JPS63223084A - フオトクロミツク組成物 - Google Patents

フオトクロミツク組成物

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JPS63223084A
JPS63223084A JP5615487A JP5615487A JPS63223084A JP S63223084 A JPS63223084 A JP S63223084A JP 5615487 A JP5615487 A JP 5615487A JP 5615487 A JP5615487 A JP 5615487A JP S63223084 A JPS63223084 A JP S63223084A
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JP
Japan
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cyclodextrin
spirobenzobilane
light
formula
compound
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Pending
Application number
JP5615487A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Tamaoki
敬 玉置
Shinichi Ohashi
信一 大箸
Masako Sakuragi
桜木 雅子
Kunihiro Ichimura
市村 国宏
Ikuko Arima
有馬 郁子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
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Publication of JPS63223084A publication Critical patent/JPS63223084A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/685Compositions containing spiro-condensed pyran compounds or derivatives thereof, as photosensitive substances

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトクロミック組成物に関するものであり、
更に詳細には、紫外光照射により発色し可視光照射か加
熱により元の消色状態に戻るフォトクロミック化合物を
ゲストとい γ−シクロデキストリンまたはその誘導体
をホストとする包接物から成るフォトクロミック組成物
に関するものである。
〔従来の技術〕
フォトクロミック化合物は光照射により色変化を示す特
性を持っているために、各種光情報記録材料、記憶材料
などの感光材料としての応用が試みられてきた。
数多いフォトクロミック化合物のなかてスビロベンゾビ
ラン類は最も検討されている化合物のひとっである。ス
ピロベンゾビランを含む感光材料は、一般にスピロベン
ゾビランを適当なバインダー樹脂中に分散させてフィル
ム状にするかまたは適当な支持体に塗布して作製されて
きた。こうして得られた感光材料は、紫外光照射により
発色し可視光照射か加熱により元の消色状態に戻り、可
逆的な色変化を呈する。
スピロベンゾビランを含んだフォトクロミック感光材料
はこうした特性をしめずために、消去可能な追記型光記
録材料として検討されてきた。しかしながら、スピロベ
ンゾビランに紫外光と可視光の交互照射を繰り返すか紫
外光を連続照射すると2発色状態の色濃度は弱まり遂に
は全く発色しなくなり、このことが光記録材料として利
用する際の大きな難点であった。こうしたスピロベンゾ
ビランの光劣化は、ポリメタクリル酸メチルなどのバイ
ンダー樹脂に分散させて製膜したフィルム中では、適当
な溶液媒体中よりもずっと速い0例えば、500W[高
圧水銀灯から得た紫外光と可視光の交互照射によって、
トルエン中では数十回の照射で発色状態の色濃度は最初
の半分に減少するのに対して、ポリメタクリル酸メチル
などのバインダー樹脂中では数回の照射で半分の色濃度
に減少した。この結果は、従来の技術のままではスピロ
