JPS63261732A - 表面実装用基板 - Google Patents
表面実装用基板Info
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- JPS63261732A JPS63261732A JP9606087A JP9606087A JPS63261732A JP S63261732 A JPS63261732 A JP S63261732A JP 9606087 A JP9606087 A JP 9606087A JP 9606087 A JP9606087 A JP 9606087A JP S63261732 A JPS63261732 A JP S63261732A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、金属ベースのプリント配線板等に用いられる
表面実装用基板に関する。
表面実装用基板に関する。
〈従来の技術〉
金属ベースの表面実装用基板は、熱放散性、加工性に優
れるため、半導体素子等を実相する基板等に多用されて
いる。
れるため、半導体素子等を実相する基板等に多用されて
いる。
従来、このような表面実装用基板には、表面に絶縁層が
設けられたAj2基板が一般に使用され、また、その絶
縁層としてはアルミニウム酸化膜、セラミックス系膜、
ポリイミド系フィルム等が使用される。
設けられたAj2基板が一般に使用され、また、その絶
縁層としてはアルミニウム酸化膜、セラミックス系膜、
ポリイミド系フィルム等が使用される。
しかしながら、表面実装用基板のメタルコア基板として
アルミニウム基板を使用する場合には、表面実装として
の集積度の高度化、高密度化によるは発熱量の増大に伴
い、Al基板と実装するSiチップ等との熱膨張系数の
ミスマツチングがへ1基板にクラックを発生させてしま
うという問題を有していた。
アルミニウム基板を使用する場合には、表面実装として
の集積度の高度化、高密度化によるは発熱量の増大に伴
い、Al基板と実装するSiチップ等との熱膨張系数の
ミスマツチングがへ1基板にクラックを発生させてしま
うという問題を有していた。
さらに、Alの融点は比較的低いので(融点約660℃
)、セラミックス抵抗体の焼付等を行う際の高温での半
田付性及び耐熱性の低下が問題となっていた。
)、セラミックス抵抗体の焼付等を行う際の高温での半
田付性及び耐熱性の低下が問題となっていた。
一方、表面実装用基板の表面を構成する絶縁層として、
アルミニウム酸化膜は電気絶縁性には優れるが硬いので
、金型摩耗によるプレス加工が困難であり、さらにアル
ミニウム酸化膜の形成コストが高いという問題点を有し
ており、また、セラミックス系膜は加工性が困難である
という問題点を有しており、さらにまたポリイミド系フ
ィルムは金属基板への接着が悪いという問題点を有して
いた。
アルミニウム酸化膜は電気絶縁性には優れるが硬いので
、金型摩耗によるプレス加工が困難であり、さらにアル
ミニウム酸化膜の形成コストが高いという問題点を有し
ており、また、セラミックス系膜は加工性が困難である
という問題点を有しており、さらにまたポリイミド系フ
ィルムは金属基板への接着が悪いという問題点を有して
いた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明は、上記の従来技術に伴う問題点を解決すること
を目的としている。 即ち、本発明の目的は、熱膨張係
数がSiチップ等に近似し、かつ耐熱性、熱放散性、加
工性に優れた表面実装用基板を提供することにある。
を目的としている。 即ち、本発明の目的は、熱膨張係
数がSiチップ等に近似し、かつ耐熱性、熱放散性、加
工性に優れた表面実装用基板を提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明者は、熱膨張係数がSiチップ等に近似し、かつ
耐熱性、熱放散性、加工性に優れた表面実装用基板につ
いて鋭意研究を続けた結果、好ましくはCu層、Fe−
Ni系合金層を構成層とする3層構造クラッド材をメタ
ルコア基板とし、その表面に設けられたAlまたはAl
系金属層の少なくとも表面部分をAl1.203を主体
とする酸化皮膜層にして絶縁層とすることにより優れた
表面実装用基板が得られることを知見し、本発明を完成
