JPS63142879A - 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法Info
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- JPS63142879A JPS63142879A JP29026486A JP29026486A JPS63142879A JP S63142879 A JPS63142879 A JP S63142879A JP 29026486 A JP29026486 A JP 29026486A JP 29026486 A JP29026486 A JP 29026486A JP S63142879 A JPS63142879 A JP S63142879A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発ｔ９４に、低雑音でかつ償モード特性の安定な半導
体１／−ザ素子に関するものである。
体１／−ザ素子に関するものである。
半導体１ノ−ザ（以下ＬＤと記す。）を光情報処理用装
置等の光源として使用する際、出射光の一部が反射によ
り再度共振器に戻ることにより生ずる雑音（以下戻り光
雑音と記す。）が生じ、災用に供することが不可能にな
る場合がある。この戻り＋雑音を低減させる手段として
、Ｉ、Ｔｌ共振器端面に屈折率の異なるｇ１体を多層に
償層して端面の反射率を上げる′；１５決めるいは縦モ
ードを多軸発振させる方法等がある。後者実施例として
特開昭６０−１４０，７７４．特開昭６０−１５０６８
２がある。
置等の光源として使用する際、出射光の一部が反射によ
り再度共振器に戻ることにより生ずる雑音（以下戻り光
雑音と記す。）が生じ、災用に供することが不可能にな
る場合がある。この戻り＋雑音を低減させる手段として
、Ｉ、Ｔｌ共振器端面に屈折率の異なるｇ１体を多層に
償層して端面の反射率を上げる′；１５決めるいは縦モ
ードを多軸発振させる方法等がある。後者実施例として
特開昭６０−１４０，７７４．特開昭６０−１５０６８
２がある。
一方ｍ−ｖ族化合物半導体より國るリッジ状の光導波路
側面の埋め込みには、通蕗行なわれている液層成長法（
以下ＬＰＫ法と記す、）によう頂−Ｖ族化合物半導体層
全形成する方法、あるいに有機金属気相底長法（以下Ｍ
ＯＣｖＤ法と記す、）の選択成長によりｍ−ｖ族化合物
半導体層全形匹する方法がある。後者の実施例としては
、ジャパニーズ ジャーナル オプ アプライドフィジ
ックス（ｆｆａｐａｎｅｓｅ 、Ｔｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅａ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） ２５巻６号Ｌ４９８頁−Ｉ、５００頁１９８６年がある
。
側面の埋め込みには、通蕗行なわれている液層成長法（
以下ＬＰＫ法と記す、）によう頂−Ｖ族化合物半導体層
全形成する方法、あるいに有機金属気相底長法（以下Ｍ
ＯＣｖＤ法と記す、）の選択成長によりｍ−ｖ族化合物
半導体層全形匹する方法がある。後者の実施例としては
、ジャパニーズ ジャーナル オプ アプライドフィジ
ックス（ｆｆａｐａｎｅｓｅ 、Ｔｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅａ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） ２５巻６号Ｌ４９８頁−Ｉ、５００頁１９８６年がある
