JPS63203329A - 表面実装用基板 - Google Patents
表面実装用基板Info
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- JPS63203329A JPS63203329A JP3629687A JP3629687A JPS63203329A JP S63203329 A JPS63203329 A JP S63203329A JP 3629687 A JP3629687 A JP 3629687A JP 3629687 A JP3629687 A JP 3629687A JP S63203329 A JPS63203329 A JP S63203329A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、金属ベースのプリント配線板等に用いられる
表面実装用基板に関する。
表面実装用基板に関する。
〈従来の技術〉
金属ベースの表面実装用基板は、熱放散性、加工性、導
電性に優れるため、プリント配線板等に多用されている
。そのなかでも、銅/インバー(Fe−約36.544
Ni合金)/銅なる3層構造のクラッド材による基板は
、特に熱放散性および導電性に優れ、しかも熱膨張係数
が小さくSiチップのそれに近いため、近年、注目され
ている。
電性に優れるため、プリント配線板等に多用されている
。そのなかでも、銅/インバー(Fe−約36.544
Ni合金)/銅なる3層構造のクラッド材による基板は
、特に熱放散性および導電性に優れ、しかも熱膨張係数
が小さくSiチップのそれに近いため、近年、注目され
ている。
このような金属ベースの表面実装用基板には、絶縁処理
として金属基板表面にポリイミド系フィルムのような絶
縁層を接着することが行われているが、この絶縁層の接
着強度を高めるために、金属基板表面に粗面化処理が施
される。
として金属基板表面にポリイミド系フィルムのような絶
縁層を接着することが行われているが、この絶縁層の接
着強度を高めるために、金属基板表面に粗面化処理が施
される。
従来、この粗面化処理は、湿式エツチング、湿式電解エ
ツチングまたは湿式めっき等によって金属基板表面に微
細な凹凸を形成し、その凹凸面の投錨効果によって、ポ
リイミド系フィルムの接着強度を高めていた。
ツチングまたは湿式めっき等によって金属基板表面に微
細な凹凸を形成し、その凹凸面の投錨効果によって、ポ
リイミド系フィルムの接着強度を高めていた。
しかしながら、湿式による粗面化処理には、次のような
欠点がある。
欠点がある。
■従来の粗面化処理は、湿式のため、例えばCu/イン
バー/Cuの3層クラッド材による基板の場合、Cu表
面の酸化、しみ(部分的なCu表面の酸化)、にじみ(
エツチング液のにじみ出し)等により安定した表面品質
が保てず、ポリイミド系フィルムの接着性がそれほど向
上しない。
バー/Cuの3層クラッド材による基板の場合、Cu表
面の酸化、しみ(部分的なCu表面の酸化)、にじみ(
エツチング液のにじみ出し)等により安定した表面品質
が保てず、ポリイミド系フィルムの接着性がそれほど向
上しない。
■前記いずれの粗面化処理方法も、湿式であり、めっき
液または工?チンダ液、さらには洗浄のための多量の水
を使用するので、これらの排液処理設備が必要であり、
費用がかかる。
液または工?チンダ液、さらには洗浄のための多量の水
を使用するので、これらの排液処理設備が必要であり、
費用がかかる。
■湿式による粗面化処理では、処理条件によっては、金
属基板表面に水酸化被膜が生成することがあり、ポリイ
ミド系フィルムとの接着性が悪くなる。
属基板表面に水酸化被膜が生成することがあり、ポリイ
ミド系フィルムとの接着性が悪くなる。
■前記方法の粗面化処理では、表面粗さがRmaxRm
ax・5.5〜3〇−程度となるが、これでは表面粗さ
が粗すぎて、比較的薄い例えば(100戸厚ラボリイミ
ド系フィルムを接着した場合、層間の絶縁性が劣る。
ax・5.5〜3〇−程度となるが、これでは表面粗さ
が粗すぎて、比較的薄い例えば(100戸厚ラボリイミ
ド系フィルムを接着した場合、層間の絶縁性が劣る。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、乾
式法を用いた粗面化処理によりポリイミド系フィルムの
ような絶縁層の接着性を大幅に向上することができる表
面実装用基板を提供することにある。
式法を用いた粗面化処理によりポリイミド系フィルムの
ような絶縁層の接着性を大幅に向上することができる表
