JPS63193579A - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は表面実装タイプに属する光半導体装置の改良に
係り、可視光もしくは赤外線を放射する光半導体素子の
指光性を改善するものである。

（従来の技術） 使用機器に設ける平坦な表面に設置する光半導体装置は
いわゆる表面実装タイプと云われており。

当然ながらその一面には光半導体素子と電気的接続を図
る電極を設け、しかもその反対側に光半導体素子からの
放射光を照射する形状が採用されている。

その構造を第６図ならびに第７図により説明すると、先
ず支持基板５０としてセラミック製基板もしくはプリン
ト基板を準備し、その−面には導電性金属である銅もし
くは銅合金からなるパターン５１、５１を非連続部５２
によって分離して形成する。

プリント基板を適用する場合には予め通常の手法で形成
した導電パターンを利用し、更にこのプリント基板の他
面にも被着する電極５３．５３との間はスルーホールに
設置する導体５４によって電気的な接続を図る。

一方、発光素子もしくはフォトトランジスタ等の半導体
素子５５はその一部に設ける電極と導電パターンの一方
を金属細線５６によって接続することによって、電極５
３．５３はこの半導体素子５５に必要な両極を構成する
結果となり、従って表面実装に適する構造となる。

更に、この絶縁性支持基板５０の一面にはセラミック等
からなる環状絶縁性板体５７を積層して固着して耐熱性
特性を付与し、更に得られる開孔、即ち導電パターン５
１．５１、光半導体素子５５ならびに金属細線５６を被
覆する形状となる。第７図にはこの透光性樹脂の被覆工
程前の状態を斜視図によって示した。この図から明らか
なように環状絶縁性板体５７・・・の開口は導電性パタ
ーン５１．５１から垂直な面で構成され、と言うのはこ
の環状絶縁性板体は同一寸法に形成されている。

（発明が解決しようとする問題点） このような構造を持った光半導体装置は耐熱特性を考慮
して前述のように同一寸法の環状絶縁性板体を積層して
おり、その開孔寸法は約２φであるため半導体素子の真
上附近だけが発光することになり、その放射光に指向性
が広くない難点がある。従って、この表面実装型の光半
導体装置を電話器等に使用した場合、利用者の視覚が限
定されて不便になり商品価値を損ねる結果を招くことに
なる。

本発明は上記難点を除去する新規な光半導体装置を提供
することを目的とするものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この目的を達成するため、本発明に係る光半導体装置で
は絶縁性支持基板の一面に配置する導電パターンならび
に光半導体素子を囲んで積層する環状絶縁性板体の径を
階段状に増すことによって光半導体装置頂面から放射光
を拡大する手法を採用する。

（作　用） このように本発明は従来から使用している表面実装タイ
プの光半導体装置の大部分の構造を生かすように配慮し
て環状絶縁性板体の寸法を階段状に変化させることによ
り光半導体素子からの放射光の指向性を増大し、この結
果表面実装タイプの光半導体装置頂面から放散する光路
を拡大してその商品価値を向上する。

（実施例） 第１図乃至第５図により本発明を詳述するが、従来の技
術瀾と重複する記載にも新番号を付して説明する。

第１図ならびに第５図は、この光半導体装置の一部切欠
斜視図を、第２図は完成した光半導体装置の斜視図を、
第３図ａ　−Ｑならびに第４図ａ〜Ｃは、適用する部品
である環状絶縁性板体の斜視図を示した。

この表面実装タイプの光半導体装置はプリント基板もし
くはセラミック基板などを採用する絶縁性支持基板１を
準備し、その互に対向する表面を構成するその一面には
銅もしくは調合金製の導電パターン２，２を不連続部３
によって分離して形成し、その他面にもこの導電パター
ン２，２に対応する導電性金属からなる裏面電極４・・
・を設ける。

一方この導電パターン２・・・と裏面電極４・・・を電
気的に接続するのには、絶縁性支持基板１にスルーホー
ルを設け、ここには無電界メッキもしくは通常のメッキ
法によって導電性金属層５を被着することによって達成
する。

不連続部によって分離する導電パターン２，２の一方に
発光素子もしくはフォトトランジスタ等の光半導体素子
６を導電性ペースト等によってマウントし、その電極と
他の導電パターン２間を金属細線７によるボンディング
工程によって電気的な導通を図り、前述のスルーホール
に被着した導電性金属層５・・・を介して裏面電極４・
・・に接続して、この結果表面実装タイプの光半導体装
置に必要な構造を作成する。一方、この裏面電極と電源
などの導通によって稼動する光半導体素子からの可視光
（４００ｎｍ〜６００ｎｍ）ならびに赤外光を放射する
のを助けるのに、第３図ａ−ｃもしくは第４図ａ　”　
ｃに示すセラミック製の環状絶縁性板体８・・・を絶縁
性支持基板１の一面に被着する。この場合その開孔９・
・・内に光半導体素子６ならびに金属細線７を位置させ
るのは勿論である。

この環状絶縁性板体８・・・の材質としてセラミッりを
選定するのは光半導体装置に要求される耐熱特性ならび
に機械的強度を満すためであり、更にこの開孔９の寸法
を相違させて光半導体素子６からの放散光通路を拡大す
るように配慮している。

この環状絶縁性板体８・・の固着に当ってはガラエボ基
板等に適用するガラス成分を含んだペーストを利用し、
その工程を経てから開孔９内に透光性樹脂を充填して（
図示せず）光半導体装置を完成する。

尚、この環状絶縁性板体８・・・に設ける開孔９の形状
としては第３図に示す直方体、もしくは第４図の円形等
を適宜選定し、その径はほぼ２φであり、更に、必要に
応じて光半導体素子６の数を第２図に示すように増すこ
とも可能であるのは言うまでもない。

〔発明の効果〕

このように本発明に係る表面実装タイプの光半導体装置
はその頂面からの放射光を広範囲として需要者の視覚に
制御を与えず、その商品価値を高めるものである。これ
を達成する構造としては絶縁性支持基板の一面に固着す
る複数の環状絶縁性板体開孔寸法を階段状に変えて、安
価にしかも容易に形成し、更に光半導体素子と金属細線
のボンディング等における作業性も向上して、量産上の
効果ももたらしてひいては歩留り向上に寄与できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第５図は本発明に係る実施例を示す一部切欠
斜視図、第２図は、本発明の光半導体装置の斜視図、第
３図ａ　’＝　ｃならびに第４図ａ　−Ｑは構成部品の
斜視図、第６図は従来例を示す一部切欠斜視図、第７図
は従来の光半導体装置斜視図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁性支持基板の一面に形成する非連続部をもつ導電パ
   ターンと、その一方に被着する光半導体素子と、この光
   半導体素子電極と、他の導電パターンを電気的に接続す
   る手段と、前記絶縁性支持基板の一面に対向する他面に
   設ける複数の電極と、前記絶縁性支持基板の厚さ方向を
   貫通して前記導電パターンならびに複数の電極を導電的
   に接続する手段とを具備し、前記絶縁性支持基板の一面
   に積層する複数の環状絶縁性板体径を階段状に増し、得
   られる開孔に透光性樹脂層を配置することを特徴とする
   光半導体装置。