JPS63221652A - センサの内部保護方法 - Google Patents
センサの内部保護方法Info
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- JPS63221652A JPS63221652A JP5605387A JP5605387A JPS63221652A JP S63221652 A JPS63221652 A JP S63221652A JP 5605387 A JP5605387 A JP 5605387A JP 5605387 A JP5605387 A JP 5605387A JP S63221652 A JPS63221652 A JP S63221652A
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Classifications
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)発明の分野
この発明は、センサユニットのケース内にある電子回路
基板を保護する方法に関する。
基板を保護する方法に関する。
(ロ)発明の青用
一般にセンサユニットにあっては、ケース内部の電子回
路基板(HICW板)を水分やゴミから保護するために
ケース内部をエポキシ樹脂などで充填する。また、基板
上にワイヤボンディングされたペアチップがあればIC
チップ、ボンディングワイヤを保護するためにシリコン
樹脂でボッティングづるのが七通である。
路基板(HICW板)を水分やゴミから保護するために
ケース内部をエポキシ樹脂などで充填する。また、基板
上にワイヤボンディングされたペアチップがあればIC
チップ、ボンディングワイヤを保護するためにシリコン
樹脂でボッティングづるのが七通である。
第5図および第6図はそのような従来のコードレスタイ
プ、コード有タイプのそれぞれセンサユニット構造を示
し、ICチップ2199がボンディングワイヤ22を用
いてボンfイングされた基板23をボッディング樹脂(
シリコン樹Iff)24で保護し、この基板23をケー
ス25に内装した状態で充j#IIIM脂(エポキシ樹
脂)26で充填している。
プ、コード有タイプのそれぞれセンサユニット構造を示
し、ICチップ2199がボンディングワイヤ22を用
いてボンfイングされた基板23をボッディング樹脂(
シリコン樹Iff)24で保護し、この基板23をケー
ス25に内装した状態で充j#IIIM脂(エポキシ樹
脂)26で充填している。
尚、27はセンサヘッド28はコードである。
このように基板23はシリコン樹脂24とエポキシ樹脂
26の二重構造となるが、ケース25への充填後にエボ
キ・シ樹11126が硬化する際に発熱してit上昇す
るため、先のシリコン樹m 24が膨張して、その状態
でエポキシ樹1!t26が硬化すると、次に温度が下降
するにつれてシリコン樹脂24が収縮して元の体積に戻
るため、シリコン樹樹脂24とエポキシ樹脂26との間
に図に見られるように空隙29が完成品に発生する。
26の二重構造となるが、ケース25への充填後にエボ
キ・シ樹11126が硬化する際に発熱してit上昇す
るため、先のシリコン樹m 24が膨張して、その状態
でエポキシ樹1!t26が硬化すると、次に温度が下降
するにつれてシリコン樹脂24が収縮して元の体積に戻
るため、シリコン樹樹脂24とエポキシ樹脂26との間
に図に見られるように空隙29が完成品に発生する。
そのためケース25に振動、w!J撃が加わると、上記
空隙29の存在故にシリコン樹脂24が移動し、ワイヤ
断線が起こる。
空隙29の存在故にシリコン樹脂24が移動し、ワイヤ
断線が起こる。
また熱衝撃が加わるとシリコン樹脂24の体積膨張と収
縮により同様にワイヤ断線が起こる。
縮により同様にワイヤ断線が起こる。
(ハ)発明の目的
この発明は、レンサ:Lニットのケース内部を中空にし
、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などのボッティング、充
填樹脂をなくすことで上記の問題を解決するセンサの内
部保護方法の提供を目的とJる。
、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などのボッティング、充
填樹脂をなくすことで上記の問題を解決するセンサの内
部保護方法の提供を目的とJる。
(ニ)発明の構成
この発明は、センサユニットのケース内部を中空とした
状態で、電子回路l板を装入したケースの間口を通気孔
を有するキャップで蓋をし、ケース内部の空気を不活性
ガスに置換したのち上記通気孔を封止するセンサの内部
保護方法であることを特徴とする。
状態で、電子回路l板を装入したケースの間口を通気孔
を有するキャップで蓋をし、ケース内部の空気を不活性
ガスに置換したのち上記通気孔を封止するセンサの内部
保護方法であることを特徴とする。
(ホ)発明の作用
この発明によれば、ケース内部が中空であるため、電子
