JPS6314468A - 電荷移送形固体撮像素子 - Google Patents
電荷移送形固体撮像素子Info
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- JPS6314468A JPS6314468A JP61157820A JP15782086A JPS6314468A JP S6314468 A JPS6314468 A JP S6314468A JP 61157820 A JP61157820 A JP 61157820A JP 15782086 A JP15782086 A JP 15782086A JP S6314468 A JPS6314468 A JP S6314468A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上に光電変換素子、および各素子
の光学情報を取出す電荷転送素子（（：：ｈａｒｇｅ
（：：ｏｕｐｌｅｄ １）ｅｖＨｃｅｓ） ｔ−集積化
した固体撮像装置に関するものである。
の光学情報を取出す電荷転送素子（（：：ｈａｒｇｅ
（：：ｏｕｐｌｅｄ １）ｅｖＨｃｅｓ） ｔ−集積化
した固体撮像装置に関するものである。
固体撮像装置は現行のテレビジョン放送で使用されてい
る撮像用電子管差みの解像力を備えた撮像板を必要とし
、このため垂直方向に５００個、水平方向に８００〜１
０００個を配列した絵素（光電変換素子）マ） ＩＪラ
ックスそれに相当する走査素子が必要となる。したがっ
て、上記固体撮像装置は高集積化が必要なＭＯ８大規模
回路技術を用いて作られ、構成素子として一般にＣＯＤ
（ＣＣＤ形撮像素子）あるいはＭＯＳトランジスタＣ
ＭＯ８形撮像素子）等が使用されている。
る撮像用電子管差みの解像力を備えた撮像板を必要とし
、このため垂直方向に５００個、水平方向に８００〜１
０００個を配列した絵素（光電変換素子）マ） ＩＪラ
ックスそれに相当する走査素子が必要となる。したがっ
て、上記固体撮像装置は高集積化が必要なＭＯ８大規模
回路技術を用いて作られ、構成素子として一般にＣＯＤ
（ＣＣＤ形撮像素子）あるいはＭＯＳトランジスタＣ
ＭＯ８形撮像素子）等が使用されている。
第９図（ａ）に低雑音を特徴とするＣＣＤ形撮像素子の
構成を示す（例えば、堀居ほか“プルーミング改良型２
／３インチ単板カラー用ＣＣＤ撮像素子”、テレビジョ
ン学会技術報告、ＥＤ５２５゜Ｍａｙ １９８０．に
記載されている）。１は例えば光ダイオードから成る光
電変換素子、２および３は光電変換素子群に蓄積された
光信号を出力端４に取り出すための垂直ＣＣＤシフトＶ
ジレジスタよび水平シフトレジスタである。５−１．５
−２゜６−１及び６−２は各々垂直シフトレジスタ、水
平シフトレジスタを駆動するクロックパルスを入力する
端子である。ここでは２相のクロックパルスを入力する
場合を図示したが、４相あるいは３相のいずれのクロッ
ク形態を採用してもよい。また、７は光ダイオード１に
蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ２に送り込む転送
ＭＯＳトランジスタを示している。ここでは転送ＭＯＳ
トランジスタのゲートは垂直ＣＯＤシフトレジスタの構
成電極２−１が兼用する構成を示したが、このゲート用
に独立の電極を用いる構成（ＣＯＤ電極と転送ゲート電
極を切り離し独立にした構成）Ｋしてもかまわない。ま
た、８は強烈な光が入射した時に発生する過剰電荷をド
レイン１０に掃き出すオーバーフローＭＯＳトランジス
タ、９はオーバーフローＭＯＳトランジスタ８の掃き出
し電位を制御するオーバーフロー制御ゲートである。１
２は電荷の転送方向、１３は垂直ＣＣＤ用電極の配線領
域を示している。本素子はこのままの形態では白黒撮像
素子となり、上部にカラーフィルタを積層すると各党ダ
イオードは色情報を備えることにな９カラー撮像素子と
なる。
構成を示す（例えば、堀居ほか“プルーミング改良型２
／３インチ単板カラー用ＣＣＤ撮像素子”、テレビジョ
ン学会技術報告、ＥＤ５２５゜Ｍａｙ １９８０．に
記載されている）。１は例えば光ダイオードから成る光
電変換素子、２および３は光電変換素子群に蓄積された
光信号を出力端４に取り出すための垂直ＣＣＤシフトＶ