面実装用基板を提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
このような目的は、以下の本発明によって達成される。
即ち本発明(第1の発明)は、絶縁層を接着して用いる
銅/Fe−Ni系合金/銅なる3層構造のクラッド材に
よる表面実装用基板において、前記絶縁層を接着する側
の銅層表面に、AIt、 Cr、’ Ti、のうち1種
の金属またはその金属を含む合金による粗化層を少なく
とも1層を設けてなることを特徴とする表面実装用基板
を提供するものである。
銅/Fe−Ni系合金/銅なる3層構造のクラッド材に
よる表面実装用基板において、前記絶縁層を接着する側
の銅層表面に、AIt、 Cr、’ Ti、のうち1種
の金属またはその金属を含む合金による粗化層を少なく
とも1層を設けてなることを特徴とする表面実装用基板
を提供するものである。
また、本発明(第2の発明)は、絶縁層を接着して用い
る銅/Fe−Ni系合金/銅なる3層構造のクラッド材
による表面実装用基板において、前記絶縁層を接着する
側の銅層表面に、 Al1. Cr、 Tiのうち1種
の金属の酸化物、窒化物または炭化物による粗化層を少
なくとも1層を設けてなることを特徴とする表面実装用
基板を提供するものである。
る銅/Fe−Ni系合金/銅なる3層構造のクラッド材
による表面実装用基板において、前記絶縁層を接着する
側の銅層表面に、 Al1. Cr、 Tiのうち1種
の金属の酸化物、窒化物または炭化物による粗化層を少
なくとも1層を設けてなることを特徴とする表面実装用
基板を提供するものである。
第1の発明において、粗化層は気相めっき法により形成
されたものであるのがよい。
されたものであるのがよい。
そして、粗化層は異種金属の複合層であるのがよい。
第1および第2の発明において、粗化層の合計厚さは、
lX10−3〜200#Inであるのがよい。
lX10−3〜200#Inであるのがよい。
そして、粗化層の表面粗さが、表面最大高さRmax=
I X 10−”〜5−であるのがよい。
I X 10−”〜5−であるのがよい。
以下、本発明の表面実装用基板を添付図面に示す好適実
施例について詳細に説明する。
施例について詳細に説明する。
第1図および第2図は、それぞれ本発明の表面実装用基
板の断面構造を示す部分断面側面図である。こわらの図
に示すように、本発明の表面実装用基板1の基板本体は
、銅層2および4の間に、Fe−Ni系合金層好ましく
はインバー(Fe−約36.54kNi合金)層3を介
装した3層構造のクラッド材(以下、rCICCICク
ラッド材])で構成されている。CICクラッド材の構
成比は使用目的に応じて任意のものが可能である。なお
、CICクラッド材の銅層2,4は、純銅に限らず、銅
系合金で構成されたものでもよい。
板の断面構造を示す部分断面側面図である。こわらの図
に示すように、本発明の表面実装用基板1の基板本体は
、銅層2および4の間に、Fe−Ni系合金層好ましく
はインバー(Fe−約36.54kNi合金)層3を介
装した3層構造のクラッド材(以下、rCICCICク
ラッド材])で構成されている。CICクラッド材の構
成比は使用目的に応じて任意のものが可能である。なお
、CICクラッド材の銅層2,4は、純銅に限らず、銅
系合金で構成されたものでもよい。
このCICクラッド材の片面または両面にはポリイミド
系フィルムのような絶縁層が接着されるが、この絶縁層
を接着する側の銅層、即ち第1図における銅層2の表面
に後述する構成材料による粗化層5が形成されている。
系フィルムのような絶縁層が接着されるが、この絶縁層
を接着する側の銅層、即ち第1図における銅層2の表面
に後述する構成材料による粗化層5が形成されている。
この粗化層5の形成により、絶縁層(ポリイミド系フィ
ルム)の接着性が高まる。
ルム)の接着性が高まる。
粗化層5は、AIt、 Cr、 Tiのうち1種の金属
またはその1種の金属を含む合金(例えば、へf1.−
3i系合金、 AM−Ti系合金、Crt−Fe系合金
、Cr−Ni系合金、Ti−Cu系合金、Ti−Ni系
合金等)により構成されている。あるいは粗化層5、八
2、Cr、 Tiのうち1種の金属の酸化物、窒化物ま
たは炭化物(例えば/42203. Cr2O3,Ti
N等)により構成されている。その理由は次の通りであ
る。
またはその1種の金属を含む合金(例えば、へf1.−
3i系合金、 AM−Ti系合金、Crt−Fe系合金
、Cr−Ni系合金、Ti−Cu系合金、Ti−Ni系
