削加
工することが難しかった。
ンゴットのオリフラ加工 技術には、以下のような課題
が残されている。すなわち、オリフラを形成する場合、
円筒研削の完了したインゴットを一度クランプから取り
外し、再度オリフラ加工を行うためにクランプさせる
と、クランプの中心軸に対してインゴットの中心軸がず
れてしまう、いわゆる芯ずれが生じる場合がある。例え
ば、図３に示すように、円筒研削済みである直径２０
１．００ｍｍのインゴットＩを再度オリフラ加工のため
にクランプしてオリフラＯＦの幅５７．５で研削する場
合、オリフラ研削の切り込み量ｄは、以下の式（１）
（２）（３） ｄ＝（２０１．００／２）−ｂ ・・・（１） ｂ＝（（２０１．００／２）2−（５７．５／２）2）1/2 ＝９６．３０ ・・・（２） ｄ＝（２０１．００／２）−９６．３０ ＝４．２０ ・・・（３） から求められ、切り込み量ｄが４．２００ｍｍとなる。
このとき、オリフラ幅５７．５±０．５ｍｍで研削する
場合、例えば、オリフラ幅５７．０ｍｍのときに切り込
み量ｄは４．１２６ｍｍとなり、差を求めると公差に入
れるために ４．２００−４．１２６＝０．０７４ となり、許容される芯ずれ誤差が０±７／１００ｍｍ以
内となる。このような芯ずれ誤差内で再度クランプする
ことは、かなり困難であり、高精度にオリフラを研削加
工することが難しかった。
【０００４】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、芯ずれが生じても高精度にオリフラを研削加工す
ることができるインゴットのオリエンテーションフラッ
ト加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置を
提供することを目的とする。
ので、芯ずれが生じても高精度にオリフラを研削加工す
ることができるインゴットのオリエンテーションフラッ
ト加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
のインゴットのオリエンテーションフラット加工方法
は、円柱状に研削加工された半導体単結晶のインゴット
を砥石で研削してオリエンテーションフラットを加工す
る方法であって、前記インゴットを主軸部に固定する工
程と、前記インゴットの直径を測定する工程と、前記主
軸部を基準とした位置座標の検出が可能な測定子を主軸
部に固定された前記インゴットに当接させる工程と、検
出した前記位置座標に基づいて前記インゴットの中心軸
と前記主軸部の中心軸との位置ずれ量を測定する工程
と、測定された前記直径及び前記位置ずれ量に基づいて
前記主軸部を基準に前記砥石による研削位置を調整する
工程とを有することを特徴とする。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
のインゴットのオリエンテーションフラット加工方法
は、円柱状に研削加工された半導体単結晶のインゴット
を砥石で研削してオリエンテーションフラットを加工す
る方法であって、前記インゴットを主軸部に固定する工
程と、前記インゴットの直径を測定する工程と、前記主
軸部を基準とした位置座標の検出が可能な測定子を主軸
部に固定された前記インゴットに当接させる工程と、検
出した前記位置座標に基づいて前記インゴットの中心軸
と前記主軸部の中心軸との位置ずれ量を測定する工程
と、測定された前記直径及び前記位置ずれ量に基づいて
前記主軸部を基準に前記砥石による研削位置を調整する
工程とを有することを特徴とする。
【０００６】また、本発明のインゴットのオリエンテー
ションフラット加工装置は、円柱状に研削加工された半
導体単結晶のインゴットを砥石で研削してオリエンテー
ションフラットを加工する装置であって、前記インゴッ
トを固定する主軸部と、前記主軸部を基準とした位置座
標の検出が可能な測定子と、前記測定子を前記主軸部に
固定された前記インゴットに当接させ、検出した位置座
標に基づいてインゴットの中心軸と主軸部の中心軸との
位置ずれ量を測定する制御部とを備え、前記制御部は、
前記インゴットの直径及び測定された前記位置ずれ量に
基づいて前記主軸部を基準に前記砥石による研削位置を
調整することを特徴とする。
ションフラット加工装置は、円柱状に研削加工された半
導体単結晶のインゴットを砥石で研削してオリエンテー
ションフラットを加工する装置であって、前記インゴッ
トを固定する主軸部と、前記主軸部を基準とした位置座
標の検出が可能な測定子と、前記測定子を前記主軸部に
固定された前記インゴットに当接させ、検出した位置座
標に基づいてインゴットの中心軸と主軸部の中心軸との
