JPS63181368A - 密着型イメ−ジセンサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非晶質８ｉ膜等を使用した密着型イメージセ
ンサ−に関する。

〔従来の技術〕

非晶質Ｓｉ膜等をガラス基板上にプラズマ放電でデポジ
ットさせて複数のフォトダイオードを一列に形成し、ガ
ラスに密着させて原稿を移動させて、各画素に対応する
フォトダイオードからその受光電流を検知して画像情報
を得る密着型イメージセンサ−が、ファクシミリやコン
ピュータの端末機器の受光部に多用されている（例えば
特開昭５９−１３２６５７号公報参照）０ その従来の密着型イメージセンサ−の例を第３図（５）
、（Ｂ）により説明する。なお第３図（Ｂ）は第３図（
８）のＢ　−Ｂ’線の断面を示している。

ガラス、セラミックス等の基板５上には、受光部の下部
電極としてＣｒの電極３が形成され２画像情報の読出し
ＩＣ１１のパッド近傍まで、　　Ａｕ配線電極４により
配線され、　　Ａｕ配線電極４と１Ｃ１ｌのパッドはＡ
ｕ線のワイヤー１０によってボンディングされている。

第３図０３）に示すように。

下部電極３の上に非晶質Ｓｉ層２が、シランのプラズマ
放電によ多形成される。さらに、その上ＫＩＴＯ等の透
明電極１がフォトダイオードの上部電極としてスパッタ
リングによ多形成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の密着型イメージセンサ−に於ては、第３図囚に示
す様に、　　Ｃｒ電極３及びＡｕ配線電極４を図示の形
状にフォトエツチングする工程が必要である。

そして、このフォトエツチング工程中には、ダストやエ
ツチングされた金属等が受光部に付着して欠陥を発生さ
せ、センサーの特性を低下させる事がありた。

〔問題点を解決すべき手段及び作用〕

本発明は、基板上に形成された受光部及び読み出し回路
に接続されている配線パッド部からなる密着型イメージ
センサ−に於て、受光部と配線パッド部を不純物をドー
プさせたシリコン薄膜によ多接続させる構造としたので
、従来の密着型イメージセンサ−の様に下部電極、金属
配線電極をフォトエツチングする工程を省略する事がで
きる。

従って、電極のフォトエツチングに伴うダストの受光部
への付着等の問題は発生しない。

さらに２本発明では、受光部と配線パッド部を結ぶ不純
物のドープされたシリコン薄膜上に遮光膜を形成して、
受光部以外からの光電流を発生させない様にしている。

また、その遮光膜を金属等の導電膜で形成して、電極と
兼用したり、誘電率の大きい材料で形成する事により受
光電流の蓄積用コンデンサーと兼用することもできる。

〔実施例〕

本発明の実施例を第１図（５）、（Ｂ）にもとづき説明
する。なお第１図（Ｂ）は同（８）のＢ　−Ｂ’線にお
ける断面図である。

ガラス、アルミナ等の基板５上に、約１μｍ厚の多結晶
Ｓｉ薄膜を全面的に形成し、この上にＢをのせて、レー
ザー光をスキャンさせて、Ｂを多結晶Ｓｉ薄膜内にドー
プさせ不純物ドープＳｉ配線６を形成する。この時のレ
ーザー光をスキャンする領域は２例えば巾１０μｍで長
さは２０００μｍで＄ｆｉ、　Ａ４サイズに対応する２
１０■の領域に１２５μｍ間隔にＮチャンネルの不純物
ドープ８ｉ配線６を形成する。

この後、プラズマＣＶＤにより水素含有の非晶質シリコ
ンつまｊ）ａ−３ｉ）１層２を例えば厚さ１．５μｍ、
巾０．５１１ｍ　、長さ２１０ｍ５＋に形成する。

次に、Ａｌを全面にスパッタしてそれにフォトエツチン
グを行って、ワイヤー配線用パッド７を形成する。

この後、ＩＴＯの透明電極１を非晶質８ｉ層２に重なる
様に例えば５ｏｏＡの厚みにスパッタリングする。

さらに、ポリイミドの遮光膜８を、多結晶Ｓｉ薯噌らの
μＶプ々１１−ソ印曲ＩＦＰｈ礒、ご訃　と箇条結晶Ｓ
ｉ薄膜６内で光電流が発生しない様にする０ 次に第２図により、第２の実施例を説明する。

この実施例が第１の実施例と異る点は、多結晶Ｓｉ薄膜
６上にＰを置いてレーザー光によるスキャンを行って、
多結晶Ｓｉ薄膜６内にＰチャンネルを形成している点で
ある。さらに、多結晶８ｉ薄膜６の上に８１０ｘ層９を
形成して、その上にＣｒ　、　ｋｌ等の金属膜による遮
光膜８を設け、この遮光膜８に電圧を印加することでこ
れを配線電極として使用することができる。

これにより光電流を読み出し１サイクルの時間保持する
蓄積コンデンサーとして遮光膜８を利用することも可能
である〇 第１図、第２図の密着型イメージセンサ−では。

透明電極１には負のバイアスが印加されているので画像
の反射光等が非晶質８ｉからなる各画素のフォトトラン
ジスタに入射して、ここで発生した光電流は多結晶Ｓｔ
薄膜６のチャンネルに流れ。

この容性容量に保持され、一定周期毎にワイヤー配線用
パッド７の電圧がｒ　　Ａｕワイヤー１０を通してＩＣ
１１により読み出される。

〔発明の効果〕

本発明の密着型イメージセンサ−は、透明電極に例えば
−Ｓｖのバイアスを印加した際、１００１ｘの光量に対
して、１００〜２００ＰＡもの光電流を発生した。この
様に本発明のイメージセンサ−は従来のイメージセンサ
−に比較してその感度が格段に向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図囚、（Ｂ）は４本発明の密着型イメージセンサ−
を示す。 第２図は２本発明の他の実施例を示す。 第３図（５）、（５）は、従来の密着型イメージセンサ
−を示す。 １・・・透明電極。 ２・・・非晶質Ｓｉ層。 ３・・・Ｃｒ電極。 ４・・・Ａｕ配線電極。 ５・・・基板。 ６・・・多結晶Ｓｉ薄膜。 ７・・・配線用パッド。 ８・・・遮光膜。 ９・・・ｓ　ｉｏ２層。 １０・・・Ａｕワイヤー。 １１・・・ＩＣ。 １２・・・配線用パッド０ 特許出願人　　富士ゼロックス株式会社代理人弁理士　
　山　谷　晧　榮 第１図 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された受光部及び読み出し回路に接
   続されている配線パッド部からなる密着型イメージセン
   サーに於て、受光部と配線パッド部を不純物をドープさ
   せたシリコン薄膜により接続させた事を特徴とする密着
   型イメージセンサー。
2. （２）不純物をドープさせた当該シリコン薄膜が遮光膜
   により被覆されている事を特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の密着型イメージセンサー。
3. （３）前記遮光膜を電極として使用することを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項記載の密着型イメージセンサー
   。
4. （４）前記シリコン薄膜をセンサー電流の蓄積用コンデ
   ンサーとして使用することを特徴とする特許請求の範囲
   第２項記載の密着型イメージセンサー。