ジレジスタよび水平シフトレジスタである。５−１．５
−２゜６−１及び６−２は各々垂直シフトレジスタ、水
平シフトレジスタを駆動するクロックパルスを入力する
端子である。ここでは２相のクロックパルスを入力する
場合を図示したが、４相あるいは３相のいずれのクロッ
ク形態を採用してもよい。また、７は光ダイオード１に
蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ２に送り込む転送
ＭＯＳトランジスタを示している。ここでは転送ＭＯＳ
トランジスタのゲートは垂直ＣＯＤシフトレジスタの構
成電極２−１が兼用する構成を示したが、このゲート用
に独立の電極を用いる構成（ＣＯＤ電極と転送ゲート電
極を切り離し独立にした構成）Ｋしてもかまわない。ま
た、８は強烈な光が入射した時に発生する過剰電荷をド
レイン１０に掃き出すオーバーフローＭＯＳトランジス
タ、９はオーバーフローＭＯＳトランジスタ８の掃き出
し電位を制御するオーバーフロー制御ゲートである。１
２は電荷の転送方向、１３は垂直ＣＣＤ用電極の配線領
域を示している。本素子はこのままの形態では白黒撮像
素子となり、上部にカラーフィルタを積層すると各党ダ
イオードは色情報を備えることにな９カラー撮像素子と
なる。
固体撮像装置は小型、軽量、メインテナンスフリー、低
消費電力など電子管に較べて固体化に伴う多くの利点を
有しており、撮像デバイスとして将来が期待されている
ものである。しかしながら、現在のＣＣＤ形撮像素子は
以下に説明するような理由により光感度が低いという問
題を備えている。
消費電力など電子管に較べて固体化に伴う多くの利点を
有しており、撮像デバイスとして将来が期待されている
ものである。しかしながら、現在のＣＣＤ形撮像素子は
以下に説明するような理由により光感度が低いという問
題を備えている。
第９図（ｂ）は第９図（ａ） Ｋ示した撮像素子の構成
単位となる画素（同図（ａ）の点線１１で示す）の平面
構成を示した図である。２−１は転送ＭＯＳトランジス
タフを兼ねた垂直ＣＣＤｆｔ構成する電極（例えば第１
層目の多結晶シリコンで形成する）、２−２は垂直ＣＣ
Ｄ２を構成するもう１つの電極（例えば第２層目の多結
晶シリコンで形成する）、２−３は垂直ＣＣＤ２のチャ
ンネル領域（チャンネルは電通の通路を意味する）、７
′は転送ＭＯ８トランジスタ７のゲート領域を示してい
る。８′はオーバーフローＭｏＳトランジスタ８のゲー
ト領域、９′は制御ゲート９用の配線、１０’はドレイ
ン１０用の配線を示している。入射光が強烈な場合は光
ダイオード１に蓄積しきれない過剰電荷が発生するが、
この過剰分はゲート領域８′を介してドレイン用の配線
ｌＯ′に掃き出される。
単位となる画素（同図（ａ）の点線１１で示す）の平面
構成を示した図である。２−１は転送ＭＯＳトランジス
タフを兼ねた垂直ＣＣＤｆｔ構成する電極（例えば第１
層目の多結晶シリコンで形成する）、２−２は垂直ＣＣ
Ｄ２を構成するもう１つの電極（例えば第２層目の多結
晶シリコンで形成する）、２−３は垂直ＣＣＤ２のチャ
ンネル領域（チャンネルは電通の通路を意味する）、７
′は転送ＭＯ８トランジスタ７のゲート領域を示してい
る。８′はオーバーフローＭｏＳトランジスタ８のゲー
ト領域、９′は制御ゲート９用の配線、１０’はドレイ
ン１０用の配線を示している。入射光が強烈な場合は光
ダイオード１に蓄積しきれない過剰電荷が発生するが、
この過剰分はゲート領域８′を介してドレイン用の配線
ｌＯ′に掃き出される。
この掃き出しによってプルーミングの発生を防ぐことが
でき画質は著しく改善することができる（プルーミング
とは過剰電荷が隣接する垂直Ｃ０Ｄ２に溢れ出しモニタ
ー上で縦方向に白い縞を発生する現象である）。
でき画質は著しく改善することができる（プルーミング
とは過剰電荷が隣接する垂直Ｃ０Ｄ２に溢れ出しモニタ
ー上で縦方向に白い縞を発生する現象である）。
しかし乍ら、ゲート領域８′、制御ゲート用配線９′、
ドレイン用配線１０’によって食われる面積は画素のか
なりの部分を占めるため、光ダイオードの面積および光
の尚たる面積（一般に開口率と称する）は著しく減少す
る。前者のダイオード面積の減少は信号電荷の蓄積容量
