JPS6317925A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS6317925A JPS6317925A JP15980486A JP15980486A JPS6317925A JP S6317925 A JPS6317925 A JP S6317925A JP 15980486 A JP15980486 A JP 15980486A JP 15980486 A JP15980486 A JP 15980486A JP S6317925 A JPS6317925 A JP S6317925A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は耐湿性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成
物に関するものである。
物に関するものである。
従来、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の耐湿性を向上
させる技術としてエポキシ樹脂の低塩素化が知られてお
り、この数年確実に低塩素化の技術は進み、例えば加水
分解性塩素は３０００→１０００→５００→２５０ ｐ
ｐｍと確実に低減しており、この結果半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の耐湿性も大幅に向上した。しかし、こ
の低塩素化技術も頭打ちとなり今後これ以上の向上が望
めないのが現状である。
させる技術としてエポキシ樹脂の低塩素化が知られてお
り、この数年確実に低塩素化の技術は進み、例えば加水
分解性塩素は３０００→１０００→５００→２５０ ｐ
ｐｍと確実に低減しており、この結果半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の耐湿性も大幅に向上した。しかし、こ
の低塩素化技術も頭打ちとなり今後これ以上の向上が望
めないのが現状である。
本発明はエポキシ樹脂組成物の耐湿性をさらに向上させ
るため低塩素化技術を検討した結果有機酸の銀塩または
／および有機酸の鉛塩を添加することにより組成物の塩
素を捕捉することができる知見を得さらに研究を進め本
発明を完成するに至ったものである。
るため低塩素化技術を検討した結果有機酸の銀塩または
／および有機酸の鉛塩を添加することにより組成物の塩
素を捕捉することができる知見を得さらに研究を進め本
発明を完成するに至ったものである。
本発明は有機酸の銀塩または／および有機酸の鉛塩を含
むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
ついて述べたものである。
むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
ついて述べたものである。
本発明におけるエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂、硬
化促進剤及び本発明の有機酸の銀塩または／および有機
酸の鉛塩を必須として必要に応じて硬化剤、充填材、難
燃剤、処理剤、顔料、離型剤その他添加剤を配合したも
のである。半導体の封止を目的としているので不純物は
少ないほうが好ましく、例えば試料５ｇを純水４５９で
１２５℃２０時間抽出した時の抽出水雷導度は１００Ｉ
Ｊｓ／ ｃｍ以下が望ましい。
化促進剤及び本発明の有機酸の銀塩または／および有機
酸の鉛塩を必須として必要に応じて硬化剤、充填材、難
燃剤、処理剤、顔料、離型剤その他添加剤を配合したも
のである。半導体の封止を目的としているので不純物は
少ないほうが好ましく、例えば試料５ｇを純水４５９で
１２５℃２０時間抽出した時の抽出水雷導度は１００Ｉ
Ｊｓ／ ｃｍ以下が望ましい。
エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般のことを
いい、例えばビスフェノール型エポキシ、ノボラック型
エポキシ、複素環型エポキシといった一般名を挙げるこ
とができる。
いい、例えばビスフェノール型エポキシ、ノボラック型
エポキシ、複素環型エポキシといった一般名を挙げるこ
とができる。
硬化促進剤とはエポキシ樹脂組成物の硬化を促進させる
触媒全般のことをいい、例えばイミダゾール類、第三級
アミン類、有機リン化合物、有機アルミニウム化合物と
いった一般名を挙げることができる。
触媒全般のことをいい、例えばイミダゾール類、第三級
アミン類、有機リン化合物、有機アルミニウム化合物と
いった一般名を挙げることができる。
本発明の有機酸の銀塩、有機酸の鉛塩における有機酸は
フェノール類、カルボン酸などの一般名を挙げることが
でき、これらの塩は水溶性であることが望ましい。また
銀塩、鉛塩は水に対する溶解性を高め接触面積を大きく
するために粒径１００μｍ以下がよい。また添加量とし
てはコスト及びエポキシ樹脂中の塩素量から考えて、エ
ポキシ樹脂１００重量部に対して０．０５−０．２重量
部が望ましい。少量だと塩素イオンのトラップ効果が得
られないし、必要以上に添加すると組成物の電気特性の
低下及びコストアップに結びつくからである。
フェノール類、カルボン酸などの一般名を挙げることが
でき、これらの塩は水溶性であることが望ましい。また
銀塩、鉛塩は水に対する溶解性を高め接触面積を大きく
するために粒径１００μｍ以下がよい。また添加量とし
てはコスト及びエポキシ樹脂中の塩素量から考えて、エ
ポキシ樹脂１００重量部に対して０．０５−０．２重量
部が望ましい。少量だと塩素イオンのトラップ効果が得
られないし、必要以上に添加すると組成物の電気特性の
低下及びコストアップに結びつくからである。
本発明に従うと従来の技術をそのまま利用することがで
き、且つ従来技術では到達できなかった高耐湿性を得る
ことができる。
き、且つ従来技術では到達できなかった高耐湿性を得る
ことができる。
以下、検討例及び比較例で説明する。例で用いた部は全
て重量部である。また使用した銀塩、鉛塩は表−１に示
した。
て重量部である。また使用した銀塩、鉛塩は表−１に示
した。
表−１
＝ ３ −
検討例（１）〜（９）
溶融シリカ（龍森製）１００部にシランカップリング剤
（Ａ −１８７、日本ユニカー製）を０．５部、エポキ
シ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬製）２０部、硬
化剤（）ＩＰ−１２０、群栄化学）１０部、硬化促進剤
（ＴＰＰ 、北回化学製）０，２部、離型剤（ヘキスト
し、ヘキストジャパン）０．５部、顔料（カーボン、電
気化学）０．３部、有機酸塩を表−２の配合に従って混
合後、加熱ニーダ−で混練しエポキシ樹脂組成物を得た
。これらの組成物を用いて模擬素子１を封止し耐湿性の