させるに至った。
耐熱性、熱放散性、加工性に優れた表面実装用基板につ
いて鋭意研究を続けた結果、好ましくはCu層、Fe−
Ni系合金層を構成層とする3層構造クラッド材をメタ
ルコア基板とし、その表面に設けられたAlまたはAl
系金属層の少なくとも表面部分をAl1.203を主体
とする酸化皮膜層にして絶縁層とすることにより優れた
表面実装用基板が得られることを知見し、本発明を完成
させるに至った。
すなわち、本発明の第1の態様によれば、メタルコア基
板上にAItまたはAl系金属層が形成され、このAl
またはAl系金属層の少なくとも表面部分が酸化されて
酸化皮膜となり絶縁層となっていることを特徴とする表
面実装用基板が提供される。
板上にAItまたはAl系金属層が形成され、このAl
またはAl系金属層の少なくとも表面部分が酸化されて
酸化皮膜となり絶縁層となっていることを特徴とする表
面実装用基板が提供される。
また、本発明の第2の態様によれば、メタルコア基板上
にTi層が形成され、このTi層上にAlまたはAjl
L系金属層が形成され、このAlまたはAL系金金属層
少なくとも表面部分が酸化されて酸化皮膜となり絶縁層
となっていることを特徴とする表面実装用基板が提供さ
れる。
にTi層が形成され、このTi層上にAlまたはAjl
L系金属層が形成され、このAlまたはAL系金金属層
少なくとも表面部分が酸化されて酸化皮膜となり絶縁層
となっていることを特徴とする表面実装用基板が提供さ
れる。
一ト記発明においては、メタルコア基板がCu / F
e −N i系合金/ CuまたはFe−Ni系合金
/ Cu / F e −N i系合金の3層構造クラ
ッド材であることが好ましい。
e −N i系合金/ CuまたはFe−Ni系合金
/ Cu / F e −N i系合金の3層構造クラ
ッド材であることが好ましい。
また、AlまたはALLL金属の厚さが0.1〜200
−であることが好ましい。
−であることが好ましい。
ALLL金属がMgおよび/またはZnを含んでいるこ
とが好ましい。
とが好ましい。
AlまたはAl系金属層が気相めっき法または圧延圧接
法によりメタルコア基板上に形成されていることが好ま
しい。
法によりメタルコア基板上に形成されていることが好ま
しい。
AlまたはAl系金属層の少なくとも表面部分が陽極酸
化により酸化されていることが好ましい。
化により酸化されていることが好ましい。
以下、本発明の表面実装用基板を詳細に説明する。
本発明の表面実装用基板のメタルコア基板としては、A
lまたはAL系金金属接合できるものであって、Stチ
ップ等と熱膨張係数が近似し、比較的融点が高いもので
あれば、特に制限的でなく、適当なものを使用できるが
、Cu/Fe−Ni系合金/ Cuの3層構造クラッド
材またはFe−Ni系合金/ Cu / F e −N
i系合金の3層構造クラッド材を使用するのが好適で
ある。 Fe−Ni系合金としては、インバー(Fe−
約36.5%Ni合金)が特に好ましい。
lまたはAL系金金属接合できるものであって、Stチ
ップ等と熱膨張係数が近似し、比較的融点が高いもので
あれば、特に制限的でなく、適当なものを使用できるが
、Cu/Fe−Ni系合金/ Cuの3層構造クラッド
材またはFe−Ni系合金/ Cu / F e −N
i系合金の3層構造クラッド材を使用するのが好適で
ある。 Fe−Ni系合金としては、インバー(Fe−
約36.5%Ni合金)が特に好ましい。
Fe−Ni系合金のかわりにFe−Ni−C0系合金を
使用することもできる。 また、3層構造クラッド材の
Cu層は、純銅に限らず、銅系合金で構成されたもので
もよい。
使用することもできる。 また、3層構造クラッド材の
Cu層は、純銅に限らず、銅系合金で構成されたもので
もよい。
クラッド材の構成比は使用目的に応じて任意のものが可
能である。
能である。
このような3層構造クラッド材をメタルコア基板とする
ことにより、熱放散性に著しく優れた表面実装用基板を
得ることができる。
ことにより、熱放散性に著しく優れた表面実装用基板を
得ることができる。
本発明の表面実装用基板の絶縁層は、まず上記の3層構
造クラッド材の表面にALLまたはAl系金属層を設け
、次にこのAiLまたはAl系金属層の少なくとも表面
部分をAl1203を主体とする酸化皮膜にしたもので
構成される。
造クラッド材の表面にALLまたはAl系金属層を設け
、次にこのAiLまたはAl系金属層の少なくとも表面
部分をAl1203を主体とする酸化皮膜にしたもので
構成される。
Au系金属層は純Alに限らすAiLを主体とするAl
系合金で構成されたものでよい。 但し、特に、Alを
速やかに酸化したい場合には、Al系金属層はMgおよ
び/またはZnを含むAl系金属で構成されることが重
要である。 Mgおよび/またはZnがAl系金属に含
有されることにより、Al系金属層を陽極酸化する場合
に、Al12 o3を主体とする酸化皮膜層が容易に形
成される。
系合金で構成されたものでよい。 但し、特に、Alを
速やかに酸化したい場合には、Al系金属層はMgおよ
び/またはZnを含むAl系金属で構成されることが重
要である。 Mgおよび/またはZnがAl系金属に含
有されることにより、Al系金属層を陽極酸化する場合
に、Al12 o3を主体とする酸化皮膜層が容易に形
成される。
ここで、Mgおよび/またはZnの含有割合は0.1〜
8.0%が好ましい。
8.0%が好ましい。
一方、Mn、Cr、Fe、Mn等が含有されていると陽
極酸化が困難になるので好ましくない。
極酸化が困難になるので好ましくない。
また、特に高温での使用においてもAlまたはAl系金
属層とメタルコア基板との密着性を向上させ、剥離を防
止したい場合には、AftまたはAl系金属層はメタル
コア基板上に形成されたTi層上に形成されていること
が重要である。 Cu層またはFe−Ni系合金層とA
lまたはAu系金属層とが直接に接合されていると、高
温状態において、AItまたはAl系金属層のAlがC
u層またはFe−Ni系合金層に拡散し、剥離しやすい
金属間化合物が生成されるので好ましくない。 Alま
たはAl系金属層の下地として設けられたTi層により
このような金属間化合物の生成が防止され、Cu層また
はFe−Ni系合金層とAnまたはAl系金属層との接
着性が向上する。
属層とメタルコア基板との密着性を向上させ、剥離を防
止したい場合には、AftまたはAl系金属層はメタル
コア基板上に形成されたTi層上に形成されていること
が重要である。 Cu層またはFe−Ni系合金層とA
lまたはAu系金属層とが直接に接合されていると、高
温状態において、AItまたはAl系金属層のAlがC
u層またはFe−Ni系合金層に拡散し、剥離しやすい
金属間化合物が生成されるので好ましくない。 Alま
たはAl系金属層の下地として設けられたTi層により
このような金属間化合物の生成が防止され、Cu層また
はFe−Ni系合金層とAnまたはAl系金属層との接
着性が向上する。
本発明において、3層構造クラッド材の表面に設けられ
るAlまたはAl系金属層の厚さは0.1〜200−が
好ましい。 厚さが0.1−未満では、AnまたはAL
L系金属層をAl o3を主体とする酸化皮膜層した際
の酸化皮膜層の絶縁層安定性が不十分となるので好まし
くない。 一方、厚さが200−より大きいと、半導体
素子等を実装する際の加熱時に、AlまたはAl系金属
層とそれに隣接するCu層またはFe−Ni系合金層と
の間に脆性剥離しやすい金属間化合物層が生成されるの
で好ましくない。
るAlまたはAl系金属層の厚さは0.1〜200−が
好ましい。 厚さが0.1−未満では、AnまたはAL
L系金属層をAl o3を主体とする酸化皮膜層した際
の酸化皮膜層の絶縁層安定性が不十分となるので好まし
くない。 一方、厚さが200−より大きいと、半導体
素子等を実装する際の加熱時に、AlまたはAl系金属
層とそれに隣接するCu層またはFe−Ni系合金層と
の間に脆性剥離しやすい金属間化合物層が生成されるの
で好ましくない。
AlまたはAl系金属層の下地としてTi層を形成する
場合には、Ti層の厚さは0.05〜3.o#aが好ま
しい。 0.05−未満だとバリヤーの効果が少なくな
るので好ましくなく、一方3.0−を超えると膜質が脆
くなるので好ましくない。 AlまたはALL系金属層
の形成方法は、特に限定されないが、気相めっき法、圧
延圧接法等により形成するのが好ましい。 ここで気相
めっき法とは、蒸着法、スパッタリング、イオンブレー
ティング、CVD、またはこれに類する方法をいう。
場合には、Ti層の厚さは0.05〜3.o#aが好ま
しい。 0.05−未満だとバリヤーの効果が少なくな
るので好ましくなく、一方3.0−を超えると膜質が脆
くなるので好ましくない。 AlまたはALL系金属層
の形成方法は、特に限定されないが、気相めっき法、圧
延圧接法等により形成するのが好ましい。 ここで気相
めっき法とは、蒸着法、スパッタリング、イオンブレー
ティング、CVD、またはこれに類する方法をいう。
圧延圧接法によりAlまたはAl系金属層を形成する場
合には、3層構造クラッド材の圧延面にALLまたはA
LL系金属層を直接形成してもよいが、形成の前処理と
して、圧延面表面をブラシ等で機械的に研摩し、あるい
は従来のエツチング粗面化処理を行った後にAlまたは
Al系金属層の形成を行ってもよい。
合には、3層構造クラッド材の圧延面にALLまたはA
LL系金属層を直接形成してもよいが、形成の前処理と
して、圧延面表面をブラシ等で機械的に研摩し、あるい
は従来のエツチング粗面化処理を行った後にAlまたは
Al系金属層の形成を行ってもよい。
また、AiLまたはAl系金属層の下地としてTi層を
形成する場合には、Ti層はスパッタリング、真空蒸着
、イオンブレーティング等により形成される。
形成する場合には、Ti層はスパッタリング、真空蒸着
、イオンブレーティング等により形成される。
上記のように3層構造クラッド材の表面に設けられたA
lまたはAIt系金属層は、少なくともその表面がAl
12 o3を主体とする酸化皮膜になるように酸化され
る。
lまたはAIt系金属層は、少なくともその表面がAl
12 o3を主体とする酸化皮膜になるように酸化され
る。
Al203は優れた電気絶縁性を有するので、この酸化
皮膜は3層構造クラッド材の表面に設けられた絶縁層と
して機能する。
皮膜は3層構造クラッド材の表面に設けられた絶縁層と
して機能する。
AlまたはAl系金属層は、必ずしもその層全体がAl
203を主体とする酸化皮膜へ酸化される必要はないが
、少なくともAlまたはAl系金属層の表面は酸化皮膜
で被覆されるように酸化皮膜層が形成されることが必要
である。
203を主体とする酸化皮膜へ酸化される必要はないが
、少なくともAlまたはAl系金属層の表面は酸化皮膜
で被覆されるように酸化皮膜層が形成されることが必要
である。
る。
酸化皮膜層の厚さは必要に応じて所望の厚さにすること
ができるが、0.1〜200−が好ましい。
ができるが、0.1〜200−が好ましい。
AlまたはAl系金属層の酸化方法は、特に限定されな
いが電解液中での陽極酸化法によることが好ましい。
陽極酸化する際の設定条件は常法による。
いが電解液中での陽極酸化法によることが好ましい。
陽極酸化する際の設定条件は常法による。
このようにして形成される酸化皮膜層の形成態様として
は、所望により3層構造クラッド材の片面のみならず両
面に形成されることもできる。 また、所望により、3
層構造クラッド材の表面全体のみならず、回路形成部分
に応じて部分的にも形成されることができる。
は、所望により3層構造クラッド材の片面のみならず両
面に形成されることもできる。 また、所望により、3
層構造クラッド材の表面全体のみならず、回路形成部分
に応じて部分的にも形成されることができる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定さ
るるものではない。
るるものではない。
〈実施例1〉
第1図に示すような真空蒸着装置で、Cu/Fe−Ni
合金/ Cuの3層構造クラッド材(板厚1.0mm、
100mm角)2を基板として基板ホルダ1に設置し、
蒸着材料のAl13を10−5torrの減圧下で加熱
ヒーター4により加熱しながら、成膜速度50人/wi
nで厚さ130−に上記3層構造クラッド材の銅表面に
成膜した。 次に第1表に示す反応条件で成膜したAl
層を陽極酸化させ、Al2o3を主体とする酸化皮膜層
を絶縁層として形成し、本発明の表面実装用基板を製造
した。 この絶縁層の耐電圧を測定したところ2〜3に
Vであり、本発明の表面実装用基板は従来の絶縁層とし
てアルミナ(AJL203 )板をロウ付したものに近
い絶縁性を示した。
合金/ Cuの3層構造クラッド材(板厚1.0mm、
100mm角)2を基板として基板ホルダ1に設置し、
蒸着材料のAl13を10−5torrの減圧下で加熱
ヒーター4により加熱しながら、成膜速度50人/wi
nで厚さ130−に上記3層構造クラッド材の銅表面に
成膜した。 次に第1表に示す反応条件で成膜したAl
層を陽極酸化させ、Al2o3を主体とする酸化皮膜層
を絶縁層として形成し、本発明の表面実装用基板を製造
した。 この絶縁層の耐電圧を測定したところ2〜3に
Vであり、本発明の表面実装用基板は従来の絶縁層とし
てアルミナ(AJL203 )板をロウ付したものに近
い絶縁性を示した。
〈実施例2〉
第2図に示すようなイオンスパッタ装置で、Cu /
F e −N i合金/ Cuの3層構造クラット材(
板厚1.0mm、100mm角)2を基板として、Ti
をカソード7とし、10−!〜10 ” torrのA
r雰囲気下で成膜速度10人/Sで3層構造クラッド材
の銅表面に最小厚さ0.5−を成膜した後、Alをカソ
ード7として成膜速度15人/Sで最小厚さ30pnと
Ti上に成膜した。 次に第1表に示す反応条件でAl
層を陽極酸化させ、AIt203を主体とする酸化皮膜
層を絶縁層として形成し、本発明の表面実装用基板を製
造した。 この絶縁層の耐電圧を測定したところ1.5
〜2にVであり、本発明の表面実装用基板は、従来のホ
ーロー厚140−を絶縁層とする表面実装用基板と同等
の特性を示した。
F e −N i合金/ Cuの3層構造クラット材(
板厚1.0mm、100mm角)2を基板として、Ti
をカソード7とし、10−!〜10 ” torrのA
r雰囲気下で成膜速度10人/Sで3層構造クラッド材
の銅表面に最小厚さ0.5−を成膜した後、Alをカソ
ード7として成膜速度15人/Sで最小厚さ30pnと
Ti上に成膜した。 次に第1表に示す反応条件でAl
層を陽極酸化させ、AIt203を主体とする酸化皮膜
層を絶縁層として形成し、本発明の表面実装用基板を製
造した。 この絶縁層の耐電圧を測定したところ1.5
〜2にVであり、本発明の表面実装用基板は、従来のホ
ーロー厚140−を絶縁層とする表面実装用基板と同等
の特性を示した。
〈実施例4〉
仕事ロール径200mmの圧延機でAl/Cu / F
e −N i合金/ Cuの4層構造のクラッド材を
冷間圧延圧接法で作成した。 この時のA4金属層の厚
さは150Pであり、残りのCu / F e −N
i合金/ Cuの3層の厚さは・ 1・Ommであった
。
e −N i合金/ Cuの4層構造のクラッド材を
冷間圧延圧接法で作成した。 この時のA4金属層の厚
さは150Pであり、残りのCu / F e −N
i合金/ Cuの3層の厚さは・ 1・Ommであった
。
この4層構造クラッド材を100mm角に切断し、Al
金属層を第1表に示す反応条件で陽極酸化させ、厚さ1
30#mのAl2O3を主体とする酸化皮膜層を絶縁層
として形成した。
金属層を第1表に示す反応条件で陽極酸化させ、厚さ1
30#mのAl2O3を主体とする酸化皮膜層を絶縁層
として形成した。
この絶縁層の耐電圧を測定したところ2〜3KVを示し
た。
た。
〈発明の効果〉
本発明によれば、熱膨張係数がSiに近いCu / F
e −N i系合金/ CuまたはFe−Ni系合金
/ Cu / F e −N i系合金の3層構造クラ
ッド材をメタルコア基板として使用しているので、基板
と実装するSiチップ等との熱膨張係数のミスマツチン
グが生ぜず、高温状態においても基板にクラックが発生
することはない。 また、このような3層構造クラッド
材を使用することにより、熱放散性、耐熱性に優れた表
面実装用基板が提案される。
e −N i系合金/ CuまたはFe−Ni系合金
/ Cu / F e −N i系合金の3層構造クラ
ッド材をメタルコア基板として使用しているので、基板
と実装するSiチップ等との熱膨張係数のミスマツチン
グが生ぜず、高温状態においても基板にクラックが発生
することはない。 また、このような3層構造クラッド
材を使用することにより、熱放散性、耐熱性に優れた表
面実装用基板が提案される。
さらに、本発明によれば、Cu / F e −N i
系合金/ CuまたはFe−Ni系合金/ Cu /F
e−Ni系合金の3層構造クラッド材の表面に設けられ
たAlまたはAl系金属層の少なくとも表面部分を酸化
皮膜にして絶縁層が形成されるので、絶縁層と3層構造
クラッド材との接着性が優れているのみならず、その製
造方法に関しては従来のように予め用意したアルミナ(
Al203 )基板を温度800〜950℃に加熱して
ロウ付する必要もなく、工業生産工程においても容易に
製造でき、量産性加工性に優れた表面実装用基板が提供
される。 ま たAl2O2を主体とする酸化皮膜を絶
縁層としているので、絶縁性に優れた表面実装用基板が
提供される。
系合金/ CuまたはFe−Ni系合金/ Cu /F
e−Ni系合金の3層構造クラッド材の表面に設けられ
たAlまたはAl系金属層の少なくとも表面部分を酸化
皮膜にして絶縁層が形成されるので、絶縁層と3層構造
クラッド材との接着性が優れているのみならず、その製
造方法に関しては従来のように予め用意したアルミナ(
Al203 )基板を温度800〜950℃に加熱して
ロウ付する必要もなく、工業生産工程においても容易に
製造でき、量産性加工性に優れた表面実装用基板が提供
される。 ま たAl2O2を主体とする酸化皮膜を絶
縁層としているので、絶縁性に優れた表面実装用基板が
提供される。
さらにまた、AlまたはAl系金属層の下地としてTi
層を有する本発明の態様によれば、温度上昇下において
も絶縁層とメタルコア基板との間に剥離しやすい金属間
化合物が生成されることを妨げることができ、絶縁層と
メタルコア基板との接着性を一層向上させることができ
る。
層を有する本発明の態様によれば、温度上昇下において
も絶縁層とメタルコア基板との間に剥離しやすい金属間
化合物が生成されることを妨げることができ、絶縁層と
メタルコア基板との接着性を一層向上させることができ
る。
第1図は、Al層の形成に用いる真空蒸着装置の構造を
模式的に示す断面図である。 第2図は、Ti層およびAl層の形成に用いるイオンス
パッタ装置の構造を模式的に示す断面図である。 符号の説明 1・一基板ホルダ、 2−−− Cu / F e −N i合金/ Cuの
3層構造クラッド材基板、 3・・・蒸着材料のAl. 4・−・加熱ヒータ、 5・・・排気系、 6・・・アノード、 7・・・カソード F I G、1 手続ネre正書(自発) 昭和62年 5月21日 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内2丁目1番2号名
称 (s 12)日立電線株式会社代表者橋本博治 4、代理人 〒101電話864−4498住 所
東京都千代田区岩本町3丁目2番2号5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 6、補正の内容 (1)明細書第4頁第8行の「実相」を「実装」と訂正
する。 (2)同第4頁第18行の「は発熱量」を「発熱量」と
訂正する。 (3)同第5頁第2行のr/M2基板にクラック」を「
半田接続部の破断」と訂正する。 (4)同第5頁第5行の「抵抗体の焼付」を「系絶縁体
のロウ材」と訂正する。 (5)同第5頁第6行の「高温・・・・・・・・低下」
を「ロウ材が制限されること」と訂正する。 (6)同第5頁第10行〜第11行の「硬い・・・・・
・・・さらに」を削除する。 (7)同第9頁第13行のrAlを速やかに酸化」を「
良好な酸化膜を形成」と訂正する。 (8)同第11頁第7行〜第10行の「半導体素子・・
・・・・・・生成される」を「熱膨張のミスマツチング
をコントロールすることが困難となる」と訂正する。 (9)同第12頁第7行の「従来の」を削除する。 (10)同第15頁第18行の「実施例4」を「実施例
3」と訂正する。 (11)同第18頁第7行〜第8行の「高温・・・・・
・・・クラック」を「半田接続部の破断」と訂正する。
模式的に示す断面図である。 第2図は、Ti層およびAl層の形成に用いるイオンス
パッタ装置の構造を模式的に示す断面図である。 符号の説明 1・一基板ホルダ、 2−−− Cu / F e −N i合金/ Cuの
3層構造クラッド材基板、 3・・・蒸着材料のAl. 4・−・加熱ヒータ、 5・・・排気系、 6・・・アノード、 7・・・カソード F I G、1 手続ネre正書(自発) 昭和62年 5月21日 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内2丁目1番2号名
称 (s 12)日立電線株式会社代表者橋本博治 4、代理人 〒101電話864−4498住 所
東京都千代田区岩本町3丁目2番2号5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 6、補正の内容 (1)明細書第4頁第8行の「実相」を「実装」と訂正
する。 (2)同第4頁第18行の「は発熱量」を「発熱量」と
訂正する。 (3)同第5頁第2行のr/M2基板にクラック」を「
半田接続部の破断」と訂正する。 (4)同第5頁第5行の「抵抗体の焼付」を「系絶縁体
のロウ材」と訂正する。 (5)同第5頁第6行の「高温・・・・・・・・低下」
を「ロウ材が制限されること」と訂正する。 (6)同第5頁第10行〜第11行の「硬い・・・・・
・・・さらに」を削除する。 (7)同第9頁第13行のrAlを速やかに酸化」を「
良好な酸化膜を形成」と訂正する。 (8)同第11頁第7行〜第10行の「半導体素子・・
・・・・・・生成される」を「熱膨張のミスマツチング
をコントロールすることが困難となる」と訂正する。 (9)同第12頁第7行の「従来の」を削除する。 (10)同第15頁第18行の「実施例4」を「実施例
3」と訂正する。 (11)同第18頁第7行〜第8行の「高温・・・・・
・・・クラック」を「半田接続部の破断」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)メタルコア基板上にAlまたはAl系金属層が形
成され、このAlまたはAl系金属層の少なくとも表面
部分が酸化されて酸化皮膜となり絶縁層となっているこ
とを特徴とする表面実装用基板。 (2)前記メタルコア基板がCu/Fe−Ni系合金/
CuまたはFe−Ni系合金/Cu/Fe−Ni系合金
の3層構造クラッド材であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の表面実装用基板。 (3)前記AlまたはAl系金属層の厚さが0.1〜2
00μmであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項に記載の表面実装用基板。 (4)前記Al系金属がMgおよび/またはZnを含ん
でいることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
3項のいずれか1項に記載の表面実装用基板。 (5)前記AlまたはAl系金属層が気相めっき法また
は圧延圧接法により前記メタルコア基板上に形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3
項のいずれか1項に記載の表面実装用基板。 (6)前記AlまたはAl系金属層の少なくとも表面部
分が陽極酸化により酸化されていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれか1項に記載
の表面実装用基板。 (7)メタルコア基板上にTi層が形成され、このTi
層上にAlまたはAl系金属層が形成され、このAlま
たはAl系金属層の少なくとも表面部分が酸化されて酸
化皮膜となり絶縁層となっていることを特徴とする表面
実装用基板。 (8)メタルコア基板がCu/Fe−Ni系合金/Cu
またはFe−Ni系合金/Cu/ Fe−Ni系合金の3層構造クラッド材であることを特
徴とする特許請求の範囲第7項記載の表面実装用基板。 (9)AlまたAl系金属層の厚さが 0.1〜200μmであることを特徴とする特許請求の
範囲第7項または第8項に記載の表面実装用基板。 (10)Al系金属がMgおよび/またはZnを含んで
いることを特徴とする特許請求の範囲第7項ないし第9
項のいずれか1項に記載の表面実装用基板。 (11)AlまたはAl系金属層が気相めっき法または
圧延圧接法によりメタルコア基板上に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第7ないし第9項のいず
れか1項に記載の表面実装用基板。 (12)AlまたはAl系金属層の少なくとも表面部分
が陽極酸化により酸化されていることを特徴とする特許
請求の範囲第7ないし第9項のいずれか1項に記載の表
面実装用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9606087A JPS63261732A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 表面実装用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9606087A JPS63261732A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 表面実装用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63261732A true JPS63261732A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14154895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9606087A Pending JPS63261732A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 表面実装用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63261732A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003237010A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-26 | Toyo Kohan Co Ltd | 抵抗板積層材の製造方法および抵抗板積層材を用いた部品の製造方法 |
JP2006281636A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体 |
JP2009132996A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 耐熱性絶縁基板およびその製造方法 |
JP2010163696A (ja) * | 2010-04-27 | 2010-07-29 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
CN104789964A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-07-22 | 上海交通大学 | 一种高温合金表面高温绝缘涂层的制备方法 |
JP2016029725A (ja) * | 2010-09-16 | 2016-03-03 | Shマテリアル株式会社 | 半導体発光素子搭載用基板、及びそれを用いた半導体発光装置 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9606087A patent/JPS63261732A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003237010A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-26 | Toyo Kohan Co Ltd | 抵抗板積層材の製造方法および抵抗板積層材を用いた部品の製造方法 |
JP2006281636A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体 |
JP2009132996A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 耐熱性絶縁基板およびその製造方法 |
JP2010163696A (ja) * | 2010-04-27 | 2010-07-29 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
JP2016029725A (ja) * | 2010-09-16 | 2016-03-03 | Shマテリアル株式会社 | 半導体発光素子搭載用基板、及びそれを用いた半導体発光装置 |
CN104789964A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-07-22 | 上海交通大学 | 一种高温合金表面高温绝缘涂层的制备方法 |
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