JPS63179516A - Ｓｉｃ発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
Ｓｉｃ発光ダイオードの製造方法Info
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- JPS63179516A JPS63179516A JP62011673A JP1167387A JPS63179516A JP S63179516 A JPS63179516 A JP S63179516A JP 62011673 A JP62011673 A JP 62011673A JP 1167387 A JP1167387 A JP 1167387A JP S63179516 A JPS63179516 A JP S63179516A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、六方晶炭化ケイ素単結晶基板上に六方晶炭
化ケイ素単結晶をエピタキシャル成長させる炭化ケイ素
単結晶の製造方法に関する。
化ケイ素単結晶をエピタキシャル成長させる炭化ケイ素
単結晶の製造方法に関する。
一般に、炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、耐熱性および機械的
強度に優れ、放射線に対して強いなどの物理的、化学的
性質から耐環境性半導体材料と゛して注目されてお９、
しかも８ｉＣ結晶は間接遷移型の■１−Ｎ化合物であり
、８ｉＣ結晶には同一の化学組成に対して立方、六方な
どの種々の結晶構造が存在し、その禁制帯幅は２．８９
〜Ｂ、８８ｅＶと広範囲にわたるとともに、ｐｎ接合の
形成が可能であることから、赤色から青色までのすべて
の波長範囲の可視光を発する発光ダイオード材料として
有望視され、なかでも室温において約８ｅＶの禁制帯幅
を有する六方晶の一種である６ＨタイプのＳｉＣ結晶は
、青色発光ダイオードの材料として用いられている。
強度に優れ、放射線に対して強いなどの物理的、化学的
性質から耐環境性半導体材料と゛して注目されてお９、
しかも８ｉＣ結晶は間接遷移型の■１−Ｎ化合物であり
、８ｉＣ結晶には同一の化学組成に対して立方、六方な
どの種々の結晶構造が存在し、その禁制帯幅は２．８９
〜Ｂ、８８ｅＶと広範囲にわたるとともに、ｐｎ接合の
形成が可能であることから、赤色から青色までのすべて
の波長範囲の可視光を発する発光ダイオード材料として
有望視され、なかでも室温において約８ｅＶの禁制帯幅
を有する六方晶の一種である６ＨタイプのＳｉＣ結晶は
、青色発光ダイオードの材料として用いられている。
そして、青色発光ダイオードの製造は、通常液相エピタ
キシャル成長法（ＬＰＥ法）あるいは気相化学反応堆積
法Ｃ０ＶＤ法）により行なわれており、前者のＬｐＥｍ
による具体例として、ジャーナルオプ アプライド
フィジクス５０（１２） 、ディセンパ１９７９ 、
８２１５〜８２２５ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅ、ｄＰｈｙｓｉｃｓ ５０（１２） 、 Ｄｅ
ｃｅｍｂｅｒ １９７９ 、８２１５〜８２２５）、
後者のＣＶＤ法による具体例として、ジャパニーズジャ
ーナル オプ アプライド フィジクス １９（７）、
シュライ １９８０ 、 Ｌａ５８〜Ｌ８５６ （ＪＡ
ＰＡＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥ
Ｄ ＰＨＹＳＩｃ８ １９（７） 。
キシャル成長法（ＬＰＥ法）あるいは気相化学反応堆積
法Ｃ０ＶＤ法）により行なわれており、前者のＬｐＥｍ
による具体例として、ジャーナルオプ アプライド
フィジクス５０（１２） 、ディセンパ１９７９ 、
８２１５〜８２２５ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅ、ｄＰｈｙｓｉｃｓ ５０（１２） 、 Ｄｅ
ｃｅｍｂｅｒ １９７９ 、８２１５〜８２２５）、
後者のＣＶＤ法による具体例として、ジャパニーズジャ
ーナル オプ アプライド フィジクス １９（７）、
