JPS63216000A - 加熱乾燥手段を有するx線写真増感用蛍光体パネル - Google Patents
加熱乾燥手段を有するx線写真増感用蛍光体パネルInfo
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は医学用X線写真の直接撮影用増感スクリーン或
は間接撮影用蛍光スクリーンに関する。
は間接撮影用蛍光スクリーンに関する。
直接撮影用増感スクリーン(intensifying
5creen、一般に増感紙と呼ばれる)及び間接撮
影用蛍光スクリーン(fluorescent 5cr
een、一般に蛍光板と呼ばれる)は、X#lによって
蛍光を発する蛍光体を、X#I撮影に支障のない支持体
上に塗設し、更に形成された蛍光体層を保護層で被覆し
たものである。前記増感紙は支持体の表面にハロゲン化
銀感光層が塗設された写真感光材料(Xレイフィルム)
に密着させられて保持され、X線が照射されることによ
って発光し、写真感光材料のX#iに対する感度を間接
的に向上させでいる。また蛍光板に於てはXi像を可視
画像に変換し、これを間接撮影用カフうあるいは撮影管
等で撮影可能にしている。 前記増感紙、蛍光板等の蛍光スクリーンは一般にパネル
形態をなしているので以後の説明には両者を一括してX
線写真増感用蛍光体パネル、更に省略して蛍光体パネル
或は単にパネルと称する。 前記増感紙に使用する蛍晃体は、従来一般的に直接撮影
用Xレイフィルムの感色性がレギュラーである場合には
4000〜5000^に蛍光スペクトルを有するタング
ステン酸カルシウムを主系統とした蛍光体ユーロピウム
賦活硫酸バリウム蛍光体等が用いられ更に直接撮影用X
レイフィルムの感色性がオルソマチックの場合にはテル
ビニウムを賦活剤とした酸化硫化カドリニウム系の54
00^付近にピークを有する蛍光体等が用いられている
。また間接、撮影用Xレイフィルムの感光性はオルツマ
ティックであるので前記蛍光板は5400〜5500^
に蛍光スペクトルを有する銀を賦活剤とする硫化カドミ
ウム亜鉛系のものが使用される。 ところで前記蛍光体は、まづX線エネルギーの吸収効率
のよいこと、発光効果のよいこと、写真感光材料の感光
スペクトルを効率よくカバーする蛍光スペクトルを発す
ること、残光がなく画像の鮮鋭性、撮影揉作に支障を与
えぬことが要求される。 ここに於て、La0Br:Tb等の希土類蛍光体、Ba
FBr:Eu、 BaF(J:Eu等のアルカリ土類蛍
光体はX線の吸収効率、発光効率が高く発光スペクトル
領域も好適であり、X線写真増感用蛍光体として好しい
。 またCsl:Ha、 Csl:Tl、 RbBr:T1
等のアルカリハライド蛍光体は前記性能を備えると共に
蒸着等の気相堆積法によって容易に蛍光体層を形成でき
るので蛍光体層中の蛍光体充xA密度が100%に近く
、結着剤溶液に蛍光体粒子を懸濁、分散させた蛍光体塗
料を塗布した蛍光体層に比べ感度、粒状性及び画像の鮮
鋭性が者しく向上して好ましbl。 また更に蛍光体パネルには繰返し使用が可能であること
(耐用性)が強く要求される。 即ち、前記蛍光体パネルは、得られるX#!画像の画質
を劣化させることなく長期間あるいは多数回の繰返しの
使用に耐える性能を有することが望まれる。そのために
は前記蛍光体パネル中の蛍光体層が外部からの物理的あ
るいは化学的刺激から十分に保護される必要がある。し
かしながら蛍光体は一般に吸湿性であり、とくに前記希
土類、アルカリ土類或はアルカリハライド系の蛍光体は
吸湿性が強い、前記蛍光体層が水分を吸収すると、アル
カリ土M系蛍光体(例えばBaF[tr:Eu)等は分
解しX線に対する感度が低下する。またアルカリハライ
ド系蛍光体(例えばCsl:Ha)等は吸湿、説湿によ
’)X#iに対する感度が変動し、撮影条件が不安定と
なり、また得られるX線画像の画質の劣化をもたらすた
め、前記蛍光体層に水分が含有されないよう保護するこ
とが望まれる。 従来の蛍光体パネルにおいては、上記の問題に対処する
ため特性を犠牲にして吸湿性の少い蛍光体を選び且つ必
要に応じ蛍光体層面を保護層で被覆する方法がとられて
さた。 この保護層は、たとえば特開昭59−42500号に記
述されているように、保31層用塗布液を蛍光体層上に
直接塗布して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形
成した保護層を蛍光体層上にi着する方法により形成さ
れでいる。 しかし、前記保護層はM厚を厚くして水分の透過率を下
げようとすると画像の鮮鋭性が劣化してしまうため薄層
化する必要があり、水分の透過を完全に防止することは
不可能であった。このため前記BaFBr:Euのよう
なアルカリ土類金属系の蛍光体、Csl:Haのような
アルカリ金属系の蛍光体あるいはLa0Dr:T1蛍光
体等の吸湿性が着しい蛍光体は、吸湿による特性の劣化
が起こりこれら蛍光体はX線吸収効率、発光効率などの
緒特性が優れているにもかかわらず、X線写真増感用蛍
光体として利用することは困難であった。 前記蛍光体パネルの耐用性を向上するために特に耐湿性
防湿手段の点でのよりいっそうの改良が望まれているが
、前記保護層の透湿性を低下させるための方法以外は防
湿性に関してほとんど検討されていないのが現状である
。
5creen、一般に増感紙と呼ばれる)及び間接撮
影用蛍光スクリーン(fluorescent 5cr
een、一般に蛍光板と呼ばれる)は、X#lによって
蛍光を発する蛍光体を、X#I撮影に支障のない支持体
上に塗設し、更に形成された蛍光体層を保護層で被覆し
たものである。前記増感紙は支持体の表面にハロゲン化
銀感光層が塗設された写真感光材料(Xレイフィルム)
に密着させられて保持され、X線が照射されることによ
って発光し、写真感光材料のX#iに対する感度を間接
的に向上させでいる。また蛍光板に於てはXi像を可視
画像に変換し、これを間接撮影用カフうあるいは撮影管
等で撮影可能にしている。 前記増感紙、蛍光板等の蛍光スクリーンは一般にパネル
形態をなしているので以後の説明には両者を一括してX
線写真増感用蛍光体パネル、更に省略して蛍光体パネル
或は単にパネルと称する。 前記増感紙に使用する蛍晃体は、従来一般的に直接撮影
用Xレイフィルムの感色性がレギュラーである場合には
4000〜5000^に蛍光スペクトルを有するタング
ステン酸カルシウムを主系統とした蛍光体ユーロピウム
賦活硫酸バリウム蛍光体等が用いられ更に直接撮影用X
レイフィルムの感色性がオルソマチックの場合にはテル
ビニウムを賦活剤とした酸化硫化カドリニウム系の54
00^付近にピークを有する蛍光体等が用いられている
。また間接、撮影用Xレイフィルムの感光性はオルツマ
ティックであるので前記蛍光板は5400〜5500^
に蛍光スペクトルを有する銀を賦活剤とする硫化カドミ
ウム亜鉛系のものが使用される。 ところで前記蛍光体は、まづX線エネルギーの吸収効率
のよいこと、発光効果のよいこと、写真感光材料の感光