ベンゾビランを光記録材料として使用出来ないことを示
す。
こうしたことからスピロベンゾビラン以外の。
光耐久性に優れたフォトクロミック化合物の探索がなさ
れた0式(1)に示すナフトオキサジンや式(2)に示
すフルギドがその代表的な例である。
これらの化合物はいずれもスピロベンゾビランよりも優
れた光耐久性を示すが、前者の発色状態は熱的に不安定
であり室温で直ちに消色することや。
後者は化合物としての安定性が低く湿気で分解するなど
問題も少なくなかった。
〔発明の目的〕
スピロベンゾビラン化合物から成るフォトクロミック感
光材料を書換え可能な光記録材料として用いるには、紫
外光と可視光の交互照射、または紫外光照射と加熱を交
互に行うことにより発色と消色が再現性良く繰り返し行
われることが理想である。スピロベンゾビランは発色状
態の熱的安定性や化合物としての安定性には比較的優れ
ているけれども、光照射下で劣化し易く光耐久性が不十
分である。スピロベンゾビランを有用なフォトクロミッ
ク感光材料として使用出来るようにするためには、これ
の光劣化を防止することが必要である。
〔発明の構成〕
そこで2本発明者らは、スピロベンゾビラン化合物の光
耐久性の向上について鋭意検討した結果。
下記一般式く3)で表されるスピロベンゾビラン化合物
を下記一般式(4)で表されるγ−シクロデキストリン
およびその誘導体に包接すると光劣化が著しく防止でき
光耐久性が極めて向上することを見いだした。
すなわち9本発明は、一般式(3) (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
またはアルコキシ基、R2はニトロ基、またはハロゲン
原子を示す。)で表されるスピロベンゾビラン化合物と
、一般式(4) (式中のR1は水素原子、メチル基、またはナフチル基
を含む残基、R2およびR3は水素原子またはメチル基
であり、n=8である。)で表されるγ−シクロデキス
トリンまたは修飾γ−シクロデキストリンの包接物から
なる光耐久性の高いフォトクロミック組成物を提供する
ものである。
上記一般式(3)で表されるスピロベンゾビランの例と
しては、  l’、l’、3’−)ツメチル−6ニトロ
スピロロ(2H−1−ベンゾビラン−2,2′−インド
リン〕。
1’、!’、3’−)す・メチル−5′−クロロ−6−
ニトロスピロ(2N−1−ベンゾビラン−2,2′−イ
ンドリン)、  ’1’、1’、3′−トリメチル−5
′−ブロモ−6−ニトロスピロ〔211−1−ベンゾビ
ラン−2,2′−インドリン) 、  1’、1’、3
’−トリメチル−5′−メトキシ−6−ニトロスピロ(
2+1−1−ベンゾビラン−2,21−インドリン)s
  1’、l’、3’、5’−テトラメチル−6−二ト
ロスピロ〔2ト1−ベンゾビラン−2,2′−インドリ
ン〕、または1’、1’、3’−)ジメチル−6−クロ
ロスビ口〔2ト1−ベンゾビラン−2,2′−インドリ
ン〕などが挙げられる。ここに示すスピロベンゾビラン
化合物は、水性媒体には不溶であるが、親水性または疎
水性の各種媒体に溶ける。
また、上記一般式(4)に示すメチル化γ−シクロデキ
ストリンは、ジメチルスルホキシド中でγ−シクロデキ
ストリンとヨウ化メチルとの反応によって得られ、メチ
ル基が一級および二級水酸基のいずれかまたはその両方
に1ないし24個までの任意の数だけ置換したもので、
それらの純品もしくは混合物が用いられる。また、ナフ
チル残基の置換したγ−シクロデキストリンとしては。
ピリジン中でγ−シクロデキストリンとナフタリンスル
ホニルクロリドとの反応によって得られる6−0−モノ
ナフタリンスルホニル−γ−シクロデキストリン、また
はこのスルホニル化γ−シクロデキストリンとナフタリ
ン酢酸ナトリウム塩との交換反応によって得られる6−
0−モノナフタリンアセチル−γ−シクロデキストリン
が挙げられる0本発明においては、上記スピロベンゾビ
ラン化合物と包接物を形成するシクロデキストリンとし
て、γ型のものが用いられる。αおよびβ−シクロデキ
ストリン(上記一般式(4)においてそれぞれn=6お
よびn=7である。)は、いずれも空洞半径が小さく、
該ゲスト化合物とは包接物を形成する能力を有さないた
めに不適である。
上記スピロベンゾビラン化合物をゲストとし。
上記γ−シクロデキストリンまたは修飾γ−シクロデキ
ストリンをホストとする包接物を調製するには、まず、
該ホストおよびゲスト化合物を相溶性のある溶液媒体に