。
しがし前述の従来技術では以下のような問題点を有する
。
。
ＬＤ共振器端面に屈折率の異なる＃４体を多層に積層し
、端面反射率を上げて戻り元による影響を下げ戻り光雑
音を低減させる方法では、反射率を上げる為に誘電体各
層の膜厚ｙｋＬＤの出射光波長に対して正確に制御する
必要がある。加えて端面での反射率が高いことで出射光
強度が小さくなる。故にディスク上への情報沓き込み時
のように鳥出力が必要となる際には、ＬＤ駆動電流をさ
らに上げる必要がある。ＬＤ駆動電流の増大は、消費電
力の増大となり素子内Ｏ温度が上が、り素子の信頼性−
寿命の低下を１ね〈、さらに多、１膜積層というＬＤ作
製工程の増加ともなる・ 次に縦多軸モード発振嘔せて戻り光雑音ｔ−区減する方
法では、二重異種接合構造（以下ＤＨ溝構造記す、）形
成後上面に電極ストライプを形成して成る利得導波型Ｌ
Ｄｉ用いることが考えられる。
、端面反射率を上げて戻り元による影響を下げ戻り光雑
音を低減させる方法では、反射率を上げる為に誘電体各
層の膜厚ｙｋＬＤの出射光波長に対して正確に制御する
必要がある。加えて端面での反射率が高いことで出射光
強度が小さくなる。故にディスク上への情報沓き込み時
のように鳥出力が必要となる際には、ＬＤ駆動電流をさ
らに上げる必要がある。ＬＤ駆動電流の増大は、消費電
力の増大となり素子内Ｏ温度が上が、り素子の信頼性−
寿命の低下を１ね〈、さらに多、１膜積層というＬＤ作
製工程の増加ともなる・ 次に縦多軸モード発振嘔せて戻り光雑音ｔ−区減する方
法では、二重異種接合構造（以下ＤＨ溝構造記す、）形
成後上面に電極ストライプを形成して成る利得導波型Ｌ
Ｄｉ用いることが考えられる。
利得導波型ＬＤは、縦多軸モード発振が可能であり戻り
光等に起因する雑音に対する影響は低減される。しかし
利得導波型−Ｄは注入電流により形成される利得分布に
より共Ｓ″ａ内を接合に平行な方向のレーザ発掘光は導
波する。しｔがって１７一ザ発振党の等位相面は平面と
ならず波面収差をもつ、つまり非点収差が生じ、微小ス
ポットに集光する際複雑な光学系が必要となる。さらに
注入電流の変動あるいは戻り光によって近視野像が変化
する為光学系との結合が不安定とな９、各種装置への応
用に際し問題となる。
光等に起因する雑音に対する影響は低減される。しかし
利得導波型−Ｄは注入電流により形成される利得分布に
より共Ｓ″ａ内を接合に平行な方向のレーザ発掘光は導
波する。しｔがって１７一ザ発振党の等位相面は平面と
ならず波面収差をもつ、つまり非点収差が生じ、微小ス
ポットに集光する際複雑な光学系が必要となる。さらに
注入電流の変動あるいは戻り光によって近視野像が変化
する為光学系との結合が不安定とな９、各種装置への応
用に際し問題となる。
上記問題点を考慮して考案された実施例（特開昭６Ｏ−
１５０６８２）’ｉ第３図に示す。第５図ゆ＞ｅ（ｃ）
ｖｃこの素子の断面図を示す。活性層（５０５）下に形
成されている溝形状が共振器の中央部と端面近傍で異な
っている。第３図（ｃ）の如く電流阻止層（３０１）Ｋ
ｆｉ流注入溝偏に比べて広いくぼみを形成することによ
り、屈折率導波路幅が電流注入幅に比べて光分広く々り
その結果利得導波機構が素子中央部に形成され縦多軸モ
ード発振が得られる。し九がって共振器端面近傍で屈折
率導波路幅、中央部で利得導波機構を有するＬＤとなる
。しかしながらこの購造ヲ実現する為には、電流阻止層
（３０１）形成後に深さの異なる溝形成という複雑な工
楊が必要であり、かつＬＰＥ法により各層を形成してい
るので膜厚の制御性に問題がある。複雑な形状の基板の
形成による溝形状のバラツキおよび各成長層の膜厚のバ
ラツキはＬＤ素子の特性のバラツキに結び付＜ｓ Ｌｐ
ｘ法では溝部と平坦部での各層の成長速度が大きく異な
る為、膜厚制御には困翔がともない特性のバラツキが大
きく問題となる。
１５０６８２）’ｉ第３図に示す。第５図ゆ＞ｅ（ｃ）
ｖｃこの素子の断面図を示す。活性層（５０５）下に形
成されている溝形状が共振器の中央部と端面近傍で異な
っている。第３図（ｃ）の如く電流阻止層（３０１）Ｋ
ｆｉ流注入溝偏に比べて広いくぼみを形成することによ
り、屈折率導波路幅が電流注入幅に比べて光分広く々り
その結果利得導波機構が素子中央部に形成され縦多軸モ
ード発振が得られる。し九がって共振器端面近傍で屈折
率導波路幅、中央部で利得導波機構を有するＬＤとなる
。しかしながらこの購造ヲ実現する為には、電流阻止層
（３０１）形成後に深さの異なる溝形成という複雑な工
楊が必要であり、かつＬＰＥ法により各層を形成してい
るので膜厚の制御性に問題がある。複雑な形状の基板の
形成による溝形状のバラツキおよび各成長層の膜厚のバ
ラツキはＬＤ素子の特性のバラツキに結び付＜ｓ Ｌｐ
ｘ法では溝部と平坦部での各層の成長速度が大きく異な
る為、膜厚制御には困翔がともない特性のバラツキが大
きく問題となる。
さらに、ｉ−ｖ族化合物半導体層の積層によるＤＨ購造
に／ｆｒするリッジ状導波路を前述のＴ、ＰＩ法あるい
はＭＯＣ！ＶＤ法によるＩ−Ｖ族化合物半導体層により
埋め込んで匹るＬＤ″′Ｃは、活性領域外を流れる無効
電流の影響を無視することに出来なかった。そこで本発
明にこのような問題点を解決するもので、その目的とす
るところは、低光出力動作から高光出力動作筐で安定な
単−横モード発振を行ない、かつ縦多軸モード発振によ
り戻り光雑音を抑えかつ非点隔差の小さい１ノ−ザ光を
出射し、かつ活性領域外を流れる無効電流を極力抑え７
を低しきい値電流発振する半導体レーザ″に提供すると
ころにある。
に／ｆｒするリッジ状導波路を前述のＴ、ＰＩ法あるい
はＭＯＣ！ＶＤ法によるＩ−Ｖ族化合物半導体層により
埋め込んで匹るＬＤ″′Ｃは、活性領域外を流れる無効
電流の影響を無視することに出来なかった。そこで本発
明にこのような問題点を解決するもので、その目的とす
るところは、低光出力動作から高光出力動作筐で安定な
単−横モード発振を行ない、かつ縦多軸モード発振によ
り戻り光雑音を抑えかつ非点隔差の小さい１ノ−ザ光を
出射し、かつ活性領域外を流れる無効電流を極力抑え７
を低しきい値電流発振する半導体レーザ″に提供すると
ころにある。
本発明の半導体１ノ−ザＵ、Ｉ−１’族化合物半導体よ
り収るリッジ状の元導波路七Ｍし、かつ該光導波路側面
に半導体層よりなる埋め込み層を有して成る半導体１／
−ザにおいて、愁元導波路の幅は少なくとも一方の共振
器端面近傍で中央部より狭く、かつ該埋め込みノーはＭ
−ＶＥ族化合物半導体より成る該半導体層であることを
特徴とする特〔作用〕 本発明の上記ｍｇによれば、共振器中央部では利得導波
樋溝により１ノ−ザ発振元が導波される為戻り光雑音の
少ない縦多軸モード発振を行ない、出射端面近傍では屈
折率導波機構によりレーザ発振光が導波される為非点隔
差の少ない安定した単−横モード発振が可能であり、か
つ高抵抗のＩ−■族化合物半導体で埋め込んだ構造であ
る為無効電流の極めて少なくｌ）低しきい値で発振する
半導体Ｉ／−ザとなる。
り収るリッジ状の元導波路七Ｍし、かつ該光導波路側面
に半導体層よりなる埋め込み層を有して成る半導体１／
−ザにおいて、愁元導波路の幅は少なくとも一方の共振
器端面近傍で中央部より狭く、かつ該埋め込みノーはＭ
−ＶＥ族化合物半導体より成る該半導体層であることを
特徴とする特〔作用〕 本発明の上記ｍｇによれば、共振器中央部では利得導波
樋溝により１ノ−ザ発振元が導波される為戻り光雑音の
少ない縦多軸モード発振を行ない、出射端面近傍では屈
折率導波機構によりレーザ発振光が導波される為非点隔
差の少ない安定した単−横モード発振が可能であり、か
つ高抵抗のＩ−■族化合物半導体で埋め込んだ構造であ
る為無効電流の極めて少なくｌ）低しきい値で発振する
半導体Ｉ／−ザとなる。
以下に本発明の詳細な説明する、ここではリプを構成す
る部分にＩ−Ｖ族化合物半導体の代表であるＡｊｌＧａ
Ａｓ系を使用するが他の化合物半導体についても同様で
ある。
る部分にＩ−Ｖ族化合物半導体の代表であるＡｊｌＧａ
Ａｓ系を使用するが他の化合物半導体についても同様で
ある。
（実施例１）
第１因に本発明における１実施例を示す。第１図（ａ）
に共振器端面近傍の断面図を、第１図（１））は中央部
での断面図を示す。第２図に本発明の実施例の構造を達
成する為のプロセスを示す、以下第２図を用いて本発明
を説明する。
に共振器端面近傍の断面図を、第１図（１））は中央部
での断面図を示す。第２図に本発明の実施例の構造を達
成する為のプロセスを示す、以下第２図を用いて本発明
を説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板（２０１）に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
一層（２０２）、ｎ型Ａ １１ ｘ Ｇａｔ−ｃＡｓ第
１のクラッド層（２０３）、ＡＡｙＧａ １−ｙＡｓ活
性１１１（Ｘ＞７）（２０４）、ｐ型ＡｆｔｚＧａ＋
−２Ａ８第２のクラッド層（ｚ＞ｙ）（２ｏｓ）、ｐｉ
ＧａＡｓコンタクト層より成るＤＩ溝構造連続して形成
する。（第２図（ａ））上記各層の形成には、ＬＰＫｉ
−ＭＯＯＶＤ＠あるいｕＭＢＫ法等のいかなる方法で％
可能である。仄いて通常のフォト１１ソゲラフイエ程に
よりエツチング用のレジストマスク（２０７）を形成す
る。（第２図（ｂ））レジストマスク（２０７）の形状
は第２図（Ｃ）の斜線で示す如く形状である。続いて１
ノジストマスク（２０７）ｉエツチング用のマスクとし
てｐ型ＧａＡｓコンタクト層（２０６）、およびｐ型Ａ
ＡｚＧａ＋−ｚＡｓ第２のクラッド層（２０５）の１部
をエツチングし、その後Ｋ ＋／レジストマスク２０７
）を除去する。（第２囚（ｄ））次にＩ−Ｍ族化合物半
導体Ｚｎ５ｅ埋め込み層（２０Ｂ）をＭＯＯＶＤ法によ
り形成する。（第２図（θ））ＺｎＳｅ以外の他のｉ−
ｗ族化合物半導体の使用も可能である。続いてフォトリ
ングラフィ工程およびＺｎＥＩθ埋め込み層（２０９）
のエッチング工程ケ実施する。エツチング後の素子の上
面図を第２図（ロ）に示す。斜線部分がｌ−Ｍ族化合物
