JPH0268522A - アクティブマトリックス基板 - Google Patents
アクティブマトリックス基板Info
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- JPH0268522A JPH0268522A JP63220938A JP22093888A JPH0268522A JP H0268522 A JPH0268522 A JP H0268522A JP 63220938 A JP63220938 A JP 63220938A JP 22093888 A JP22093888 A JP 22093888A JP H0268522 A JPH0268522 A JP H0268522A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 27
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示パネルに用いられるアクティブマト
リックス基板に関するものである。
リックス基板に関するものである。
従来の技術
近年、産業機器の小型化にともない従来からの表示装置
に代わる薄型平面表示装置が要望されている。種々ある
平面表示装置の中で液晶を用いた表示装置は、消費電力
が少なく、フルカラー表示が容易である点などから注目
されている。特に、表示画素の一つ一つにスイッチング
素子を設けたアクティブマトリンクス型液晶表示パネル
は表示画質が優れているため携帯用のテレビなどに応用
されている。
に代わる薄型平面表示装置が要望されている。種々ある
平面表示装置の中で液晶を用いた表示装置は、消費電力
が少なく、フルカラー表示が容易である点などから注目
されている。特に、表示画素の一つ一つにスイッチング
素子を設けたアクティブマトリンクス型液晶表示パネル
は表示画質が優れているため携帯用のテレビなどに応用
されている。
第６図は従来のアクティブマトリックス基板の構成を示
す等価回路図である。第６図において、５１は薄膜トラ
ンジスタ、５２は信号線をショート欠陥にするための金
属膜パターン、Ｘ１〜Ｘｍは走査信号線、Ｙ１〜Ｙｎは
映像信号線である。
す等価回路図である。第６図において、５１は薄膜トラ
ンジスタ、５２は信号線をショート欠陥にするための金
属膜パターン、Ｘ１〜Ｘｍは走査信号線、Ｙ１〜Ｙｎは
映像信号線である。
ところが、アクティブマトリックス基板では、基板の製
造行程中に基板に帯電する静電気によってスイッチング
素子や走査信号線と映像信号線の交差部分の１１！！縁
膜が破壊され、ショート状態になってしまうという問題
点があった。この静電気による絶縁膜の破壊防止対策と
して、従来では第６図に示すようにアクティブマトリッ
クス基板の全ての端子を金属膜パターン５２でショート
しておき、液晶パネルへの組立後この金属膜パターン５
２を切断するという方法が用いられていた。
造行程中に基板に帯電する静電気によってスイッチング
素子や走査信号線と映像信号線の交差部分の１１！！縁
膜が破壊され、ショート状態になってしまうという問題
点があった。この静電気による絶縁膜の破壊防止対策と
して、従来では第６図に示すようにアクティブマトリッ
クス基板の全ての端子を金属膜パターン５２でショート
しておき、液晶パネルへの組立後この金属膜パターン５
２を切断するという方法が用いられていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、第４図に示したような従来の静電気によ
る絶縁膜の破壊防止方法では、全ての端子がショートさ
れているためアクティブマトリックス基板の完成後、シ
ョート部分を切断するまで信号線の断線による断線欠陥
、隣合う走査信号線どうしや映像信号線どうしのショー
ト欠陥、走査信号線と映像信号線のショートといったシ
ョート欠陥を検査することはできなかった。
る絶縁膜の破壊防止方法では、全ての端子がショートさ
れているためアクティブマトリックス基板の完成後、シ
ョート部分を切断するまで信号線の断線による断線欠陥
、隣合う走査信号線どうしや映像信号線どうしのショー
ト欠陥、走査信号線と映像信号線のショートといったシ
ョート欠陥を検査することはできなかった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、静電気によ
る絶縁膜の破壊を防止し、かつ、欠陥検査が行えるアク
ティブマトリックス基板を提供することを目的としてい
る。
る絶縁膜の破壊を防止し、かつ、欠陥検査が行えるアク
ティブマトリックス基板を提供することを目的としてい
る。
課題を解決するための手段
本発明は上記した課題を解決するために、アクティブマ
トリックス基板のスイッチング素子の走査信号線および
映像信号線を各信号線群毎に信号線端で１本おきにガラ
ス基板上に形成した金属膜で接続し、走査信号線と映像
信号線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと
絶縁膜または半導体膜を介して接続するように構成した
ものである。
トリックス基板のスイッチング素子の走査信号線および
映像信号線を各信号線群毎に信号線端で１本おきにガラ
