JPS63231709A - 磁気ヘツド - Google Patents

磁気ヘツド

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Publication number
JPS63231709A
JPS63231709A JP6662887A JP6662887A JPS63231709A JP S63231709 A JPS63231709 A JP S63231709A JP 6662887 A JP6662887 A JP 6662887A JP 6662887 A JP6662887 A JP 6662887A JP S63231709 A JPS63231709 A JP S63231709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin films
cracks
thin film
magnetic head
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6662887A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Shimizu
良昭 清水
Hiroyuki Okuda
裕之 奥田
Takao Yamano
山野 孝雄
Kazuo Ino
伊野 一夫
Kozo Ishihara
宏三 石原
Takashi Ogura
隆 小倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP6662887A priority Critical patent/JPS63231709A/ja
Publication of JPS63231709A publication Critical patent/JPS63231709A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッドに関するものであシ、特に高抗磁力
のメタルテープに対応するために磁気コアのギャップ近
傍部に高飽和磁束密度の強磁性金属薄膜を配置した所謂
複合型の磁気ヘッドに関する。
呻)従来の技術 近年、8ミリVTR(ビデオテープレコーダ)やDAT
 (デジタルオーディオテープレコーダ)等の磁気記録
再生装置においては、記録信号の高密度化が進められて
おシ、この高密度記録に対応して高残留磁束密度、高抗
磁力のメタルテープが使用されるようになっている。そ
して、この高抗磁力のメタルテープに対応する磁気ヘッ
ドとしてはギャップ近傍部をフェライトよシも飽和磁化
の大きな強磁性金属薄膜(センダスト、アモルファス合
金等)で構成した所謂複合型の磁気ヘッドが提案されて
いる。
第7図はこの従来の磁気ヘッドのテープ摺接面を示す平
面図である。この図から判るようにフェライトコア(1
)と強磁性金属薄膜(2)との接合面(3)はギャップ
形成面(4)に平行でない。これは前記接合面(3)が
擬似ギャップとして動作するのを防止するためである。
しかし乍ら、最近では第7図に示した磁気ヘッドよりも
製造が容易である第8図に示すような7ヱライトコア(
5)と強磁性金属薄膜(6)との接合面(7)がギャッ
プ形成面(8)に平行である磁気ヘッドに訃いても、特
願昭61−237669号に示されているようにガラス
溶着の際の圧力を小さくすることによって前記接合部(
7)が擬似ギャップとして動作するのを防止した磁気ヘ
ッドが提案されている。
−万、上述のような磁気ヘッドにおいては渦電流損失の
増加が重要な問題である。そして斜面型の磁気ヘッドの
場合、特開昭60−32107号公報(C)11 B5
/127 )では第9図に示すように強磁性金属薄膜(
9)を8102等の高硬度絶縁膜f111介して積層形
成することにより渦電流損失の増加を防止している。
ところが、第8図に示すような平行型の磁気ヘッドの場
合、上述と同様に強磁性金属薄膜を高硬度絶縁膜を介し
て積層形成しても強磁性金属薄膜を成膜する面とギャッ
プ形成面とが平行であることから、磁束の通る方向と積
層面とは略直交し。
渦電流損失を低減することは出来なかった。しかも、前
記高硬度絶縁膜が擬似ギャップとして動作する虞れがあ
った。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、
斜面型、平行型どちらの複合型の磁気〜ラドにおいても