回路基板のボンディングワイヤアが拘束されず気体中で
フリーになり振動、衝撃に強くなる。
回路基板のボンディングワイヤアが拘束されず気体中で
フリーになり振動、衝撃に強くなる。
また、不活性ガスを封入することでボンディングワイヤ
の腐蝕原因がなくなるので、該ワイ)7をAl1線から
Ap線に変更できる。
の腐蝕原因がなくなるので、該ワイ)7をAl1線から
Ap線に変更できる。
(へ)発明の効果
従って、外部からの振動、vjJ撃あるいは熱衝撃によ
るワイ曳7断線事故が発生せず、高耐衝撃性のセンサが
得られる。
るワイ曳7断線事故が発生せず、高耐衝撃性のセンサが
得られる。
ボッティング樹脂、充填樹脂の使用およびそれらの使用
作業が不要となる結果、コストダウンが行なえ、また軽
覆化、組立て効率の向上が図れる。
作業が不要となる結果、コストダウンが行なえ、また軽
覆化、組立て効率の向上が図れる。
へ1線の採用によりボンディングワイVが野川化されて
該ワイヤのダレがなくなり、一層m l+ 。
該ワイヤのダレがなくなり、一層m l+ 。
YIJ9Jに強くなる、等のメリットが発生する。
(ト)発明の実施例
以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図はコードレスタイプのセンナユニット1にこの発
明を適用した実施例であって、一端が開口されたケース
2の内奥にセンサヘッド3が適宜の手段(例えば接着剤
、テープ)で固定されると共に、ケース2の開口部には
ネジ4が切られ、これにネジ嵌合する通気孔6付きキャ
ップ5が取付りられ、tCブップ7をボンディングワイ
ヤ8を用いてボン1イングした電子回路基板(以下、基
板という)9がケース2に内装された状態でセンサヘッ
ド3とキャップ5とにわたり架設保持される。10はセ
ンナヘッド3にU板9を固定するための固定部品であり
、また基板9は他端においてキャップ5の保合孔11に
突入係合している。
明を適用した実施例であって、一端が開口されたケース
2の内奥にセンサヘッド3が適宜の手段(例えば接着剤
、テープ)で固定されると共に、ケース2の開口部には
ネジ4が切られ、これにネジ嵌合する通気孔6付きキャ
ップ5が取付りられ、tCブップ7をボンディングワイ
ヤ8を用いてボン1イングした電子回路基板(以下、基
板という)9がケース2に内装された状態でセンサヘッ
ド3とキャップ5とにわたり架設保持される。10はセ
ンナヘッド3にU板9を固定するための固定部品であり
、また基板9は他端においてキャップ5の保合孔11に
突入係合している。
このようなセンサユニット1にあって、ケース2に基板
9を内装し、かつケース開口をキャップ5で閑じた状態
から通気孔6から窒素等の不活性ガスを注入し、ケース
内部の空気をこれに置換し、その後に第2図の如くシー
リング剤12で通気孔6を封止し、またキャップ5とケ
ース2との隙間を同様に封止り゛る。
9を内装し、かつケース開口をキャップ5で閑じた状態
から通気孔6から窒素等の不活性ガスを注入し、ケース
内部の空気をこれに置換し、その後に第2図の如くシー
リング剤12で通気孔6を封止し、またキャップ5とケ
ース2との隙間を同様に封止り゛る。
このようにすれば、基板9上のボンディングワイ178
が従来のようにボッティング樹脂、充填樹脂によって拘
束されることがなくなるから、その動きが自由となって
、センサユニット1に対し外部振動、外部衝撃が加わっ
ても、その自由な動きによって振動、衝撃を吸収するこ
とかぐき、ワイヤ断線事故を生じにくくなる。
が従来のようにボッティング樹脂、充填樹脂によって拘
束されることがなくなるから、その動きが自由となって
、センサユニット1に対し外部振動、外部衝撃が加わっ
ても、その自由な動きによって振動、衝撃を吸収するこ
とかぐき、ワイヤ断線事故を生じにくくなる。
また、不活性ガスの封入によりボンディングワイヤ8の
腐蝕原因(空気酸化)がなくなるので、Aul!lから
軽分なAu線を用いることができて、ワイVのダレをな
くし、一層振動、衝撃に強いものにできる。
腐蝕原因(空気酸化)がなくなるので、Aul!lから
軽分なAu線を用いることができて、ワイVのダレをな
くし、一層振動、衝撃に強いものにできる。
勿論、従来のようなボッティング樹脂、充填樹脂の使用
がないから、センサユニット1を軽檄化できると共に、
その組立て工程を簡易化して効率を高めることができる
効果が生じる。
がないから、センサユニット1を軽檄化できると共に、
その組立て工程を簡易化して効率を高めることができる
効果が生じる。
尚、第1図および第2図ではキャップ5をねじ込み式に
しているが、第3図のようにケース開口段部2aにキャ
ップ5aを単に密嵌係合させるものとしても良い。
しているが、第3図のようにケース開口段部2aにキャ
ップ5aを単に密嵌係合させるものとしても良い。
第4図は第6図の従来のコード有タイプに対応する実施
例を示すもので、基板9をキャップ5b側では該キャッ
プとは別の基板固定部品13で支持し、基板9から導出