位置ずれ量を測定する制御部とを備え、前記制御部は、
前記インゴットの直径及び測定された前記位置ずれ量に
基づいて前記主軸部を基準に前記砥石による研削位置を
調整することを特徴とする。
【０００７】これらのオリエンテーションフラット加工
方法及びオリエンテーションフラット加工装置では、測
定子を主軸部に固定されたインゴットに当接させ、検出
した位置座標に基づいてインゴットの中心軸と主軸部の
中心軸との位置ずれ量を測定し、さらに測定された直径
及び位置ずれ量に基づいて主軸部を基準に砥石による研
削位置を調整するので、インゴットを再度クランプした
状態で直接測定した位置ずれ量（芯ずれ量）が砥石の制
御にフィードバックされ、高精度な切り込み量及びオリ
フラ幅を得ることができる。
方法及びオリエンテーションフラット加工装置では、測
定子を主軸部に固定されたインゴットに当接させ、検出
した位置座標に基づいてインゴットの中心軸と主軸部の
中心軸との位置ずれ量を測定し、さらに測定された直径
及び位置ずれ量に基づいて主軸部を基準に砥石による研
削位置を調整するので、インゴットを再度クランプした
状態で直接測定した位置ずれ量（芯ずれ量）が砥石の制
御にフィードバックされ、高精度な切り込み量及びオリ
フラ幅を得ることができる。
【０００８】また、本発明のオリエンテーションフラッ
ト加工方法は、前記直径を測定する工程において、一対
の前記測定子で前記主軸部に固定された前記インゴット
を挟んだ状態で検出された位置座標に基づいて行うこと
が好ましい。すなわち、このオリエンテーションフラッ
ト加工方法では、一対の測定子でインゴットを挟んだ状
態で検出された位置座標に基づいて直径が測定されるの
で、予めインゴットの直径を別に測定しなくても、オリ
フラ加工のために再度クランプした状態で、芯ずれ量の
測定と共にインゴットの直径も容易にかつ正確に測定す
ることができる。
ト加工方法は、前記直径を測定する工程において、一対
の前記測定子で前記主軸部に固定された前記インゴット
を挟んだ状態で検出された位置座標に基づいて行うこと
が好ましい。すなわち、このオリエンテーションフラッ
ト加工方法では、一対の測定子でインゴットを挟んだ状
態で検出された位置座標に基づいて直径が測定されるの
で、予めインゴットの直径を別に測定しなくても、オリ
フラ加工のために再度クランプした状態で、芯ずれ量の
測定と共にインゴットの直径も容易にかつ正確に測定す
ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るインゴットの
オリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテー
ションフラット加工装置の一実施形態を、図１及び図２
を参照しながら説明する。
オリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテー
ションフラット加工装置の一実施形態を、図１及び図２
を参照しながら説明する。
【００１０】本実施形態のオリエンテーションフラット
加工装置は、図１及び図２に示すように、ＣＺ法により
引上成長され円筒研削（円柱状に研削）加工されたシリ
コン単結晶（半導体単結晶）のインゴットＩを砥石１で
研削してオリエンテーションフラットＯＦを加工する装
置であって、インゴットＩをクランプして固定する主軸
部２と、主軸部２を基準とした位置座標の検出が可能な
一対の測定子３と、測定子３を主軸部２に固定されたイ
ンゴットＩに当接させ、検出した位置座標に基づいてイ
ンゴットＩの中心軸Ｃ１と主軸部２の中心軸Ｃ２との位
置ずれ量を測定する制御部４とを備えている。
加工装置は、図１及び図２に示すように、ＣＺ法により
引上成長され円筒研削（円柱状に研削）加工されたシリ
コン単結晶（半導体単結晶）のインゴットＩを砥石１で
研削してオリエンテーションフラットＯＦを加工する装
置であって、インゴットＩをクランプして固定する主軸
部２と、主軸部２を基準とした位置座標の検出が可能な
一対の測定子３と、測定子３を主軸部２に固定されたイ
ンゴットＩに当接させ、検出した位置座標に基づいてイ
ンゴットＩの中心軸Ｃ１と主軸部２の中心軸Ｃ２との位
置ずれ量を測定する制御部４とを備えている。
【００１１】上記砥石１は、中心軸を回転軸にして回転
可能とされていると共に、その回転軸上をインゴットＩ
に対向して前後進可能であり、その位置座標を信号とし
て制御部４へ送るようになっている。上記測定子３は、
サーボ軸に接続され、その位置座標を信号として制御部
４へ送るようになっている。なお、砥石１は、その回転
軸の延長線が主軸部２の中心軸Ｃ２と交差するように配
