JPS63181375A - 高周波バイポ−ラ型トランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高周波バイポーラ型トランジスタの製造方法
に係り、特に、そのエミッタ領域の形成方法に関するも
のである。

（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば、以下に
示されるものがあった。

第２図は係る従来の高周波バイポーラ型トランジスタの
製造工程断面図である。

この図を用いて従来の高周波バイポーラ型トランジスタ
の製造方法について説明する。

まず、第２図（ａ）に示されるように、Ｐ型半４体基Ｆ
ｉ、１上に埋込拡散（Ｎｏ）層２を形成し、次にエピタ
キシャル（ＮｌＦＪ３を形成する０次にコレクタ層と埋
込層２とをつなげコレクタ抵抗を減らす層２′を設ける
０次にベース層となる領域４を設け、ベースコンタクト
用のサイドベース層４′を形成し、その上に絶縁膜５を
設ける。

次に、説明を容易にするために第２図（ａ）におけるＡ
部の拡大図を示し、以降そのＡ部について説明する。

そこで、第２図（ｂ）に示されるように、ベース層４．
４′が形成された後、絶縁膜５にエミッタ拡散用の窓を
作るために公知のホトリソ技術を用いてレジスト６のパ
ターンを形成する。

次に、第２図（ｃ）に示されるように、公知のエツチン
グ技術を用いてエミッタ拡散用の開孔部７を形成する。

次に、第２図（ｄ）に示されるように、公知の拡散技術
を用いてエミッタ（Ｎｏ）層８を形成する。

このようにして、高周波バイポーラ型トランジスタが形
成される。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、以上述べた方法によってよりよい高周波
特性を得るためには、エミッタの幅をより微細にする必
要があるが、従来の方法ではホトリソ技術で決定されて
しまい現状では１〜２μｍ程度を実現するのが限度であ
り、それより微細なものは望めなかった。

本発明は、以上述べたエミツタ幅の微細化を容易に実現
できる高周波バイポーラ型トランジスタの製造方法を提
供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、高周波バイポ
ーラ型トランジスタの製造方法において、ベース層の上
部の！！ｉ縁膜上にサイドウオールを形成するためのポ
リシリコン層を形成する工程と、サイドウオール形成用
の不純物がドープされた絶縁膜を形成する工程と、サイ
ドウオール層を形成する工程と、そのサイドウオール層
から不純物を拡散させ、エミッタ領域を形成する工程と
、エッチバンク法により表面を平坦にし、不純物濃度が
異なる絶縁物領域を形成する工程と、その絶縁物領域の
不純物濃度差を利用してウォッシュアウトしエミッタの
コンタクトホールを形成する工程とを施すようにしたも
のである。

（作用） 本発明によれば、上記のように構成し、ポリシリコン（
多結晶シリコン）の段差端部にＮ型の不純物がドープさ
れた膜、例えば、ＰＳＧ、　ＡＳＧを異方性エツチング
法によりサイドウオール層として残し、これを拡散源と
してエミッタ領域を形成する。

その後、全面にエッチバンク法により表面を平坦にし、
絶縁膜中の不純物濃度差を利用しエミッタ部をウォッシ
ュアウトすることにより、テーパのついたエミッタ用コ
ンタクトホールを得ることができる。

このように、サイドウオール層よりの拡散によりエミツ
タ層を得るため、高度なホトリソ技術を必要とすること
なく、サブミクロンオーダのエミッタを得ることができ
る。また、サイドウオール用絶縁膜に含まれる不純物量
、その膜厚を選択することにより、エミツタ層の濃度及
びエミツタ幅を任意にコントロールすることができる。

更に、エミッタ幅０．３μｍ以下も容易に再現性よく実
現できるため、より高周波特性の良いバイポーラ型トラ
ンジスタが形成できる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の実施例を示す高周波バイポーラ型トラ
ンジスタの製造工程断面図である。

以下、本発明の高周波バイポーラ型トランジスタの製造
方法を第１図を参照しながら説明する。

まず、第１図（ａ）に示されるように、ベース層４．４
′が形成された絶縁膜５上にポリシリコン１０を、例え
ば、３６００人成長させる。

次に、エミッタを形成すべ（公知のホトリソ技術により
レジストパターン！ｌを形成する。このレジストパター
ンの幅はエミッタ間隔が１．２μｍになることを考慮し
て形成する。

次に、第１図（ｂ）に示されるように、公知のエツチン
グ技術によりポリシリコン１０及び絶縁膜５をエツチン
グする。エツチングはドライでもウェットでも良し１゜ 次に、第１図（ｃ）に示されるように、Ｎ型不純物がド
ープされたｗ！１縁膜１２、例えば、ＰＳＧ膜の場合、
濃度１６重量％で膜厚５５００人を形成する。つまり、
サイドウオール形成工程に入る。このサイドウオールに
使用される不純物ドープ絶縁膜が以後のエミッタの拡散
源になるため、必要に応じて濃度をコントロールする。

また、このサイドウオール形成時の絶縁膜の膜厚がサイ
ドウオールの幅も左右するため考慮して設定する。また
、ＰＳＧ膜に代えて、ＡＳＧ等のＮ型不純物がドープさ
れた絶縁膜を形成するようにしてもよい。

次に、第１図（ｄ）に示されるように、公知の異方性ド
ライエツチング技術を用いてサイドウオール層１３を形
成する。この時のサイドウオール層の輻Ｂ　（０，３μ
ｍ）がエツチング幅になる。

次に、第１図（ｅ）に示されるように、公知の酸化拡散
技術により絶縁膜１４を形成すると共にエミッタ領域１
５の形成も行う、即ち、サイドウオール膜からドープさ
れている不純物が拡散され、エミッタ領域１５が形成さ
れる。更に、レジスト１６を塗布する。

次に、第１図（ｆ）に示されるように、公知のエンチン
グ技術であるエッチバック法を用いｍｌ！膜５．１４を
残すようにエツチングする。なお、１７は不純物が含ま
れている絶縁膜である。

次に、第１図（ｇ）に示されるように、絶縁膜５゜１４
と不純物が含まれている絶縁膜１７を公知のウェットエ
ツチングによりエツチング速度の差を利用して、絶縁膜
１７が除去できるまでエツチングする。

所謂ウォフシュドアウトエッヂングを行う、この際、０
部のように角にテーバが必然的に形成されたエミッタ用
コンタクトホール１８を得ることができる。これは絶縁
［１７より絶ａ膜５，１４へ若干不純物が拡散されてい
るためである。

コノヨウにして、エミッタ領域とそのコンタクトホール
の形成が行われる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、サイド
ウオール層よりの拡散によりエミツタ層を実現するため
、高度なホトリソ技術を必要とすることなく、サブミク
ロンオーダのエミッタを得ることができる。また、サイ
゛ドウオール用絶縁膜に含まれる不純物量、その膜厚を
選択することにより、エミツタ層の濃度及びエミツタ幅
を任意にコントロールすることができる。更に、エミツ
タ幅０．３μｍ以下も容易に再現性よく実現できるため
、より高周波特性の良いトランジスタが形成できる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に係る高周波バイポーラ型トランジスタ
の製造工程断面図、第２図は従来の高周波バイポーラ型
トランジスタの製造工程断面図である。 ４．４′・・・ベース層、５．１４・・・絶縁膜、１０
・・・ポリシリコン、Ｉｆ・・・レジストパターン、１
２・・・不純物ドープ絶縁膜、１３・・・サイドウオー
ル層、１５・・・エミッタ領域、１６・・・レジスト、
１７・・・不純物が含まれている絶縁膜、１８・・・エ
ミッタ用コンタクトホール。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ａ）ベース層の上部の絶縁膜上にポリシリコン層を形
   成する工程と、 （ｂ）不純物がドープされた絶縁膜を形成する工程と、 （ｃ）サイドウォール層を形成する工程と、 （ｄ）該サイドウォール層から不純物を拡散させ、エミ
   ッタ領域を形成する工程と、 （ｅ）エッチバック法により表面を平坦にし、不純物濃
   度が異なる絶縁物領域を形成する工程と、 （ｆ）該絶縁物領域の不純物濃度差を利用してウォッシ
   ュアウトしエミッタのコンタクトホールを得る工程とを
   有することを特徴とする高周波バイポーラ型トランジス
   タの製造方法。