JPS63245988A - フレキシブルプリント基板及びその製造法 - Google Patents
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Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、温度変化に対してカール、ねじれ、反り等が
なく、耐熱性、寸法安定性、接着性、耐折曲げ性等に優
れ、かつ、吸水率が小さいフレキシブルプリント基板及
びその製造方法に関する。
なく、耐熱性、寸法安定性、接着性、耐折曲げ性等に優
れ、かつ、吸水率が小さいフレキシブルプリント基板及
びその製造方法に関する。
[従来の技術]
従来、フレキシブルプリント基板あるいはフラットケー
ブル(以(多フレキシブルプリント基板に含める)は一
般に導体と有機ポリマーの絶縁材とを接着剤で接着して
製造されていた。しかし、この際に熱圧着等の熱履歴を
加えると、冷間時に塞板のカール、ねじれ、反り等を生
じてその後の導体バターニング等が不可能となる欠点が
あった。
ブル(以(多フレキシブルプリント基板に含める)は一
般に導体と有機ポリマーの絶縁材とを接着剤で接着して
製造されていた。しかし、この際に熱圧着等の熱履歴を
加えると、冷間時に塞板のカール、ねじれ、反り等を生
じてその後の導体バターニング等が不可能となる欠点が
あった。
これらの問題は導体と絶縁材の線膨張係数の差に起因す
る。また、接着剤層のため難燃性が低下したり、使用す
るポリイミドフィルムが高価であるばか張合わせに多大
の手間を要してフレキシブルプリント基板が高価格にな
る等の問題があった。
る。また、接着剤層のため難燃性が低下したり、使用す
るポリイミドフィルムが高価であるばか張合わせに多大
の手間を要してフレキシブルプリント基板が高価格にな
る等の問題があった。
特開昭56−23.791丹公報等においては、ポリア
ミドイミド溶液を金属箔に塗イfiし、乾燥後に線膨張
係数の差に基いて生じたカールを後工程で熱処理により
緩和する手法が提案されているが、この方法も製造に手
間のかかる点や線膨張係数が異なることからハンダ浴等
の再加熱時にカールするという点等については依然とし
て解決されておらず満足し得るものではなかった。
ミドイミド溶液を金属箔に塗イfiし、乾燥後に線膨張
係数の差に基いて生じたカールを後工程で熱処理により
緩和する手法が提案されているが、この方法も製造に手
間のかかる点や線膨張係数が異なることからハンダ浴等
の再加熱時にカールするという点等については依然とし
て解決されておらず満足し得るものではなかった。
また、特開昭60−157,286号公報や特開昭60
−243.120@公報等においては、特定構造を有す
るポリイミドあるいはポリイミド前駆体溶液を導体上に
塗布して低熱膨張の樹脂を得、カールの少ないフレキシ
ブルプリント基板を得る方法が提案されているが、導体
上に製造される樹脂フィルムの物性、特に耐折曲げ性が
不充分であり、また、フレキシブルプリント回路として
ハンダに浸漬する際の寸法安定性が不充分であった。
−243.120@公報等においては、特定構造を有す
るポリイミドあるいはポリイミド前駆体溶液を導体上に
塗布して低熱膨張の樹脂を得、カールの少ないフレキシ
ブルプリント基板を得る方法が提案されているが、導体
上に製造される樹脂フィルムの物性、特に耐折曲げ性が
不充分であり、また、フレキシブルプリント回路として
ハンダに浸漬する際の寸法安定性が不充分であった。
また、米国特許第3,511,728号明細書には、ポ
リアミドイミド樹脂を絶縁材とするフラットケーブルが
示されているが、この樹脂は吸水性、耐折曲げ性、接着
力等の点で問題かめる。
リアミドイミド樹脂を絶縁材とするフラットケーブルが
示されているが、この樹脂は吸水性、耐折曲げ性、接着
力等の点で問題かめる。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は、絶縁材と導体の線膨張係数を近付け、
熱履歴を加えてもカール、ねじれ、反り等がなく、かつ
、充分な接着力、耐折曲げ性、寸法安定性等を有し、し
かも、吸水率が小さい工業的に有用なフレキシブルプリ
ント基板とその製造方法を提供することにある。
熱履歴を加えてもカール、ねじれ、反り等がなく、かつ
、充分な接着力、耐折曲げ性、寸法安定性等を有し、し
かも、吸水率が小さい工業的に有用なフレキシブルプリ
ント基板とその製造方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明者は、上記のような問題点を解決するため種々研
究を行ない、特定の構造を有するアミドイミド樹脂を絶
縁材として用いれば、温度変化に対してカール、ねじれ
、反り等がなく、かつ、充分な接着力、耐折曲げ性、寸
法安定性等を有し、しか・も、吸水率が小さいフレキシ
ブルプリント基板が得られることを見出し本発明を完成
した。
究を行ない、特定の構造を有するアミドイミド樹脂を絶
縁材として用いれば、温度変化に対してカール、ねじれ
、反り等がなく、かつ、充分な接着力、耐折曲げ性、寸
法安定性等を有し、しか・も、吸水率が小さいフレキシ
ブルプリント基板が得られることを見出し本発明を完成
した。
すなわち、第1番目の発明は、フレキシブルプリント基
板に関する発明であって、少なくとも導体と絶縁材を包
合するフレキシブルプリント基板において、この絶縁材
が下記一般式(I)(式中、A「は4価の芳香族基を示
し、Aは−NHCO−を示し、R1〜R3は同−又は異
なるアルキル基、アルコキシ基又はハロゲンを示し、1
、m及びnはO〜4の整数であり、XはO又は1であり
、そして、少なくとも1つのアルコキシ基を有する)で
表される構造単位を有すフレキシブルプリント基板であ
り、また、第2番目の発明は、フレキシブルプリント基
板の製造法に関する発明であって、少なくとも導体と絶
縁材を包合するフレキシブルプリント基板の製造法にお
いて、導体に下記一般式(I> (式中、八rは4価の芳香族基を示し、^は−NHCO
−を示し、旧〜R3は同−又は異なるアルキル基、アル
コキシ基又はハロゲンを示し、91m及びnはO〜4の
整数であり、XはO又は1であり、そして、少なくとも
1つのアルコキシ基を有する)で表される構造単位を有
する絶縁材の前駆体溶液を直接塗布し、硬化させるフレ
キシブルプリント基板の製造法である。
板に関する発明であって、少なくとも導体と絶縁材を包
合するフレキシブルプリント基板において、この絶縁材
が下記一般式(I)(式中、A「は4価の芳香族基を示
し、Aは−NHCO−を示し、R1〜R3は同−又は異
なるアルキル基、アルコキシ基又はハロゲンを示し、1
、m及びnはO〜4の整数であり、XはO又は1であり
、そして、少なくとも1つのアルコキシ基を有する)で
表される構造単位を有すフレキシブルプリント基板であ
り、また、第2番目の発明は、フレキシブルプリント基
板の製造法に関する発明であって、少なくとも導体と絶
縁材を包合するフレキシブルプリント基板の製造法にお
いて、導体に下記一般式(I> (式中、八rは4価の芳香族基を示し、^は−NHCO
−を示し、旧〜R3は同−又は異なるアルキル基、アル
コキシ基又はハロゲンを示し、91m及びnはO〜4の
整数であり、XはO又は1であり、そして、少なくとも
1つのアルコキシ基を有する)で表される構造単位を有
する絶縁材の前駆体溶液を直接塗布し、硬化させるフレ
キシブルプリント基板の製造法である。
上記一般式(I>で示される構造単位を有する低熱膨張
性樹脂は、下記一般式(n) (式中、Ar、 A 、 R1〜R31,1)−n及び
Xは一般式(I>の場合と同じであり、そして、少なく
とも1つのアルコキシ基を有する)で表されるポリ)7
ミドイミド前駆体を硬化させることによりWA造される
。
性樹脂は、下記一般式(n) (式中、Ar、 A 、 R1〜R31,1)−n及び
Xは一般式(I>の場合と同じであり、そして、少なく
とも1つのアルコキシ基を有する)で表されるポリ)7
ミドイミド前駆体を硬化させることによりWA造される
。
そして、このような一般式(II)で示されるポリアミ
ドイミド前駆体は、下記一般式(III)x
(I[I) (式中、A、R1−R3、ρ〜n及びXは一般式(I>
の場合と同じであり、少なくとも1つのアルコキシ基を
有する)で表されるジアミンと下記一般式%式% (式中、Arは一般式(I>の場合と同じである)で表
される芳香族テトラカルボン酸又はその誘導体とを反応
させて得られる。
ドイミド前駆体は、下記一般式(III)x
(I[I) (式中、A、R1−R3、ρ〜n及びXは一般式(I>
の場合と同じであり、少なくとも1つのアルコキシ基を
有する)で表されるジアミンと下記一般式%式% (式中、Arは一般式(I>の場合と同じである)で表
される芳香族テトラカルボン酸又はその誘導体とを反応
させて得られる。
上記一般式(III)で示されるジアミン及び一般式(
IV)で示される芳香族テトラカルボン酸における^へ
A1旧〜R3、g〜n及びXはそれぞれ一般式(I)及
び(II)で示される構造単位におけるAr、^、旧〜
R3、ρ〜n及びXに対応する。
IV)で示される芳香族テトラカルボン酸における^へ
A1旧〜R3、g〜n及びXはそれぞれ一般式(I)及
び(II)で示される構造単位におけるAr、^、旧〜
R3、ρ〜n及びXに対応する。
上記旧、R2及びR3は、アルキル基、アルコキシ基又
はハロゲンであって、アルキル基及びアルコキシ基とし
てはそれらが置換アルキル基や置換アルコキシ基であっ
てもよく、好ましくは炭素数5以下の低級アルキル基、
炭素数5以下の低級アルコキシ基又はハロゲンであり、
より好ましい具体例としては、メチル基、エヂル基、プ
ロピル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、弗
素、塩素又は臭素等を挙げることができる。これらの置
換基口、R2及びR3は互いに同一であっても、また、
異なっていてもよいが、少なくとも1つはアルコキシ基
である必要がある。また、上記ρ、m及びnは、0〜4
の整数であり、少なくとも1つのアルコキシ基を有する
ことから、これらρ十m十〇の合計は1以上、好ましく
は1又は2である。
はハロゲンであって、アルキル基及びアルコキシ基とし
てはそれらが置換アルキル基や置換アルコキシ基であっ
てもよく、好ましくは炭素数5以下の低級アルキル基、
炭素数5以下の低級アルコキシ基又はハロゲンであり、
より好ましい具体例としては、メチル基、エヂル基、プ
ロピル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、弗
素、塩素又は臭素等を挙げることができる。これらの置
換基口、R2及びR3は互いに同一であっても、また、
異なっていてもよいが、少なくとも1つはアルコキシ基
である必要がある。また、上記ρ、m及びnは、0〜4
の整数であり、少なくとも1つのアルコキシ基を有する
ことから、これらρ十m十〇の合計は1以上、好ましく
は1又は2である。
ざらに、アルコキシ基としては炭素数3以下の低級アル
コキシ基が好ましく、より好ましくはメトキシ基である
。そして、このアルコキシ基の置換位置については、ア
ミド結合に隣接するベンゼン環のオルト位であることが
好ましく、より好ましくはアミド結合の窒素原子に隣接
するベンゼン環のいずれか1つのオルト位である。アル
コキシ基を構造単位中に導入することにより、樹脂材料
の接着力が向上すると共にその吸水率が低下し、これに
よってハンダ付に際して導体と絶縁材との間で脹れや剥
れが生じるようなことがなく、ハンダ付に際して予備乾
燥も不要になる。
コキシ基が好ましく、より好ましくはメトキシ基である
。そして、このアルコキシ基の置換位置については、ア
ミド結合に隣接するベンゼン環のオルト位であることが
好ましく、より好ましくはアミド結合の窒素原子に隣接
するベンゼン環のいずれか1つのオルト位である。アル
コキシ基を構造単位中に導入することにより、樹脂材料
の接着力が向上すると共にその吸水率が低下し、これに
よってハンダ付に際して導体と絶縁材との間で脹れや剥
れが生じるようなことがなく、ハンダ付に際して予備乾
燥も不要になる。
また、上記XはOか1であるが、好ましくはOである。
このXがOのとき、R1又はR2のいずれか1つがメト
キシ基であり、ρとmの合計が1であることが最も好ま
しい。そして、構造単位中におけるアミド結合とイミド
結合の窒素原子の間にあるベンゼン環において、アルコ
キシ基がアミド結合のオルト位に必り、イミド結合がア
ミド結合のパラ位にあることがより有利である。
キシ基であり、ρとmの合計が1であることが最も好ま
しい。そして、構造単位中におけるアミド結合とイミド
結合の窒素原子の間にあるベンゼン環において、アルコ
キシ基がアミド結合のオルト位に必り、イミド結合がア
ミド結合のパラ位にあることがより有利である。
また、上記Arは、
◎、◎◎、・O◎、
GCO@I)00001■so2@ 1G()◇0・、
◎co2@ 等の4価の芳香族基又はそのアルキル置換体等の誘導体
であるが、好ましくは () ・ ()()、 (防coQ 、又1.tGS0
2Q である。
◎co2@ 等の4価の芳香族基又はそのアルキル置換体等の誘導体
であるが、好ましくは () ・ ()()、 (防coQ 、又1.tGS0
2Q である。
ざらに、一般式(I>及び(II)における構造単位の
繰返し数は1以上の整数であるが、好ましくは5〜1,
000の整数である。
繰返し数は1以上の整数であるが、好ましくは5〜1,
000の整数である。
そして、上記一般式(III)で示されるジアミンの好
ましい具体例としては、x=Qの例として、例えば2−
メトキシ−4,4−ジアミノベンズアニリド、2゛−メ
トキシ−4,4−ジアミノベンズアニリド、2−メトキ
シ−4,5°−ジアミノベンズアニリド、2−エトキシ
−4,4°−ジアミノベンズアニリド、2°−エトキシ
−4,4゛−ジアミノベンズアニリド、2−プロポキシ
−3,4°−ジアミノベンズアニリド、2°−プロポキ
シ−4,4°−ジアミノベンズアニリド、2,2°−ジ
メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリド、2−メ
トキシ−2−■トキシー4,3°−ジアミノベンズアニ
リド、2.6−シメトキシー4,4゛−ジアミノベンズ
アニリド、2.2°−ジメトキシ−3,4°−ジアミノ
ベンズアニリド、2.2°−ジェトキシ−4,4−ジア
ミノベンズアニリド、2.6−ジェトキシ−4,4°−
ジアミノベンズアニリド等を挙げることができ、好まし
くは2−メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリド
及び2゛−メトキシ−4,4゛−ジアミノベンズアニリ
ドであり、ざらにの容易さの点からより好ましくは2−
メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリドである。
ましい具体例としては、x=Qの例として、例えば2−
メトキシ−4,4−ジアミノベンズアニリド、2゛−メ
トキシ−4,4−ジアミノベンズアニリド、2−メトキ
シ−4,5°−ジアミノベンズアニリド、2−エトキシ
−4,4°−ジアミノベンズアニリド、2°−エトキシ
−4,4゛−ジアミノベンズアニリド、2−プロポキシ
−3,4°−ジアミノベンズアニリド、2°−プロポキ
シ−4,4°−ジアミノベンズアニリド、2,2°−ジ
メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリド、2−メ
トキシ−2−■トキシー4,3°−ジアミノベンズアニ
リド、2.6−シメトキシー4,4゛−ジアミノベンズ
アニリド、2.2°−ジメトキシ−3,4°−ジアミノ
ベンズアニリド、2.2°−ジェトキシ−4,4−ジア
ミノベンズアニリド、2.6−ジェトキシ−4,4°−
ジアミノベンズアニリド等を挙げることができ、好まし
くは2−メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリド
及び2゛−メトキシ−4,4゛−ジアミノベンズアニリ
ドであり、ざらにの容易さの点からより好ましくは2−
メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリドである。
また、x=1の例としては、
あるいは
等が挙げられる。このような化合物は、例えば前述の米
国特許第3.179.635号明細書や***公開筒2、
255.652号明細書で知られているか、又は、これ
らに記載された方法を適用することによって合成するこ
とができる。
国特許第3.179.635号明細書や***公開筒2、
255.652号明細書で知られているか、又は、これ
らに記載された方法を適用することによって合成するこ
とができる。
上記一般式(IV)の芳香族テトラカルボン酸又はその
誘導体の具体例としては、芳香族環に4つのカルボキシ
基又はその誘導体が結合しているものが使用できるが、
その具体例としては次のようなものが挙げられる。なお
、ここではテトラカルボン酸として例示するが、これら
のエステル化物、酸無水物、酸ハロゲン化物も勿論使用
できる。
誘導体の具体例としては、芳香族環に4つのカルボキシ
基又はその誘導体が結合しているものが使用できるが、
その具体例としては次のようなものが挙げられる。なお
、ここではテトラカルボン酸として例示するが、これら
のエステル化物、酸無水物、酸ハロゲン化物も勿論使用
できる。
ピロメリット酸、3,3°、4,4°−ビフェニルテト
ラカルボン酸、3,3°、4.4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸、3,3°、4,4°−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン カルボン酸、2,3,3°,4゛−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸、2,3,6.7−ナフタレンテトラカル
ボン酸、1、4,5.7−ナフタレンテトラカルボン酸
、1,2,5.6−ナフタレンテトラカルボン酸、3,
3°,4,4°−ジフェニルメタンテトラカルボン酸、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3.4−ジカルボキシフェニル)へ
キサフルオロプロパン、3、 4, 9. 10−テト
ラカルボキシペリレン、2,2−ビス(4−(3.4−
ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2
−ビス[4− (3.4−ジカルボキシフェノキシ)フ
ェニル]へキサフルオロプロパン等があり、好ましくは
、ピロメリット酸、3,3°,4.4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸、3,3°,4,4°−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、3.3’,4.4−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸。低熱膨張化効果の点からは、ピ
ロメリット酸又はその誘導体が好ましいが、2種以上の
テトラカルボン酸又はその誘導体を物性の向上や接着性
の向上等を目的として使用してもよい。芳香族テトラカ
ルボン酸の誘導体として酸無水物を使用すると合成上容
易であり、また、有害な副生成物がない等の点で有利で
ある。
ラカルボン酸、3,3°、4.4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸、3,3°、4,4°−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン カルボン酸、2,3,3°,4゛−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸、2,3,6.7−ナフタレンテトラカル
ボン酸、1、4,5.7−ナフタレンテトラカルボン酸
、1,2,5.6−ナフタレンテトラカルボン酸、3,
3°,4,4°−ジフェニルメタンテトラカルボン酸、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3.4−ジカルボキシフェニル)へ
キサフルオロプロパン、3、 4, 9. 10−テト
ラカルボキシペリレン、2,2−ビス(4−(3.4−
ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2
−ビス[4− (3.4−ジカルボキシフェノキシ)フ
ェニル]へキサフルオロプロパン等があり、好ましくは
、ピロメリット酸、3,3°,4.4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸、3,3°,4,4°−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、3.3’,4.4−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸。低熱膨張化効果の点からは、ピ
ロメリット酸又はその誘導体が好ましいが、2種以上の
テトラカルボン酸又はその誘導体を物性の向上や接着性
の向上等を目的として使用してもよい。芳香族テトラカ
ルボン酸の誘導体として酸無水物を使用すると合成上容
易であり、また、有害な副生成物がない等の点で有利で
ある。
本発明の樹脂の合成反応は、米国特許第3,179.6
35号明細書等に記載された方法によって行うことがで
きるが、好ましくはN−メチルピロリドン(NHP)
、ジメチルホルムアミド(DHF) 、ジメチルアセト
アミド(D)fAc)、ジメチルスルフォキサイド(O
H3O)、硫酸ジメチル、スルホラン、ブロック重合、
クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノール、シク
ロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ダイ
グライム等の溶媒中で、0〜200℃、好ましくは0〜
100℃の範囲で行なわれる。反応温iが200’Cを
越えると、重合反応中にイミド化反応が進行する場合が
あり、本発明の低熱膨張化効果は得難くなるほか、成形
性も著しく低下する。
35号明細書等に記載された方法によって行うことがで
きるが、好ましくはN−メチルピロリドン(NHP)
、ジメチルホルムアミド(DHF) 、ジメチルアセト
アミド(D)fAc)、ジメチルスルフォキサイド(O
H3O)、硫酸ジメチル、スルホラン、ブロック重合、
クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノール、シク
ロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ダイ
グライム等の溶媒中で、0〜200℃、好ましくは0〜
100℃の範囲で行なわれる。反応温iが200’Cを
越えると、重合反応中にイミド化反応が進行する場合が
あり、本発明の低熱膨張化効果は得難くなるほか、成形
性も著しく低下する。
本発明においては、上記一般式(I>で示されるポリア
ミドイミドを構成単位として30モル%以上、好ましく
は40モル%以上、より好ましくは50モル%以上含ま
れていることが望ましい。
ミドイミドを構成単位として30モル%以上、好ましく
は40モル%以上、より好ましくは50モル%以上含ま
れていることが望ましい。
30モル%未満であると低熱膨張化効果が少ない。
その他の構成単位については、種々のジアミン、テトラ
カルボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の
誘導体を用いて得られる構成単位があり、これはランダ
ムコポリメリゼーションによってランダムに入ったもの
であっても、あるいはブロック重合によってブロックで
入ったものであってもよい。
カルボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の
誘導体を用いて得られる構成単位があり、これはランダ
ムコポリメリゼーションによってランダムに入ったもの
であっても、あるいはブロック重合によってブロックで
入ったものであってもよい。
具体的に他のジアミンの例を挙げると、p−フェニレン
ジアミン、m−フェニレンジアミン、3,4°−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4,4°−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4°−ジアミノジフェニルメタン、3,
3゛−ジメチル−4,4°−ジアミノジフェニルメタン
、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン、1,2−ビス(アニリノ)エタン、ジア
ミノジフェニルスルホン、ジアミノベンズアニリド、ジ
アミノベンゾエート、ジアミノジフェニルスルフィド、
2.2−ビス(p−アミノフェニル)プロパン、2,2
−ビス(p−アミノフェニル)へキサフルオロプロパン
、1,5−ジアミノナフタレン、ジアミントルエン、ジ
アミノベンシトリフルオライド、1,4−ビス(p−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、4.4°−ビス(p−アミ
ノフェノキシ)ごフェニル、ジアミノアントラキノン、
4,4°−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ジフ
ェニルスルホン、1.3−ビス(アニリノ)へキサフル
オロプロパン、1.4−ヒス(アニリノ)オクタフルオ
ロブタン、1.5−ビス(アニリノ)デカフルオ[1ペ
ンタン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロ
へブタン、下記一般式 %式% (但し、式中R5及びR7は2価の有機基を示し、R4
及びR6は1価の有機基を示し、p及びqは1より大き
い整数を示す)で表されるジアミノシロキサン、2,2
−ビス[4−(E)−アミノフェノキシ)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2.2−ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル1ヘキサフルオロプロパン、2
.2−ビス[4−(2−アミノフェノキシ)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−7
ミノフエノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]へキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル]
へキサフルオロプロパン、p−ビス(4−アミノ−2−
トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4.4゛−
ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ
)ビフェニル、4.4−ビス(4−アミノ−3−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4.4°−ビス
(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジ
フェニルスルホン、4,4−ビス(3−アミノ−5−ト
リフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルフォン、
2.2−ビス[4−(/I−アミノ−3−トリフルオロ
メチルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン
、ベンジジン、3,3°、5,5°−テトラメチルベン
ジジン、オクタフルオロベンジジン、3,3゛−ジメト
キシベンジジン、〇−トリジン、m−トリジン、2.2
’、5.5’、6.6−ヘキサフルオロトリジン、4,
4“°−ジアミノターフェニル、4,4°°“−ジアミ
ノクォーターフェニル等のジアミン類がある。
ジアミン、m−フェニレンジアミン、3,4°−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4,4°−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4°−ジアミノジフェニルメタン、3,
3゛−ジメチル−4,4°−ジアミノジフェニルメタン
、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン、1,2−ビス(アニリノ)エタン、ジア
ミノジフェニルスルホン、ジアミノベンズアニリド、ジ
アミノベンゾエート、ジアミノジフェニルスルフィド、
2.2−ビス(p−アミノフェニル)プロパン、2,2
−ビス(p−アミノフェニル)へキサフルオロプロパン
、1,5−ジアミノナフタレン、ジアミントルエン、ジ
アミノベンシトリフルオライド、1,4−ビス(p−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、4.4°−ビス(p−アミ
ノフェノキシ)ごフェニル、ジアミノアントラキノン、
4,4°−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ジフ
ェニルスルホン、1.3−ビス(アニリノ)へキサフル
オロプロパン、1.4−ヒス(アニリノ)オクタフルオ
ロブタン、1.5−ビス(アニリノ)デカフルオ[1ペ
ンタン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロ
へブタン、下記一般式 %式% (但し、式中R5及びR7は2価の有機基を示し、R4
及びR6は1価の有機基を示し、p及びqは1より大き
い整数を示す)で表されるジアミノシロキサン、2,2
−ビス[4−(E)−アミノフェノキシ)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2.2−ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル1ヘキサフルオロプロパン、2
.2−ビス[4−(2−アミノフェノキシ)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−7
ミノフエノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]へキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル]
へキサフルオロプロパン、p−ビス(4−アミノ−2−
トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4.4゛−
ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ
)ビフェニル、4.4−ビス(4−アミノ−3−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4.4°−ビス
(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジ
フェニルスルホン、4,4−ビス(3−アミノ−5−ト
リフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルフォン、
2.2−ビス[4−(/I−アミノ−3−トリフルオロ
メチルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン
、ベンジジン、3,3°、5,5°−テトラメチルベン
ジジン、オクタフルオロベンジジン、3,3゛−ジメト
キシベンジジン、〇−トリジン、m−トリジン、2.2
’、5.5’、6.6−ヘキサフルオロトリジン、4,
4“°−ジアミノターフェニル、4,4°°“−ジアミ
ノクォーターフェニル等のジアミン類がある。
また、他のテトラカルボン酸並びにその誘導体の例とし
ては次のようなものが挙げられる。なお、ここではテト
ラカルボン酸として例示するが、これらのエステル化物
、酸無水物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ブタン
テトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等
があり、また、トリメリット酸及びその誘導体も挙げら
れる。
ては次のようなものが挙げられる。なお、ここではテト
ラカルボン酸として例示するが、これらのエステル化物
、酸無水物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ブタン
テトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等
があり、また、トリメリット酸及びその誘導体も挙げら
れる。
さらに、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構
造やラダー構造を導入することもできる。
造やラダー構造を導入することもできる。
例えば、次のような方法がある。
■ 下記一般式で表される化合物で変性することによっ
て、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を
導入する。
て、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を
導入する。
(但し、式中R8は2+z価(lは1又は2である)の
芳香族有機基を示し、8は−NU2基、−CONH2基
又は−302NH2基から選択された置換基であってア
ミノ基に対しオルト位である〕 ■ 重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカ
ルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体
で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化
合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロ
フタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。
芳香族有機基を示し、8は−NU2基、−CONH2基
又は−302NH2基から選択された置換基であってア
ミノ基に対しオルト位である〕 ■ 重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカ
ルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体
で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化
合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロ
フタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。
■ フェノール性水酸基あるいはカルボン酸を有する芳
香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
本発明の絶縁材としてのポリアミドイミド樹脂は、この
ような前記各成分を用いて変性することにより、その線
膨張係数を調整することができる。
ような前記各成分を用いて変性することにより、その線
膨張係数を調整することができる。
すなわち、一般式(I>の構造のみからなるポリアミド
イミド樹脂は、面内にI X 10’K”以下の線膨張
係数を有する絶縁体を形成可能であるが、これを前記各
成分を使用して変性することにより、線膨張係数を任意
に大きくすることができる。
イミド樹脂は、面内にI X 10’K”以下の線膨張
係数を有する絶縁体を形成可能であるが、これを前記各
成分を使用して変性することにより、線膨張係数を任意
に大きくすることができる。
また、接着性、耐折曲げ性等の諸物性をさらに向上させ
る目的で変性することも可能である。
る目的で変性することも可能である。
本発明のフレキシブルプリント基板は、そのようなポリ
アミドイミド樹脂の前駆体溶液を導体上に塗布して得ら
れるわけであるが、その溶媒乾燥条件、イミド化条件は
任意に選択可能である。イミド化温度は最終的に200
℃以上まで昇温させることが好ましく、ざらに好ましく
は250℃以上まで昇温させる。ざらに、ガラス移転温
度以上に上昇させても差支えない。
アミドイミド樹脂の前駆体溶液を導体上に塗布して得ら
れるわけであるが、その溶媒乾燥条件、イミド化条件は
任意に選択可能である。イミド化温度は最終的に200
℃以上まで昇温させることが好ましく、ざらに好ましく
は250℃以上まで昇温させる。ざらに、ガラス移転温
度以上に上昇させても差支えない。
本発明のフレキシブルプリント基板は、少なくとも導体
と絶縁材を包合するわけであるが、導体としては銅、ア
ルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、
モリブデン又はそれらの合金が挙げられる。好ましくは
銅であり、価格の点でより好ましくは電解銅箔である。
と絶縁材を包合するわけであるが、導体としては銅、ア
ルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、
モリブデン又はそれらの合金が挙げられる。好ましくは
銅であり、価格の点でより好ましくは電解銅箔である。
一般に、樹脂溶液を銅箔に直接塗布する場合、電解銅箔
は圧延銅箔に較ベカールが少ないものを得難いが、本発
明のフレキシブルプリント基板は電解銅箔を用いてもカ
ールのないものを得ることができる。
は圧延銅箔に較ベカールが少ないものを得難いが、本発
明のフレキシブルプリント基板は電解銅箔を用いてもカ
ールのないものを得ることができる。
また、導体はサイディング、ニッケルメッキ又はアルミ
ニウムアルコラード、アルミニウムキレート、シランカ
ップリング剤等によって化学的、機械的な表面処理が施
されてもよい。また、予め任意の接着層が形成された導
体であってもよい。
ニウムアルコラード、アルミニウムキレート、シランカ
ップリング剤等によって化学的、機械的な表面処理が施
されてもよい。また、予め任意の接着層が形成された導
体であってもよい。
ざらに、導体の表面により接着力の優れたポリイミド又
はその前駆体をアンカーコートとして使用することによ
り、その上にコートされる本発明の絶縁材の接着力の向
上を図ることができる。
はその前駆体をアンカーコートとして使用することによ
り、その上にコートされる本発明の絶縁材の接着力の向
上を図ることができる。
絶縁材の線膨張係数が1 、7 X 10’に’以下で
、かつ、絶縁材の耐折曲げ性が5,000回以上のもの
を使用することによって、導体と絶縁材に熱履歴を加え
てもカール、ねじれ、反り等がなく、かつ、充分な耐折
曲げ性、寸法安定性、接着性を有し、しかも、吸収率が
小さい工業的に有用なフレキシブルプリント基板を得る
ことができる。
、かつ、絶縁材の耐折曲げ性が5,000回以上のもの
を使用することによって、導体と絶縁材に熱履歴を加え
てもカール、ねじれ、反り等がなく、かつ、充分な耐折
曲げ性、寸法安定性、接着性を有し、しかも、吸収率が
小さい工業的に有用なフレキシブルプリント基板を得る
ことができる。
本発明の絶縁材おいて、より線膨張係数を下げたり、弾
性率を上げたり、流動性をコントロールしたり、あるい
は低コスト化するために、無機質、有11貿又は金属等
の粉末、繊維、チョツプドストランド等を混合して使用
することもできる。
性率を上げたり、流動性をコントロールしたり、あるい
は低コスト化するために、無機質、有11貿又は金属等
の粉末、繊維、チョツプドストランド等を混合して使用
することもできる。
また、本発明で得られたフレキシブルプリント基板の非
銅面側に任意の接着剤を使用して銅箔を貼り合わせ、両
面タイプのフレキシブルプリント基板にすることも可能
でおる。
銅面側に任意の接着剤を使用して銅箔を貼り合わせ、両
面タイプのフレキシブルプリント基板にすることも可能
でおる。
本発明で使用する低熱膨張性樹脂は、線膨張係数が17
X10’(K−1)以下であることが望ましい。これよ
り大きいと、゛金属板や無機質板の上に塗布したとき、
カール等の変形、膜のクラック、剥離、基材の破損等が
生じる。ここで、線膨張係数は、銅箔上にポリアミドイ
ミド前駆体溶液を塗布して硬化させた後、エツチングし
て銅箔を溶解除去して得られた25μ7F’Lのフィル
ムを250℃に昇温させた後、10℃/min、で冷却
して240℃から100℃までの間の寸法変化率の平均
として求められるもの、すなわち、 (240℃−1oo℃)X(100℃のときの長さ)で
求められる値である。
X10’(K−1)以下であることが望ましい。これよ
り大きいと、゛金属板や無機質板の上に塗布したとき、
カール等の変形、膜のクラック、剥離、基材の破損等が
生じる。ここで、線膨張係数は、銅箔上にポリアミドイ
ミド前駆体溶液を塗布して硬化させた後、エツチングし
て銅箔を溶解除去して得られた25μ7F’Lのフィル
ムを250℃に昇温させた後、10℃/min、で冷却
して240℃から100℃までの間の寸法変化率の平均
として求められるもの、すなわち、 (240℃−1oo℃)X(100℃のときの長さ)で
求められる値である。
また、吸水率は3%以下であることが望ましい。
これより大きいと、ハンダ付に際して基材と絶縁材とな
る樹脂との間で脹れや剥れが生じるばかりでなく、絶縁
性も低下する。ここで、吸水率は、上記と同じようにし
て得られたフィルムを室温で24時間浸漬した後の重量
変化率、すなわち、から求められる値である。
る樹脂との間で脹れや剥れが生じるばかりでなく、絶縁
性も低下する。ここで、吸水率は、上記と同じようにし
て得られたフィルムを室温で24時間浸漬した後の重量
変化率、すなわち、から求められる値である。
本発明のフレキシブルプリント基板は、従来のポリアミ
ドイミドの有している機械的物性を保持したまま、従来
のポリイミドを使用したときのようにカールすることが
なく、また、接着剤を介することなくポリアミドイミド
前駆体溶液を直接導体上に塗布するという製造法が可能
であり、従来のような予め作製したフィルムと導体とを
接着剤で貼り合わせる方法に較べてその製造工程が半分
以下に減少し、かつ、低温硬化性接着剤の使用による耐
熱性の大幅な低下や難燃性の低下という問題も生じない
。さらに、本発明のフレキシブルプリント基板は、導体
との接着力が高く、また、導体をエツチングするときの
寸法変化率やハンダ付けの際の加熱収縮率も非常に小さ
く、信頼性の高い回路材料となる。また、吸水率が大き
いと乾燥なしでは導体と絶縁材の間で脹れや剥れが生じ
るが、吸水率が低いためにハンダ付に際してこのような
問題が起らず、また、予備乾燥も不要である。
ドイミドの有している機械的物性を保持したまま、従来
のポリイミドを使用したときのようにカールすることが
なく、また、接着剤を介することなくポリアミドイミド
前駆体溶液を直接導体上に塗布するという製造法が可能
であり、従来のような予め作製したフィルムと導体とを
接着剤で貼り合わせる方法に較べてその製造工程が半分
以下に減少し、かつ、低温硬化性接着剤の使用による耐
熱性の大幅な低下や難燃性の低下という問題も生じない
。さらに、本発明のフレキシブルプリント基板は、導体
との接着力が高く、また、導体をエツチングするときの
寸法変化率やハンダ付けの際の加熱収縮率も非常に小さ
く、信頼性の高い回路材料となる。また、吸水率が大き
いと乾燥なしでは導体と絶縁材の間で脹れや剥れが生じ
るが、吸水率が低いためにハンダ付に際してこのような
問題が起らず、また、予備乾燥も不要である。
また、線膨張係数が小さいために多層基板化ヤリジット
基板との複合等も容易となる。
基板との複合等も容易となる。
[実施例]
以下、実施例及び比較例に基いて、本発明を具体的に説
明する。
明する。
線膨張係数はイミド化反応が十分終了した試料を用い、
サーモメカニカルアナライザー(THA)を用いて行な
い、銅箔上にポリアミドイミド前駆体溶液を塗布し、イ
ミド化させた後、銅箔を溶解除去して得られる25μm
のフィルムを250℃に昇温後に10℃/min、で冷
却して240℃から100℃までの平均の線膨張率を算
出した。接着力はテンシロンテスターを用い、幅10M
の銅張品の樹脂側を両面テープによりアルミ板に固定し
、銅を180℃方向に剥離して求めた。吸水率は線膨張
係数の測定の場合と同様にして得られたフィルムを室温
で水中に24時間浸漬し、前後の重量変化により求めた
。耐折り曲げ試験は幅10s厚さ約25μmの試料を用
い、東洋精機製作所製MIT耐揉疲労試験機(チャック
0.38#l1lIR1荷重IKg)により測定した。
サーモメカニカルアナライザー(THA)を用いて行な
い、銅箔上にポリアミドイミド前駆体溶液を塗布し、イ
ミド化させた後、銅箔を溶解除去して得られる25μm
のフィルムを250℃に昇温後に10℃/min、で冷
却して240℃から100℃までの平均の線膨張率を算
出した。接着力はテンシロンテスターを用い、幅10M
の銅張品の樹脂側を両面テープによりアルミ板に固定し
、銅を180℃方向に剥離して求めた。吸水率は線膨張
係数の測定の場合と同様にして得られたフィルムを室温
で水中に24時間浸漬し、前後の重量変化により求めた
。耐折り曲げ試験は幅10s厚さ約25μmの試料を用
い、東洋精機製作所製MIT耐揉疲労試験機(チャック
0.38#l1lIR1荷重IKg)により測定した。
なお、各個における略号は以下のとおりである。
PHD^:ピロメリット酸二無水物
BPDA : 3.3°、4,4−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物 。
ルボン酸二無水物 。
BTDA : 3.3°、4,4°−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物 DDE: 4,4−ジアミノジフェニルエーテルDD
H: 4,4°−ジアミノジフェニルメタンo−TL
DN : o−トリジン DABA: 4,4°−ジアミノベンズアニリドH1
−DABA : 2°−メチル−4,4°−ジアミノ
ベンズアニリド CI−DABA : 2−クロル−4,4−ジアミ
ノベンズ7二リド じ1 2 ’ −)1o−DABA : 2°−メトキシ−
4,4−ジアミノベンズアニリド 2−No−DABA : 2−メトキシ−4,4゛−ジ
アミノベンズアニリド 2.2’−dHo−DABA:2,2°−ジメトキシ−
4,4゛−ジアジ ゛ノベンズアニリド 4.5’−d^−2°−HoBA : 4,5’−ジ
アミノ−2゛−メトキシベンズアニリド 8(4A、 280) TPA :ビス(4−アミノ−
2−メトキシ)テレフタルアニリド 2’−Eo−DABA : 2°−エトキシ−4,4
゛−ジアミノベンズアニリド DHACニジメチルアセトアミド NHP : N−メチル−2−ピロリドン実施例1 温度計、塩化カルシウム管、撹拌棒及び窒素吸込口を取
付けた300m1の4つ目フラスコに毎分200dの窒
素を流しながら、2’−No−DABA : 0 。
トラカルボン酸二無水物 DDE: 4,4−ジアミノジフェニルエーテルDD
H: 4,4°−ジアミノジフェニルメタンo−TL
DN : o−トリジン DABA: 4,4°−ジアミノベンズアニリドH1
−DABA : 2°−メチル−4,4°−ジアミノ
ベンズアニリド CI−DABA : 2−クロル−4,4−ジアミ
ノベンズ7二リド じ1 2 ’ −)1o−DABA : 2°−メトキシ−
4,4−ジアミノベンズアニリド 2−No−DABA : 2−メトキシ−4,4゛−ジ
アミノベンズアニリド 2.2’−dHo−DABA:2,2°−ジメトキシ−
4,4゛−ジアジ ゛ノベンズアニリド 4.5’−d^−2°−HoBA : 4,5’−ジ
アミノ−2゛−メトキシベンズアニリド 8(4A、 280) TPA :ビス(4−アミノ−
2−メトキシ)テレフタルアニリド 2’−Eo−DABA : 2°−エトキシ−4,4
゛−ジアミノベンズアニリド DHACニジメチルアセトアミド NHP : N−メチル−2−ピロリドン実施例1 温度計、塩化カルシウム管、撹拌棒及び窒素吸込口を取
付けた300m1の4つ目フラスコに毎分200dの窒
素を流しながら、2’−No−DABA : 0 。
075モル及びDHAc : 170rdを加えて撹拌
した。
した。
2 ’−)io−DABへの全てを溶解することはでき
なかった。
なかった。
この溶液を水冷浴中で10℃以下に冷却しながら、PM
O^:0.075モルを徐々に加えたところ、2“−N
o−DABAは徐々に溶解しながら反応した。
O^:0.075モルを徐々に加えたところ、2“−N
o−DABAは徐々に溶解しながら反応した。
約20分反応させた時点で、DDE:0.025モル、
BTD^:0.025モル及びDMAc : 50mi
を添加した。その後約2時間室温で撹拌を続は重合反応
を行ない、ブロック重合体を得た。
BTD^:0.025モル及びDMAc : 50mi
を添加した。その後約2時間室温で撹拌を続は重合反応
を行ない、ブロック重合体を得た。
この樹脂溶液をアルミ板上に固定した電解銅箔上にフィ
ルム厚みが約25μmとなるようにアプリケータを用い
てコーチングし、130℃及び150℃の強制通風炉中
に順次10分放置して予備乾燥を行い、次いで300℃
の循環式熱風オーブン中に15分間放置してイミド化し
た。冷却後銅箔を溶解除去してフィルムを得た。
ルム厚みが約25μmとなるようにアプリケータを用い
てコーチングし、130℃及び150℃の強制通風炉中
に順次10分放置して予備乾燥を行い、次いで300℃
の循環式熱風オーブン中に15分間放置してイミド化し
た。冷却後銅箔を溶解除去してフィルムを得た。
このフィルムの熱膨張係数は8X10’(K”)であっ
た。吸水率は2.8%であり、耐折り曲げ試験は5万回
以上であった。また、この銅張量のエツチング前後の寸
法変化率は0.1%未満であった。
た。吸水率は2.8%であり、耐折り曲げ試験は5万回
以上であった。また、この銅張量のエツチング前後の寸
法変化率は0.1%未満であった。
また、この樹脂溶液をアルミ板上に固定した市販の厚さ
35μmの電解銅箔上にフィルム厚みが約25μ而にな
るようにアプリケータを用いてコーティングし、130
℃及び150℃の強制通風炉中に順次10分放置し、次
いで330℃まで15分間かけて昇温しイミド化した。
35μmの電解銅箔上にフィルム厚みが約25μ而にな
るようにアプリケータを用いてコーティングし、130
℃及び150℃の強制通風炉中に順次10分放置し、次
いで330℃まで15分間かけて昇温しイミド化した。
カールがほとんどないサンプルが得られた。この銅張量
の接着力は1.4Kg/cmであった。この銅張量を7
6%RHで24時間保持した後、260℃のハンダ浴に
10秒間浸漬したが何の変化も認められなかだ。
の接着力は1.4Kg/cmであった。この銅張量を7
6%RHで24時間保持した後、260℃のハンダ浴に
10秒間浸漬したが何の変化も認められなかだ。
実施例2
四’)口7ラスコに2’−No−DABA:0.090
モル、DDM:0.010モル及び[)HAc : 1
70rnllを加え、冷却下に撹拌しながらPMOA:
0.090モル及びBTDA: 0.010モルを徐
々に加えた。2時間はど室温で撹拌を続けると、粘調な
樹脂溶液が得られた。
モル、DDM:0.010モル及び[)HAc : 1
70rnllを加え、冷却下に撹拌しながらPMOA:
0.090モル及びBTDA: 0.010モルを徐
々に加えた。2時間はど室温で撹拌を続けると、粘調な
樹脂溶液が得られた。
この樹脂溶液を使用し、上記実施例1と同様にフィルム
及び銅張量を調製してその物性を調べた。
及び銅張量を調製してその物性を調べた。
評価結果を第1表に示す。
実施例3及び4
実施例1の2 ’−)1o−DABAの代りに、2−N
o−[)^8A及び2,2°−dHo−DABAを用い
て行なった。実施例1と同様の評価結果を第1表に示す
。
o−[)^8A及び2,2°−dHo−DABAを用い
て行なった。実施例1と同様の評価結果を第1表に示す
。
実施例5
実施例2と同様に、四つロフラスコに2 ’ −)1o
−DABA:0.10モル及びDMAc : 170m
lを加え、冷却撹拌しながらP)fDA:0.10モル
を徐々に加えた。2時間はど室温で攪拌を続けると粘調
な樹脂溶液が得られた。
−DABA:0.10モル及びDMAc : 170m
lを加え、冷却撹拌しながらP)fDA:0.10モル
を徐々に加えた。2時間はど室温で攪拌を続けると粘調
な樹脂溶液が得られた。
実施例1と同様の評価結果を第1表に示す。
実施例6
実施例2と同様に、四つ目フラスコに2’−No−0^
BA:0.10モル及びNMP:170mを加え、冷却
撹拌しなからBPD^:0.10モルを徐々に加えた。
BA:0.10モル及びNMP:170mを加え、冷却
撹拌しなからBPD^:0.10モルを徐々に加えた。
3時間はど室温で攪拌を続けると粘調な樹脂溶液が得ら
れた。
れた。
実施例1と同様の評価結果を第1表に示す。
実施例7
実施例2と同様に、四つ目フラスコに4,5°−dA−
2°−H08^:o、ioモル及びDHAc : 17
0mlを加え、冷却撹拌しながらPMOA: 0.10
モルを徐々に加えた。3時間はど室温で攪拌を続けると
粘調な樹脂溶液が得られた。
2°−H08^:o、ioモル及びDHAc : 17
0mlを加え、冷却撹拌しながらPMOA: 0.10
モルを徐々に加えた。3時間はど室温で攪拌を続けると
粘調な樹脂溶液が得られた。
実施例1と同様の評価結果を第1表に示す。
実施例8
実施例2と同様に、四つ目フラスコに8(4^、2Ho
)TPA: o、 O75−E/L、、DDE:0.0
25−E/L、及びDHAC:170威を加え、冷却撹
拌しながらPMOA :0.10モルを徐々に加えた。
)TPA: o、 O75−E/L、、DDE:0.0
25−E/L、及びDHAC:170威を加え、冷却撹
拌しながらPMOA :0.10モルを徐々に加えた。
3時間はど室温で攪拌を続けると粘調な樹脂溶液が得ら
れた。
れた。
実施例1と同様の評価結果を第1表に示す。
実施例9
実施例2と同様に、四つロフラスコに2°−Eo−DA
BA:0.049モル、ODE:0.051モル及びD
HAc : 170rIIIlを加え、冷却撹拌しなが
らPMDA :0.1モルを徐々に加えた。2時間はど
室温で撹拌を続けると粘調な樹脂溶液が得られた。
BA:0.049モル、ODE:0.051モル及びD
HAc : 170rIIIlを加え、冷却撹拌しなが
らPMDA :0.1モルを徐々に加えた。2時間はど
室温で撹拌を続けると粘調な樹脂溶液が得られた。
実施例1と同様の評価結果を第1表に示す。
比較例1〜3
実施例1の2°−No−DABへの代りに、O^8^、
Ht−DABA及びCI−DABAを用いて行なった。
Ht−DABA及びCI−DABAを用いて行なった。
評価結果を第1表に示す。
比較例4
アミン成分としてo−丁LDNを、酸無水物成分として
BPD^をそれぞれ用い、NMP中で実施例2と同様に
重合を行ない評価した。得られた樹脂は耐折り曲げ性の
低い樹脂であった。
BPD^をそれぞれ用い、NMP中で実施例2と同様に
重合を行ない評価した。得られた樹脂は耐折り曲げ性の
低い樹脂であった。
比較例5
アミン成分としてD叶を、酸無水物成分としてPMDA
をそれぞれ用い、0MAc中で実施例2と同様に重合を
行ない評価した。得られた樹脂は熱膨張係数の大きい樹
脂であった。
をそれぞれ用い、0MAc中で実施例2と同様に重合を
行ない評価した。得られた樹脂は熱膨張係数の大きい樹
脂であった。
[発明の効果]
本発明のフレキシブルプリント基板は、絶縁材の線膨張
係数が小さいためカールが少なく、かつ、充分な接着力
、耐折曲げ性及び寸法安定性を有し、しかも、吸水率が
小さく信頼性の高いものである。
係数が小さいためカールが少なく、かつ、充分な接着力
、耐折曲げ性及び寸法安定性を有し、しかも、吸水率が
小さく信頼性の高いものである。
また、製造工程が非常に簡略化でき工業用材料として極
めて有用である。
めて有用である。
第1図はPMOA/2−No−DABA : BTDA
/DDEの共重合系におけるその七ツマ−の比率と線膨
張係数との関係を示すグラフである。
/DDEの共重合系におけるその七ツマ−の比率と線膨
張係数との関係を示すグラフである。
Claims (5)
- (1)少なくとも導体と絶縁材を包含するフレキシブル
プリント基板において、この絶縁材が下記一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼(I) (式中、Arは4価の芳香族基を示し、Aは−NHCO
−を示し、R1〜R3は同一又は異なるアルキル基、ア
ルコキシ基又はハロゲンを示し、l、m及びnは0〜4
の整数であり、xは0又は1であり、そして、少なくと
も1つのアルコキシ基を有する)で表される構造単位を
有することを特徴とするフレキシブルプリント基板。 - (2)絶縁材が5、000回以上の耐折曲げ性と1.7
×10^−^5(K^−^1)以下の線膨張係数を有す
る特許請求の範囲第1項記載のフレキシブルプリント基
板。 - (3)絶縁材が下記一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) で表される構造単位を有する特許請求の範囲第1項記載
のフレキシブルプリント基板。 - (4)基板が導体と絶縁材とのみからなる特許請求の範
囲第1項ないし第3項のいずれかに記載のフレキシブル
プリント基板。 - (5)少なくとも導体と絶縁材を包含するフレキシブル
プリント基板の製造法において、導体に下記一般式(I
) ▲数式、化学式、表等があります▼(I) (式中、Arは4価の芳香族基を示し、Aは−NHCO
−を示し、R1〜R3は同一又は異なるアルキル基、ア
ルコキシ基又はハロゲンを示し、l、m及びnは0〜4
の整数であり、xは0又は1であり、そして、少なくと
も1つのアルコキシ基を有する)で表される構造単位を
有する絶縁材の前駆体溶液を直接塗布し、硬化させるこ
とを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-275325 | 1986-11-20 | ||
JP27532586 | 1986-11-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63245988A true JPS63245988A (ja) | 1988-10-13 |
JPH0366824B2 JPH0366824B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=17553882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62293261A Granted JPS63245988A (ja) | 1986-11-20 | 1987-11-20 | フレキシブルプリント基板及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63245988A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149227A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
WO1998008216A1 (fr) * | 1996-08-19 | 1998-02-26 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Stratifie pour suspension d'entrainement de disques durs et sa fabrication |
JP2008063517A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Corp | ポリエステルイミドおよびその製造方法 |
JP2008166554A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Du Pont Toray Co Ltd | フレキシブルプリント配線板 |
JP2009149764A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 接着性層を有するポリイミド樹脂層の製造方法及び金属張積層板の製造方法 |
TWI413460B (zh) * | 2006-08-10 | 2013-10-21 | Nippon Steel & Sumikin Chem Co | 配線基板用層合體 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62293261A patent/JPS63245988A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149227A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
WO1998008216A1 (fr) * | 1996-08-19 | 1998-02-26 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Stratifie pour suspension d'entrainement de disques durs et sa fabrication |
US6203918B1 (en) | 1996-08-19 | 2001-03-20 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Laminate for HDD suspension and its manufacture |
TWI413460B (zh) * | 2006-08-10 | 2013-10-21 | Nippon Steel & Sumikin Chem Co | 配線基板用層合體 |
JP2008063517A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Corp | ポリエステルイミドおよびその製造方法 |
JP2008166554A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Du Pont Toray Co Ltd | フレキシブルプリント配線板 |
JP2009149764A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 接着性層を有するポリイミド樹脂層の製造方法及び金属張積層板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0366824B2 (ja) | 1991-10-18 |
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