、渦電流損失の低減を可能とし、しかも擬似ギャップが
生じるのを防止した磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
に)問題点を解決するための手段 強磁性酸化物よシなる一対の磁気コア半体の接合面に強
磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属薄膜同士を衝き合
わせて磁気ギャップを構成してなる複合型の磁気ヘッド
において、前記強磁性金属薄膜に膜厚方向の割れ目を形
成する。
律)作 用 上記構成に依れば1強磁性金属薄膜は割れ目によシミ気
抵抗が増加して渦電流損失が減少し、しかも前記割れ目
はギャップ形成面と平行でないため擬似ギャップとして
動作しない。
(へ)実施例 以下1図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。
第1図は本実施例の複合型の磁気〜ラドの外観を示す斜
視図、第2因はそのテープ摺接面を示す平面図である。
この磁気ヘッドはMn−Zn7エライト等の強磁性酸化
物からなる一対の磁気コア半体(11a)(111))
の哄気ギャップσ2近傍部に飽和磁束密度の大きいセン
ダスト等の強磁性金属薄膜(13fL)(131))を
配置し、トラック幅規制溝(141(141内に…」記
磁気コア半体(11&)(11b)を接合するガラスt
ts [151を充填している。前記磁気コア半体(1
11(111))と前記強磁性金属薄膜(13a)(i
3b)との接合面(19PL)(191))は前記ギャ
ップa’a形成面(16!L)(161))と平行であ
る。前記強磁性金属薄膜(16IL)(131))は前
記磁気ギ’ryグ(121形成面(16&)(16t+
)と直交する方向(膜厚方向)に形成された幅1μm弱
の割れ目(17a)(17b)により分断されている。
尚、前g8割れ目(17a)(17”)は強磁性酸化物
基板のガラス接合時に生じる。
次に、第1図に示す磁気ヘッドの製造方法、特に強磁性
酸化物基板に強磁性金属薄膜を被着する工程と1強磁性
酸化物基板をガラス接合する工程とについて説明する。
1)先ずMn−Zn系フェライトよりなる平板状の強磁
性酸化物基板■の上面(2&)に2極RFマグネトロン
型スパツタリング装置を用いて強磁性金属薄膜(13a
)を被着する。この時のスパッタリング条件は、基板−
ターゲット間距離が74−、投入電力が500W、Ar
ガスノカス圧が3XiQ−”10rrである。この条件
下でスパッタリングを終えるとその時の温度降下によシ
前記強磁性酸化物基板■より熱膨張係数の大きい強磁性
金属薄膜(13a)は引っ張り応力を持つ。
このため、前記基板■は第3因に示すように前記薄膜(
13a)が形成された上面(20a)が凹面となるよう
に反る。そして、第4図に示すようにこの強磁性酸化物
基板■の上面(20&)に溝1211加工を行いギャッ
プ形成面(16a)を形成する。
次に、第4図に示した基板を2枚用意し、その一方の上
面(20a)に前記溝(2Dと直交する巻線溝(ハ)を
加工して第1基板(24&)を作成し、他方の上面(2
01L)に前記溝(211と直交する巻線溝[有]及び
ガラス棒挿入溝(至)を加工して第2基板(241))
を作成する。そして、第5図に示すようにこの第1.第
2基板(241L )(24b )のお互いのギャップ
形成面(16!L)(16k))を対向させ、前記ガラ
ス棒挿入溝c2蓼にガラス棒@を挿入する。そして前記
第1.第2基板(243)(241))の両側から圧力
Fを加え乍ら2時間程かけて800℃まで昇温して5〜
10分放置し、前記ガラス棒(ホ)を溶かして前記第1
.第2基板(24!’ )(24b )をガラス接合す
る。この時、前記強磁性金属薄膜(1381(13’b
)には前記ギャップ形成面(161!L)(161))
と直交する方向(膜厚方間)に割れ目(17&)(17
11)が生じる。
そして、以後は周知の技術である切断、研磨加工によっ
て第1図に示す複合型の磁気ヘッドを形成する。
11)まり、前述のスパッタ装置の基板−ターゲット間
距離を72.、、に変更して強磁性酸化物基板に強磁性
金属薄膜の被着を行った場合、酊j記基板は削紀薄膜を
形成した面が生肝凸面となるように反る。このようにタ
ーゲット−基板間距離を短くした場合、スパッタリング
エネルギーが大きくなるためターゲットからの被着粒子
数が多く、シかもArガス等が被膜に混入するため、該
被膜は広がろうとする。そして、この広がろうとする力
が前述の熱膨張係数の差による引つ俣9応力より太きい
ため、前述したように前記強磁性酸化物基板はその上面
が凸面となるように反る。
セして、この凸面に反った第1.第2基板を両側から圧
力を加え乍ら昇温してガラス接合するとuIJ記薄膜に
はギャップ形成面と直交するように割れ目が発生する。
こnは薄膜形成時点では前記薄膜に広がろうとする力が
生じていてもその力が小さいために、ガラス接合時の昇
温によシ薄膜は高密度化が進んで体積は縮少し、また成
膜時に薄膜に混入したArガス等が除去され、前記薄膜
を形成した面が凹面となるためである。但し、こnは1
)で製造した磁気ヘッドに比して1割れ目の数は少なく
5割れ目の幅も小さい。
以上のように、1)薄膜形成時に既に薄膜に引つ張シ応
力を発生させておくか、それとも11)ガラス接合時の
昇温によって薄膜に引つ張シ応用が発生する程度の広が
ろうとする力を薄膜形成時に発生させておくことによっ
て強磁性金属薄膜に割れ目を形成することが出来る。
第10図は強磁性金属薄膜に割れ目を備える本実施例の
磁気〜ラドと割れ目を備えない従来の磁気ヘッドとの再
生出力の周波数特性を示す図である。この図から判るよ
うに約5MH2以上の高周波域では割れ目(17a)(
171))を有する本実施例の磁気〜ラドの方が従来の
磁気ヘッドよシも高い再生出力を得ることが出来る。
上述のような磁気ヘッドでは1強磁性金属薄膜(131
’)(131))の割れ目(17a)(17b)により
前記強磁性金属薄膜(131!L)(13b)の電気抵
抗が増加するため渦電流損失が誠少し、高周波信号の記
録、再生出力が向上する。また、前記割れ目(171L
)(171))の幅が1μm以上と大きくなると、該割
れ目(176)(171))には第1.第2基板の接合
時のガラスが充填され、前記強磁性金属薄膜(13!L
)(131))が補強され、しかも前記強磁性金属薄膜
(16a)(13t))の電気的な分離がより一階好ま
しい状態になり、渦電流損失の低減には効果大である。
また、第6図に示すように磁気ギャップazを介して対
向する強磁性金属薄膜(13a ) (131))に夫
々形成された割れ目(17!L)(171))の本数が
異なっていても、上述と同じ効果を得る。
尚、前述の場合、基板−ターゲット間距離によって基板
の反シ方を調整していたが、Arガスの圧力によっても
調整することが出来る。
(ト1 発明の効果 本発明に依れば、渦電流損失を低減させることにより高
周波領域で高い記録、再生出力を得ることが出来る磁気
ヘッドを提供し得る。・
【図面の簡単な説明】
第1因乃至第6図は本発明に係り、第1図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第2図は前記磁気ヘッドのテープ
摺接面を示す平面図、第6図、第4図及び第5因は夫々
前記磁気ヘッドの製造方法を示す図、第6図は他の実施
例の磁気ヘッドのテープ摺接面を示す平面図である。第
7図、第8図及び第9図は夫々従来の磁気ヘッドのテー
プ摺接面を示す平面図である。第10図は磁気ヘッド再
生出力の周波数特性を示す図である。 CIl&)(111))・・・磁気コア半体、(13・
・・磁気ギャップ、(13a)(131))・・・強磁
性金属薄膜、(16a)(16’b)・・・ギャップ形
成面。 (17a ) (171:+ ) ・・・割れ目、 (
lE9・・・ガラス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体の接合
    面に強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属薄膜同士を
    衝き合わせて磁気ギャップを構成してなる複合型の磁気
    ヘッドにおいて、前記強磁性金属薄膜に膜厚方向の割れ
    目を形成してなる磁気ヘッド。
JP6662887A 1987-03-20 1987-03-20 磁気ヘツド Pending JPS63231709A (ja)

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JPS63231709A true JPS63231709A (ja) 1988-09-27

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