置され、一対の測定子３は、測定時に砥石１の回転軸の
延長線上で移動可能に設定されている。また、測定子３
は、砥石１の回転軸に直交する当接面３ａを有してい
る。
可能とされていると共に、その回転軸上をインゴットＩ
に対向して前後進可能であり、その位置座標を信号とし
て制御部４へ送るようになっている。上記測定子３は、
サーボ軸に接続され、その位置座標を信号として制御部
４へ送るようになっている。なお、砥石１は、その回転
軸の延長線が主軸部２の中心軸Ｃ２と交差するように配
置され、一対の測定子３は、測定時に砥石１の回転軸の
延長線上で移動可能に設定されている。また、測定子３
は、砥石１の回転軸に直交する当接面３ａを有してい
る。
【００１２】上記制御部４は、主軸部２を基準として砥
石１の前進量（移動量）を制御可能であり、インゴット
Ｉの直径及び測定された位置ずれ量に基づいて主軸部２
を基準に砥石１による研削位置を調整するものである。
なお、本装置は、インゴットＩの方位測定を行うＸ線方
位測定機構５を備えている。
石１の前進量（移動量）を制御可能であり、インゴット
Ｉの直径及び測定された位置ずれ量に基づいて主軸部２
を基準に砥石１による研削位置を調整するものである。
なお、本装置は、インゴットＩの方位測定を行うＸ線方
位測定機構５を備えている。
【００１３】次に、本実施形態のインゴットのオリエン
テーションフラット加工装置によるオリフラ加工方法に
ついて説明する。
テーションフラット加工装置によるオリフラ加工方法に
ついて説明する。
【００１４】まず、円筒研削済みのインゴットＩを主軸
部２にクランプさせ、図１の（ａ）に示すように、Ｘ線
方位測定機構５を用いてＸ線により１１０面のピークサ
ーチを行う。なお、図中の黒丸印●は、１１０面のピー
クサーチ位置を示し、三角印▼は、オリフラ加工面を示
している。次に、主軸部２を、図１の（ｂ）に示すよう
に、中心軸Ｃ２を中心に９０度回転させ、図１の（ｃ）
に示すように、一対の測定子３でインゴットＩを挟みイ
ンゴットＩの外周面に互いに対向状態にして当接面３ａ
を当接させる。
部２にクランプさせ、図１の（ａ）に示すように、Ｘ線
方位測定機構５を用いてＸ線により１１０面のピークサ
ーチを行う。なお、図中の黒丸印●は、１１０面のピー
クサーチ位置を示し、三角印▼は、オリフラ加工面を示
している。次に、主軸部２を、図１の（ｂ）に示すよう
に、中心軸Ｃ２を中心に９０度回転させ、図１の（ｃ）
に示すように、一対の測定子３でインゴットＩを挟みイ
ンゴットＩの外周面に互いに対向状態にして当接面３ａ
を当接させる。
【００１５】このとき、各測定子３の位置は、制御部４
において主軸部２の中心軸Ｃ２を基準とした座標として
検出され、両測定子３の位置座標からインゴットＩの直
径Ｄ及びオリフラ面ＯＦまでの高さＨが算出される。こ
の後、主軸部２を、図２の（ａ）に示すように、中心軸
Ｃ２を中心にさらに２７０度回転させ、図２の（ｂ）に
示すように、砥石１と反対側のインゴットＩの側面に測
定子３の一方の当接面３ａを当接させる。
において主軸部２の中心軸Ｃ２を基準とした座標として
検出され、両測定子３の位置座標からインゴットＩの直
径Ｄ及びオリフラ面ＯＦまでの高さＨが算出される。こ
の後、主軸部２を、図２の（ａ）に示すように、中心軸
Ｃ２を中心にさらに２７０度回転させ、図２の（ｂ）に
示すように、砥石１と反対側のインゴットＩの側面に測
定子３の一方の当接面３ａを当接させる。
【００１６】このとき、測定子３の位置における座標を
検出し、この位置座標に基づいてインゴットＩの中心軸
Ｃ１と主軸部２の中心軸Ｃ２との位置ずれ量ｔを測定
し、この位置ずれ量及びインゴットＩの直径に基づいて
主軸部２の中心軸Ｃ２を基準とした砥石１の研削位置を
制御部４により調整する。すなわち、インゴットＩの半
径から測定子３と中心軸Ｃ２との距離を差し引いて上記
位置ずれ量ｔを算出し、さらにオリフラ面ＯＦまでの高
さＨからインゴットＩの半径を引いた値、すなわちイン
ゴットＩの中心軸Ｃ１を基準としたオリフラ面ＯＦまで
の距離に位置ずれ量ｔを加算すると、主軸部２の中心軸
Ｃ２を基準としたオリフラ面ＯＦまでの距離（すなわち
中心軸Ｃ２を基準とした研削位置）が割り出される。
（結果的には、測定子３の位置座標にオリフラ面ＯＦま
での高さＨを加算した位置となる。）
検出し、この位置座標に基づいてインゴットＩの中心軸
Ｃ１と主軸部２の中心軸Ｃ２との位置ずれ量ｔを測定
し、この位置ずれ量及びインゴットＩの直径に基づいて
主軸部２の中心軸Ｃ２を基準とした砥石１の研削位置を
制御部４により調整する。すなわち、インゴットＩの半