評価を行なった。表−２より明らかなように本発明に従
う検討例では比較例に比べ扱群の効果があることがわか
る。
（Ａ −１８７、日本ユニカー製）を０．５部、エポキ
シ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬製）２０部、硬
化剤（）ＩＰ−１２０、群栄化学）１０部、硬化促進剤
（ＴＰＰ 、北回化学製）０，２部、離型剤（ヘキスト
し、ヘキストジャパン）０．５部、顔料（カーボン、電
気化学）０．３部、有機酸塩を表−２の配合に従って混
合後、加熱ニーダ−で混練しエポキシ樹脂組成物を得た
。これらの組成物を用いて模擬素子１を封止し耐湿性の
評価を行なった。表−２より明らかなように本発明に従
う検討例では比較例に比べ扱群の効果があることがわか
る。
比較例（１０）
溶融シリカ（龍森製）１００部にシランカップリング剤
（Ａ −１８７、日本ユニカー製）を０．５部、エポキ
シ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬製）２０部、硬
化剤（ＭＰ−１２０、群栄化学）１０部、硬化促進剤（
ＴＰＰ、北回化学製）０．２部、離型剤（ヘキストＥ、
ヘキストジＶパン）０．５部、顔料（カーボン、電気化
学製）０．３部、有機酸塩を表−２の配合に従って混合
後、加熱ニーダ−で混練しエポキシ樹脂組成物を得た。
（Ａ −１８７、日本ユニカー製）を０．５部、エポキ
シ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬製）２０部、硬
化剤（ＭＰ−１２０、群栄化学）１０部、硬化促進剤（
ＴＰＰ、北回化学製）０．２部、離型剤（ヘキストＥ、
ヘキストジＶパン）０．５部、顔料（カーボン、電気化
学製）０．３部、有機酸塩を表−２の配合に従って混合
後、加熱ニーダ−で混練しエポキシ樹脂組成物を得た。
この組成物を用いて模擬素子を封止し耐湿性の評価を行
なった。表−２より明らかなように検討例に比べ大幅に
劣る。
なった。表−２より明らかなように検討例に比べ大幅に
劣る。
Claims (1)
- 有機酸の銀塩または／および有機酸の鉛塩を含むことを
特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159804A JPH0649817B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159804A JPH0649817B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317925A true JPS6317925A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH0649817B2 JPH0649817B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=15701621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61159804A Expired - Fee Related JPH0649817B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649817B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284517A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-03-26 | Herschel Sternlieb | 光線遮断ファブリック |
| JPH0359065A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
| US5093712A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
| WO2022030089A1 (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | ナミックス株式会社 | 導電性組成物、ダイアタッチ材、加圧焼結型ダイアタッチ材及び電子部品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168181A (ja) * | 1974-12-11 | 1976-06-12 | Hitachi Ltd | Handotaifushososeibutsu |
| JPS61200155A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61268719A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | エポキシ樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP61159804A patent/JPH0649817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168181A (ja) * | 1974-12-11 | 1976-06-12 | Hitachi Ltd | Handotaifushososeibutsu |
| JPS61200155A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | エポキシ樹脂組成物 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0284517A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-03-26 | Herschel Sternlieb | 光線遮断ファブリック |
| JPH0359065A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
| US5093712A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
| WO2022030089A1 (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | ナミックス株式会社 | 導電性組成物、ダイアタッチ材、加圧焼結型ダイアタッチ材及び電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0649817B2 (ja) | 1994-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |