JPS63181375A - 高周波バイポ−ラ型トランジスタの製造方法 - Google Patents
高周波バイポ−ラ型トランジスタの製造方法Info
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- JPS63181375A JPS63181375A JP1130487A JP1130487A JPS63181375A JP S63181375 A JPS63181375 A JP S63181375A JP 1130487 A JP1130487 A JP 1130487A JP 1130487 A JP1130487 A JP 1130487A JP S63181375 A JPS63181375 A JP S63181375A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高周波バイポーラ型トランジスタの製造方法
に係り、特に、そのエミッタ領域の形成方法に関するも
のである。
に係り、特に、そのエミッタ領域の形成方法に関するも
のである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、例えば、以下に
示されるものがあった。
示されるものがあった。
第2図は係る従来の高周波バイポーラ型トランジスタの
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
この図を用いて従来の高周波バイポーラ型トランジスタ
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
まず、第2図(a)に示されるように、P型半4体基F
i、1上に埋込拡散(No)層2を形成し、次にエピタ
キシャル(NlFJ3を形成する0次にコレクタ層と埋
込層2とをつなげコレクタ抵抗を減らす層2′を設ける
0次にベース層となる領域4を設け、ベースコンタクト
用のサイドベース層4′を形成し、その上に絶縁膜5を
設ける。
i、1上に埋込拡散(No)層2を形成し、次にエピタ
キシャル(NlFJ3を形成する0次にコレクタ層と埋
込層2とをつなげコレクタ抵抗を減らす層2′を設ける
0次にベース層となる領域4を設け、ベースコンタクト
用のサイドベース層4′を形成し、その上に絶縁膜5を
設ける。
次に、説明を容易にするために第2図(a)におけるA
部の拡大図を示し、以降そのA部について説明する。
部の拡大図を示し、以降そのA部について説明する。
そこで、第2図(b)に示されるように、ベース層4.
4′が形成された後、絶縁膜5にエミッタ拡散用の窓を
作るために公知のホトリソ技術を用いてレジスト6のパ
ターンを形成する。
4′が形成された後、絶縁膜5にエミッタ拡散用の窓を
作るために公知のホトリソ技術を用いてレジスト6のパ
ターンを形成する。
次に、第2図(c)に示されるように、公知のエツチン
グ技術を用いてエミッタ拡散用の開孔部7を形成する。
グ技術を用いてエミッタ拡散用の開孔部7を形成する。
次に、第2図(d)に示されるように、公知の拡散技術
を用いてエミッタ(No)層8を形成する。
を用いてエミッタ(No)層8を形成する。
このようにして、高周波バイポーラ型トランジスタが形
成される。
成される。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、以上述べた方法によってよりよい高周波
特性を得るためには、エミッタの幅をより微細にする必
要があるが、従来の方法ではホトリソ技術で決定されて
しまい現状では1〜2μm程度を実現するのが限度であ
り、それより微細なものは望めなかった。
特性を得るためには、エミッタの幅をより微細にする必
要があるが、従来の方法ではホトリソ技術で決定されて
しまい現状では1〜2μm程度を実現するのが限度であ
り、それより微細なものは望めなかった。
本発明は、以上述べたエミツタ幅の微細化を容易に実現
できる高周波バイポーラ型トランジスタの製造方法を提
供することを目的とする。
できる高周波バイポーラ型トランジスタの製造方法を提
供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、高周波バイポ
ーラ型トランジスタの製造方法において、ベース層の上
部の!!i縁膜上にサイドウオールを形成するためのポ
リシリコン層を形成する工程と、サイドウオール形成用
の不純物がドープされた絶縁膜を形成する工程と、サイ
ドウオール層を形成する工程と、そのサイドウオール層
から不純物を拡散させ、エミッタ領域を形成する工程と
、エッチバンク法により表面を平坦にし、不純物濃度が
異なる絶縁物領域を形成する工程と、その絶縁物領域の
不純物濃度差を利用してウォッシュアウトしエミッタの
コンタクトホールを形成する工程とを施すようにしたも
のである。
ーラ型トランジスタの製造方法において、ベース層の上
部の!!i縁膜上にサイドウオールを形成するためのポ
リシリコン層を形成する工程と、サイドウオール形成用
の不純物がドープされた絶縁膜を形成する工程と、サイ
ドウオール層を形成する工程と、そのサイドウオール層
から不純物を拡散させ、エミッタ領域を形成する工程と
、エッチバンク法により表面を平坦にし、不純物濃度が
異なる絶縁物領域を形成する工程と、その絶縁物領域の
不純物濃度差を利用してウォッシュアウトしエミッタの