を低下させダイナミックレンジを狭くするという問題を
ひき起す。この面積は、領域８’、９’、１０’の面積
の他にｓ；、９’、１０’ を絶縁分離する面積も必要
なので相当小さくなる。一方、後者の開口率は領域８’
、９’、１０’の存在により２０％程度しか得られず（
すなわち入射光の１１５しか信号に利用することができ
ないので）、光感度の低下を招きＣＣＤ形素子の大きな
問題となっている。
ドレイン用配線１０’によって食われる面積は画素のか
なりの部分を占めるため、光ダイオードの面積および光
の尚たる面積（一般に開口率と称する）は著しく減少す
る。前者のダイオード面積の減少は信号電荷の蓄積容量
を低下させダイナミックレンジを狭くするという問題を
ひき起す。この面積は、領域８’、９’、１０’の面積
の他にｓ；、９’、１０’ を絶縁分離する面積も必要
なので相当小さくなる。一方、後者の開口率は領域８’
、９’、１０’の存在により２０％程度しか得られず（
すなわち入射光の１１５しか信号に利用することができ
ないので）、光感度の低下を招きＣＣＤ形素子の大きな
問題となっている。
さらに将来高解像度化を図るために画素寸法を小さくし
ようとする場合には、これらＢＺｇ／。
ようとする場合には、これらＢＺｇ／。
１０’の領域の面積割合は現在より増え、ダイナミック
レンジおよび光感度は増々減少することＫなる。一方、
固体撮像装置のＣＣＤ形素子とならふもう１つの素子で
あるＭＯ８形撮像素子においても、前述と同様のオーバ
ーフローＭＯＳトランジスタが光ダイオードに付加され
プルーミングの抑制が行われている。ＭＯ８形素子にお
いては信号の転送がＣＣＤ形素子と違い金属等の配線で
行われるためＣＯＤシフトレジスタのように面ｆＲｔ食
わず第１図の様なオーバーフロードレインを設けても光
ダイオードの面積あるいは開口率の低下はＣＣＤ形素子
の場合程大きくならない。したがって、ＣＣＤ形素子に
とってはオーバーフローＭＯＳトランジスタフ成の改良
を図り、トランジスタおよび配線の占める面積を極力減
らすようにすることが今後の重要な課哩となる。
レンジおよび光感度は増々減少することＫなる。一方、
固体撮像装置のＣＣＤ形素子とならふもう１つの素子で
あるＭＯ８形撮像素子においても、前述と同様のオーバ
ーフローＭＯＳトランジスタが光ダイオードに付加され
プルーミングの抑制が行われている。ＭＯ８形素子にお
いては信号の転送がＣＣＤ形素子と違い金属等の配線で
行われるためＣＯＤシフトレジスタのように面ｆＲｔ食
わず第１図の様なオーバーフロードレインを設けても光
ダイオードの面積あるいは開口率の低下はＣＣＤ形素子
の場合程大きくならない。したがって、ＣＣＤ形素子に
とってはオーバーフローＭＯＳトランジスタフ成の改良
を図り、トランジスタおよび配線の占める面積を極力減
らすようにすることが今後の重要な課哩となる。
曽 本発明の目的は、ＣＣＤ形素子におけるオー
バーフロートランジスタの占める面積を低減し、光ダイ
オードの信号蓄積容量および感度の拡大を図ることにあ
る。
バーフロートランジスタの占める面積を低減し、光ダイ
オードの信号蓄積容量および感度の拡大を図ることにあ
る。
上記目的はオーバーフローＭＯＳトランジスタを光電変
換素子と隣接する垂直用電荷移送素子との間の素子分離
領域に設け、トランジスタのゲートを、素子分離機能を
持たせた導電性配線の一部で形成する事により、達成さ
れる。
換素子と隣接する垂直用電荷移送素子との間の素子分離
領域に設け、トランジスタのゲートを、素子分離機能を
持たせた導電性配線の一部で形成する事により、達成さ
れる。
導電性配線に素子分離機能を持たせるとともにオーバー
フローＭＯＳトランジスタのゲート電極を制御できるた
め、開口率の低下々＜、ブルーミングを抑圧できる。さ
らにトランジスタのドレインも分離領域に設けるため、
開口率の低下がない。
フローＭＯＳトランジスタのゲート電極を制御できるた
め、開口率の低下々＜、ブルーミングを抑圧できる。さ
らにトランジスタのドレインも分離領域に設けるため、
開口率の低下がない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１は
例えば光ダイオードから成る光電変換素子、２および３
は光電変換素子群に蓄積された光信号を出力端４に取り
出すための垂直ＣＯＤシフ〜トレジスタ、および水平シ
フトレジスタである。
例えば光ダイオードから成る光電変換素子、２および３
は光電変換素子群に蓄積された光信号を出力端４に取り
出すための垂直ＣＯＤシフ〜トレジスタ、および水平シ
フトレジスタである。
５−１． ５−２． ６−１及び６−２は各々垂直シフ
トレジスタ、水平シフトレジスタを駆動するクロックパ
ルスを入力する端子である。ここでは２相のクロックパ
ルスを入力する場合を図示したが、４相あるいは３相の
いずれのクロック形態を採用してもよい。また、７は光
ダイオード１に蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ２
に送り込む転送ＭＯＳトランジスタを示している。ここ
では転送ＭＯＳトランジスタのゲートは垂直ＣＣＤシフ
トｔ／ジスタの構成電極２−１が兼用する構成を示した
が、このゲート用に独立の電極を用いる構成（ＣＯＤ電
極と転送ゲート電極を切り離し独立にした構成）にして
もかまわない。また、８は本発明の強烈な光が入射した
時に発生する過剰電荷ごドレイン９を介し、共通ドレイ
ン配線１０に掃き出すオーバーフローＭＯＳトランジス
タでありオーバーフローＭＯＳトランジスタ８の掃き出
し電位を制御するオーバーフロー制御ゲートは１０に接
続している。１２は電荷の転送方向、１３は垂直ＣＣＤ
用電極の配線領域を示している。本素子はこのｉまの形
態では白黒撮像素子となり、上部にカラーフィルタを積
層すると各光ダイオードは色情報ヲ渭えることに々やカ
ラー撮像素子となる。
トレジスタ、水平シフトレジスタを駆動するクロックパ
ルスを入力する端子である。ここでは２相のクロックパ
ルスを入力する場合を図示したが、４相あるいは３相の
いずれのクロック形態を採用してもよい。また、７は光
ダイオード１に蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ２
に送り込む転送ＭＯＳトランジスタを示している。ここ
では転送ＭＯＳトランジスタのゲートは垂直ＣＣＤシフ
トｔ／ジスタの構成電極２−１が兼用する構成を示した
が、このゲート用に独立の電極を用いる構成（ＣＯＤ電
極と転送ゲート電極を切り離し独立にした構成）にして
もかまわない。また、８は本発明の強烈な光が入射した
時に発生する過剰電荷ごドレイン９を介し、共通ドレイ
ン配線１０に掃き出すオーバーフローＭＯＳトランジス
タでありオーバーフローＭＯＳトランジスタ８の掃き出
し電位を制御するオーバーフロー制御ゲートは１０に接
続している。１２は電荷の転送方向、１３は垂直ＣＣＤ
用電極の配線領域を示している。本素子はこのｉまの形
態では白黒撮像素子となり、上部にカラーフィルタを積
層すると各光ダイオードは色情報ヲ渭えることに々やカ
ラー撮像素子となる。
第１図Φ）は第１図（ａ）に示した撮像素子の構成単位
となる画素（同図（ａ）の点線１１で示す）の平面構成
を示した図である。２−１は転送ＭＯＳトランジスタフ
を兼ねた垂直ＣＣＤｋ構成する電極（例えば第２層目の
多結晶シリコンで形成する）、２−２は垂直ＣＣＤ２ｉ
構成するもう１つの電極（例えば第３層目の多結晶シリ
コンで形成する）、２−３は垂直ＣＣＤ２のチャンネル
領域（チャンネルは１過の通路を意味する）、７′は転
送ＭＯＳトランジスタ７のゲート領域を示している。８
′はオーバーフローＭＯＳトランジスタ８のゲート領域
、９′は８のドレイン領域、１０′は共通のドレイン９
用の配線（例えば第１層目の多結晶シリコンで形成する
）。１４はドレイン９と配線１０′を接続するスルーホ
ールである。入射光が強烈な場合は光ダイオード１に蓄
積しきれない過剰電荷が発生するが、この過剰分はゲー
ト領域Ｓ／を介し、スルー゛ホールＩＬｊ−介してドレ
イン用の配線１０’に掃き出される。この掃き出しによ
ってプルーミングの発生を防ぐことができ画質は著しく
改善することができる（ブルーミングとは過剰電荷が隣
接する垂直Ｃ０Ｄ２に溢れ出しモニター上で縦方向に白
い縞を発生する現象である）。
となる画素（同図（ａ）の点線１１で示す）の平面構成
を示した図である。２−１は転送ＭＯＳトランジスタフ
を兼ねた垂直ＣＣＤｋ構成する電極（例えば第２層目の
多結晶シリコンで形成する）、２−２は垂直ＣＣＤ２ｉ
構成するもう１つの電極（例えば第３層目の多結晶シリ
コンで形成する）、２−３は垂直ＣＣＤ２のチャンネル
領域（チャンネルは１過の通路を意味する）、７′は転
送ＭＯＳトランジスタ７のゲート領域を示している。８
′はオーバーフローＭＯＳトランジスタ８のゲート領域
、９′は８のドレイン領域、１０′は共通のドレイン９
用の配線（例えば第１層目の多結晶シリコンで形成する
）。１４はドレイン９と配線１０′を接続するスルーホ
ールである。入射光が強烈な場合は光ダイオード１に蓄
積しきれない過剰電荷が発生するが、この過剰分はゲー
ト領域Ｓ／を介し、スルー゛ホールＩＬｊ−介してドレ
イン用の配線１０’に掃き出される。この掃き出しによ
ってプルーミングの発生を防ぐことができ画質は著しく
改善することができる（ブルーミングとは過剰電荷が隣
接する垂直Ｃ０Ｄ２に溢れ出しモニター上で縦方向に白
い縞を発生する現象である）。
ことに示したレイアウト図から分るようＫ、光電変換素
子１と垂直シフトレジスタとの分離領域に配線１０′を
設け、配線１０′の一部をオーバー７０−ＭＯＳトラン
ジスタ８のゲート電極、ドレインとして兼用する事によ
り、オーバーフローＭＯＳトランジスタを付加した事に
よる開口率の低下を々くシ、プルーミングを抑圧できる
。
子１と垂直シフトレジスタとの分離領域に配線１０′を
設け、配線１０′の一部をオーバー７０−ＭＯＳトラン
ジスタ８のゲート電極、ドレインとして兼用する事によ
り、オーバーフローＭＯＳトランジスタを付加した事に
よる開口率の低下を々くシ、プルーミングを抑圧できる
。
第２図は他の実施例であり、第１図［有］）に対応させ
たものである。各光電変換素子１の垂直方向の分離は垂
直シフトレジスタの電極用配線（１３−１あるいは１３
−２）ｉ所定の電位にする事により行い。１と右側の隣
接する垂直シフトレジスタとの分離はオーバーフローＭ
ＯＳトランジスタのドレイン、ゲートと兼用した配線１
０′で行っている。さらに１と信号を転送する左側の垂
直シフトレジスタとの分離は転送ゲート７′を兼用する
配線１５で行う方式の実施例である。通常の素子分離用
の厚い酸化膜が不用となり、実効的に素子分離領域の面
積を小さくでき、第１図の実施例よりも開口を大きくと
れる利点がある。さらに転送ゲート７’ｔ！荷移送素子
のクロックとは別に制御できるため、駆動が楽になると
いう利点もある。
たものである。各光電変換素子１の垂直方向の分離は垂
直シフトレジスタの電極用配線（１３−１あるいは１３
−２）ｉ所定の電位にする事により行い。１と右側の隣
接する垂直シフトレジスタとの分離はオーバーフローＭ
ＯＳトランジスタのドレイン、ゲートと兼用した配線１
０′で行っている。さらに１と信号を転送する左側の垂
直シフトレジスタとの分離は転送ゲート７′を兼用する
配線１５で行う方式の実施例である。通常の素子分離用
の厚い酸化膜が不用となり、実効的に素子分離領域の面
積を小さくでき、第１図の実施例よりも開口を大きくと
れる利点がある。さらに転送ゲート７’ｔ！荷移送素子
のクロックとは別に制御できるため、駆動が楽になると
いう利点もある。
第３図、第４図は各々、第２図、第１図（ｂ）に対応さ
せた池の実施例であり、オーバーフローＭＯＳトランジ
スタのドレインを上下の２個の光電変換素子間で共用し
たものであり、スルーホール１４の数を半分にでき、素
子の製造上有利（歩留りの面）となる。第５図、第６図
はさらに第３図、第４図において、１光電変換素子あた
り１個のオーバーフローＭＯＳトランジスタとし、各光
電変換素子あたり、上下部に２個のオーバーフローＭＯ
Ｓトランジスタを設けた実施例である。素子製造時のば
らつきに伴うオーバーフローＭＯＳトランジスタのばら
つきを実効的になくす事ができ、過剰電荷のはき出し能
力を大きくできる。
せた池の実施例であり、オーバーフローＭＯＳトランジ
スタのドレインを上下の２個の光電変換素子間で共用し
たものであり、スルーホール１４の数を半分にでき、素
子の製造上有利（歩留りの面）となる。第５図、第６図
はさらに第３図、第４図において、１光電変換素子あた
り１個のオーバーフローＭＯＳトランジスタとし、各光
電変換素子あたり、上下部に２個のオーバーフローＭＯ
Ｓトランジスタを設けた実施例である。素子製造時のば
らつきに伴うオーバーフローＭＯＳトランジスタのばら
つきを実効的になくす事ができ、過剰電荷のはき出し能
力を大きくできる。
以上の実施例では１光電変換素子あたり、２つのゲート
電極をもつ垂直シフトレジスタについて述べたが、１光
電変換素子あたり２つあるいは４つのゲート電極で構成
し、２個の電荷を運ぶ事のできる垂直シフトレジスタと
しても本発明の効果は変わらない。
電極をもつ垂直シフトレジスタについて述べたが、１光
電変換素子あたり２つあるいは４つのゲート電極で構成
し、２個の電荷を運ぶ事のできる垂直シフトレジスタと
しても本発明の効果は変わらない。
ここで、光ダイオード１は信号読み出し時に完全に空乏
化する低不純物１に度のＮ層であっても、空乏化しない
高濃度のＮ０層であってもよい。
化する低不純物１に度のＮ層であっても、空乏化しない
高濃度のＮ０層であってもよい。
また、光ダイオードとして前述の様な接合型ではなく、
ＭＩＳ型（Ｍｅｔｅｌ 工ｎ５ｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍ１
ｃｏｎ−ｄＨｃｔｏｒ ｆ用いたものであってもよい。
ＭＩＳ型（Ｍｅｔｅｌ 工ｎ５ｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍ１
ｃｏｎ−ｄＨｃｔｏｒ ｆ用いたものであってもよい。
以上の実施例では例えばＰ形シリコン基板上に実施して
も、Ｎ形シリコン基板上のＰ形つェル内に実施してもよ
い。
も、Ｎ形シリコン基板上のＰ形つェル内に実施してもよ
い。
第７図はＮ形シリコン基板上のＰ形つェル内に実施した
例である。（ａ）ではオーバー７０−ＭＯＳトランジス
タのドレイン１９は配線１０に接続せず、基板に接続す
る。（ｂ）は平面図であり、２０−２１の断面図ｔ−（
Ｃ）に示しである。３１は例えばＮ形基板であり３２は
Ｐ形つェル層である。スルーホール２４部のウェル層は
除去され、穴の側面もオーバーフローＭＯＳトランジス
タのゲート領域として用い、穴の低面はＮ形基板３１に
接しているため、光ダイオード１からあふれた電荷は配
線１０’の下部でＰ形つェル層の表面および穴の側面の
ゲートチャネル領域を介してドレインとして働＜、Ｎ形
基板３１に排除できる。ここで３３は素子分離用の厚い
酸化膜であり、３４は垂直用電荷移送素子のチャネルと
々るＮ膨拡散層である。
例である。（ａ）ではオーバー７０−ＭＯＳトランジス
タのドレイン１９は配線１０に接続せず、基板に接続す
る。（ｂ）は平面図であり、２０−２１の断面図ｔ−（
Ｃ）に示しである。３１は例えばＮ形基板であり３２は
Ｐ形つェル層である。スルーホール２４部のウェル層は
除去され、穴の側面もオーバーフローＭＯＳトランジス
タのゲート領域として用い、穴の低面はＮ形基板３１に
接しているため、光ダイオード１からあふれた電荷は配
線１０’の下部でＰ形つェル層の表面および穴の側面の
ゲートチャネル領域を介してドレインとして働＜、Ｎ形
基板３１に排除できる。ここで３３は素子分離用の厚い
酸化膜であり、３４は垂直用電荷移送素子のチャネルと
々るＮ膨拡散層である。
第８図の実施例は第７図の方式を第２図に適用した例で
あり、３５−３６の断面を示したものである。素子分離
用の厚い酸化膜はなく、配線１０’で分離機能を持たせ
ている。
あり、３５−３６の断面を示したものである。素子分離
用の厚い酸化膜はなく、配線１０’で分離機能を持たせ
ている。
この第７図の方式は第３図〜第６図の実施例にも適用で
きる事は明らかである。
きる事は明らかである。
〔発明の効果〕
本発明によれば開口率の低下なく、オーバーフローＭＯ
８）ヲンジスタを効果的に配置でき、プルーミングを完
全に抑圧できる効果がある。
８）ヲンジスタを効果的に配置でき、プルーミングを完
全に抑圧できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図。
第３図、第４図、第５図及び第６図は本発明の他の実施
例を示す平面レイアウト図、第７図は本発明のさらに他
の実施例を示す図、第８図は第７図の実施例を第２図の
実施例に適用した場合を示す１５ １ し〕
（久） 第 Ｚ 図 ／Ｄ’ オーツＶ−フｏ−ｋＬイ、〉弔配線 扁 ３ 図 第４図 ■ ５ 図 第６ 図 ■ ７ 図 （ａ−） 宴７凹（ｂ）
例を示す平面レイアウト図、第７図は本発明のさらに他
の実施例を示す図、第８図は第７図の実施例を第２図の
実施例に適用した場合を示す１５ １ し〕
（久） 第 Ｚ 図 ／Ｄ’ オーツＶ−フｏ−ｋＬイ、〉弔配線 扁 ３ 図 第４図 ■ ５ 図 第６ 図 ■ ７ 図 （ａ−） 宴７凹（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の光電変換素子と、この光電変換素子群に蓄積
した光信号電荷を読み出す電荷移送素子群と、過剰光信
号電荷を外部へ掃き出すオーバーフローＭＯＳトランジ
スタとを同一半導体基板上に集積化した電荷移送形固体
撮像素子において、上記電荷移送素子と隣接する上記光
電変換素子との間の素子分離領域を上記オーバーフロー
ＭＯＳトランジスタに割り当て、上記素子分離領域に導
電性配線を走るようにし、少なくとも上記オーバーフロ
ーＭＯＳトランジスタのゲート電極を上記導電性配線の
一部で構成したことを特徴とする電荷移送形固体撮像素
子。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記オーバーフロ
ーＭＯＳトランジスタのドレインを前記導電性配線に接
続したことを特徴とする電荷移送形固体撮像素子。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記導電性配線に
、前記光電変換素子と隣接する前記電荷移送素子との素
子分離機能を持たせたことを特徴とする電荷移送形固体
撮像素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157820A JPS6314468A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 電荷移送形固体撮像素子 |
| KR1019870007209A KR900007234B1 (ko) | 1986-07-07 | 1987-07-07 | 전하이송형 고체촬상소자 |
| US07/070,552 US4908684A (en) | 1986-07-07 | 1987-07-07 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157820A JPS6314468A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 電荷移送形固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314468A true JPS6314468A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15658021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157820A Pending JPS6314468A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 電荷移送形固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002145121A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Fuji Heavy Ind Ltd | 車両のフードヒンジおよび車体構造 |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61157820A patent/JPS6314468A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002145121A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Fuji Heavy Ind Ltd | 車両のフードヒンジおよび車体構造 |
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