JPS63219186A - 光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ル - Google Patents
光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ルInfo
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- JPS63219186A JPS63219186A JP5188987A JP5188987A JPS63219186A JP S63219186 A JPS63219186 A JP S63219186A JP 5188987 A JP5188987 A JP 5188987A JP 5188987 A JP5188987 A JP 5188987A JP S63219186 A JPS63219186 A JP S63219186A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 18
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信において、光増幅および光波長バンド
・パス・フィルタとして用いられる、半導体レーザと光
アイソレータを内蔵するモジュールに関するものである
。
・パス・フィルタとして用いられる、半導体レーザと光
アイソレータを内蔵するモジュールに関するものである
。
従来の光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュールは
、半導体レーザをもっばら発光源として用いており、出
力光はモジュール外部に出力されるが、出力光がモジュ
ール外部の光回路素子から反射してモジュールに戻り、
再び半導体レーザに注入されることのないように光アイ
ソレータを内蔵したものであった。この内容について、
図を用いてやや詳細に説明すると、次の如くである。
、半導体レーザをもっばら発光源として用いており、出
力光はモジュール外部に出力されるが、出力光がモジュ
ール外部の光回路素子から反射してモジュールに戻り、
再び半導体レーザに注入されることのないように光アイ
ソレータを内蔵したものであった。この内容について、
図を用いてやや詳細に説明すると、次の如くである。
第３図で、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ル１には半導体レーザ２、光アイソレータ３およびレン
ズ５．６が内蔵されている。半導体レーザ２から出射し
た出力光４はレンズ５により集光され、光アイソレータ
３に順方向に入射する。光アイソレータ３から出力され
た光はレンズ６により集光されて光ファイバ７に入射し
、光フアイバ７内を伝搬して、光回路素子である光コネ
クタ８を介して次の光ファイバ９に伝搬し、最終的に、
出力光１０が得ら九る。この過程で、出力光の１／１０
００程の光が光コネクタ８において反射し、反射光１１
として光フアイバ７内を伝搬して光アイソレータ内蔵半
導体モジュール１に戻ってくる。もし、この反射光１１
がそのまま半導体レーザ２に注入されると、雑音が発生
し、通信等に悪影響を与えることになるが、反射光１１
は光アイソレータ３にとっては逆方向になるので、光ア
イソレータを通過することができず、従って、反射光１
１が半導体レーザ２に注入されることがない。
ル１には半導体レーザ２、光アイソレータ３およびレン
ズ５．６が内蔵されている。半導体レーザ２から出射し
た出力光４はレンズ５により集光され、光アイソレータ
３に順方向に入射する。光アイソレータ３から出力され
た光はレンズ６により集光されて光ファイバ７に入射し
、光フアイバ７内を伝搬して、光回路素子である光コネ
クタ８を介して次の光ファイバ９に伝搬し、最終的に、
出力光１０が得ら九る。この過程で、出力光の１／１０
００程の光が光コネクタ８において反射し、反射光１１
として光フアイバ７内を伝搬して光アイソレータ内蔵半
導体モジュール１に戻ってくる。もし、この反射光１１
がそのまま半導体レーザ２に注入されると、雑音が発生
し、通信等に悪影響を与えることになるが、反射光１１
は光アイソレータ３にとっては逆方向になるので、光ア
イソレータを通過することができず、従って、反射光１
１が半導体レーザ２に注入されることがない。
第４図および第５図に従来の光アイソレータ内蔵半導体
レーザ・モジュールの具体例を示す。ます、第４図にお
いて、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール１
２内の光アイソレータは、偏光子１３．４５°ファラデ
ー回転子１４、検光子１５および永久磁石１６から構成
（図の破線範囲内）されている。ここで、半導体レーザ
１７からの出射光の偏波面を偏光子１３の偏波面に合わ
せておき、検光子１５の偏波面とこれらと４５°回転し
た関係位置に調整、設置しておけば、半導体レーザ１７
がらの出射光は、偏光子１３．４５°ファラデー回転子
】４および検光子１５を通って、モジュール外部に出力
されるが、外部光回路素子により反射され光ファイバ１
８を介して戻ってきた反射光の偏波面は、偏光子１３の
偏波面とは９０°の角度をなすため、通過せず、半導体
レーザに再注入されることはない。
レーザ・モジュールの具体例を示す。ます、第４図にお
いて、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール１
２内の光アイソレータは、偏光子１３．４５°ファラデ
ー回転子１４、検光子１５および永久磁石１６から構成
（図の破線範囲内）されている。ここで、半導体レーザ
１７からの出射光の偏波面を偏光子１３の偏波面に合わ
せておき、検光子１５の偏波面とこれらと４５°回転し
た関係位置に調整、設置しておけば、半導体レーザ１７
がらの出射光は、偏光子１３．４５°ファラデー回転子
】４および検光子１５を通って、モジュール外部に出力
されるが、外部光回路素子により反射され光ファイバ１
８を介して戻ってきた反射光の偏波面は、偏光子１３の
偏波面とは９０°の角度をなすため、通過せず、半導体
レーザに再注入されることはない。
また、第５図において、光アイソレータは４５゜ファラ
デー回転子２１、検光子２３および永久磁石２２から構
成（図の破線範囲内）されており、第２図の例で用いら
れていた偏光子を欠いているが、ここで半導体レーザ２
０から出射される出力光の偏波は直線偏波であるので、
偏光子を設ける必要はない。また、反射光は、上記例の
場合と同様の理由により、半導体レーザ２０に再注入す
ることはない。
デー回転子２１、検光子２３および永久磁石２２から構
成（図の破線範囲内）されており、第２図の例で用いら
れていた偏光子を欠いているが、ここで半導体レーザ２
０から出射される出力光の偏波は直線偏波であるので、
偏光子を設ける必要はない。また、反射光は、上記例の
場合と同様の理由により、半導体レーザ２０に再注入す
ることはない。
しかしながら、上記従来の光アイソレータ内蔵半導体レ
ーザ・モジュールは、もっばら発光源用として構成され
ているため、光を外部から注入することができなかった
。ここで、従来技術を発展させて、第６図に示すように
、半導体レーザ２に光を外部から注入する構成をとるこ
とが考えられるが、この場合は、半導体２により増幅さ
れた光が外部の光回路で反射し、反射光が再び半導体レ
ーザ２に注入されるため、雑音が発生する。すなわち、
外部からの注入光２５は光ファイバ２６、光コネクタ２
７および光ファイバ２８を伝搬して、光アイソレータ内
蔵半導体レーザ・モジュール２９に入力される。この注
入光２５は、半導体レーザ２により増幅され、光アイソ
レータ３を通過して光ファイバ１８に入射され、出力さ
れることになるが、ここで、半導体レーザ２で増幅され
た光の中の注入口側への増幅光３０は光コネクタ２７で
反射され、反射光３１がレンズ２４を介して反射光３２
として半導体レーザ２に再注入され、雑音を発生する。
ーザ・モジュールは、もっばら発光源用として構成され
ているため、光を外部から注入することができなかった
。ここで、従来技術を発展させて、第６図に示すように
、半導体レーザ２に光を外部から注入する構成をとるこ
とが考えられるが、この場合は、半導体２により増幅さ
れた光が外部の光回路で反射し、反射光が再び半導体レ
ーザ２に注入されるため、雑音が発生する。すなわち、
外部からの注入光２５は光ファイバ２６、光コネクタ２
７および光ファイバ２８を伝搬して、光アイソレータ内
蔵半導体レーザ・モジュール２９に入力される。この注
入光２５は、半導体レーザ２により増幅され、光アイソ
レータ３を通過して光ファイバ１８に入射され、出力さ
れることになるが、ここで、半導体レーザ２で増幅され
た光の中の注入口側への増幅光３０は光コネクタ２７で
反射され、反射光３１がレンズ２４を介して反射光３２
として半導体レーザ２に再注入され、雑音を発生する。
本発明の目的は、上記従来技術にみられる欠点を解決し
た、雑音の生じない、光増幅用および光波長バンド・パ
ス・フィルタ用光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジ
ュールを提供することにある。
た、雑音の生じない、光増幅用および光波長バンド・パ
ス・フィルタ用光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジ
ュールを提供することにある。
上記目的は、半導体レーザの注入光側にも光アイソレー
タを配置することにより達成される。
タを配置することにより達成される。
半導体レーザの注入光側に光アイソレータを配置するこ
とによって、外部からの注入光は光アイソレータを通し
て半導体レーザに注入することはできるが、半導体レー
ザからの出力光は光注入側には戻らず、従って、外部光
回路素子による反射光の発生がなく、雑音が発生しない
。
とによって、外部からの注入光は光アイソレータを通し
て半導体レーザに注入することはできるが、半導体レー
ザからの出力光は光注入側には戻らず、従って、外部光
回路素子による反射光の発生がなく、雑音が発生しない
。
実施例 １
第１図は、本発明の第一の実施例を示す図である。まず
、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール３３へ
の入力光である注入光３４は、光ファイバ３５、光コネ
クタ３６および光ファイバ３７を伝搬して、レンズ３８
により集光されて光アイソレータ３９に入力される。こ
こで、光アイソレータ３９を注入光に対して順方向にし
ておけば、注入光３４は光アイソレータ３９を通過し、
通過注入光４２はレンズ４０により集光され、半導体レ
ーザ４１に注入される。
、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール３３へ
の入力光である注入光３４は、光ファイバ３５、光コネ
クタ３６および光ファイバ３７を伝搬して、レンズ３８
により集光されて光アイソレータ３９に入力される。こ
こで、光アイソレータ３９を注入光に対して順方向にし
ておけば、注入光３４は光アイソレータ３９を通過し、
通過注入光４２はレンズ４０により集光され、半導体レ
ーザ４１に注入される。
半導体レーザ４１により光増幅された増幅光４４は、光
アイソレータ４６を通過し、レンズ４７で集光され、光
ファイバ４８により外部に出力される。ここで、増幅さ
れた光は出力光ファイバ４８への方向だけでなく、入力
光ファイバ３７の方向へも出射されるが、この増幅光４
９は光アイソレータ３９に対しては逆方向となるため光
アイソレータ３９を通過せず、光コネクタ３６まで到達
しない。従って、反射光の発生もなく、反射光の半導体
レーザへ再注入による雑音の発生はない。
アイソレータ４６を通過し、レンズ４７で集光され、光
ファイバ４８により外部に出力される。ここで、増幅さ
れた光は出力光ファイバ４８への方向だけでなく、入力
光ファイバ３７の方向へも出射されるが、この増幅光４
９は光アイソレータ３９に対しては逆方向となるため光
アイソレータ３９を通過せず、光コネクタ３６まで到達
しない。従って、反射光の発生もなく、反射光の半導体
レーザへ再注入による雑音の発生はない。
実施例 ２
第２図は本発明の第二の実施例を示す図である。
光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュールに注入光
３４を入力した場合について説明すると、注入光３４は
偏波保存光ファイバ５０、光コネクタ５１および偏波保
存光ファイバ５２を介して偏光子５４を通り、さらに、
永久磁石５５を備えた４５°ファラデー回転子５５を通
過して半導体レーザ４１に入射される。
３４を入力した場合について説明すると、注入光３４は
偏波保存光ファイバ５０、光コネクタ５１および偏波保
存光ファイバ５２を介して偏光子５４を通り、さらに、
永久磁石５５を備えた４５°ファラデー回転子５５を通
過して半導体レーザ４１に入射される。
ここで、注入光なしで半導体レーザ４１を発光させた時
の偏波面と偏光子５４の偏波面とが４５°になるような
関係位置に半導体レーザ４１を固定しておくと、偏光子
５４を通過し、４５°ファラデー回転子５５で偏波面が
４５°回転した注入光４２が半導体レーザ４１に入射し
たときに最高の増幅率が得られる。次に、半導体レーザ
４１から入射光方向に出射された出力光４９は、４５°
回転子５５で偏波方向がさらに４５°回転し、偏光子５
４の偏波方向とは９０°回転した方向となるため、偏光
子５４を通過することができない。このため、出力光が
光コネクタ５１まで出力されることがなく、光コネクタ
５１からの反射光が半導体レーザ４１に再注入されるこ
とがないので、反射光による雑音は生じない。
の偏波面と偏光子５４の偏波面とが４５°になるような
関係位置に半導体レーザ４１を固定しておくと、偏光子
５４を通過し、４５°ファラデー回転子５５で偏波面が
４５°回転した注入光４２が半導体レーザ４１に入射し
たときに最高の増幅率が得られる。次に、半導体レーザ
４１から入射光方向に出射された出力光４９は、４５°
回転子５５で偏波方向がさらに４５°回転し、偏光子５
４の偏波方向とは９０°回転した方向となるため、偏光
子５４を通過することができない。このため、出力光が
光コネクタ５１まで出力されることがなく、光コネクタ
５１からの反射光が半導体レーザ４１に再注入されるこ
とがないので、反射光による雑音は生じない。
−’／ −
〔発明の効果〕
以上説明したように１本発明によれば、光増幅および光
波長バンド・パス・フィルタに用いられる光アイソレー
タ内蔵半導体レーザ・モジュールにおいて、半導体レー
ザによって増幅された光が入力光側光回路に出射される
ことがないので、入力光側外部光回路素子からの反射光
による雑音が生じないという効果がある。
波長バンド・パス・フィルタに用いられる光アイソレー
タ内蔵半導体レーザ・モジュールにおいて、半導体レー
ザによって増幅された光が入力光側光回路に出射される
ことがないので、入力光側外部光回路素子からの反射光
による雑音が生じないという効果がある。
第１図は本発明の光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モ
ジュールと、光注入回路、光出力回路を示す図、第２図
は本発明の光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ルの第２の実施例と、光注入回路、光出力回路を示す図
、第３図は従来の光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モ
ジュールと、光出力回路を示す図、第４図は光アイソレ
ータが偏光子、４５°ファラデー回転子、永久磁石およ
び検光子からなる従来の光アイソレータ内蔵半導体レー
ザ・モジュールと、光出力回路を示す図、第５図は光ア
イソレータが４５°ファラデー回転子、永久磁石および
検光子からなる従来の光アイソレータ内蔵半導体レーザ
・モジュールと、光出力回路を示す図、第６図は従来の
光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュールにおいて
、外部から注入光を注入した場合、外部光回路素子で反
射した反射光が半導体レーザに再注入されることを示す
説明図である。 １・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール ２・・・半導体レーザ ３・・・光アイソレータ４
・・・出力光 ５・・・レンズ６・・・レン
ズ ７・・光ファイバ８・・・光コネクタ
９・・・光ファイバ１０・・・出力光
１１・・・反射光１２・・・光アイソレータ内蔵半導
体レーザ・モジュール １３・・・偏光子 １４・・・４５°ファラデー回転子 １５・・検光子 １６・・・永久磁石１７・
・・半導体レーザ １８・・・光ファイバ１９・・
・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール ２０・・・半導体レーザ ２１・・・４５°ファラデー回転子 ２２・・・永久磁石 ２３・・・検光子２４・
・レンズ ２５・・・注入光２６・・・光フ
ァイバ ２７・・・光コネクタ２８・・・光ファ
イバ ２９・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ル ３０・・・増幅光 ３１・・・反射光３２・
・・反射光 ３３・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ル ３４・・・注入光 ３５・・・光ファイバ３
６・・・光コネクタ ３７・・・光ファイバ３８
・・・レンズ ３９・・・光アイソレータ４
０・・・レンズ ４１・・・半導体レーザ４
２・・・注入光 ４３・・・出力光４４・・
・増幅光 ４５・・・レンズ４６・・・光ア
イソレータ ４７・・・レンズ４８・・・出力光ファ
イバ ４９・・・増幅光５０・・・偏波保存光ファイ
バ ５】・・・光コネクタ ５２・・・偏波保存光フ
ァイバ５３・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モ
ジュール ５４・・・偏光子 ５５・・・４５°ファラデー回転子 ５６・・・永久磁石
ジュールと、光注入回路、光出力回路を示す図、第２図
は本発明の光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ルの第２の実施例と、光注入回路、光出力回路を示す図
、第３図は従来の光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モ
ジュールと、光出力回路を示す図、第４図は光アイソレ
ータが偏光子、４５°ファラデー回転子、永久磁石およ
び検光子からなる従来の光アイソレータ内蔵半導体レー
ザ・モジュールと、光出力回路を示す図、第５図は光ア
イソレータが４５°ファラデー回転子、永久磁石および
検光子からなる従来の光アイソレータ内蔵半導体レーザ
・モジュールと、光出力回路を示す図、第６図は従来の
光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュールにおいて
、外部から注入光を注入した場合、外部光回路素子で反
射した反射光が半導体レーザに再注入されることを示す
説明図である。 １・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール ２・・・半導体レーザ ３・・・光アイソレータ４
・・・出力光 ５・・・レンズ６・・・レン
ズ ７・・光ファイバ８・・・光コネクタ
９・・・光ファイバ１０・・・出力光
１１・・・反射光１２・・・光アイソレータ内蔵半導
体レーザ・モジュール １３・・・偏光子 １４・・・４５°ファラデー回転子 １５・・検光子 １６・・・永久磁石１７・
・・半導体レーザ １８・・・光ファイバ１９・・
・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュール ２０・・・半導体レーザ ２１・・・４５°ファラデー回転子 ２２・・・永久磁石 ２３・・・検光子２４・
・レンズ ２５・・・注入光２６・・・光フ
ァイバ ２７・・・光コネクタ２８・・・光ファ
イバ ２９・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ル ３０・・・増幅光 ３１・・・反射光３２・
・・反射光 ３３・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュー
ル ３４・・・注入光 ３５・・・光ファイバ３
６・・・光コネクタ ３７・・・光ファイバ３８
・・・レンズ ３９・・・光アイソレータ４
０・・・レンズ ４１・・・半導体レーザ４
２・・・注入光 ４３・・・出力光４４・・
・増幅光 ４５・・・レンズ４６・・・光ア
イソレータ ４７・・・レンズ４８・・・出力光ファ
イバ ４９・・・増幅光５０・・・偏波保存光ファイ
バ ５】・・・光コネクタ ５２・・・偏波保存光フ
ァイバ５３・・・光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モ
ジュール ５４・・・偏光子 ５５・・・４５°ファラデー回転子 ５６・・・永久磁石
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュールにお
いて、半導体レーザの注入光側に光アイソレータを配置
することにより、外部からの注入光を光アイソレータを
通して半導体レーザに注入することはできるが、半導体
レーザからの出力光は光注入側には戻らないようにした
ことを特徴とする光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モ
ジュール。 ２、光アイソレータ内蔵半導体レーザ・モジュールにお
いて、上記光アイソレータを偏光子、永久磁石および４
５°ファラデー回転子のみで構成し、偏光子を通過する
注入光の偏波面と半導体レーザからの出射光の偏波面が
４５°回転した関係になるように偏光子と半導体レーザ
を設置し、該偏光子と該半導体レーザとの間に４５°フ
ァラデー回転子を挿入する配置にしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光アイソレータ内蔵半導体
レーザ・モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188987A JPS63219186A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188987A JPS63219186A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63219186A true JPS63219186A (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=12899446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5188987A Pending JPS63219186A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63219186A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013163A1 (en) * | 1989-04-25 | 1990-11-01 | British Telecommunications Public Limited Company | High gain semiconductor laser amplifier package |
| US5210808A (en) * | 1989-07-17 | 1993-05-11 | Pirelli Cavi S.P.A. | Unit for amplifying light signals in optical fiber transmission lines |
| LT3573B (en) | 1989-07-17 | 1995-12-27 | Pirelli Cavi Spa | Unit for amplifying light signals in optical fiber transmission line |
| US7308012B2 (en) | 2003-06-27 | 2007-12-11 | Nec Corporation | Semiconductor laser module and method of assembling the same |
| US7641401B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-01-05 | Nec Corporation | Optical element holder and optical communication module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155901A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transmission system for optical fiber |
| JPS59184584A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP5188987A patent/JPS63219186A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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