スペクトルを効率よくカバーする蛍光スペクトルを発す
ること、残光がなく画像の鮮鋭性、撮影揉作に支障を与
えぬことが要求される。 ここに於て、La0Br:Tb等の希土類蛍光体、Ba
FBr:Eu、 BaF(J:Eu等のアルカリ土類蛍
光体はX線の吸収効率、発光効率が高く発光スペクトル
領域も好適であり、X線写真増感用蛍光体として好しい
。 またCsl:Ha、 Csl:Tl、 RbBr:T1
等のアルカリハライド蛍光体は前記性能を備えると共に
蒸着等の気相堆積法によって容易に蛍光体層を形成でき
るので蛍光体層中の蛍光体充xA密度が100%に近く
、結着剤溶液に蛍光体粒子を懸濁、分散させた蛍光体塗
料を塗布した蛍光体層に比べ感度、粒状性及び画像の鮮
鋭性が者しく向上して好ましbl。 また更に蛍光体パネルには繰返し使用が可能であること
(耐用性)が強く要求される。 即ち、前記蛍光体パネルは、得られるX#!画像の画質
を劣化させることなく長期間あるいは多数回の繰返しの
使用に耐える性能を有することが望まれる。そのために
は前記蛍光体パネル中の蛍光体層が外部からの物理的あ
るいは化学的刺激から十分に保護される必要がある。し
かしながら蛍光体は一般に吸湿性であり、とくに前記希
土類、アルカリ土類或はアルカリハライド系の蛍光体は
吸湿性が強い、前記蛍光体層が水分を吸収すると、アル
カリ土M系蛍光体(例えばBaF[tr:Eu)等は分
解しX線に対する感度が低下する。またアルカリハライ
ド系蛍光体(例えばCsl:Ha)等は吸湿、説湿によ
’)X#iに対する感度が変動し、撮影条件が不安定と
なり、また得られるX線画像の画質の劣化をもたらすた
め、前記蛍光体層に水分が含有されないよう保護するこ
とが望まれる。 従来の蛍光体パネルにおいては、上記の問題に対処する
ため特性を犠牲にして吸湿性の少い蛍光体を選び且つ必
要に応じ蛍光体層面を保護層で被覆する方法がとられて
さた。 この保護層は、たとえば特開昭59−42500号に記
述されているように、保31層用塗布液を蛍光体層上に
直接塗布して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形
成した保護層を蛍光体層上にi着する方法により形成さ
れでいる。 しかし、前記保護層はM厚を厚くして水分の透過率を下
げようとすると画像の鮮鋭性が劣化してしまうため薄層
化する必要があり、水分の透過を完全に防止することは
不可能であった。このため前記BaFBr:Euのよう
なアルカリ土類金属系の蛍光体、Csl:Haのような
アルカリ金属系の蛍光体あるいはLa0Dr:T1蛍光
体等の吸湿性が着しい蛍光体は、吸湿による特性の劣化
が起こりこれら蛍光体はX線吸収効率、発光効率などの
緒特性が優れているにもかかわらず、X線写真増感用蛍
光体として利用することは困難であった。 前記蛍光体パネルの耐用性を向上するために特に耐湿性
防湿手段の点でのよりいっそうの改良が望まれているが
、前記保護層の透湿性を低下させるための方法以外は防
湿性に関してほとんど検討されていないのが現状である
。
本発明は、蛍光体パネルにおける前述のような現状に鑑
みてなされたものであり、本発明の目的は蛍光体層の乾
燥度を保ち、長期間にわたり良好な状態で使用が可能で
ある蛍光体パネルを提供することにある。
みてなされたものであり、本発明の目的は蛍光体層の乾
燥度を保ち、長期間にわたり良好な状態で使用が可能で
ある蛍光体パネルを提供することにある。
前記した本発明の目的は、X線照射時に蛍光を発する蛍
光体を用いるX線写真増感用蛍光体パネルに加熱乾燥手
段を組込んだことを特徴とするX線写真増感用蛍光体パ
ネルによって達成される。 尚本発明の態様として前記加熱乾燥手段は蛍光体パネル
の構成層、支持体中に含有組込まれてもよいし、発熱体
からなる層を別途設けてもよい。 次に本発明を具体的に説明する。 X#l照射照射光蛍光する蛍光体を用いる蛍光体パネル
は、一般に支持体上に蛍光体M!J(以後蛍光層と略称
する)と該蛍光層の機能を補完するための各種構成層(
例えば保5i層、フィルタ層或は接着層等)からなって
いる。 第1図に本発明の蛍光体パネルの各種態様を例示する。 第1図(a)において、1は支持体、2Hは乾燥乾燥用
発熱体(以後発熱体と略称する)が含有組込まれた発熱
蛍光層、3は保:1INJである。尚該保護層が蛍光層
の周側面まで被覆する例を示した。同図(b)は蛍光/
l!2に対する支持体1の裏面に発熱体からなる発熱層
■1が支持体1に接して設けられており、同図(c)に
おいて発熱体からなる発熱層■2は支持体に関し蛍光ノ
ー2と同側、支持体に接して設けられ、保護層3は蛍光
層2のみの全表面を被覆している。同図(d)において
1■は支持体中に発熱体が含有組込まれた発熱支持体で
ある。同図(e)においては、+13は発熱体自身が支
持体を兼ねる支持発熱体であり、保護層3が蛍光層2及
び支持発熱体H3の裏面を含め全表面を包んで被覆して
いる。 同図(f)は発熱層114が蛍光ノ1り2の上面に接し
て設けられ、同図(g)では蛍光層2が発熱層H2およ
び114に差挟まれた態様である。同図(11)は発熱
体が含有組込まれた発熱層i?11311を有する例で
ある。 本発明のパネルは上側に限らないが、発熱体からなるか
或は発熱体が含有組込まれた層が蛍光層と写真感光材料
との間に位置する場合には、該パネル該発熱体層は蛍光
に対し透明な物質が用いられる。 前記発熱体が含有組込まれた層あるいは発熱支持体には
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末を用い
られることが好しい。 また発熱体からなる発熱層には、透明な酸化インジウム
等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパッ
タリングによる薄膜、またはカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。 また、前記発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体には
、カーボンファイバシート等が用いられる。 パネルの乾燥もしくは防湿のための加熱温度範囲は40
〜150℃、好しくけ40〜80℃であって、該温度範
囲においては、支持体、保護層に非耐熱性素材(例えば
ポリエチレンテレフタレート等)使用の自由が許される
。また加熱温度が高すぎると、X#X照射時に蛍光層の
感度低下を生じたり、残光量が増大したり、写真感光材
料が熱カブリを生じたりして好しくない。 加熱の時期はX#i画像を与えるX線照射時お上り/ま
たは非照射時の任意時期でよい。乾燥に要する時間は含
湿により30%相対感度に低下したパネルに於ても80
℃で1.0〜2.0時間でほぼ100%に回復できる。 尚気相堆積による結着剤フリーの蛍光層の方が乾燥効率
(感度同夜速度)がよい。 また照射時よりも非照射時の加熱温度を高め乾燥効果を
上げる等の方策を講じてもよいし、照射時は加熱を中止
するようにしてもよい。 また使用の度毎に逐次乾燥処理を行ってもよいし、夜間
等の非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回
復不能に陥入らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を
行ってもよい。 前記した態様例のように発熱体をパネルに組込む場合、
発熱体は電流回路を形成しパネル全面に充分加熱効果を
及しうる形態及び配置に関る支障を避けた形態であれば
如何様のパターンを採ってもよい、その例を第2図に示
す、同図(a)は発熱体に均一薄層回路を形成させた例
であり、同図(b)は櫛型、同図(c)は屈曲単線型回
路とした例である。第2図においてPは電極、11は発
熱体である。 次にパネルの乾燥温度制御は熱電対等の温度検出器に温
度制御器、ヒータ用電源を組合せることによって容易に
行うことができる。第3図にその1例のブロック図を示
した。 また別個に加熱・乾燥装置を併用いてもよい。 次に本発明のパネルの除湿効率の一例を第4図に示す、
該パネルの構造は第1図(e)の仕様であり、蛍光体と
してはCsl:Ha蛍光体を用いている。 虫たPJSs図に前記パネルの蛍光層の含水率(水Wg
/輝尽層9)と蛍光発光強度の関係を示す。 図に明かなように蛍光層の加熱により、該層の除湿及び
防湿がなされ、パネルの耐用性が保証される。 本発明のパネルにおいて用いられる支持体としては各種
高分子材料、ガラス、ウール、木綿、紙、金属等が用い
られ、またそれらの組合せとしてもよい。情報記録材料
としての取扱い上可撓性のあるシート或いはウェブに加
工できるものでもよく、この点から例えばセルロースア
セテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボ
ネイトフィルム等のプラスチックフィルムが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μl〜1000μ野であ
り、取扱い上の点から、さらに好ましくは150μl〜
500μlである。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、蛍光層と
の接着性を向上させる目的でマット面としてもよいしま
た下引層を設けてもよい。 本発明の蛍光体パネルに用いられる蛍光体としては、 Y20□S:TI)、 Gd20zS:Tb、 La
20□S:Tb、 (Y、Gd)202S:T b 、
(Y = G d ) 202 S ’、 T b
、T m 、 Y 202 S ’、 E u S
G d 202 S ”、 E u 。 (Y、Gd)J2S:EuS Y2O3:Eu、Gd2
0=:Eu、(Y−Gd)20*:Eu、 YVO,:
Eu5YPO,:Tb、 GdPO,:Tl+、LaP
O,:Tb。 YPO4:Eu、 Later:Tb、 La0Br:
Tb、Tw、La0Cj!:Tb。 La01J:Tb、Tm、 Gd0Br:Tb、 Gd
0Cj!:Tb、 CaWO4、CaWO:PbS M
g1llO,、ロash、:Pb、 Ba5O,:E
u”、 (Ba−Sr)SO。 a E 、 2 +、[la:+(POn)z:Eu2
+、(Da、5r)s(PO<)、:IEu”、BaF
Cl:Eu”、 BaFBr : E u ” ”、
DaFCCEu”、Tb、 BaFBr:Eu”=T
b、 BaF2.口ac12−KCI:Eu2”、
DaFz−1)aC12−BaSO4,KCCEu”、
(Ba、Mg)F2.BaC12tKC1:Eu”、C
sl:Na、 Csl:TI、RbBr:T1、RbB
r、CsBr:T1、Nal、ZnS:^g、 (Zn
yCd)S:^g、 ZnS:Cu、 ZnS:Cu、
^11(Zn、Cd)S:Cu、(Zn、Cd)S:C
u、^1.(Zn、Cd)S:^U、^l、nrpto
フ:Cu等のX#i蛍光体があげられる。 しかし、本発明のパネルに用いられる蛍光体は、前述の
蛍光体に限られるものではなく、X線照射時に発光を示
す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。 上記蛍光体のうち特に水分に弱い蛍光体は、La0tl
r:Tb:系蛍光体、アルカリ土類金属系蛍光体、アル
カリ金属系蛍光体であり、これら蛍光体に本発明を適用
するとその効果は特に大きい。 本発明のパネルは前記の蛍光体の少なくとも一種類を含
む一つ若しくは二つ以上の蛍光層から成る蛍光層群を有
してもよい。また、それぞれの蛍光層に含まれる蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 前記蛍光層は、特開昭61−73100号に述べられて
いるように蛍光体を蒸着法、スパッタリング法等の方法
を用いることにより結着剤を含有しない層状構成として
支持体上に形成してもよいし、蛍光体を適当な結着剤中
に分散して塗布液を調製し、それを支持体上に塗布する
ことにより形成してもよい。この時蛍光体粒子の平均粒
径は0.1〜100μl、好しくは0.5〜30μ肩で
ある。本発明のパネルにおいて、結着剤を用いる場合に
は、例えばゼラチンの如き蛋白質、デキストランの如き
ポリサッカライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチ
ラード、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセ
ルロース、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマ、ポリ
メチルメタクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリ
マ、ポリウレタン、セルロースアセテートブチラード、
ポリビニルアルコール等のような通常層構成に用いられ
る結着剤が使用される。 しかし、本発明のパネルに関しては、とくに前記特開昭
61−73100号において提案されているように、蛍
光層が結着剤を含有しない構造を有することが好ましい
。結着剤を含有しない蛍光層の形成法としては、以下の
ような方法があげられる。 第1の方法として蒸着法がある。該方法においては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して1
0−’Torr程度の真空度とする。次いで、前記蛍光
体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム
法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない蛍光層が形成されるが、
前記蒸着工程では複数回に分けて蛍光層を形成すること
も可能である。また、前記蒸潰工程では複数の抵抗加熱
器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。 また、前記蒸着法においては、蛍光体原料を複数の抵抗
加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、
支持体上で目的とする蛍光体を合成すると同時に蛍光層
を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了
後蛍光層を加熱処理してもよい。 第2の方法としてスパッタリング法がある。該方法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に装置
した後装置内を一旦排気して1O−6Torr程度の真
空度とし、次いでスパッタリング用のがスとしで^ry
Ne等の不活性〃スをスパッタ装置内に導入して10−
’Torr程度のガス圧とする。 次に、前記蛍光体をターデフトとして、スパッタリング
することにより、前記支持体表面に蛍光体を所望の厚さ
に堆積させ、前記蒸着法と同様に蛍光層を形成すること
ができる。 第3の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする
蛍光体あるいは蛍光体原料を含有する有機金属化合物を
熱、高周波電力等のエネルギで分解することにより、支
持体上に結着剤を含有しない蛍光層を得る。 第4の方法として吹着は法がある。該方法は蛍光体粉末
を粘着層上に吹き着けることにより支持体上に結着剤を
含有しない蛍光層を得る。 本発明のパネルの蛍光層の層厚は、目的とするパネルの
XMに対する感度、蛍光体の種類等によって異なるが、
結着剤を含有しない場合で60μ麓〜1000μRのa
n、さらに好ましくは100μl〜800μlの範囲か
ら選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合で10
0μR〜1000μlの範囲、さらに好ましくは100
μx〜500μlの範囲から選ばれるのが好ましい。 本発明に於ては前記のような保護層を設けることが好ま
しい、保護層用材料としては、たとえば酢酸セルロース
、ニトロセルロース、エチルセルロースなどのセルロー
ス誘導体、あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリロニトリル
、ポリメチルアリルアルコール、ポリメチルビニルケト
ン、セルロースノアセテート、セルローストリアセテー
ト、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリツタ
クリル酸、ボリグリンン、ポリアクリル7ミド、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
塩化ビニル、ポリアミド(ナイロン)、ポリ四弗化エチ
レン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプロピレン、四
弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体、ポリビニル
イソブチルエーテル、ポリスチレンなどがあげられる。 また、特開昭61−176900号に述べられているよ
うに放射線硬化型樹脂または熱硬化型tMWIの少な(
ともいずれか一方を含有する塗布液を保護層を設置すべ
き面に塗布し、特開昭61−176900号に示したよ
うな装置を用いて紫外線あるいは電子線などの放射線の
照射および/または加熱を施して前記塗布液を硬化させ
てもよい。 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を2個以上有
するプレポリマおよび/またはオリゴマであり、さらに
、これらに不飽和二重結合を有する単量体(ビニルモノ
マ)を反応性希釈剤として含有させることができる。 前記のように形成される保護層の一層の層厚は0.5μ
l〜1000μl程度、さらに好ましくは1μl〜50
μ屑程度の範囲にあることが好ましい、またSin、。 SiC,Sin、へ1201等のSa物質層を真空蒸着
法、スパッタリング法等により形成してもよい。前記熊
磯物111層の/W厚は0.1μm−10μl程度が好
ましい。 本発明のパネルは、支持体上に蛍光層を設けた後に該蛍
光層上に保護層を形成して製造してもよいし、あらかじ
め形成した保護層を前記蛍光層上に付設して製造しても
よい、あるいは保1ffi上に蛍光層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。 尚保護層には蛍光スペクトル領域に有害な吸収がないこ
とが好ましい。
光体を用いるX線写真増感用蛍光体パネルに加熱乾燥手
段を組込んだことを特徴とするX線写真増感用蛍光体パ
ネルによって達成される。 尚本発明の態様として前記加熱乾燥手段は蛍光体パネル
の構成層、支持体中に含有組込まれてもよいし、発熱体
からなる層を別途設けてもよい。 次に本発明を具体的に説明する。 X#l照射照射光蛍光する蛍光体を用いる蛍光体パネル
は、一般に支持体上に蛍光体M!J(以後蛍光層と略称
する)と該蛍光層の機能を補完するための各種構成層(
例えば保5i層、フィルタ層或は接着層等)からなって
いる。 第1図に本発明の蛍光体パネルの各種態様を例示する。 第1図(a)において、1は支持体、2Hは乾燥乾燥用
発熱体(以後発熱体と略称する)が含有組込まれた発熱
蛍光層、3は保:1INJである。尚該保護層が蛍光層
の周側面まで被覆する例を示した。同図(b)は蛍光/
l!2に対する支持体1の裏面に発熱体からなる発熱層
■1が支持体1に接して設けられており、同図(c)に
おいて発熱体からなる発熱層■2は支持体に関し蛍光ノ
ー2と同側、支持体に接して設けられ、保護層3は蛍光
層2のみの全表面を被覆している。同図(d)において
1■は支持体中に発熱体が含有組込まれた発熱支持体で
ある。同図(e)においては、+13は発熱体自身が支
持体を兼ねる支持発熱体であり、保護層3が蛍光層2及
び支持発熱体H3の裏面を含め全表面を包んで被覆して
いる。 同図(f)は発熱層114が蛍光ノ1り2の上面に接し
て設けられ、同図(g)では蛍光層2が発熱層H2およ
び114に差挟まれた態様である。同図(11)は発熱
体が含有組込まれた発熱層i?11311を有する例で
ある。 本発明のパネルは上側に限らないが、発熱体からなるか
或は発熱体が含有組込まれた層が蛍光層と写真感光材料
との間に位置する場合には、該パネル該発熱体層は蛍光
に対し透明な物質が用いられる。 前記発熱体が含有組込まれた層あるいは発熱支持体には
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末を用い
られることが好しい。 また発熱体からなる発熱層には、透明な酸化インジウム
等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパッ
タリングによる薄膜、またはカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。 また、前記発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体には
、カーボンファイバシート等が用いられる。 パネルの乾燥もしくは防湿のための加熱温度範囲は40
〜150℃、好しくけ40〜80℃であって、該温度範
囲においては、支持体、保護層に非耐熱性素材(例えば
ポリエチレンテレフタレート等)使用の自由が許される
。また加熱温度が高すぎると、X#X照射時に蛍光層の
感度低下を生じたり、残光量が増大したり、写真感光材
料が熱カブリを生じたりして好しくない。 加熱の時期はX#i画像を与えるX線照射時お上り/ま
たは非照射時の任意時期でよい。乾燥に要する時間は含
湿により30%相対感度に低下したパネルに於ても80
℃で1.0〜2.0時間でほぼ100%に回復できる。 尚気相堆積による結着剤フリーの蛍光層の方が乾燥効率
(感度同夜速度)がよい。 また照射時よりも非照射時の加熱温度を高め乾燥効果を
上げる等の方策を講じてもよいし、照射時は加熱を中止
するようにしてもよい。 また使用の度毎に逐次乾燥処理を行ってもよいし、夜間
等の非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回
復不能に陥入らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を
行ってもよい。 前記した態様例のように発熱体をパネルに組込む場合、
発熱体は電流回路を形成しパネル全面に充分加熱効果を
及しうる形態及び配置に関る支障を避けた形態であれば
如何様のパターンを採ってもよい、その例を第2図に示
す、同図(a)は発熱体に均一薄層回路を形成させた例
であり、同図(b)は櫛型、同図(c)は屈曲単線型回
路とした例である。第2図においてPは電極、11は発
熱体である。 次にパネルの乾燥温度制御は熱電対等の温度検出器に温
度制御器、ヒータ用電源を組合せることによって容易に
行うことができる。第3図にその1例のブロック図を示
した。 また別個に加熱・乾燥装置を併用いてもよい。 次に本発明のパネルの除湿効率の一例を第4図に示す、
該パネルの構造は第1図(e)の仕様であり、蛍光体と
してはCsl:Ha蛍光体を用いている。 虫たPJSs図に前記パネルの蛍光層の含水率(水Wg
/輝尽層9)と蛍光発光強度の関係を示す。 図に明かなように蛍光層の加熱により、該層の除湿及び
防湿がなされ、パネルの耐用性が保証される。 本発明のパネルにおいて用いられる支持体としては各種
高分子材料、ガラス、ウール、木綿、紙、金属等が用い
られ、またそれらの組合せとしてもよい。情報記録材料
としての取扱い上可撓性のあるシート或いはウェブに加
工できるものでもよく、この点から例えばセルロースア
セテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボ
ネイトフィルム等のプラスチックフィルムが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μl〜1000μ野であ
り、取扱い上の点から、さらに好ましくは150μl〜
500μlである。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、蛍光層と
の接着性を向上させる目的でマット面としてもよいしま
た下引層を設けてもよい。 本発明の蛍光体パネルに用いられる蛍光体としては、 Y20□S:TI)、 Gd20zS:Tb、 La
20□S:Tb、 (Y、Gd)202S:T b 、
(Y = G d ) 202 S ’、 T b
、T m 、 Y 202 S ’、 E u S
G d 202 S ”、 E u 。 (Y、Gd)J2S:EuS Y2O3:Eu、Gd2
0=:Eu、(Y−Gd)20*:Eu、 YVO,:
Eu5YPO,:Tb、 GdPO,:Tl+、LaP
O,:Tb。 YPO4:Eu、 Later:Tb、 La0Br:
Tb、Tw、La0Cj!:Tb。 La01J:Tb、Tm、 Gd0Br:Tb、 Gd
0Cj!:Tb、 CaWO4、CaWO:PbS M
g1llO,、ロash、:Pb、 Ba5O,:E
u”、 (Ba−Sr)SO。 a E 、 2 +、[la:+(POn)z:Eu2
+、(Da、5r)s(PO<)、:IEu”、BaF
Cl:Eu”、 BaFBr : E u ” ”、
DaFCCEu”、Tb、 BaFBr:Eu”=T
b、 BaF2.口ac12−KCI:Eu2”、
DaFz−1)aC12−BaSO4,KCCEu”、
(Ba、Mg)F2.BaC12tKC1:Eu”、C
sl:Na、 Csl:TI、RbBr:T1、RbB
r、CsBr:T1、Nal、ZnS:^g、 (Zn
yCd)S:^g、 ZnS:Cu、 ZnS:Cu、
^11(Zn、Cd)S:Cu、(Zn、Cd)S:C
u、^1.(Zn、Cd)S:^U、^l、nrpto
フ:Cu等のX#i蛍光体があげられる。 しかし、本発明のパネルに用いられる蛍光体は、前述の
蛍光体に限られるものではなく、X線照射時に発光を示
す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。 上記蛍光体のうち特に水分に弱い蛍光体は、La0tl
r:Tb:系蛍光体、アルカリ土類金属系蛍光体、アル
カリ金属系蛍光体であり、これら蛍光体に本発明を適用
するとその効果は特に大きい。 本発明のパネルは前記の蛍光体の少なくとも一種類を含
む一つ若しくは二つ以上の蛍光層から成る蛍光層群を有
してもよい。また、それぞれの蛍光層に含まれる蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 前記蛍光層は、特開昭61−73100号に述べられて
いるように蛍光体を蒸着法、スパッタリング法等の方法
を用いることにより結着剤を含有しない層状構成として
支持体上に形成してもよいし、蛍光体を適当な結着剤中
に分散して塗布液を調製し、それを支持体上に塗布する
ことにより形成してもよい。この時蛍光体粒子の平均粒
径は0.1〜100μl、好しくは0.5〜30μ肩で
ある。本発明のパネルにおいて、結着剤を用いる場合に
は、例えばゼラチンの如き蛋白質、デキストランの如き
ポリサッカライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチ
ラード、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセ
ルロース、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマ、ポリ
メチルメタクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリ
マ、ポリウレタン、セルロースアセテートブチラード、
ポリビニルアルコール等のような通常層構成に用いられ
る結着剤が使用される。 しかし、本発明のパネルに関しては、とくに前記特開昭
61−73100号において提案されているように、蛍
光層が結着剤を含有しない構造を有することが好ましい
。結着剤を含有しない蛍光層の形成法としては、以下の
ような方法があげられる。 第1の方法として蒸着法がある。該方法においては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して1
0−’Torr程度の真空度とする。次いで、前記蛍光
体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム
法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない蛍光層が形成されるが、
前記蒸着工程では複数回に分けて蛍光層を形成すること
も可能である。また、前記蒸潰工程では複数の抵抗加熱
器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。 また、前記蒸着法においては、蛍光体原料を複数の抵抗
加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、
支持体上で目的とする蛍光体を合成すると同時に蛍光層
を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了
後蛍光層を加熱処理してもよい。 第2の方法としてスパッタリング法がある。該方法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に装置
した後装置内を一旦排気して1O−6Torr程度の真
空度とし、次いでスパッタリング用のがスとしで^ry
Ne等の不活性〃スをスパッタ装置内に導入して10−
’Torr程度のガス圧とする。 次に、前記蛍光体をターデフトとして、スパッタリング
することにより、前記支持体表面に蛍光体を所望の厚さ
に堆積させ、前記蒸着法と同様に蛍光層を形成すること
ができる。 第3の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする
蛍光体あるいは蛍光体原料を含有する有機金属化合物を
熱、高周波電力等のエネルギで分解することにより、支
持体上に結着剤を含有しない蛍光層を得る。 第4の方法として吹着は法がある。該方法は蛍光体粉末
を粘着層上に吹き着けることにより支持体上に結着剤を
含有しない蛍光層を得る。 本発明のパネルの蛍光層の層厚は、目的とするパネルの
XMに対する感度、蛍光体の種類等によって異なるが、
結着剤を含有しない場合で60μ麓〜1000μRのa
n、さらに好ましくは100μl〜800μlの範囲か
ら選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合で10
0μR〜1000μlの範囲、さらに好ましくは100
μx〜500μlの範囲から選ばれるのが好ましい。 本発明に於ては前記のような保護層を設けることが好ま
しい、保護層用材料としては、たとえば酢酸セルロース
、ニトロセルロース、エチルセルロースなどのセルロー
ス誘導体、あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリロニトリル
、ポリメチルアリルアルコール、ポリメチルビニルケト
ン、セルロースノアセテート、セルローストリアセテー
ト、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリツタ
クリル酸、ボリグリンン、ポリアクリル7ミド、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
塩化ビニル、ポリアミド(ナイロン)、ポリ四弗化エチ
レン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプロピレン、四
弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体、ポリビニル
イソブチルエーテル、ポリスチレンなどがあげられる。 また、特開昭61−176900号に述べられているよ
うに放射線硬化型樹脂または熱硬化型tMWIの少な(
ともいずれか一方を含有する塗布液を保護層を設置すべ
き面に塗布し、特開昭61−176900号に示したよ
うな装置を用いて紫外線あるいは電子線などの放射線の
照射および/または加熱を施して前記塗布液を硬化させ
てもよい。 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を2個以上有
するプレポリマおよび/またはオリゴマであり、さらに
、これらに不飽和二重結合を有する単量体(ビニルモノ
マ)を反応性希釈剤として含有させることができる。 前記のように形成される保護層の一層の層厚は0.5μ
l〜1000μl程度、さらに好ましくは1μl〜50
μ屑程度の範囲にあることが好ましい、またSin、。 SiC,Sin、へ1201等のSa物質層を真空蒸着
法、スパッタリング法等により形成してもよい。前記熊
磯物111層の/W厚は0.1μm−10μl程度が好
ましい。 本発明のパネルは、支持体上に蛍光層を設けた後に該蛍
光層上に保護層を形成して製造してもよいし、あらかじ
め形成した保護層を前記蛍光層上に付設して製造しても
よい、あるいは保1ffi上に蛍光層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。 尚保護層には蛍光スペクトル領域に有害な吸収がないこ
とが好ましい。
次に、実施例によって本発明を説明する。
実施例1
支持体として500μβ厚の化学強化がラスを蒸着器中
に設置した。次に抵抗加熱用のタングステンポート中に
アルカリハライド蛍光体(CsI:0,003Na)を
入れ0、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排
気して2X 10−’Torrの真空度とした。 次にタングステンポートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド蛍光体を蒸発させ化学強化プラス
上に蛍光層の層厚が300μ屑の厚さになる虫で堆積さ
せた。 次にこのパネルを大気中に取出した後、化学強化ガラス
の輝尽層の設けられていない面に、ポリイミドフィルム
上にITOを蒸着した導電膜シート(ミクロ技術研究所
製、10Ω/口)を接着し、また蛍光層表面には20μ
麓厚の透明ポリエチレンテレ7タレートンーFを接着し
て、第1図(b)に示した横道の本発明のパネル^を得
た。 このパネル^に電極と第3図の様な温度制御回路を取付
け、80℃に蛍光層を加熱しながら、30℃、相対湿度
70%の恒温室に放置し、経時による感度変化を測定し
た結果を第6図曲線aに示す。 実施例2 実施例1において、蛍光層の加熱を140℃にした以外
は実施例1と同様にして経時による感度変化を測定し、
第6図曲線すをえた。 実施例3 実施例1において、支持体として予め蛍光層を設ける側
に透明導電WA(1丁0,10Ω/口)が蒸着されてい
る500μl厚の化学強化がラスを用いた以外は実施例
1と同様にして本発明のパネルBを得た。 尚透明導電膜上には透明導電膜と蛍光体との反応を防止
するためのSiO膜(2000^)が設けである0次に
このパネルBの経時による感度変化を実施例1と同様に
して測定し、第6図曲線Cとして示す。 比較例1 実施例1で作製したパネル^の蛍光層を加熱しないで3
0℃で相対温度70%の恒温室に放置し、経時による感
度変化を測定した結果を第6図曲#Ipとして示す。 第6図より、本発明のパネルは蛍光層を加熱することに
よって吸湿による感度の低下を防止し、耐用性が保証さ
れる。 実施例4 アルカリハライド蛍光体(0,9R+)口r−0,fc
sl:0.0001/Tl)8 fflffl部とポリ
ビニルブチラール樹脂1重量部と溶剤(シクロヘキサノ
ン)5重量部を用いて混合・分散し、蛍光層用塗布液を
7!!491シた。 次にこの塗布液を水平に置いた500μl厚の化学強化
プラス支持体上に均一に塗布し、自然乾燥させて300
μl厚の輝尽層を形成した。 このようにしで得られたパネルの化学強化ガラスの蛍光
層の設けられていない面に実施例1と同様の導電性シー
トを接着し、また蛍光7@表面には20μl厚の透明ポ
リエチレンテレフタレートシートを接着して本発明のパ
ネルCを得た。 実施例1のパネル八と本実施例のパネルCとを30℃で
相対湿度80%の恒温室に十分長期間放置した後、30
℃で相対湿度60%の恒温室に取り出し、第3図の様な
温度制御回路を取付け、蛍光層を80℃に加熱して前記
パネル^、Cの感度回復の様子を調べた。結果を第8図
曲11Ad(、jネル^)、曲線e(パネルC)として
示す。 比較例2 実施例1のパネル^を実施例4と同様に30℃で相対湿
度80%の恒温室に十分長期間放置した後、30℃で相
対湿度60%の恒温室に取り出し、蛍光層を加熱しない
で前記パネルへの感度回復の様子を調べた。結果を第7
図曲Mqとして示す。 第7図より、本発明のパネルは吸湿によ゛り一旦感度が
低下しても、蛍光層の加熱により感度が回復することが
わかる。尚、本発明のパネルのうちパネル^は蛍光層に
結着剤を含んでいないので、感度の回復が早い。 r発明の効果】 以上述べたように加熱Rvjを内蔵させた本発明のパネ
ルは、 (1) 加熱することにより、蛍光体への水分の吸着
が防止され、放射線に対する感度の低下が阻止される。 (2)加熱することにより蛍光体に吸着された水分が放
出され、水分吸着による蛍光体の劣化性能が回復する。 (3)加熱することにより、長寿命残光を引きおこすト
ラップレベルが減少してS/Nが向上する。 等の好ましい挙動を有し、パネルの耐用性が上る。
に設置した。次に抵抗加熱用のタングステンポート中に
アルカリハライド蛍光体(CsI:0,003Na)を
入れ0、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排
気して2X 10−’Torrの真空度とした。 次にタングステンポートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド蛍光体を蒸発させ化学強化プラス
上に蛍光層の層厚が300μ屑の厚さになる虫で堆積さ
せた。 次にこのパネルを大気中に取出した後、化学強化ガラス
の輝尽層の設けられていない面に、ポリイミドフィルム
上にITOを蒸着した導電膜シート(ミクロ技術研究所
製、10Ω/口)を接着し、また蛍光層表面には20μ
麓厚の透明ポリエチレンテレ7タレートンーFを接着し
て、第1図(b)に示した横道の本発明のパネル^を得
た。 このパネル^に電極と第3図の様な温度制御回路を取付
け、80℃に蛍光層を加熱しながら、30℃、相対湿度
70%の恒温室に放置し、経時による感度変化を測定し
た結果を第6図曲線aに示す。 実施例2 実施例1において、蛍光層の加熱を140℃にした以外
は実施例1と同様にして経時による感度変化を測定し、
第6図曲線すをえた。 実施例3 実施例1において、支持体として予め蛍光層を設ける側
に透明導電WA(1丁0,10Ω/口)が蒸着されてい
る500μl厚の化学強化がラスを用いた以外は実施例
1と同様にして本発明のパネルBを得た。 尚透明導電膜上には透明導電膜と蛍光体との反応を防止
するためのSiO膜(2000^)が設けである0次に
このパネルBの経時による感度変化を実施例1と同様に
して測定し、第6図曲線Cとして示す。 比較例1 実施例1で作製したパネル^の蛍光層を加熱しないで3
0℃で相対温度70%の恒温室に放置し、経時による感
度変化を測定した結果を第6図曲#Ipとして示す。 第6図より、本発明のパネルは蛍光層を加熱することに
よって吸湿による感度の低下を防止し、耐用性が保証さ
れる。 実施例4 アルカリハライド蛍光体(0,9R+)口r−0,fc
sl:0.0001/Tl)8 fflffl部とポリ
ビニルブチラール樹脂1重量部と溶剤(シクロヘキサノ
ン)5重量部を用いて混合・分散し、蛍光層用塗布液を
7!!491シた。 次にこの塗布液を水平に置いた500μl厚の化学強化
プラス支持体上に均一に塗布し、自然乾燥させて300
μl厚の輝尽層を形成した。 このようにしで得られたパネルの化学強化ガラスの蛍光
層の設けられていない面に実施例1と同様の導電性シー
トを接着し、また蛍光7@表面には20μl厚の透明ポ
リエチレンテレフタレートシートを接着して本発明のパ
ネルCを得た。 実施例1のパネル八と本実施例のパネルCとを30℃で
相対湿度80%の恒温室に十分長期間放置した後、30
℃で相対湿度60%の恒温室に取り出し、第3図の様な
温度制御回路を取付け、蛍光層を80℃に加熱して前記
パネル^、Cの感度回復の様子を調べた。結果を第8図
曲11Ad(、jネル^)、曲線e(パネルC)として
示す。 比較例2 実施例1のパネル^を実施例4と同様に30℃で相対湿
度80%の恒温室に十分長期間放置した後、30℃で相
対湿度60%の恒温室に取り出し、蛍光層を加熱しない
で前記パネルへの感度回復の様子を調べた。結果を第7
図曲Mqとして示す。 第7図より、本発明のパネルは吸湿によ゛り一旦感度が
低下しても、蛍光層の加熱により感度が回復することが
わかる。尚、本発明のパネルのうちパネル^は蛍光層に
結着剤を含んでいないので、感度の回復が早い。 r発明の効果】 以上述べたように加熱Rvjを内蔵させた本発明のパネ
ルは、 (1) 加熱することにより、蛍光体への水分の吸着
が防止され、放射線に対する感度の低下が阻止される。 (2)加熱することにより蛍光体に吸着された水分が放
出され、水分吸着による蛍光体の劣化性能が回復する。 (3)加熱することにより、長寿命残光を引きおこすト
ラップレベルが減少してS/Nが向上する。 等の好ましい挙動を有し、パネルの耐用性が上る。
mi図は本発明のパネルの態様例の断面図である。m2
図は発熱体の回路パターンを示す図、第3図は温度制御
のブロック図である門 弟4図はパネル蛍光層の除湿効率を示す図であり、第5
図は蛍光層の含水率と感度の関係を示す図である。 第6図は防湿に対する温度効果を示し、l’$7図は加
熱による感度回復挙動を示すグラフである。 1・・・支持体、 2・・・蛍光層、3・・・保
護層、 IH・・・発熱支持体、2 H・・・発
熱蛍光層、 3H・・・発熱層11WI、Hl、I(2
及びH4・・・発熱層、 1−I3・・・支持発熱体。 出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 第2図 第3図 A:通LR’A認 B:羞戊刷岬籐 第4図 時間(吟) 合札9−(〃) 第7図 転が時間(hr)
図は発熱体の回路パターンを示す図、第3図は温度制御
のブロック図である門 弟4図はパネル蛍光層の除湿効率を示す図であり、第5
図は蛍光層の含水率と感度の関係を示す図である。 第6図は防湿に対する温度効果を示し、l’$7図は加
熱による感度回復挙動を示すグラフである。 1・・・支持体、 2・・・蛍光層、3・・・保
護層、 IH・・・発熱支持体、2 H・・・発
熱蛍光層、 3H・・・発熱層11WI、Hl、I(2
及びH4・・・発熱層、 1−I3・・・支持発熱体。 出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 第2図 第3図 A:通LR’A認 B:羞戊刷岬籐 第4図 時間(吟) 合札9−(〃) 第7図 転が時間(hr)
Claims (1)
- X線照射時に蛍光を発する蛍光体を用いるX線写真増感
用蛍光体パネルに加熱乾燥手段を組込んだことを特徴と
するX線写真増感用蛍光体パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5079687A JPH077114B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 加熱乾燥手段を有するx線写真増感用蛍光体パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5079687A JPH077114B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 加熱乾燥手段を有するx線写真増感用蛍光体パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63216000A true JPS63216000A (ja) | 1988-09-08 |
JPH077114B2 JPH077114B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12868757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5079687A Expired - Fee Related JPH077114B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 加熱乾燥手段を有するx線写真増感用蛍光体パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH077114B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6573506B2 (en) | 1998-06-18 | 2003-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US6762420B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
US6911658B2 (en) | 1999-04-09 | 2005-06-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7112802B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, radiation detecting apparatus, and radiation detection system |
USRE39806E1 (en) | 1998-06-18 | 2007-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP5079687A patent/JPH077114B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6531225B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-03-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7112801B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-09-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
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US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
KR100581102B1 (ko) * | 1998-06-18 | 2006-05-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 |
US7897938B2 (en) | 1998-06-18 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel |
US6762420B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
US6777690B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-08-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
US7132665B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-11-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
KR100697493B1 (ko) * | 1998-06-18 | 2007-03-20 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 |
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