溶解する。上記r−シクロデキストリンおよびその誘導
体は、メチル化γ−シクロデキストリンを除いて水性媒
体のみに溶けて該スピロベンゾビラン化合物を溶かすこ
との出来る各種媒体には不溶であるので、用いる媒体と
しては、該ホスト化合物には、水、ジメチルホルムアミ
ド、またはジメチルスルホキシド中該ゲスト化合物には
、アセトン、メタノール、エタノール、アセトニトリル
、ジオキサン、またはテトラヒドロフランなどを挙げる
ことが出来る。
包接物の調製は、3ないし51i童部の上記のγ−シク
ロデキストリンまたはその誘導体を、濃度が0.05か
ら0.1モル濃度になるように適当量の水性媒体に溶か
し、これに、1ffiffi部の該スピロベンゾビラン
化合物を前記の親水性媒体のいずれかまたはそれらの混
合媒体に溶かした溶液を加えて攪拌する。この時、ゲス
トを溶かす媒体の量はホストを溶かす媒体の量の1/3
以下が望ましい、このようにして調製したホストとゲス
トの溶液を混ぜると溶液は直ちに乳濁い 攪拌後放置す
ると沈澱が生ずる。この沈澱を濾過して集め、水性媒体
でよく洗浄した後、該スピロベンゾビラン化合物を溶か
した媒体で洗浄する。この洗浄によって、未包接のホス
トとゲストが取り除かれる。
場合によってはこの洗浄を数回繰り返す必要がある。充
分に洗浄した後乾燥することによって、包接物が固体粉
末として得られる。包接物の形成の確認は98二色スペ
クトル、粉末X線回折、または示差熱の測定から確かめ
た。
この包接物をフォトクロミック感光材料として用いるに
は、これを微粉末にして適当な支持体の上に塗布するか
、バインダー樹脂中に分散し製膜して用いることができ
る。塗布する支持体としては、ポリ(メタ)アクリル酸
メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド
、ガラス、金属、または通常の紙などを挙げることが出
来る。
また、包接物を分散させるバインダー樹脂としては、フ
ィルム形成能の優れた高分子物質であればよく2例えば
、ポリ(メタ)アクリル酸メチル。
ポリスチレン、ポリ、酢酸ビニル、ポリビニルブチラー
ル、酢酸セルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリエチレン、ポリプロピレン。
ポリアクリロニトリル、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール梅脂、フェノキシ樹脂、またはポリエステル
などを挙げることが出来る。
こうして得られた前記スピロベンゾビラン化合物と前記
のγ−シクロデキストリンまたはその誘導体の包接物か
ら成るフォトクロミック感光材料は、該スピロベンゾビ
ラン化合物だけをバインダー樹脂中に分散して得られた
従来鷲の感光材料よりも5ないし7倍の光耐久性を示し
た。また、光照射による発色および消色の速度は、従来
の感光材料と同じかそれより速い応答を示した。
本発明のフォトクロミック包接吻には2発色状態の熱安
定性を高めるために、フェノール類を第二のゲストとし
て包接することが出来る。用いるフェノール類としては
、フェノール、p−クレゾール、m−クレゾール、2−
ナフトール、または1−ナフトールなどを挙げることが
出来る。また。
該スピロピラン化合物の光耐久性を更に高めるために、
励起三重項の消光剤であるナフタレン誘導体またはナフ
タレン類似体を第二のゲストとして包接することが出来
る。用いる消光剤としては。
ナフタレン、l−ナフトニトリル、2−ナフトニトリル
、キノリン、またはイソキノリンなどを挙げることが出
来る。これらの第二のゲスト化合物を該スピロピラン化
合物の媒体中に加えて、上記と同様な操作を行うことに
よって、異なった二つのゲストを同時に該ホスト中に包
接させることが出来る。
本発明のフォトクロミック組成物は、光耐久性。
発色状態の熱安定性、および光応答速度に優れているの
で2w1塩感光材料に代わる各種光記録記憶材料、ディ
スプレー材料、光学フィルター、または玩具などの一般
のフォトクロミック材料と同様な用途に利用出来る。更
に、消去および追記可11!なレーザー感光記録記憶材
料として利用できる。
以下に、実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例1 1’、I’、3’−トリメチル−6−二トロスビロ(2
H−1−ベンゾビラン−2,2′−インドリン〕 (前
記一般式(3)においてRI=H,R2==ニトロ基)
25mgをアセトン1.5mlに溶かし、メチル化γ−
シクロデキストリン(前記一般式(4)においてR1,
R2゜Ra=CHz> 0.5gを水5mlに溶かした
。この両溶液を室温で混合攪拌した後放置すると、白色
の沈澱が生じた。得られた沈澱物を濾過して集め。
水5mlで洗浄した後、メタノール2mlで洗浄し、乾
燥した。こうして目的の包接物0.2g(収率40%)
を得た。
包接物の形成の確認は18二色性スペクトルの測定で行
った。得られた包接物は固体粉末であるため、これを赤
外分光測定用のI(B rディスク成形器で透明なKB
rのディスクとし18二色性スペクトルを測定した。発
色および消色状態のいずれにおいても吸収スペクトル領
域に誘起円二色性スペクトルが観測された。また、得ら
れた包接物の粉末X線法の回折パターンは、構成化合物
のそれぞれの回折図とは異なり2面間隔d=11.8A
にγ−シクロデキストリン包接吻に特有の強い回折ピー
クが観測された。これらの結果は、ホスト・ゲストの包
接物の形成を示す。
得られた包接物の光耐久性の評価は1次のように行った
。包接物を粉末のまま濾紙に塗布し7発色状態の可視領
域の吸収極大(λ=590nm)での吸収強度を反射ス
ペクトル法でモニターした。
濾紙に塗布する包接物の量は約5mg/cm2とし。
光定常状態での吸収強度が0D=1.0を越えないよう
にした。試料の光照射は500W#fi高圧水銀灯で行
いt 紫外光および可視光はそれぞれCorning社
製色ガラスフィルター7−51および3−73を使って
遍び出した。紫外光と可視光の交互照射の評価実験では
、!外光により光定常状態まで発色させた後、可視光に
より完全に消色状態まで戻すという操作を繰り返し行っ
た。また。
紫外光の連続照射の評価実験では、光照射中一定の時間
間隔で吸収強度を測定した。
その結果、交互照射の評価実験では、吸収強度が最初の
強度の半分になる繰り返し回数N1・2は約40回であ
った。また、連続照射の評価実験では。
吸収強度が最初の強度の半分になる時間τ1/2は16
0分であフた。いずれの場合も比較例に示すポリメタク
リル酸メチルのフィルムの場合の6倍の光耐久性を示し
た。結果を図1に示す。
実施例2,3 実施例1で使用したメチル化γ−シクロデキストリンの
代わりに、γ−シクロデキストリンおよび6−0−モノ
ナフタリンアセチル−γ−シクロデキストリン(前記一
般式(4)において、それぞれR+ + R21R2”
 Hおよび1個のR1がナフタリンアセチル基で他の全
てのRが水素原子)を用い 11,11.31−トリメ
チル−6−ニトロスピロ(2H−1−ベンゾビラン−2
,2′−インドリン〕との包接物を合成い 他の条件は
同じにして光耐久性を評価したところ、長時間光照射に
よる不可逆的な着色物質(λ−−買=δOOnm)の生
成がみられたものの。
比較例に示すポリメタクリル酸メチルのフィルムに対し
て、それぞれ4および5倍の光耐久性が得られた。結果
を図1に示す。
比較例 1’、1’、3’−トリメチル−6−ニトロスピロ(2
+1−1−ベンゾピラン−2,2′−インドリン)10
mgとポリメタアクリル酸メチル100mgをベンゼン
4mlに溶かい ガラス板上に1100Orpでスピナ
ー塗布し70℃で3時間乾燥した。この試料を実施例1
と同様の方法で光耐久性の評価を行フたところ、紫外光
と可視光の交互照射のN1・2は7回であり、連続照射
でのτl/2は25分であった。後者の結果を図1に示
す。
【図面の簡単な説明】
図面は実施例1,2.3および比較例における感光性試
料の紫外光連続照射下での発色状態の吸光度の経時変化
をしめす。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、
    またはメトキシ基、R_2はニトロ基、またはハロゲン
    原子を示す。)で表されるスピロベンゾピラン化合物を
    、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は水素原子、メチル基、またはナフチル
    基を含む残基、R_2およびR_3は水素原子またはメ
    チル基であり、n=8である。)で表されるγ−シクロ
    デキストリンまたは修飾γ−シクロデキストリンに包接
    させることを特徴とするフォトクロミック組成物。
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