径から測定子３と中心軸Ｃ２との距離を差し引いて上記
位置ずれ量ｔを算出し、さらにオリフラ面ＯＦまでの高
さＨからインゴットＩの半径を引いた値、すなわちイン
ゴットＩの中心軸Ｃ１を基準としたオリフラ面ＯＦまで
の距離に位置ずれ量ｔを加算すると、主軸部２の中心軸
Ｃ２を基準としたオリフラ面ＯＦまでの距離（すなわち
中心軸Ｃ２を基準とした研削位置）が割り出される。
（結果的には、測定子３の位置座標にオリフラ面ＯＦま
での高さＨを加算した位置となる。）
【００１７】そして、制御部４により、中心軸Ｃ２を基
準とした研削位置から砥石１の前進量Ｆを設定し、図２
の（ｃ）に示すように、上記研削位置まで砥石１を回転
させながら前進移動させ、インゴットＩの全長にわたっ
てオリフラ面ＯＦまで研削することにより、オリフラ加
工が行われる。このように本実施形態では、測定子３を
主軸部２に固定されたインゴットＩに当接させ、検出し
た位置座標に基づいてインゴットＩの中心軸Ｃ１と主軸
部２の中心軸Ｃ２との位置ずれ量ｔを測定し、さらに直
径Ｄ及び位置ずれ量ｔに基づいて主軸部２を基準に砥石
１による研削位置を調整するので、インゴットＩを再度
クランプした状態で直接測定した位置ずれ量（芯ずれ
量）ｔが砥石１の研削制御にフィードバックされ、高精
度な切り込み量及びオリフラ幅を得ることができる。な
お、一対の測定子３でインゴットＩを挟んだ状態で検出
された位置座標に基づいて直径Ｄが測定されるので、予
めインゴットＩの直径Ｄを別に測定しなくても、オリフ
ラ加工のために再度クランプした状態で、芯ずれ量の測
定と共にインゴットＩの直径Ｄも容易にかつ正確に測定
することができる。なお、上述したように、ピークサー
チ位置を検出した後、図１の（ｂ）に示すように９０度
回転させて直径測定することにより、すでにオリフラ加
工面▼にノッチ又はオリフラが形成されている場合で
も、この部分を避けて直径測定等が可能になり、新たに
ノッチやオリフラを再加工したり、オリフラ幅を拡大加
工することが可能になる。
準とした研削位置から砥石１の前進量Ｆを設定し、図２
の（ｃ）に示すように、上記研削位置まで砥石１を回転
させながら前進移動させ、インゴットＩの全長にわたっ
てオリフラ面ＯＦまで研削することにより、オリフラ加
工が行われる。このように本実施形態では、測定子３を
主軸部２に固定されたインゴットＩに当接させ、検出し
た位置座標に基づいてインゴットＩの中心軸Ｃ１と主軸
部２の中心軸Ｃ２との位置ずれ量ｔを測定し、さらに直
径Ｄ及び位置ずれ量ｔに基づいて主軸部２を基準に砥石
１による研削位置を調整するので、インゴットＩを再度
クランプした状態で直接測定した位置ずれ量（芯ずれ
量）ｔが砥石１の研削制御にフィードバックされ、高精
度な切り込み量及びオリフラ幅を得ることができる。な
お、一対の測定子３でインゴットＩを挟んだ状態で検出
された位置座標に基づいて直径Ｄが測定されるので、予
めインゴットＩの直径Ｄを別に測定しなくても、オリフ
ラ加工のために再度クランプした状態で、芯ずれ量の測
定と共にインゴットＩの直径Ｄも容易にかつ正確に測定
することができる。なお、上述したように、ピークサー
チ位置を検出した後、図１の（ｂ）に示すように９０度
回転させて直径測定することにより、すでにオリフラ加
工面▼にノッチ又はオリフラが形成されている場合で
も、この部分を避けて直径測定等が可能になり、新たに
ノッチやオリフラを再加工したり、オリフラ幅を拡大加
工することが可能になる。
【００１８】
【発明の効果】本発明のインゴットのオリエンテーショ
ンフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加
工装置によれば、測定子を主軸部に固定されたインゴッ
トに当接させ、検出した位置座標に基づいてインゴット
の中心軸と主軸部の中心軸との位置ずれ量を測定し、さ
らに測定された直径及び位置ずれ量に基づいて主軸部を
基準に砥石による研削位置を調整するので、再度クラン
プした際の位置ずれ量が砥石の制御にフィードバックさ
れ、高精度な切り込み量及びオリフラ幅を得ることがで
き、このインゴットから高精度なオリフラを有するウェ
ーハを得ることができる。
ンフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加
工装置によれば、測定子を主軸部に固定されたインゴッ
トに当接させ、検出した位置座標に基づいてインゴット
の中心軸と主軸部の中心軸との位置ずれ量を測定し、さ
らに測定された直径及び位置ずれ量に基づいて主軸部を
基準に砥石による研削位置を調整するので、再度クラン
プした際の位置ずれ量が砥石の制御にフィードバックさ