したコネクタビン14をキャップ5bを貫通してケース
外に突出させ、この突出コネクタビン14にコード15
をコネクタ16で連結するようにしている。
例を示すもので、基板9をキャップ5b側では該キャッ
プとは別の基板固定部品13で支持し、基板9から導出
したコネクタビン14をキャップ5bを貫通してケース
外に突出させ、この突出コネクタビン14にコード15
をコネクタ16で連結するようにしている。
この実施例によれば前述の第1図構造の効果に加え、セ
ンサユニット1がコネクタ式となることにより該センナ
ユニット故障時の取換えがコード配線をそのままにして
容易にできる利点がある。
ンサユニット1がコネクタ式となることにより該センナ
ユニット故障時の取換えがコード配線をそのままにして
容易にできる利点がある。
図面はこの発明方法の実施例を示し、
第1図はコードレスタイプのセンナユニット断面図、
第2図は通気孔をシーリング剤で封止した状態の要部断
面図、 第3図キャップ取付【ノ構造の変形例を示す要部断面図
、 第4図はコードレスタイプのセンサユニットの要部断面
図、 第5図は従来のコードレスタイプのヒンヶユニット断面
図、 第6図は従来のコード有タイプのセンサユニットの断面
図である。 1・・・センサユニット 2・・・ケース5.5a、
5b・・・キャップ 6・・・通気孔 9・・・電子回路基板12
・・・シーリング剤 第1図 コード有クイズのセンサユニットtb9が鰐面図第5図
面図、 第3図キャップ取付【ノ構造の変形例を示す要部断面図
、 第4図はコードレスタイプのセンサユニットの要部断面
図、 第5図は従来のコードレスタイプのヒンヶユニット断面
図、 第6図は従来のコード有タイプのセンサユニットの断面
図である。 1・・・センサユニット 2・・・ケース5.5a、
5b・・・キャップ 6・・・通気孔 9・・・電子回路基板12
・・・シーリング剤 第1図 コード有クイズのセンサユニットtb9が鰐面図第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、センサユニットのケース内部に電子回路基板を装備
するにあたり、 ケース内部を中空とした状態で、上記電子回路基板を装
入したケースの開口を、通気孔を有するキャップで蓋を
し、ケース内部の空気を不活性ガスに置換したのち上記
通気孔を封止するセンサの内部保護方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5605387A JPS63221652A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | センサの内部保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5605387A JPS63221652A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | センサの内部保護方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63221652A true JPS63221652A (ja) | 1988-09-14 |
Family
ID=13016338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5605387A Pending JPS63221652A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | センサの内部保護方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63221652A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10782444B2 (en) | 2016-07-13 | 2020-09-22 | Omron Corporation | Multiple-optical-axis photoelectric sensor |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP5605387A patent/JPS63221652A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10782444B2 (en) | 2016-07-13 | 2020-09-22 | Omron Corporation | Multiple-optical-axis photoelectric sensor |
EP3270189B1 (en) * | 2016-07-13 | 2023-01-11 | Omron Corporation | Multiple-optical-axis photoelectric sensor |
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