シュライ １９８０ 、 Ｌａ５８〜Ｌ８５６ （ＪＡ
ＰＡＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥ
Ｄ ＰＨＹＳＩｃ８ １９（７） 。
ＪＵＬＹ １９８０ 、 Ｌ３５８〜Ｌ８５６ ）の
両輪文にそれぞれ報告されており、いずれの場合も、エ
ピタキシャル成長に使用する６Ｈタイプの８ｉＣ単結晶
基板の結晶成長面として、（０００１）面を用いている
。
両輪文にそれぞれ報告されており、いずれの場合も、エ
ピタキシャル成長に使用する６Ｈタイプの８ｉＣ単結晶
基板の結晶成長面として、（０００１）面を用いている
。
ところで、前記したように、ＳｉＣ結晶には立方晶系、
六方晶系、菱面体晶系に属する種々の結晶構造が存在し
、これらは結晶多形と呼ばれ、すべて最密構造を有し、
立方晶系の場合、 ＜１１１＞方向に垂直な平面上にＳ
ｉ原子が隙間なく並び、六方晶系の場合には＜０００１
＞方向、菱面体晶系の場合には＜１１１＞方向にそれぞ
れ垂直な平面上にＳｉ原子が隙間なく並び、これらのＳ
ｉ原子の直上にＣ原子が結合してＳｉＣの構成単位を形
成している。
六方晶系、菱面体晶系に属する種々の結晶構造が存在し
、これらは結晶多形と呼ばれ、すべて最密構造を有し、
立方晶系の場合、 ＜１１１＞方向に垂直な平面上にＳ
ｉ原子が隙間なく並び、六方晶系の場合には＜０００１
＞方向、菱面体晶系の場合には＜１１１＞方向にそれぞ
れ垂直な平面上にＳｉ原子が隙間なく並び、これらのＳ
ｉ原子の直上にＣ原子が結合してＳｉＣの構成単位を形
成している。
このとき、最密構造とは同じ大きさの球を最も密に積み
重ねた構造およびその球の中心を格子点とする結晶構造
をいい、たとえば第２図に示すように、同じ大きさの複
数個の球をその中心が図中の点Ａに位置するように隙間
なく並べた場合、その上にさらに同じ大き°さの複数個
の球を隙間なく並べるとすると、その並べ方として、同
図中の点Ｂに中心が位置するように並べる並べ方と、同
図中の点Ｃに中心が位置するように並べる並べ方の２通
りがあり、第２層として点Ｂに中心が位置するように並
べると、次の第８層は点Ｃあるいは点Ａに中心が位置し
、一方第２層として点Ｃに中心が位置するように並べる
と、次の第８層は点Ｂ６るいは点Ａに中心が位置するこ
とになり、幾通りもの並べ方が可能となる。
重ねた構造およびその球の中心を格子点とする結晶構造
をいい、たとえば第２図に示すように、同じ大きさの複
数個の球をその中心が図中の点Ａに位置するように隙間
なく並べた場合、その上にさらに同じ大き°さの複数個
の球を隙間なく並べるとすると、その並べ方として、同
図中の点Ｂに中心が位置するように並べる並べ方と、同
図中の点Ｃに中心が位置するように並べる並べ方の２通
りがあり、第２層として点Ｂに中心が位置するように並
べると、次の第８層は点Ｃあるいは点Ａに中心が位置し
、一方第２層として点Ｃに中心が位置するように並べる
と、次の第８層は点Ｂ６るいは点Ａに中心が位置するこ
とになり、幾通りもの並べ方が可能となる。
そして、実際のＳｉＣ結晶は、前記した第２図の１つの
球にＳｉ原子とＣ原子との１対の原子対が対応するもの
と考えられ、従ってＳｉＣの原子対の並び方は幾通りも
存在することになり、これらが前記した結晶多形に相当
し、８ｉＣの各結晶多形は禁制帯幅も異なり、代表的な
結晶多形の基本周期の８ｉ０原子原子列配ターンとその
禁制帯幅を表１に示す。なお、表中の結晶多形の表示に
おける′３″”や°’１５’”や６”の数字は１周期中
に含まれる層の数であり、”Ｃ”、Ｈ”、Ｒ”はそれぞ
れ立方晶、六方晶、菱面体晶を示し、英語の頭文字を用
いて表わしており、配列パターンの°′Ａ” 。
球にＳｉ原子とＣ原子との１対の原子対が対応するもの
と考えられ、従ってＳｉＣの原子対の並び方は幾通りも
存在することになり、これらが前記した結晶多形に相当
し、８ｉＣの各結晶多形は禁制帯幅も異なり、代表的な
結晶多形の基本周期の８ｉ０原子原子列配ターンとその
禁制帯幅を表１に示す。なお、表中の結晶多形の表示に
おける′３″”や°’１５’”や６”の数字は１周期中
に含まれる層の数であり、”Ｃ”、Ｈ”、Ｒ”はそれぞ