れ、高精度な切り込み量及びオリフラ幅を得ることがで
き、このインゴットから高精度なオリフラを有するウェ
ーハを得ることができる。
【図１】 本発明に係るインゴットのオリエンテーショ
ンフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加
工装置の一実施形態において、ピークサーチから直径測
定までを工程順に示したインゴットと加工装置の各部材
との配置図である。
ンフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加
工装置の一実施形態において、ピークサーチから直径測
定までを工程順に示したインゴットと加工装置の各部材
との配置図である。
【図２】 本発明に係るインゴットのオリエンテーショ
ンフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加
工装置の一実施形態において、インゴット回転からオリ
フラまでを工程順に示したインゴットと加工装置の各部
材との配置図である。
ンフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加
工装置の一実施形態において、インゴット回転からオリ
フラまでを工程順に示したインゴットと加工装置の各部
材との配置図である。
【図３】 インゴットにおけるオリフラ及びオリフラ研
削時の切り込み量を示すための説明図である。
削時の切り込み量を示すための説明図である。
１ 砥石 ２ 主軸部 ３ 測定子 ４ 制御部 Ｃ１ インゴットの中心軸 Ｃ２ 主軸部の中心軸 Ｄ インゴットの直径 Ｉ インゴット ＯＦ オリフラ面 ｔ 位置ずれ量
Claims (3)
- 【請求項１】 円柱状に研削加工された半導体単結晶の
インゴットを砥石で研削してオリエンテーションフラッ
トを加工する方法であって、 前記インゴットを主軸部に固定する工程と、 前記インゴットの直径を測定する工程と、 前記主軸部を基準とした位置座標の検出が可能な測定子
を主軸部に固定された前記インゴットに当接させる工程
と、 検出した前記位置座標に基づいて前記インゴットの中心
軸と前記主軸部の中心軸との位置ずれ量を測定する工程
と、 測定された前記直径及び前記位置ずれ量に基づいて前記
主軸部を基準に前記砥石による研削位置を調整する工程
とを有することを特徴とするインゴットのオリエンテー
ションフラット加工方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のインゴットのオリエン
テーションフラット加工方法において、 前記直径を測定する工程は、一対の前記測定子で前記主
軸部に固定された前記インゴットを挟んだ状態で検出さ
れた位置座標に基づいて行うことを特徴とするインゴッ
トのオリエンテーションフラット加工方法。 - 【請求項３】 円柱状に研削加工された半導体単結晶の
インゴットを砥石で研削してオリエンテーションフラッ
トを加工する装置であって、 前記インゴットを固定する主軸部と、 前記主軸部を基準とした位置座標の検出が可能な測定子
と、 前記測定子を前記主軸部に固定された前記インゴットに
当接させ、検出した位置座標に基づいてインゴットの中
心軸と主軸部の中心軸との位置ずれ量を測定する制御部
とを備え、 前記制御部は、前記インゴットの直径及び測定された前
記位置ずれ量に基づいて前記主軸部を基準に前記砥石に
よる研削位置を調整することを特徴とするインゴットの
オリエンテーションフラット加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000357832A JP3780841B2 (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000357832A JP3780841B2 (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164311A true JP2002164311A (ja) | 2002-06-07 |
| JP3780841B2 JP3780841B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=18829834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000357832A Expired - Fee Related JP3780841B2 (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3780841B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1310739C (zh) * | 2002-09-06 | 2007-04-18 | 大连淡宁实业发展有限公司 | 钒酸钇单晶片的批量加工工艺 |