合金等)により構成されている。あるいは粗化層5、八
2、Cr、 Tiのうち1種の金属の酸化物、窒化物ま
たは炭化物(例えば/42203. Cr2O3,Ti
N等)により構成されている。その理由は次の通りであ
る。
一般に、金属とポリイミド等存機絶縁物との接着は、厳
密には前記金属の表面に形成されたその酸化物を介して
行われる。ところで、銅金属一般の酸化膜はCu、0に
代表されるが、このCu2Oの酸化膜は脆弱でありCu
母材との結合も弱く、従ってそのような酸化膜を介して
の上記接着は十分ではないことになる。これに対し、A
JZ、 (:r、Tiおよびその合金の酸化物は緻密で
強固であり、しがも水素還元により容易に還元せず化学
的に安定である。
密には前記金属の表面に形成されたその酸化物を介して
行われる。ところで、銅金属一般の酸化膜はCu、0に
代表されるが、このCu2Oの酸化膜は脆弱でありCu
母材との結合も弱く、従ってそのような酸化膜を介して
の上記接着は十分ではないことになる。これに対し、A
JZ、 (:r、Tiおよびその合金の酸化物は緻密で
強固であり、しがも水素還元により容易に還元せず化学
的に安定である。
このような酸化膜は母材との結合も強く、その結果とし
て有機絶縁物との接着も強固になるものと思われる。こ
こに^1、Cr、 Ti系の粗化層を設けた意味がある
。そしてこのような粗化層を設けること自体、CICク
ラッド材表面の銅層の酸化を防止する効果がある。さら
にこのような粗化層によれば本質的な面から有機絶縁物
との接着が強くなるので、その表面粗さを小さくするこ
とができる。
て有機絶縁物との接着も強固になるものと思われる。こ
こに^1、Cr、 Ti系の粗化層を設けた意味がある
。そしてこのような粗化層を設けること自体、CICク
ラッド材表面の銅層の酸化を防止する効果がある。さら
にこのような粗化層によれば本質的な面から有機絶縁物
との接着が強くなるので、その表面粗さを小さくするこ
とができる。
なお、第1図では銅層2上に1層の粗化層5が形成され
ているが、これに限らず、第2図に示すように異種材料
による粗化層6および7を2層以上積層したものでもよ
い。
ているが、これに限らず、第2図に示すように異種材料
による粗化層6および7を2層以上積層したものでもよ
い。
例えば、CICクラッド材の銅層2上に粗化層7および
その上層に粗化層6を形成する(2層の複合粗化層)場
合、その構成材料は、以下の表1に示すような組合せが
好適である。
その上層に粗化層6を形成する(2層の複合粗化層)場
合、その構成材料は、以下の表1に示すような組合せが
好適である。
表 1
ケースAの場合には、最表面のへ2粗化層の^2がTi
粗化層の存在によって銅層2中へ拡散するのを防止する
。
粗化層の存在によって銅層2中へ拡散するのを防止する
。
ケースBの場合には、最表面のTi粗化層のTiかAn
とポリイミド系フィルムとの反応を阻止する。
とポリイミド系フィルムとの反応を阻止する。
ケースCの場合には、最表面のl 203粗化層とCu
表面の密着性を向上させるためA1粗化層7をAIL2
03粗化層とC粗化面の間に入れたものである。
表面の密着性を向上させるためA1粗化層7をAIL2
03粗化層とC粗化面の間に入れたものである。
このような粗化層の合計厚さは、0.001〜2004
程度とするのがよい。その理由は、厚さ0.001−未
満では粗化層の安定性、役割が少なくなり、また厚さ2
00−を超えると熱膨張性、熱放散性を阻害するからで
ある。
程度とするのがよい。その理由は、厚さ0.001−未
満では粗化層の安定性、役割が少なくなり、また厚さ2
00−を超えると熱膨張性、熱放散性を阻害するからで
ある。
また、粗化層の表面8の表面粗さは、表面最大高さRm
ax・1×10−’〜5−とするのがよい。
ax・1×10−’〜5−とするのがよい。
表面最大高さRmaxの下限値を1xio−’−とした
のは、粗化層厚さの最小が0.001 #mだからであ
り、上限値を5−としたのは、5戸特に10−を超える
と、ポリイミド系フィルムの絶縁性を突起により破壊す
るおそれがあるからである。
のは、粗化層厚さの最小が0.001 #mだからであ
り、上限値を5−としたのは、5戸特に10−を超える
と、ポリイミド系フィルムの絶縁性を突起により破壊す
るおそれがあるからである。
なお、粗化層の形成方法は、特に限定されないが、気相
めっき法により形成するのが好ましい。
めっき法により形成するのが好ましい。
ここで気相めっき法とは、例えば蒸着法、スパッタリン
グ、イオンブレーティング、CVD 、またはこれに類
する方法のような広義の乾式薄膜形成方法をいう。この
ような気相めっき法はいずれも乾式であるため、粗化層
を形成するに際し、上述した■、■、■のような不都合
を生じないし、生成膜の結晶粒が緻密であり当然その表
面に形成される酸化膜も緻密で強固なものとなる。
グ、イオンブレーティング、CVD 、またはこれに類
する方法のような広義の乾式薄膜形成方法をいう。この
ような気相めっき法はいずれも乾式であるため、粗化層
を形成するに際し、上述した■、■、■のような不都合
を生じないし、生成膜の結晶粒が緻密であり当然その表
面に形成される酸化膜も緻密で強固なものとなる。
また、本発明において、粗化層はGIGクラッド材の銅
層の圧延面に直接形成してもよいが、形成の前処理とし
て、銅層表面をブラシ等で機械的に研摩し、あるいは従
来のエツチング粗面化処理を行った後に粗化層の形成を
行ってもよい。
層の圧延面に直接形成してもよいが、形成の前処理とし
て、銅層表面をブラシ等で機械的に研摩し、あるいは従
来のエツチング粗面化処理を行った後に粗化層の形成を
行ってもよい。
〈実施例〉
(本発明例1)
第3図に示す構造の真空蒸着装置10(内圧10−’t
orr)を用いて、第1図に示すように銅/インバー/
銅の3層構造のクラッド材(厚さの比1:3:1)の基
板1(板厚1.0mm X 100mm ’x100m
I11)に蒸発材料12であるAl、TiおよびC「を
各々別のルツボに入れ、加熱ヒーター13で加熱して各
々成膜速度30人101Iinで5ラボに成膜し3種の
試料を作成した。この金属蒸着粗化層の表面粗さを測定
したところ、AJ2粗化層およびCr粗化層の表面粗さ
はRmax= 44、Ti粗化層の表面粗さはRmax
−3−であった。
orr)を用いて、第1図に示すように銅/インバー/
銅の3層構造のクラッド材(厚さの比1:3:1)の基
板1(板厚1.0mm X 100mm ’x100m
I11)に蒸発材料12であるAl、TiおよびC「を
各々別のルツボに入れ、加熱ヒーター13で加熱して各
々成膜速度30人101Iinで5ラボに成膜し3種の
試料を作成した。この金属蒸着粗化層の表面粗さを測定
したところ、AJ2粗化層およびCr粗化層の表面粗さ
はRmax= 44、Ti粗化層の表面粗さはRmax
−3−であった。
これらの金属蒸着粗化層表面に接着剤を塗布し50−厚
のポリイミド系フィルムを熱プレスで圧着した。
のポリイミド系フィルムを熱プレスで圧着した。
これらの試料を第5図に示すように幅10mmの試験片
とし、ポリイミド系フィルムの引剥し試験(Tビール試
験)を行い接着強度を調べた。その結果を表2に示す。
とし、ポリイミド系フィルムの引剥し試験(Tビール試
験)を行い接着強度を調べた。その結果を表2に示す。
(本発明例2)
第4図に示す構造のイオンスパッタ装置15(Ar :
10−2〜10−’torr)を用いて、本発明例1
と同様の基板にA1およびTiをカソードとして成膜速
度15λ/secで、最小厚さ5#m成膜して2種の試
料を作成した。A2粗化層の表面粗さはRmaX= 4
7ffi、Ti粗化層の表面粗さはRmax= 3 #
Inであった。
10−2〜10−’torr)を用いて、本発明例1
と同様の基板にA1およびTiをカソードとして成膜速
度15λ/secで、最小厚さ5#m成膜して2種の試
料を作成した。A2粗化層の表面粗さはRmaX= 4
7ffi、Ti粗化層の表面粗さはRmax= 3 #
Inであった。
これらの金属粗化層表面に本発明例1と同様にしてポリ
イミド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィル
ムの引剥し試験を行った。その結果を表2に示す。
イミド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィル
ムの引剥し試験を行った。その結果を表2に示す。
(本発明例3)
イオンブレーティング装置を用いて、本発明例1と同様
の基板に成膜材料であるlおよびTiを別個に用意し、
まず成膜速度30人/minでTi粗化層を厚さ3μs
成膜し、その上にへ2粗化層を厚さ3−成膜した。この
複合層の表面の表面粗さを測定したところ、Rmax=
5戸であった。なお、クラッド材の銅層表面は、ブラ
シにより機械的研摩がなされており、その表面粗さがR
max−12pXnであるものを使用した。
の基板に成膜材料であるlおよびTiを別個に用意し、
まず成膜速度30人/minでTi粗化層を厚さ3μs
成膜し、その上にへ2粗化層を厚さ3−成膜した。この