コンタクトホールを形成する工程とを施すようにしたも
のである。
(作用)
本発明によれば、上記のように構成し、ポリシリコン(
多結晶シリコン)の段差端部にN型の不純物がドープさ
れた膜、例えば、PSG、 ASGを異方性エツチング
法によりサイドウオール層として残し、これを拡散源と
してエミッタ領域を形成する。
多結晶シリコン)の段差端部にN型の不純物がドープさ
れた膜、例えば、PSG、 ASGを異方性エツチング
法によりサイドウオール層として残し、これを拡散源と
してエミッタ領域を形成する。
その後、全面にエッチバンク法により表面を平坦にし、
絶縁膜中の不純物濃度差を利用しエミッタ部をウォッシ
ュアウトすることにより、テーパのついたエミッタ用コ
ンタクトホールを得ることができる。
絶縁膜中の不純物濃度差を利用しエミッタ部をウォッシ
ュアウトすることにより、テーパのついたエミッタ用コ
ンタクトホールを得ることができる。
このように、サイドウオール層よりの拡散によりエミツ
タ層を得るため、高度なホトリソ技術を必要とすること
なく、サブミクロンオーダのエミッタを得ることができ
る。また、サイドウオール用絶縁膜に含まれる不純物量
、その膜厚を選択することにより、エミツタ層の濃度及
びエミツタ幅を任意にコントロールすることができる。
タ層を得るため、高度なホトリソ技術を必要とすること
なく、サブミクロンオーダのエミッタを得ることができ
る。また、サイドウオール用絶縁膜に含まれる不純物量
、その膜厚を選択することにより、エミツタ層の濃度及
びエミツタ幅を任意にコントロールすることができる。
更に、エミッタ幅0.3μm以下も容易に再現性よく実
現できるため、より高周波特性の良いバイポーラ型トラ
ンジスタが形成できる。
現できるため、より高周波特性の良いバイポーラ型トラ
ンジスタが形成できる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す高周波バイポーラ型トラ
ンジスタの製造工程断面図である。
ンジスタの製造工程断面図である。
以下、本発明の高周波バイポーラ型トランジスタの製造
方法を第1図を参照しながら説明する。
方法を第1図を参照しながら説明する。
まず、第1図(a)に示されるように、ベース層4.4
′が形成された絶縁膜5上にポリシリコン10を、例え
ば、3600人成長させる。
′が形成された絶縁膜5上にポリシリコン10を、例え
ば、3600人成長させる。
次に、エミッタを形成すべ(公知のホトリソ技術により
レジストパターン!lを形成する。このレジストパター
ンの幅はエミッタ間隔が1.2μmになることを考慮し
て形成する。
レジストパターン!lを形成する。このレジストパター
ンの幅はエミッタ間隔が1.2μmになることを考慮し
て形成する。
次に、第1図(b)に示されるように、公知のエツチン
グ技術によりポリシリコン10及び絶縁膜5をエツチン
グする。エツチングはドライでもウェットでも良し1゜ 次に、第1図(c)に示されるように、N型不純物がド
ープされたw!1縁膜12、例えば、PSG膜の場合、
濃度16重量%で膜厚5500人を形成する。つまり、
サイドウオール形成工程に入る。このサイドウオールに
使用される不純物ドープ絶縁膜が以後のエミッタの拡散
源になるため、必要に応じて濃度をコントロールする。
グ技術によりポリシリコン10及び絶縁膜5をエツチン
グする。エツチングはドライでもウェットでも良し1゜ 次に、第1図(c)に示されるように、N型不純物がド
ープされたw!1縁膜12、例えば、PSG膜の場合、
濃度16重量%で膜厚5500人を形成する。つまり、
サイドウオール形成工程に入る。このサイドウオールに
使用される不純物ドープ絶縁膜が以後のエミッタの拡散
源になるため、必要に応じて濃度をコントロールする。
また、このサイドウオール形成時の絶縁膜の膜厚がサイ
ドウオールの幅も左右するため考慮して設定する。また
、PSG膜に代えて、ASG等のN型不純物がドープさ
れた絶縁膜を形成するようにしてもよい。
ドウオールの幅も左右するため考慮して設定する。また
、PSG膜に代えて、ASG等のN型不純物がドープさ
れた絶縁膜を形成するようにしてもよい。
次に、第1図(d)に示されるように、公知の異方性ド
ライエツチング技術を用いてサイドウオール層13を形
成する。この時のサイドウオール層の輻B (0,3μ
m)がエツチング幅になる。
ライエツチング技術を用いてサイドウオール層13を形
成する。この時のサイドウオール層の輻B (0,3μ
m)がエツチング幅になる。
次に、第1図(e)に示されるように、公知の酸化拡散
技術により絶縁膜14を形成すると共にエミッタ領域1
5の形成も行う、即ち、サイドウオール膜からドープさ
れている不純物が拡散され、エミッタ領域15が形成さ
れる。更に、レジスト16を塗布する。
技術により絶縁膜14を形成すると共にエミッタ領域1
5の形成も行う、即ち、サイドウオール膜からドープさ
れている不純物が拡散され、エミッタ領域15が形成さ
れる。更に、レジスト16を塗布する。
次に、第1図(f)に示されるように、公知のエンチン
グ技術であるエッチバック法を用いml!膜5.14を
残すようにエツチングする。なお、17は不純物が含ま
れている絶縁膜である。
グ技術であるエッチバック法を用いml!膜5.14を
残すようにエツチングする。なお、17は不純物が含ま
れている絶縁膜である。
次に、第1図(g)に示されるように、絶縁膜5゜14