| JP2008221377A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Koyo Electronics Ind Co Ltd | ワーク加工位置無線制御装置およびこれに用いる無線近接センサ |
| US9190464B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices with aligned trench isolation regions |
| WO2019123816A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 株式会社Sumco | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 |
| TWI701102B (zh) * | 2019-08-30 | 2020-08-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 治具模組 |
| JP2020142328A (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶インゴットの研削方法 |
| JP2022145247A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ＧａＡｓウエハの製造方法およびＧａＡｓウエハ群 |
-
2000
- 2000-11-24 JP JP2000357832A patent/JP3780841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1310739C (zh) * | 2002-09-06 | 2007-04-18 | 大连淡宁实业发展有限公司 | 钒酸钇单晶片的批量加工工艺 |
| JP2008221377A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Koyo Electronics Ind Co Ltd | ワーク加工位置無線制御装置およびこれに用いる無線近接センサ |
| US9190464B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices with aligned trench isolation regions |
| KR20200098606A (ko) * | 2017-12-19 | 2020-08-20 | 가부시키가이샤 사무코 | 잉곳 블록의 제조 방법, 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 잉곳 블록의 제조 장치 |
| JP2019110233A (ja) * | 2017-12-19 | 2019-07-04 | 株式会社Sumco | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 |
| WO2019123816A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 株式会社Sumco | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 |
| KR102399125B1 (ko) | 2017-12-19 | 2022-05-17 | 가부시키가이샤 사무코 | 잉곳 블록의 제조 방법, 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 잉곳 블록의 제조 장치 |
| US11587792B2 (en) | 2017-12-19 | 2023-02-21 | Sumco Corporation | Method for manufacturing ingot block, method for manufacturing semiconductor wafer, and device for manufacturing ingot block |
| JP2020142328A (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶インゴットの研削方法 |