ス基板上に形成した金属膜で接続し、走査信号線と映像
信号線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと
絶縁膜または半導体膜を介して接続するように構成した
ものである。
作用
本発明は上記した構成により、アクティブマトリックス
基板における静電気による絶縁膜の破壊を防止すると共
に、信号線の断線欠陥検査と走査信号線群と映像信号線
群間のショート欠陥検査を行うことを可能とする。
基板における静電気による絶縁膜の破壊を防止すると共
に、信号線の断線欠陥検査と走査信号線群と映像信号線
群間のショート欠陥検査を行うことを可能とする。
実施例
以下、本発明の一実施例のアクティブマトリックス基板
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマト
リックス基板の構成図である。第１図において１は薄膜
トランジスタ、２は走査信号線および映像信号線の入力
端子、３は走査信号線および映像信号線をショートする
ための金属膜パターン、４は信号線の入力端子の外側に
共通電極として金属膜で形成した共通電極パターン、５
は信号線をショートさせた金属膜パターン３と共通電極
パターン４のあいだに形成した絶縁膜、Ｘｔ〜Ｘｍは走
査信号線、Ｙ１〜Ｙｎは映像信号線である。本実施例で
は第１図に示すように走査信号線と映像信号線は１本お
きに金属膜パターン３に接続し、絶縁膜５を介して共通
電極パターン４に接続されている。
リックス基板の構成図である。第１図において１は薄膜
トランジスタ、２は走査信号線および映像信号線の入力
端子、３は走査信号線および映像信号線をショートする
ための金属膜パターン、４は信号線の入力端子の外側に
共通電極として金属膜で形成した共通電極パターン、５
は信号線をショートさせた金属膜パターン３と共通電極
パターン４のあいだに形成した絶縁膜、Ｘｔ〜Ｘｍは走
査信号線、Ｙ１〜Ｙｎは映像信号線である。本実施例で
は第１図に示すように走査信号線と映像信号線は１本お
きに金属膜パターン３に接続し、絶縁膜５を介して共通
電極パターン４に接続されている。
第２図は金属膜パターン３と共通電極金属膜パターン４
の第１図のＡ部における構造図であり、第３図は第２図
のａ−ａ’部における略断面図である。第２図、第３図
で本実施例の構造を説明する。信号線の入力端子２をガ
ラス基板１０上に形成するときに同時に信号線をショー
トさせる金属膜パターン３も形成しておく。次にスイッ
チング素子を形成するときに同時に金属膜パターン３上
に絶縁Ｍ５を形成する。そして、最後に共通電極パター
ン４を信号線の補強膜とする金属膜１１を形成するとき
に同時に形成する。このように構成することでフォトマ
スクの枚数を増やすことなく静電気による絶縁膜破壊の
防止対策を行うことができる。また、第２図のｂ部で示
す信号線と金属膜パターン３の接続部分は検査終了後切
断しやすいように補強金属膜１１を形成していない。
の第１図のＡ部における構造図であり、第３図は第２図
のａ−ａ’部における略断面図である。第２図、第３図
で本実施例の構造を説明する。信号線の入力端子２をガ
ラス基板１０上に形成するときに同時に信号線をショー
トさせる金属膜パターン３も形成しておく。次にスイッ
チング素子を形成するときに同時に金属膜パターン３上
に絶縁Ｍ５を形成する。そして、最後に共通電極パター
ン４を信号線の補強膜とする金属膜１１を形成するとき
に同時に形成する。このように構成することでフォトマ
スクの枚数を増やすことなく静電気による絶縁膜破壊の
防止対策を行うことができる。また、第２図のｂ部で示
す信号線と金属膜パターン３の接続部分は検査終了後切
断しやすいように補強金属膜１１を形成していない。
第４図に本発明の第２の実施例をしめす。第４図は前記
第１図のＡ部と同じ部分の構造図であり、第５図は第４
図のｃ−ｃ’部における略断面図である。第４図、第５
図で第２の実施例の構造を説明する。信号線の入力端子
２をガラス基板１０上に形成するときに同時に信号線を
ショートさせる金属膜パターン３も形成しておく。次に
スイッチング素子を形成するときに同時に金属膜パター
ン３上に半導体膜６を形成する。そして、最後に共通電
極パターン４を信号線の補強膜とする金属膜１１を形成
するときに同時に形成する。半導体膜６は、数■の電圧
を印加して行なう欠陥検査の時などには高い抵抗値を持
っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧
が信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気
による電流を共通電極パターン４に流すことができる。
第１図のＡ部と同じ部分の構造図であり、第５図は第４
図のｃ−ｃ’部における略断面図である。第４図、第５
図で第２の実施例の構造を説明する。信号線の入力端子
２をガラス基板１０上に形成するときに同時に信号線を
ショートさせる金属膜パターン３も形成しておく。次に
スイッチング素子を形成するときに同時に金属膜パター
ン３上に半導体膜６を形成する。そして、最後に共通電
極パターン４を信号線の補強膜とする金属膜１１を形成
するときに同時に形成する。半導体膜６は、数■の電圧
を印加して行なう欠陥検査の時などには高い抵抗値を持
っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧
が信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気
による電流を共通電極パターン４に流すことができる。
このように構成することでフォトマスクの枚数を増やす
ことなく静電気による絶縁膜破壊の防止対策を行うこと
ができる。また、第４図のｄ部で示す信号線と金属膜パ
ターン３の接続部分は検査終了後レーザ光線などで切断
しゃすいように補強金属Ｄｕｌｌを形成していない。
ことなく静電気による絶縁膜破壊の防止対策を行うこと
ができる。また、第４図のｄ部で示す信号線と金属膜パ
ターン３の接続部分は検査終了後レーザ光線などで切断
しゃすいように補強金属Ｄｕｌｌを形成していない。
次に第１の実施例、第２の実施例による欠陥検査方法に
ついて説明する。信号線の断線検査は、走査信号線、映
像信号線とも片側の端子は接続されていないので、金属
膜パターン３と入力端子２プローブ針を接続し、近抗値
を測定することで検査することができる。隣合う信号線
どうしのショート欠陥検査は信号線が１本おきに金属膜
パターン３に接続されているため金属膜パターン３にプ
ローブ針を接続し、抵抗値を測定することで２つのブロ
ックについてショート欠陥検査を行うことができる。ま
た、走査信号線と映像信号線間のショート欠陥検査は、
各々の金属膜パターン３は絶縁膜５または半導体膜６を
介して接続しているので電気的に絶縁されており走査信
号線側の金属膜パターンと映像信号線側の金属膜パター
ンにプローブ針を接続し、抵抗値を測定することで当該
ブロックについてショート欠陥検査を行うことができる
。
ついて説明する。信号線の断線検査は、走査信号線、映
像信号線とも片側の端子は接続されていないので、金属
膜パターン３と入力端子２プローブ針を接続し、近抗値
を測定することで検査することができる。隣合う信号線
どうしのショート欠陥検査は信号線が１本おきに金属膜
パターン３に接続されているため金属膜パターン３にプ
ローブ針を接続し、抵抗値を測定することで２つのブロ
ックについてショート欠陥検査を行うことができる。ま
た、走査信号線と映像信号線間のショート欠陥検査は、
各々の金属膜パターン３は絶縁膜５または半導体膜６を
介して接続しているので電気的に絶縁されており走査信
号線側の金属膜パターンと映像信号線側の金属膜パター
ンにプローブ針を接続し、抵抗値を測定することで当該
ブロックについてショート欠陥検査を行うことができる
。
発明の効果
以上の説明のように本発明は、アクティブマトリ・ンク
ス基板のスイッチング素子の走査信号線および映像信号
線を各信号線群毎に信号線端で１本おきにガラス基板上
に形成した金属膜で接続し、かつ、走査信号線と映像信
号線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと絶
縁膜または半導体膜を介して接続することで、静電気に
よる絶縁膜破壊の保護を行うと共に、走査信号線、映像
信号線の断線欠陥検査やショート欠陥検査を行うことが
可能であるというすぐれた効果を有する。
ス基板のスイッチング素子の走査信号線および映像信号
線を各信号線群毎に信号線端で１本おきにガラス基板上
に形成した金属膜で接続し、かつ、走査信号線と映像信
号線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと絶
縁膜または半導体膜を介して接続することで、静電気に
よる絶縁膜破壊の保護を行うと共に、走査信号線、映像
信号線の断線欠陥検査やショート欠陥検査を行うことが
可能であるというすぐれた効果を有する。
第１図は本発明の一実施例におけるアクティブマトリッ
クス基板の構成図、第２図は第１図のＡ部の構造図、第
３図は第２図のａ−ａ’部における略断面図、第４回は
第２の実施例の構造図、第５図は第４図のｃ−ｃ’部に
おける略断面図、第６図は従来のアクティブマトリック
ス基板の構成を示す構成図である。 １・・・・・・薄膜トランジスタ、２・・・・・・入力
端子、３・・・・・・金属膜パターン、４・・・・・・
共通電極パターン、５・・・・・・絶縁膜、６・・・・
・・半導体膜、ＸＩ−Ｘｍ・・・・・・・走査信号線、
Ｙ１〜Ｙｎ・旧・・映像信号線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 第 図 第 第 図 図 ？、１／ 第 図 第 図
クス基板の構成図、第２図は第１図のＡ部の構造図、第
３図は第２図のａ−ａ’部における略断面図、第４回は
第２の実施例の構造図、第５図は第４図のｃ−ｃ’部に
おける略断面図、第６図は従来のアクティブマトリック
ス基板の構成を示す構成図である。 １・・・・・・薄膜トランジスタ、２・・・・・・入力
端子、３・・・・・・金属膜パターン、４・・・・・・
共通電極パターン、５・・・・・・絶縁膜、６・・・・
・・半導体膜、ＸＩ−Ｘｍ・・・・・・・走査信号線、
Ｙ１〜Ｙｎ・旧・・映像信号線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 第 図 第 第 図 図 ？、１／ 第 図 第 図
Claims (6)
- （１）ガラス基板上にスイッチング素子をマトリックス
状に配置したアクティブマトリックス基板であって、前
記スイッチング素子の走査信号線および映像信号線を各
信号線群毎に信号線端で１本おきに前記ガラス基板上に
形成した第１の金属膜で接続し、前記走査信号線と映像
信号線の入力端子の外側に形成した第２の金属膜のパタ
ーンの一部分が絶縁膜を介して前記第１の金属膜と重な
るように構成したことを特徴とするアクティブマトリッ
クス基板。 - （２）信号線の入力端子の外側に形成した第２の金属膜
のパターンは、前記信号線のパターン幅より十分太くし
て共通電極としたことを特徴とする請求項（１）記載の
アクティブマトリックス基板。 - （３）スイッチング素子が二端子素子、あるいは、薄膜
トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項
（１）記載のアクティブマトリックス基板。 - （４）ガラス基板上にスイッチング素子をマトリックス
状に配置したアクティブマトリックス基板であって、前
記スイッチング素子の走査信号線および映像信号線を各
信号線群毎に信号線端で１本おきに前記ガラス基板上に
形成した第１の金属膜で接続し、前記走査信号線と映像
信号線の入力端子の外側に形成した第２の金属膜のパタ
ーンの一部分が半導体膜を介して前記第１の金属膜と接
続したことを特徴とするアクティブマトリックス基板。 - （５）信号線の入力端子の外側に形成した第２の金属膜
のパターンは、前記信号線のパターン幅より十分太くし
て共通電極としたことを特徴とする請求項（４）記載の
アクティブマトリックス基板。 - （６）スイッチング素子が二端子素子、あるいは、薄膜
トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項
（４）記載のアクティブマトリックス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220938A JPH0268522A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | アクティブマトリックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220938A JPH0268522A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | アクティブマトリックス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268522A true JPH0268522A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16758911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220938A Pending JPH0268522A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | アクティブマトリックス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268522A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7619696B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-11-17 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display panel |
| CN105404065A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管数组结构 |
| CN107817634A (zh) * | 2016-09-13 | 2018-03-20 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板和包括其的显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5991479A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
| JPS61213881A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | 株式会社東芝 | スイツチマトリクス形素子の電極製造方法 |
| JPH0259727A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリックス基板 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63220938A patent/JPH0268522A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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