と不純物が含まれている絶縁膜17を公知のウェットエ
ツチングによりエツチング速度の差を利用して、絶縁膜
17が除去できるまでエツチングする。
と不純物が含まれている絶縁膜17を公知のウェットエ
ツチングによりエツチング速度の差を利用して、絶縁膜
17が除去できるまでエツチングする。
所謂ウォフシュドアウトエッヂングを行う、この際、0
部のように角にテーバが必然的に形成されたエミッタ用
コンタクトホール18を得ることができる。これは絶縁
[17より絶a膜5,14へ若干不純物が拡散されてい
るためである。
部のように角にテーバが必然的に形成されたエミッタ用
コンタクトホール18を得ることができる。これは絶縁
[17より絶a膜5,14へ若干不純物が拡散されてい
るためである。
コノヨウにして、エミッタ領域とそのコンタクトホール
の形成が行われる。
の形成が行われる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、サイド
ウオール層よりの拡散によりエミツタ層を実現するため
、高度なホトリソ技術を必要とすることなく、サブミク
ロンオーダのエミッタを得ることができる。また、サイ
゛ドウオール用絶縁膜に含まれる不純物量、その膜厚を
選択することにより、エミツタ層の濃度及びエミツタ幅
を任意にコントロールすることができる。更に、エミツ
タ幅0.3μm以下も容易に再現性よく実現できるため
、より高周波特性の良いトランジスタが形成できる。
ウオール層よりの拡散によりエミツタ層を実現するため
、高度なホトリソ技術を必要とすることなく、サブミク
ロンオーダのエミッタを得ることができる。また、サイ
゛ドウオール用絶縁膜に含まれる不純物量、その膜厚を
選択することにより、エミツタ層の濃度及びエミツタ幅
を任意にコントロールすることができる。更に、エミツ
タ幅0.3μm以下も容易に再現性よく実現できるため
、より高周波特性の良いトランジスタが形成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る高周波バイポーラ型トランジスタ
の製造工程断面図、第2図は従来の高周波バイポーラ型
トランジスタの製造工程断面図である。 4.4′・・・ベース層、5.14・・・絶縁膜、10
・・・ポリシリコン、If・・・レジストパターン、1
2・・・不純物ドープ絶縁膜、13・・・サイドウオー
ル層、15・・・エミッタ領域、16・・・レジスト、
17・・・不純物が含まれている絶縁膜、18・・・エ
ミッタ用コンタクトホール。
の製造工程断面図、第2図は従来の高周波バイポーラ型
トランジスタの製造工程断面図である。 4.4′・・・ベース層、5.14・・・絶縁膜、10
・・・ポリシリコン、If・・・レジストパターン、1
2・・・不純物ドープ絶縁膜、13・・・サイドウオー
ル層、15・・・エミッタ領域、16・・・レジスト、
17・・・不純物が含まれている絶縁膜、18・・・エ
ミッタ用コンタクトホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)ベース層の上部の絶縁膜上にポリシリコン層を形
成する工程と、 (b)不純物がドープされた絶縁膜を形成する工程と、 (c)サイドウォール層を形成する工程と、 (d)該サイドウォール層から不純物を拡散させ、エミ
ッタ領域を形成する工程と、 (e)エッチバック法により表面を平坦にし、不純物濃
度が異なる絶縁物領域を形成する工程と、 (f)該絶縁物領域の不純物濃度差を利用してウォッシ
ュアウトしエミッタのコンタクトホールを得る工程とを
有することを特徴とする高周波バイポーラ型トランジス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1130487A JPS63181375A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 高周波バイポ−ラ型トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1130487A JPS63181375A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 高周波バイポ−ラ型トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63181375A true JPS63181375A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11774264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1130487A Pending JPS63181375A (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 高周波バイポ−ラ型トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63181375A (ja) |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP1130487A patent/JPS63181375A/ja active Pending
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