| JP7103277B2 (ja) | 2019-03-06 | 2022-07-20 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶インゴットの研削方法 |
| TWI701102B (zh) * | 2019-08-30 | 2020-08-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 治具模組 |
| JP2022145247A (ja) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ＧａＡｓウエハの製造方法およびＧａＡｓウエハ群 |
| JP7146988B1 (ja) | 2021-03-19 | 2022-10-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ＧａＡｓウエハの製造方法およびＧａＡｓウエハ群 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3780841B2 (ja) | 2006-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4071576B2 (ja) | 工作機械 | |
| JPH02131849A (ja) | 円筒研磨装置 | |
| JP2002164311A (ja) | インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 | |
| JP3205402B2 (ja) | 結晶方位決定方法及び装置 | |
| JP2008036806A (ja) | 溝加工装置およびその加工位置補正方法 | |
| JP2001141444A (ja) | Ｖ溝形状測定方法及び装置 | |
| US4417490A (en) | Lathe tool calibrator and method | |
| CN108205290B (zh) | 基于激光位移传感器的工件调平装置 | |
| JPH09234655A (ja) | テーパ穴再研削用テーパ合わせ治具 | |
| JPH08309737A (ja) | 単結晶インゴットの加工方法 | |
| JPS63102872A (ja) | 研削方法 | |
| JPH06151586A (ja) | ダイシング方法および装置 | |
| JP2020026010A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
| JP2000042886A (ja) | ウエーハ面取り用砥石の検査方法とその装置及び該検査方法を用いたウエーハ面取り加工方法 | |
| JP3777825B2 (ja) | 精密研削盤および砥石半径測定方法 | |
| JPH079332A (ja) | 円筒研削盤およびその円筒研削盤による研削加工方法 | |
| JP2613455B2 (ja) | インゴットの自動芯出し・セット装置及び自動円筒研磨装置 | |
| JP2896843B2 (ja) | 段付砥石の精度測定方法及び装置 | |
| JPH08347B2 (ja) | 円筒研削盤における偏心ワークの偏心部の自動芯出し、及び位相出し方法、並びにその装置 | |
| JP2610494B2 (ja) | インゴット端面形状測定方法 | |
| JPH0740233A (ja) | ワークの厚さ測定装置 | |
| JP7103277B2 (ja) | シリコン単結晶インゴットの研削方法 | |
| JPH0749955B2 (ja) | 工具検査装置および工具検査方法 | |
| JP2748569B2 (ja) | 研削加工方法 | |
| US6055842A (en) | Method for calibrating rotating tools |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050712 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050912 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3780841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140317 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |