JPS63215394A - 基板の加工方法 - Google Patents
基板の加工方法Info
- Publication number
- JPS63215394A JPS63215394A JP62047023A JP4702387A JPS63215394A JP S63215394 A JPS63215394 A JP S63215394A JP 62047023 A JP62047023 A JP 62047023A JP 4702387 A JP4702387 A JP 4702387A JP S63215394 A JPS63215394 A JP S63215394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser light
- glass substrate
- glass
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレーザ等の高エネルギービームによりガラス
等の基板も加工できる基板の加工方法に関するものであ
る。
等の基板も加工できる基板の加工方法に関するものであ
る。
第2図は例えば「ガラスハンドブック」(朝倉書店刊)
第453頁に記載された従来のガラス基板の加工方法を
示す側面図である。
第453頁に記載された従来のガラス基板の加工方法を
示す側面図である。
図において、C1)は例えばガラス基板、(2)は先端
にダイヤモンドのチップを有する工具である。
にダイヤモンドのチップを有する工具である。
上記のように構成された装置において、まず工具(2)
をガラス基板(1)に適当な圧力で押しつけ、ガラス基
板(1)か工具(2)を移動させることによりガラス基
板(1)上に切削溝を形成する。
をガラス基板(1)に適当な圧力で押しつけ、ガラス基
板(1)か工具(2)を移動させることによりガラス基
板(1)上に切削溝を形成する。
従来の例えばガラス基板の加工方法は以上のように構成
されているため、切削溝の巾と位置決め精度にはおのず
と限界があった。
されているため、切削溝の巾と位置決め精度にはおのず
と限界があった。
さらに、従来の加工方法は機械加工であるため、加工速
度を速くできず、ま之加工による切りくずが発生し、後
の工程で除去できず悪影響を及はすという問題点があっ
た。
度を速くできず、ま之加工による切りくずが発生し、後
の工程で除去できず悪影響を及はすという問題点があっ
た。
また、他の部品を実装した基板では加工が困難であると
いう問題点があった。
いう問題点があった。
一方、高エネルギービーム、例えばレーザ光のエネルギ
ーはガラス基板には吸収されにく−ため、レーザ光によ
るガラス基板の加工は困難とされていた。
ーはガラス基板には吸収されにく−ため、レーザ光によ
るガラス基板の加工は困難とされていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ガラス等の基板にも高精度で高性能な加工が
行なえる方法を提供することを目的とする。
たもので、ガラス等の基板にも高精度で高性能な加工が
行なえる方法を提供することを目的とする。
この発明に係る基板の加工方法は基板面上にエネルギー
ビームを吸収する材料を付着形成し、上記基板面上の材
料にエネルギービームを照射して基板を加工するように
したものである。
ビームを吸収する材料を付着形成し、上記基板面上の材
料にエネルギービームを照射して基板を加工するように
したものである。
この発明においては1基板上に他の材料を付着形成し、
しかる後にこのガラス基板に高エネルギービームを照射
すると、高エネルギービームのエネルギーは、基板に付
着形成した他の材料に吸収され微細な発熱部を形成する
から、基板も同時に微細加工される。
しかる後にこのガラス基板に高エネルギービームを照射
すると、高エネルギービームのエネルギーは、基板に付
着形成した他の材料に吸収され微細な発熱部を形成する
から、基板も同時に微細加工される。
このため容易に基板を微細加工することが可能となり、
加工時間も短縮される。さらに、加工による切りくずが
発生しないので、後6エ程に悪影響を及はさず、他の部
品を実装した基板の加工も容易である。
加工時間も短縮される。さらに、加工による切りくずが
発生しないので、後6エ程に悪影響を及はさず、他の部
品を実装した基板の加工も容易である。
この発明の一実施を図について説明する。第1図はこの
発明の一実施例によるガラス基板の加工方法を示す側面
構成図である。図において(1)はガラス基板、C3)
はイオンスパッタ装置(図示せず)により蒸着形成した
厚み5μmのアルミニウム薄膜、(4)は高エネルギー
ビームで、この場合にけYAGレーザ光を使用する。
発明の一実施例によるガラス基板の加工方法を示す側面
構成図である。図において(1)はガラス基板、C3)
はイオンスパッタ装置(図示せず)により蒸着形成した
厚み5μmのアルミニウム薄膜、(4)は高エネルギー
ビームで、この場合にけYAGレーザ光を使用する。
まず、YAGレーザ光を適当な光学系を用いて集光し、
ガラス基板(1)上のアルミニウム薄膜(3)上に焦点
を合わせる。YAGレーザ光(4)を出力10μJで、
アルミニウム薄膜(4)に照射し、ガラス基板(1)を
速度IQ mrrl 7秒で走査した結果ガラス基板(
1)に巾20μm深さ100μmの切削溝が形成された
。
ガラス基板(1)上のアルミニウム薄膜(3)上に焦点
を合わせる。YAGレーザ光(4)を出力10μJで、
アルミニウム薄膜(4)に照射し、ガラス基板(1)を
速度IQ mrrl 7秒で走査した結果ガラス基板(
1)に巾20μm深さ100μmの切削溝が形成された
。
これはガラス基板(1)のみでけレーザ光(4)のエネ
ルギーはガラス基板(1)に吸収しないが、アルミニウ
ム薄膜(4)を蒸着形成したことによって、レーザ光(
4) +7)エネルギーは優先的にアルミニウム薄膜(
4)に吸収され、瞬時に溶融、蒸発する。この際形成す
る微細な発熱部は同時にガラス基板(1)をも溶融する
からガラス基板(1)の微細な加工が可能となる。
ルギーはガラス基板(1)に吸収しないが、アルミニウ
ム薄膜(4)を蒸着形成したことによって、レーザ光(
4) +7)エネルギーは優先的にアルミニウム薄膜(
4)に吸収され、瞬時に溶融、蒸発する。この際形成す
る微細な発熱部は同時にガラス基板(1)をも溶融する
からガラス基板(1)の微細な加工が可能となる。
また加工による切りくずが発生しないので、後の工程に
悪影響を及はさない。とくに他の部品を実装した後でも
、スクライビング等の加工を11度よく容易に行うこと
ができる。この場合、薄膜(3)の形成工程を部品の形
成工程中に同時に行えば、加工工程がより簡単となる。
悪影響を及はさない。とくに他の部品を実装した後でも
、スクライビング等の加工を11度よく容易に行うこと
ができる。この場合、薄膜(3)の形成工程を部品の形
成工程中に同時に行えば、加工工程がより簡単となる。
なお、上記実施例では、基板(1)がガラス基板である
場合についてのみ述べているが、他の材料の基板につい
ても応用が可能であり、例えばYAGレーザやao2レ
ーザ光を吸収しないセラミック等に対しても、この発明
による方法を用いれば一般的に使われるY A ’Gレ
ーザやao2レーザ光を用いて加工を施すことが可能と
なる。
場合についてのみ述べているが、他の材料の基板につい
ても応用が可能であり、例えばYAGレーザやao2レ
ーザ光を吸収しないセラミック等に対しても、この発明
による方法を用いれば一般的に使われるY A ’Gレ
ーザやao2レーザ光を用いて加工を施すことが可能と
なる。
また、基板面に付着形成する材料としては、アルミニウ
ム薄膜の他、エネルギービームを吸収する金属層、例え
ばOr等でもよい。
ム薄膜の他、エネルギービームを吸収する金属層、例え
ばOr等でもよい。
さらに、エネルギービームとしてはYAGレーザ光の他
002レーザ光でもよい。
002レーザ光でもよい。
また、上記実施例ではガラス基板(1)を走査している
が、エネルギービーム(4)を走査してもよく、加工時
間かより短縮される。
が、エネルギービーム(4)を走査してもよく、加工時
間かより短縮される。
また、上記実施例ではYAGレーザ光(4)の照射方向
としては、アルミニウム薄膜(3)形成面より行なって
いるが、その裏面より行なってもよい。
としては、アルミニウム薄膜(3)形成面より行なって
いるが、その裏面より行なってもよい。
以上述べたように、この発明によれば基板上にエネルギ
ービームを吸収する材料を付着形成し、しかる後にこの
基板面にエネルギービームラ照射することによって加工
するようにしたので、ガラス基板等に対しても微細な加
工が可能となり、加工速度も速くすることができる。
ービームを吸収する材料を付着形成し、しかる後にこの
基板面にエネルギービームラ照射することによって加工
するようにしたので、ガラス基板等に対しても微細な加
工が可能となり、加工速度も速くすることができる。
また、加工による切りくずが発生しないので、後の工程
に悪影響を及はさず、部品実装後の加工も容易となる効
果がある。
に悪影響を及はさず、部品実装後の加工も容易となる効
果がある。
第1図はこの発明の一実施例による基板の加工方法を示
す側面構成図、及び第2図は従来の基板の加工方法を示
す側面図である。 図において、(1)・・・基板、C3)・・・アルミニ
ウム薄膜、(4)・・・レーザ光である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
す側面構成図、及び第2図は従来の基板の加工方法を示
す側面図である。 図において、(1)・・・基板、C3)・・・アルミニ
ウム薄膜、(4)・・・レーザ光である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- (1)基板面上にエネルギービームを吸収する材料を付
着形成し、上記基板面の上記材料に上記エネルギービー
ムを照射して上記基板面に加工を施す基板の加工方法。 - (2)基板はガラス基板である特許請求の範囲第1項記
載の基板の加工方法。 - (3)基板面にエネルギービームを吸収する金属層を付
着形成した特許請求の範囲第1項又は第2項記載の基板
の加工方法。 - (4)エネルギービームはレーザビームである特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の基板の加
工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62047023A JPS63215394A (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62047023A JPS63215394A (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 基板の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63215394A true JPS63215394A (ja) | 1988-09-07 |
Family
ID=12763583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62047023A Pending JPS63215394A (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 基板の加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63215394A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0332486A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Jujo Paper Co Ltd | 光加工方法 |
JPH04182093A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工方法 |
JPH09192857A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-07-29 | Santa Barbara Res Center | Nd:YAGレーザを使用するガラス上へのレーザスクライビング |
WO2002081142A1 (fr) * | 2001-04-02 | 2002-10-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Procede d'usinage de materiau translucide par faisceau laser et materiau translucide usine |
JP2006150499A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Fujitsu Ltd | 積層体切断方法及び積層体 |
GB2569031A (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | General Atomics | Method of cutting glass using a laser |
-
1987
- 1987-03-02 JP JP62047023A patent/JPS63215394A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0332486A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Jujo Paper Co Ltd | 光加工方法 |
JPH04182093A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工方法 |
JPH09192857A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-07-29 | Santa Barbara Res Center | Nd:YAGレーザを使用するガラス上へのレーザスクライビング |
WO2002081142A1 (fr) * | 2001-04-02 | 2002-10-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Procede d'usinage de materiau translucide par faisceau laser et materiau translucide usine |
JP2006150499A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Fujitsu Ltd | 積層体切断方法及び積層体 |
GB2569031A (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | General Atomics | Method of cutting glass using a laser |
US10919794B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-02-16 | General Atomics | Method of cutting glass using a laser |
GB2569031B (en) * | 2017-12-04 | 2023-05-10 | General Atomics | Method of cutting glass using a laser |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4190759A (en) | Processing of photomask | |
JP2006525874A (ja) | 2焦点への光ビームの集束 | |
JPS6239539B2 (ja) | ||
JPH05211381A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JP3509985B2 (ja) | 半導体デバイスのチップ分離方法 | |
JPS63215394A (ja) | 基板の加工方法 | |
US6552302B2 (en) | Method for correcting surface shape of magnetic head slider and magnetic head slider | |
JPS59104287A (ja) | レ−ザ加工法 | |
JPS63154280A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
JP2003275889A (ja) | レーザ加工装置および薄膜の加工方法 | |
JPS63212084A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
JPS61283486A (ja) | レ−ザによる穴明け加工方法および装置 | |
JP2006082232A (ja) | レーザ加工方法 | |
JPH0323273B2 (ja) | ||
JPH03262311A (ja) | 圧電振動子の周波数調整方法 | |
JPS61238986A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
JPS619987A (ja) | レ−ザ加工方法 | |
JPH02220508A (ja) | 圧電振動子の周波数調整方法 | |
JPH02197388A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2794589B2 (ja) | セラミックスのレーザ加工法 | |
JPS61273284A (ja) | 化合物半導体のレ−ザマ−キング方法 | |
JPH0857678A (ja) | レーザ加工装置 | |
Siekman | Cutting of thin carbon films with a CO2-gas laser—I Theoretical considerations and experiments on flat plates | |
JPH0238587A (ja) | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 | |
JPH04203616A (ja) | セラミックス製動圧軸受の加工方法 |