れ立方晶、六方晶、菱面体晶を示し、英語の頭文字を用
いて表わしており、配列パターンの°′Ａ” 。
表１
１Ｔ Ｂ １１ 、１１ （：”は前記した第２図の点
Ａ、Ｂ、０にそれぞれ中心が位置するような最密構造に
おける配列パターンを示す。
Ａ、Ｂ、０にそれぞれ中心が位置するような最密構造に
おける配列パターンを示す。
したがって、６Ｈタイプの８ｉＣ単結晶基板の表面に直
交する断面における原子配列パターンを模式的に表わす
と、たとえば第３図に示すようになり、前記表のように
Ａ−Ｂ−Ｃ−Ａ−Ｃ−Ｂの繰り返しとなっている。
交する断面における原子配列パターンを模式的に表わす
と、たとえば第３図に示すようになり、前記表のように
Ａ−Ｂ−Ｃ−Ａ−Ｃ−Ｂの繰り返しとなっている。
さらに、通常得られる６ Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板の表面
は（０００１）面あるいは（０００１）面であり、逆に
裏面は（０００１）面あるいは（０００１）面であり、
このとき表面にＳｉ原子が並んでいれば（０００１）面
となり、Ｃ原子が並んでいれば（０００１）面となり、
表、裏面ともにＳｉ原子あるいはＣ原子が並ぶことは結
晶構造上あり得す、このような６Ｈ−８ｉＣ単結晶と同
様のことが、８Ｈ，４Ｈ，２Ｈタイプなどの他の六方晶
の結晶多形でも当てはまる。
は（０００１）面あるいは（０００１）面であり、逆に
裏面は（０００１）面あるいは（０００１）面であり、
このとき表面にＳｉ原子が並んでいれば（０００１）面
となり、Ｃ原子が並んでいれば（０００１）面となり、
表、裏面ともにＳｉ原子あるいはＣ原子が並ぶことは結
晶構造上あり得す、このような６Ｈ−８ｉＣ単結晶と同
様のことが、８Ｈ，４Ｈ，２Ｈタイプなどの他の六方晶
の結晶多形でも当てはまる。
このように、通常６Ｈ−８ｉＣ単結晶基板の表面は（０
００１）面あるいは（０００１）面となり、６Ｈ−８ｉ
Ｃ単結晶基板上に６Ｈ−８ｉ０単結晶をエピタキシャル
成長させる場合、基板の結晶成長面として、前記した両
輪文に記載のように（０００１）面、あるいはこれに平
行な（０００１）面が従来用いられており、たとえば（
０００１）面を結晶成長面とした場合、第４図に示すよ
うに、結晶の成長方向と平行な同図中の矢印方向への下
部のエピタキシャル層の相互作用を受けながら新たなエ
ピタキシャル層が成長していく。
００１）面あるいは（０００１）面となり、６Ｈ−８ｉ
Ｃ単結晶基板上に６Ｈ−８ｉ０単結晶をエピタキシャル
成長させる場合、基板の結晶成長面として、前記した両
輪文に記載のように（０００１）面、あるいはこれに平
行な（０００１）面が従来用いられており、たとえば（
０００１）面を結晶成長面とした場合、第４図に示すよ
うに、結晶の成長方向と平行な同図中の矢印方向への下
部のエピタキシャル層の相互作用を受けながら新たなエ
ピタキシャル層が成長していく。
ただし、第４図は６Ｈ−８ｉ０単結晶基板（υと６Ｈ−
８ｉＣ単結晶のエピタキシャル成長層（２）との界面部
分の断面を示し°“Ａ゛、Ｂ Ｉｔ 、 ＴＩ （：”
は前記した配列パターンであり、斜線部分が成長層（２
］である。
８ｉＣ単結晶のエピタキシャル成長層（２）との界面部
分の断面を示し°“Ａ゛、Ｂ Ｉｔ 、 ＴＩ （：”
は前記した配列パターンであり、斜線部分が成長層（２
］である。
このとき、第４図に示すように、基板（１）の表面の鏡
面性がかな゛り良好であっても、微視的に見れば、原子
のオーダーの小さな突起Ａ／ 、 Ｂ／ 、 ｃ／が存
在し、エピタキシャル成長層（２）の成長初期、すなわ
ち第１層、第２層の成長段階では、前記突起Ａ′。
面性がかな゛り良好であっても、微視的に見れば、原子
のオーダーの小さな突起Ａ／ 、 Ｂ／ 、 ｃ／が存
在し、エピタキシャル成長層（２）の成長初期、すなわ
ち第１層、第２層の成長段階では、前記突起Ａ′。
ｎ／ 、 ｃ／のため、同図中の矢印方向と直角方向へ
の相互作用も受けながら成長することになる。
の相互作用も受けながら成長することになる。
ところが、第４図に示す６Ｈ−８ｉＯ単結晶基板（１）
上に正常に６Ｈ−８ｉＣ単結晶のエピタキシャル成長が
進行すれば、下部のエピタキシャ／Ｉ／層である基板（
υと同じＡ−Ｂ−Ｃ−Ａ−Ｃ−Ｂの基本周期の配列パタ
ーンのエピタキシャル成長Ｈ（２］が形成でれるはずで
あるが、実際にはたとえばＣパターンの層上にＡ、Ｃパ
ターンの層が順次成長すべきであるのに、第４図に示す
ように、Ｃパターンの層上に０．Ａパターンの層が順次
成長し、成長層（２）のパターンが一部逆転した積層欠
陥と呼ばれる異常が発生し、エピタキシャル成長する６
Ｈ−８ｉＣ単結晶の結晶性の低下の原因となり、このよ
うな欠陥を有する６Ｈ７ＳｉＣ単結晶を用いて青色発光
ダイオードを製造した場合、歩留まりが低下し、発光波
長の長波長化や低輝度化などの特性劣化につながるとい
う問題点があり、このような欠陥の発生要因として、下
部のエビタキンヤル層からの相互作用の強さく対し、当
該相互作用の方向に直角方向への相互作用が弱いため、
原子の配列パターンに一部前記直角方向へのスリップが
生じるものと考えられる。 − そこで、この発明では、積層欠陥の発生を抑制し、結晶
性の良好な６Ｈ−８ｉＣ単結晶が得られるようにするこ
とを技術的課題とする。
上に正常に６Ｈ−８ｉＣ単結晶のエピタキシャル成長が
進行すれば、下部のエピタキシャ／Ｉ／層である基板（
υと同じＡ−Ｂ−Ｃ−Ａ−Ｃ−Ｂの基本周期の配列パタ
ーンのエピタキシャル成長Ｈ（２］が形成でれるはずで
あるが、実際にはたとえばＣパターンの層上にＡ、Ｃパ
ターンの層が順次成長すべきであるのに、第４図に示す
ように、Ｃパターンの層上に０．Ａパターンの層が順次
成長し、成長層（２）のパターンが一部逆転した積層欠
陥と呼ばれる異常が発生し、エピタキシャル成長する６
Ｈ−８ｉＣ単結晶の結晶性の低下の原因となり、このよ
うな欠陥を有する６Ｈ７ＳｉＣ単結晶を用いて青色発光
ダイオードを製造した場合、歩留まりが低下し、発光波
長の長波長化や低輝度化などの特性劣化につながるとい
う問題点があり、このような欠陥の発生要因として、下
部のエビタキンヤル層からの相互作用の強さく対し、当
該相互作用の方向に直角方向への相互作用が弱いため、
原子の配列パターンに一部前記直角方向へのスリップが
生じるものと考えられる。 − そこで、この発明では、積層欠陥の発生を抑制し、結晶
性の良好な６Ｈ−８ｉＣ単結晶が得られるようにするこ
とを技術的課題とする。
この発明は、前記の点に留意してなされたものであり、
六方晶炭化ケイ素単結晶基板上に六方高次化ケイ素単結
晶をエピタキシャル成長させる炭化ケイ素単結晶の製造
方法において、前記基板の結晶成長面を（０００１）面
、 （ｏｏｏＴ）面に平行でない面とすることを特徴と
する炭化ケイ素単結晶の製造方法である。
六方晶炭化ケイ素単結晶基板上に六方高次化ケイ素単結
晶をエピタキシャル成長させる炭化ケイ素単結晶の製造
方法において、前記基板の結晶成長面を（０００１）面
、 （ｏｏｏＴ）面に平行でない面とすることを特徴と
する炭化ケイ素単結晶の製造方法である。
したがって、この発明によると、六方晶法化ケイ素単結
晶基板の結晶成長面を（０００１）面、 （０００１）
面に平行でない面にすれば、基板上に成長するエビタキ
シャｌし成長層に及ぶ基板の（０００１’）面、 （０
００１）面に平行方向への下層からの相互作用が、従来
に比べて強くなり、エピタキシャル成長層における原子
の配列パターンの前記平行方向へのスリップが抑えられ
、積層欠陥の発生が抑制される。
晶基板の結晶成長面を（０００１）面、 （０００１）
面に平行でない面にすれば、基板上に成長するエビタキ
シャｌし成長層に及ぶ基板の（０００１’）面、 （０
００１）面に平行方向への下層からの相互作用が、従来
に比べて強くなり、エピタキシャル成長層における原子
の配列パターンの前記平行方向へのスリップが抑えられ
、積層欠陥の発生が抑制される。
つぎに、この発明を、そのｌ実施例を示した第１図とと
もに詳細に説明する。
もに詳細に説明する。
いま、結晶成長の原理を説明すると、第１図に示すよう
に、たとえば６Ｈ−８ｉＣ単結晶基板（３）の表面であ
る（０００１）面に対し斜めに切断、研磨し、研磨等に
より得られた（０００１）面に平行でない面を形成して
結晶成長面とし、基板（３）上に６Ｈ−８ｉ０単結晶を
エピタキシャル成長式せる。
に、たとえば６Ｈ−８ｉＣ単結晶基板（３）の表面であ
る（０００１）面に対し斜めに切断、研磨し、研磨等に
より得られた（０００１）面に平行でない面を形成して
結晶成長面とし、基板（３）上に６Ｈ−８ｉ０単結晶を
エピタキシャル成長式せる。
このとき、研磨等により得られた（０００１）面に平行
でない基板（３）の結晶成長面は、原子のオーダーで見
た場合、第１図に示すように階段状になっていると考え
られ、このような結晶成長面に、同図中に斜線を施こし
たエピタキシャル成長層（４）が成長する際、成長層（
４）は基板（３）の（０００１）面に直角方向に成長し
ていき、前記した従来の場合と同様に、成長層（４）は
成長方向に平行な同図中の実線矢印方向への下層からの
相互作用を強く受けると同時に、基板（３）の結晶成長
面の段部により、前記実線矢印方向に直角な同図中の破
線矢印方向への相互作用も強く受けることになる。
でない基板（３）の結晶成長面は、原子のオーダーで見
た場合、第１図に示すように階段状になっていると考え
られ、このような結晶成長面に、同図中に斜線を施こし
たエピタキシャル成長層（４）が成長する際、成長層（
４）は基板（３）の（０００１）面に直角方向に成長し
ていき、前記した従来の場合と同様に、成長層（４）は
成長方向に平行な同図中の実線矢印方向への下層からの
相互作用を強く受けると同時に、基板（３）の結晶成長
面の段部により、前記実線矢印方向に直角な同図中の破
線矢印方向への相互作用も強く受けることになる。
すなわち、Ｓｉ原子、Ｃ原子が成長界面に結合する際に
、前記した互いに直交する２方向から強い相互作用を受
けるため、成長層（４）における原子の配列パターンの
スリップが生じにくくなり、成長層（４）の基本周期の
配列パターンが基板（３）と同一になる。
、前記した互いに直交する２方向から強い相互作用を受
けるため、成長層（４）における原子の配列パターンの
スリップが生じにくくなり、成長層（４）の基本周期の
配列パターンが基板（３）と同一になる。
そして、たとえば６Ｈ−８ｉＣ単結晶基板の（０００１
）面に対し２°煩斜した面を切断、研磨にょ抄作成し、
この傾斜した作成面を結晶成長面として、ＬＰＥ法によ
り発光層としての６Ｈ−８ｉＯ単結晶のｐ、ｎ接合層を
積層してウェハを形成したところ、ウェハ内の青色発光
出現率は平均値で８０％とな９、従来の如＜ （０００
１）面を結晶成長面とした場合の青色発光出現率６０％
に比べて大幅な向上が見られ、これは前記したメカニズ
ムにより積層欠陥の発生が抑制されたためと考えられ、
積層欠陥の抑制により、禁制帯幅の深い準位のトラップ
レベルの形成や非発光センターの形成に寄与する欠陥が
低減され、青色発光以外の低エネルギ、長波長発光や非
発光点の出現が従来に比べて大幅に減少することになる
。
）面に対し２°煩斜した面を切断、研磨にょ抄作成し、
この傾斜した作成面を結晶成長面として、ＬＰＥ法によ
り発光層としての６Ｈ−８ｉＯ単結晶のｐ、ｎ接合層を
積層してウェハを形成したところ、ウェハ内の青色発光
出現率は平均値で８０％とな９、従来の如＜ （０００
１）面を結晶成長面とした場合の青色発光出現率６０％
に比べて大幅な向上が見られ、これは前記したメカニズ
ムにより積層欠陥の発生が抑制されたためと考えられ、
積層欠陥の抑制により、禁制帯幅の深い準位のトラップ
レベルの形成や非発光センターの形成に寄与する欠陥が
低減され、青色発光以外の低エネルギ、長波長発光や非
発光点の出現が従来に比べて大幅に減少することになる
。
ここで、前記したウェハの形成条件として、ディップ法
を用い、エピタキシャル成長温度を約１７００°Ｃとし
、ｎ ＋ ｐｉのドーパントとしてそれぞれ窒素、アル
ミニウムを用いた。
を用い、エピタキシャル成長温度を約１７００°Ｃとし
、ｎ ＋ ｐｉのドーパントとしてそれぞれ窒素、アル
ミニウムを用いた。
なお、基板（３）の表面が（０００１）面であっても、
（０００１）面が（０００１）面と平行であるため、前
記、実施例と同様の効果が得られ、６Ｈタイプ以外の８
Ｉ（，４Ｈ。
（０００１）面が（０００１）面と平行であるため、前
記、実施例と同様の効果が得られ、６Ｈタイプ以外の８
Ｉ（，４Ｈ。
２Ｈ等の六方晶８ｉ０単結晶基板を用いても、同様の効
果が得られる。
果が得られる。
以上のように、この発明の炭化ケイ素単結晶の製造方法
によると、六方晶炭化ケイ素単結晶基板の結晶成長面を
（０００１）面、 （０００１）面に平行でない面にす
ることにより、基板上に成長するエピタキシャル成長層
に及ぶ基板の（０００１）面、 （０００１）面に平行
方向への下層からの相互作用を従来に比べて強くでき、
エピタキシャル成長層における原子の配列パターンの前
記平行方向へのスリップを抑えることができ、積層欠陥
の発生を抑制することが可能となり、結晶性の良好な六
方晶炭化ケイ素単結晶を得ることができ、このような炭
化ケイ素単結晶を青色発光〆イオードの製造に用いた場
合、従来に比べて歩留りの向上を図れ、発光波長の長波
長化や低輝度化などの特性の劣化を抑制した高特性の青
色発光ダイオードを得ることが可能となる。
によると、六方晶炭化ケイ素単結晶基板の結晶成長面を
（０００１）面、 （０００１）面に平行でない面にす
ることにより、基板上に成長するエピタキシャル成長層
に及ぶ基板の（０００１）面、 （０００１）面に平行
方向への下層からの相互作用を従来に比べて強くでき、
エピタキシャル成長層における原子の配列パターンの前
記平行方向へのスリップを抑えることができ、積層欠陥
の発生を抑制することが可能となり、結晶性の良好な六
方晶炭化ケイ素単結晶を得ることができ、このような炭
化ケイ素単結晶を青色発光〆イオードの製造に用いた場
合、従来に比べて歩留りの向上を図れ、発光波長の長波
長化や低輝度化などの特性の劣化を抑制した高特性の青
色発光ダイオードを得ることが可能となる。
第１図はこの発明の炭化ケイ素単結晶の製造方法の１実
施例の原理説明図、第２図は結晶の最密構造の説明図、
第３図は一般の六方晶炭化ケイ素単結晶基板の断面にお
ける原子配列パターンの説明図、第４図は第３図に示す
基板上に六方晶法化ケイ素単結晶をエピタキシャル成長
させたときの成長界面付近の断面における原子配列パタ
ーンの説明図である。 （３）・・・基板、（４）・・・エピタキシャル成長層
。
施例の原理説明図、第２図は結晶の最密構造の説明図、
第３図は一般の六方晶炭化ケイ素単結晶基板の断面にお
ける原子配列パターンの説明図、第４図は第３図に示す
基板上に六方晶法化ケイ素単結晶をエピタキシャル成長
させたときの成長界面付近の断面における原子配列パタ
ーンの説明図である。 （３）・・・基板、（４）・・・エピタキシャル成長層
。
Claims (1)
- （１）六方晶炭化ケイ素単結晶基板上に六方晶炭化ケイ
素単結晶をエピタキシャル成長させる炭化ケイ素単結晶
の製造方法において、 前記基板の結晶成長面を（０００１）面、（０００＠１
＠）面に平行でない面とすることを特徴とする炭化ケイ
素単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62011673A JPS63179516A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Ｓｉｃ発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62011673A JPS63179516A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Ｓｉｃ発光ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179516A true JPS63179516A (ja) | 1988-07-23 |
| JPH0565067B2 JPH0565067B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=11784506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62011673A Granted JPS63179516A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Ｓｉｃ発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63179516A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425184A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Sharp Corp | 炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードの製造方法 |
| WO1999010919A1 (fr) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrat en carbure de silicium, procede de fabrication de ce substrat et element semi-conducteur renfermant ce substrat |
| JP2005106818A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 温度を感知してこれに相応するデジタルデータを出力する温度感知器、及びこれを備えるｌｃｄ駆動集積回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185822A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Sanyo Electric Co Ltd | ＳｉＣ単結晶の液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62011673A patent/JPS63179516A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185822A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Sanyo Electric Co Ltd | ＳｉＣ単結晶の液相エピタキシヤル成長方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425184A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Sharp Corp | 炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードの製造方法 |
| WO1999010919A1 (fr) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrat en carbure de silicium, procede de fabrication de ce substrat et element semi-conducteur renfermant ce substrat |
| US6270573B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Silicon carbide substrate, and method for producing the substrate, and semiconductor device utilizing the substrate |
| JP2005106818A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 温度を感知してこれに相応するデジタルデータを出力する温度感知器、及びこれを備えるｌｃｄ駆動集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0565067B2 (ja) | 1993-09-16 |
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