複合層の表面の表面粗さを測定したところ、Rmax=
5戸であった。なお、クラッド材の銅層表面は、ブラ
シにより機械的研摩がなされており、その表面粗さがR
max−12pXnであるものを使用した。
この金属粗化層表面に本発明例1と同様にしてポリイミ
ド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィルムの
引剥し試験を行った。その結果を表2に示す。
ド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィルムの
引剥し試験を行った。その結果を表2に示す。
(本発明例4)
ルツボにA1の代りにへ2−3%Si合金を入れて蒸着
を行った以外は本発明例1と同様にして、表面粗さRm
ax= 3 戸のl−3%Si合金の粗化層が形成され
た試料を得た。
を行った以外は本発明例1と同様にして、表面粗さRm
ax= 3 戸のl−3%Si合金の粗化層が形成され
た試料を得た。
さらに、同様の蒸着方法により表面粗さRmax・2−
のTi −10%Cu合金の粗化層が形成された試料を
得た。
のTi −10%Cu合金の粗化層が形成された試料を
得た。
また、本発明例1と同様の基板にイオンブレーティング
装置を用いて0.2#Ixn厚、表面粗さRmax−0
,1戸のTi −5%Ni合金の粗化層が形成された試
料を得た。
装置を用いて0.2#Ixn厚、表面粗さRmax−0
,1戸のTi −5%Ni合金の粗化層が形成された試
料を得た。
これらの金属粗化層表面に本発明例1と同様にしてポリ
イミド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィル
ムの引剥し試験を行った。
イミド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィル
ムの引剥し試験を行った。
その結果を表2に示す。
(本発明例5)
ルツボにTiを入れ、真空蒸着装置10(内圧10−5
Torr)の内部にN2ガスを10−’Torrまで封
入しつつ蒸着を行った以外は本発明例1と同様にして、
表面粗さRmax−2μsのTiN粗化層が形成された
試料を得た。
Torr)の内部にN2ガスを10−’Torrまで封
入しつつ蒸着を行った以外は本発明例1と同様にして、
表面粗さRmax−2μsのTiN粗化層が形成された
試料を得た。
また、ルツボに八1を入れ、真空蒸着装置10(内圧1
0−’Torr)の内部に02ガスを10−3Torr
まで封入しつつ蒸着を行った以外は本発明例1と同様に
して、表面粗さRmax−2−のAl2203粗化層が
形成された試料を得た。
0−’Torr)の内部に02ガスを10−3Torr
まで封入しつつ蒸着を行った以外は本発明例1と同様に
して、表面粗さRmax−2−のAl2203粗化層が
形成された試料を得た。
これらの粗化層表面に本発明例1と同様にしてポリイミ
ド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィルムの
引剥し試験を行った。
ド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィルムの
引剥し試験を行った。
その結果を表2に示す。
(本発明例6)
本発明例1と同様の基板に、イオンブレーティング装置
を用いて、まず、Ti粗化層を厚さ0.2−成膜し、次
いで、装置内部にN2ガスを封入しつつTi粗化層上に
TiN粗化層を厚さ1.0戸成膜した。その表面粗さは
、Rmax−0,1pnであった。
を用いて、まず、Ti粗化層を厚さ0.2−成膜し、次
いで、装置内部にN2ガスを封入しつつTi粗化層上に
TiN粗化層を厚さ1.0戸成膜した。その表面粗さは
、Rmax−0,1pnであった。
この粗化層表面に本発明例1と同様にしてポリイミド系
フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィルムの引剥
し試験を行った。
フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィルムの引剥
し試験を行った。
その結果を表2に示す。
(比較例)
本発明例1と同様の基板に、従来法であるエツチング粗
面化処理(表面粗さRmax= 8−)を行ったものと
、何もしない無処理のものとを作製し、同様にしてポリ
イミド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィル
ムの引剥し試験を行った。
面化処理(表面粗さRmax= 8−)を行ったものと
、何もしない無処理のものとを作製し、同様にしてポリ
イミド系フィルムを接着し、同様のポリイミド系フィル
ムの引剥し試験を行った。
その結果を表2に示す。
上記表2かられかるように、本発明による試料はいずれ
も、従来のエツチング粗面化処理を施した試料(接着力
が安定し強いもの)と同等の優れたフィルムの接着性を
有する。
も、従来のエツチング粗面化処理を施した試料(接着力
が安定し強いもの)と同等の優れたフィルムの接着性を
有する。
〈発明の効果〉
本発明の表面実装用基板によれば、銅/Fe−Ni系合
金/銅なる3層構造のクラッド材の絶縁層を接着する側
の銅層表面に、上記所定の粗化層を少なくとも1層設け
たことにより、次のような効果を生じる。
金/銅なる3層構造のクラッド材の絶縁層を接着する側
の銅層表面に、上記所定の粗化層を少なくとも1層設け
たことにより、次のような効果を生じる。
(1)従来の粗面化処理は、湿式のため、Cu表面のし
み、にじみ等により安定した表面品質を保つことが困難
であったが、本発明では、特に乾式により粗化層を形成
するので、安定した表面品質が得られ、よってポリイミ
ド系フィルムのような絶縁層との接着性が良好となる。
み、にじみ等により安定した表面品質を保つことが困難
であったが、本発明では、特に乾式により粗化層を形成
するので、安定した表面品質が得られ、よってポリイミ
ド系フィルムのような絶縁層との接着性が良好となる。
(2)従来の粗面化処理では、処理液や洗浄液のための
多量の排液処理設備が必要であったが、本発明では、こ
れが不用なので、製造コスト、設備コストの面で有利で
ある。
多量の排液処理設備が必要であったが、本発明では、こ
れが不用なので、製造コスト、設備コストの面で有利で
ある。
(3)従来法のように粗面化処理後の水洗浄がないため
、基板表面に水酸化被膜の生成がなく、ポリイミド系フ
ィルムとの接着性が安定し、均一な製品を量産する上で
有利である。
、基板表面に水酸化被膜の生成がなく、ポリイミド系フ
ィルムとの接着性が安定し、均一な製品を量産する上で
有利である。
(4)蒸着、イオンブレーティング、またはイオンスパ
ッタリング等により粗化層を形成することにより、その
表面粗さを成膜速度、温度、出力等により自由に制御で
き、よって比較的薄いポリイミド系フィルムの接着に対
しても、層間の絶縁性を確保するための接着面(粗化層
表面)の表面粗さを容易に小さくすることができ、薄い
絶縁層の接着強度をも高めることができる。
ッタリング等により粗化層を形成することにより、その
表面粗さを成膜速度、温度、出力等により自由に制御で
き、よって比較的薄いポリイミド系フィルムの接着に対
しても、層間の絶縁性を確保するための接着面(粗化層
表面)の表面粗さを容易に小さくすることができ、薄い
絶縁層の接着強度をも高めることができる。
(5)粗化層の構成材料の選定、さらには粗化層の複合
化により、表面の後工程での加熱等により酸化の促進を
抑制することができる。
化により、表面の後工程での加熱等により酸化の促進を
抑制することができる。
第1図および第2図は、それぞれ本発明の表面実装用基
板の断面構造を示す部分断面側面図である。 第3図は、粗化層の形成に用いる真空蒸着装置の構造を
模式的に示す断面図である。 第4図は、粗化層の形成に用いるイオンスパッタ装置の
構造を模式的に示す断面図である。 第5図は、ポリイミドフィルムの引剥し試験の実施状態
を示す斜視図である。 符号の説明 1・・・表面実装用基板、 2.4・・・銅層、 3・・・インバ一層、 5.6.7・・・粗化層、 8・・・表面、 9・・・ポリイミド系フィルム、 lO・・・真空蒸着装置、 11・・・基板ホルダー、 12・・・蒸着材料、 13・・・加熱ヒーター、 14・・・排気系、 15・・・イオンスパッタ装置、 16・・・アノード、 17・・・カソード、 1B−1またはTi 特許出願人 日立電線株式会社 FIG、1 FIG、2 F I G、4
板の断面構造を示す部分断面側面図である。 第3図は、粗化層の形成に用いる真空蒸着装置の構造を
模式的に示す断面図である。 第4図は、粗化層の形成に用いるイオンスパッタ装置の
構造を模式的に示す断面図である。 第5図は、ポリイミドフィルムの引剥し試験の実施状態
を示す斜視図である。 符号の説明 1・・・表面実装用基板、 2.4・・・銅層、 3・・・インバ一層、 5.6.7・・・粗化層、 8・・・表面、 9・・・ポリイミド系フィルム、 lO・・・真空蒸着装置、 11・・・基板ホルダー、 12・・・蒸着材料、 13・・・加熱ヒーター、 14・・・排気系、 15・・・イオンスパッタ装置、 16・・・アノード、 17・・・カソード、 1B−1またはTi 特許出願人 日立電線株式会社 FIG、1 FIG、2 F I G、4
Claims (8)
- (1)絶縁層を接着して用いる銅/Fe−Ni系合金/
銅からなる3層構造のクラッド材による表面実装用基板
において、 前記絶縁層を接着する側の銅層表面に、Al、Cr、T
i、のうち1種の金属またはその金属を含む合金による
粗化層を少なくとも1層を設けてなることを特徴とする
表面実装用基板。 - (2)前記粗化層は、気相めっき法により形成されたも
のである特許請求の範囲第1項に記載の表面実装用基板
。 - (3)前記粗化層は、異種金属の複合層である特許請求
の範囲第1項または第2項に記載の表面実装用基板。 - (4)前記粗化層の合計厚さは、1×10^−^3〜2
00μmである特許請求の範囲第1項ないし第3項のい
ずれかに記載の表面実装用基板。 - (5)前記粗化層の表面粗さが、表面最大高さRmax
=1×10^−^3〜5μmである特許請求の範囲第1
項ないし第4項のいずれかに記載の表面実装用基板。 - (6)絶縁層を接着して用いる銅/Fe−Ni系合金/
銅なる3層構造のクラッド材による表面実装用基板にお
いて、 前記絶縁層を接着する側の銅層表面に、Al、Cr、T
i、のうち1種の金属の酸化物、窒化物または炭化物に
よる粗化層を少なくとも1層を設けてなることを特徴と
する表面実装用基板。 - (7)前記粗化層の合計厚さは、1×10^−^3〜2
00μmである特許請求の範囲第6項に記載の表面実装
用基板。 - (8)前記粗化層の表面粗さが表面最大高さRmax=
1×10^−^3〜5μmである特許請求の範囲第6項
または第7項に記載の表面実装用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3629687A JPS63203329A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 表面実装用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3629687A JPS63203329A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 表面実装用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63203329A true JPS63203329A (ja) | 1988-08-23 |
Family
ID=12465848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3629687A Pending JPS63203329A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 表面実装用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63203329A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0482287A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Hitachi Ltd | 電子冷却素子付半導体レーザモジュール |
JP2016063201A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社愛工機器製作所 | 金属ベース基板 |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP3629687A patent/JPS63203329A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0482287A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Hitachi Ltd | 電子冷却素子付半導体レーザモジュール |
JP2016063201A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社愛工機器製作所 | 金属ベース基板 |
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