半導体、［−１中央部のストライプに、エツチングによ
シｐＷＧ ａ Ａ ｓコンタクト層（２０６）が露出し
ている部分である。以後ｐ側電極（２１０）形成、裏面
の基板ケンマ工程、続いてｎ側電極（２１１）を形成し
て本発明の半導体１ノーザとなる。
一層（２０２）、ｎ型Ａ １１ ｘ Ｇａｔ−ｃＡｓ第
１のクラッド層（２０３）、ＡＡｙＧａ １−ｙＡｓ活
性１１１（Ｘ＞７）（２０４）、ｐ型ＡｆｔｚＧａ＋
−２Ａ８第２のクラッド層（ｚ＞ｙ）（２ｏｓ）、ｐｉ
ＧａＡｓコンタクト層より成るＤＩ溝構造連続して形成
する。（第２図（ａ））上記各層の形成には、ＬＰＫｉ
−ＭＯＯＶＤ＠あるいｕＭＢＫ法等のいかなる方法で％
可能である。仄いて通常のフォト１１ソゲラフイエ程に
よりエツチング用のレジストマスク（２０７）を形成す
る。（第２図（ｂ））レジストマスク（２０７）の形状
は第２図（Ｃ）の斜線で示す如く形状である。続いて１
ノジストマスク（２０７）ｉエツチング用のマスクとし
てｐ型ＧａＡｓコンタクト層（２０６）、およびｐ型Ａ
ＡｚＧａ＋−ｚＡｓ第２のクラッド層（２０５）の１部
をエツチングし、その後Ｋ ＋／レジストマスク２０７
）を除去する。（第２囚（ｄ））次にＩ−Ｍ族化合物半
導体Ｚｎ５ｅ埋め込み層（２０Ｂ）をＭＯＯＶＤ法によ
り形成する。（第２図（θ））ＺｎＳｅ以外の他のｉ−
ｗ族化合物半導体の使用も可能である。続いてフォトリ
ングラフィ工程およびＺｎＥＩθ埋め込み層（２０９）
のエッチング工程ケ実施する。エツチング後の素子の上
面図を第２図（ロ）に示す。斜線部分がｌ−Ｍ族化合物
半導体、［−１中央部のストライプに、エツチングによ
シｐＷＧ ａ Ａ ｓコンタクト層（２０６）が露出し
ている部分である。以後ｐ側電極（２１０）形成、裏面
の基板ケンマ工程、続いてｎ側電極（２１１）を形成し
て本発明の半導体１ノーザとなる。
本発明で使用したＺｎ５ｅ埋め込み層（２０９）の屈折
率に、いかなるｈｆｔ混晶比のＡＪ！ＧａＡｓ層よりも
小さい値であり、禁制帯幅はいかなるＡ２混晶比のＡＪ
ＡＧａＡｓ層よりも広い材料である。したがって不発明
により形成嘔れる導波路は、Ｚｎ５ｅ層によるレーザ発
振光の吸収は生じない為接合に水平な方向に複素屈折率
の実数部によシ形成される屈折率差が生じ、屈折率導波
路となる。
率に、いかなるｈｆｔ混晶比のＡＪ！ＧａＡｓ層よりも
小さい値であり、禁制帯幅はいかなるＡ２混晶比のＡＪ
ＡＧａＡｓ層よりも広い材料である。したがって不発明
により形成嘔れる導波路は、Ｚｎ５ｅ層によるレーザ発
振光の吸収は生じない為接合に水平な方向に複素屈折率
の実数部によシ形成される屈折率差が生じ、屈折率導波
路となる。
加えて接合に水平な方向の屈折率差を決定する重要なパ
ラメータである第２のクラッド層のエツチング後の残）
膜厚は、Ｚｎ５ａ層の屈折率が小さい為ＡＡ（）ａＡａ
層埋め込みの場合より厚くしても単−償モード発振が可
能な屈折率差が得られる。
ラメータである第２のクラッド層のエツチング後の残）
膜厚は、Ｚｎ５ａ層の屈折率が小さい為ＡＡ（）ａＡａ
層埋め込みの場合より厚くしても単−償モード発振が可
能な屈折率差が得られる。
共振器端面近傍では上記屈折率導波路の幅と電流注入幅
を同程度として屈折率導波機構としているので、安定な
単−横モード発振が可能でかつ非点隔差の極めて小さな
レーザ光が出射される。
を同程度として屈折率導波機構としているので、安定な
単−横モード発振が可能でかつ非点隔差の極めて小さな
レーザ光が出射される。
一方共振器中央部では上記屈折率導波路の幅を電流注入
幅より元号広くすることで利得導波樋溝となり縦多軸モ
ード発振となり戻り光雑音を極力抑えることが出来る。
幅より元号広くすることで利得導波樋溝となり縦多軸モ
ード発振となり戻り光雑音を極力抑えることが出来る。
さらにＺｎＢｅ層はＡＩＧａＡ日層よりかなプ抵抗率が
高い材料であるので電流狭窄が有効に行なわれ活性領域
外を流れる無効電流を極力抑えることが出来る。
高い材料であるので電流狭窄が有効に行なわれ活性領域
外を流れる無効電流を極力抑えることが出来る。
（実施例２）
第４図は本発明の他の実施例を示す構造図である。第４
図（ａ）は共振器端面近傍での断面図、第４図（ｂ）に
共振器中央部での断面図である。
図（ａ）は共振器端面近傍での断面図、第４図（ｂ）に
共振器中央部での断面図である。
本実施例は前述の（実施例１）でのリブ導波路形成にお
いて、エツチングを活性層（４０２）下ＧａＡｓ基板側
へ進行させｔ後に、Ｚｎ５ｅ埋め込み層Ｃ４０１）で埋
め込んだ構造である。
いて、エツチングを活性層（４０２）下ＧａＡｓ基板側
へ進行させｔ後に、Ｚｎ５ｅ埋め込み層Ｃ４０１）で埋
め込んだ構造である。
縦多軸モード発振・安定しｔ単−横モード発振および非
点隔差が極めて小さくなる理由、加えて無効電流が極め
て少なくなる理由は（実施例１）の項と同様である。
点隔差が極めて小さくなる理由、加えて無効電流が極め
て少なくなる理由は（実施例１）の項と同様である。
以上述べｔように本発明によれば以下のような効果が得
られる。
られる。
１）共振器中央部では、光の導波が利得導波横溝により
なされているので本発明のＬＤは縦多軸モード発振とな
る。故に戻り光雑音が極めて小さな値となる。
なされているので本発明のＬＤは縦多軸モード発振とな
る。故に戻り光雑音が極めて小さな値となる。
２）１）なる理由により元情報処理用光源等幅広く応用
することが出来る― ３）少なくとも一方の共振器端面近傍では、光の導波が
屈折率導波機構によりなされているので、通常の屈折率
導波型ＬＤと同様本発明のＬＤも注入電流の変化に対し
ても安定な単−横モード発振が得られる。
することが出来る― ３）少なくとも一方の共振器端面近傍では、光の導波が
屈折率導波機構によりなされているので、通常の屈折率
導波型ＬＤと同様本発明のＬＤも注入電流の変化に対し
ても安定な単−横モード発振が得られる。
４）５）と同様の理由により、非点隔差の極めて小さな
レーザ発掘光が得られる。
レーザ発掘光が得られる。
５）１）３）４） なる理由により、本発明のＬＤを
光学ヘッド等へ組み込む際、出射ビーム整形等に必要な
複雑な光学系を必要としない。故に簡素化−軽量化かに
かられる。
光学ヘッド等へ組み込む際、出射ビーム整形等に必要な
複雑な光学系を必要としない。故に簡素化−軽量化かに
かられる。
＆）高抵抗率の層が得られるｌ−■族化合物半導体によ
り電流狭窄層を形成しているので、活性領域外を流れる
無効電流を極力抑えることが出来る。故にしきい値電流
の低減ＩＣ有効である。
り電流狭窄層を形成しているので、活性領域外を流れる
無効電流を極力抑えることが出来る。故にしきい値電流
の低減ＩＣ有効である。
７）本発明は膜質・膜厚の大面積にわ九る均−性拳再現
性に秀れ７ｊＭＯＯＶＤ法の２段階成長により作製可能
な溝道であるので、作表さｆｉ九本発明のＬＤの特性も
均一性・再現性および信頼性の秀れたものである。
性に秀れ７ｊＭＯＯＶＤ法の２段階成長により作製可能
な溝道であるので、作表さｆｉ九本発明のＬＤの特性も
均一性・再現性および信頼性の秀れたものである。
８）本発明のＩ、Ｄは以上に述べ九ように、低雑音で横
モードの安定性に秀れ、非点隔差も小さなＬＤである。
モードの安定性に秀れ、非点隔差も小さなＬＤである。
故に本発明のＬＤに共振器端面に保護膜を形成し端面劣
化を防ぐことにより、上記特性に加え高出力特性が得ら
れる。
化を防ぐことにより、上記特性に加え高出力特性が得ら
れる。
９）埋め込みｊ−のＩ−ＶＩ族化合物半導体の屈折率が
小さい為上側クラッド層の残り、膜厚を変えることで近
視野像のスポットサイズを制御できる構造であるので、
高出力化に有効である。
小さい為上側クラッド層の残り、膜厚を変えることで近
視野像のスポットサイズを制御できる構造であるので、
高出力化に有効である。
１０）現在低雑音化には高周波′ＭＬ量法が有効とされ
ているが、本発明のＬＤはそのような付加的な方法を必
要とせず低雑音化を実現できる。故に付加的な回路を必
要とせず小型化・軽量化・低価値化が実現できる。
ているが、本発明のＬＤはそのような付加的な方法を必
要とせず低雑音化を実現できる。故に付加的な回路を必
要とせず小型化・軽量化・低価値化が実現できる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明のＴ、Ｄの一実施例
を示す断面図。 第２図（ａ）〜儲）は本発明のＬＤ全実現する九めの作
製工程図。 第５図（ａ）〜（０）は従来例を示す図。 第４図（ａ）〜（ｂ）框本発明のＬＤの一実施例を示す
断面図。 ２０１−−−ｎｆｉＧａＡｓ基板 ２０２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ一層２０３ ＝・ｎ
型ＡＪ！ｘＧａ ＋−ｘＡｓ第１のクラッド層 ２０４、−−・ＡＲｙＧａ １−ｙＡｓ活性層２０５、
、、ｐ型ＡＲｚＧａ １−ｚＡｓ第２のクラッド層２０
６・・・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０７・２０８・・
・エツチング用１ノジストマスク２０９・・・Ｚｎ８ｓ
埋め込み層 ２１０・・・ｐ側電極 ２１１・・・ｎ側電極 ３０１・・・電流阻止）− ５０２・・・活性層 ＡＯｌ・・・ＺｎＥｌｅ埋め込み層 ４０２・・・活性層 茅３１元
を示す断面図。 第２図（ａ）〜儲）は本発明のＬＤ全実現する九めの作
製工程図。 第５図（ａ）〜（０）は従来例を示す図。 第４図（ａ）〜（ｂ）框本発明のＬＤの一実施例を示す
断面図。 ２０１−−−ｎｆｉＧａＡｓ基板 ２０２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ一層２０３ ＝・ｎ
型ＡＪ！ｘＧａ ＋−ｘＡｓ第１のクラッド層 ２０４、−−・ＡＲｙＧａ １−ｙＡｓ活性層２０５、
、、ｐ型ＡＲｚＧａ １−ｚＡｓ第２のクラッド層２０
６・・・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０７・２０８・・
・エツチング用１ノジストマスク２０９・・・Ｚｎ８ｓ
埋め込み層 ２１０・・・ｐ側電極 ２１１・・・ｎ側電極 ３０１・・・電流阻止）− ５０２・・・活性層 ＡＯｌ・・・ＺｎＥｌｅ埋め込み層 ４０２・・・活性層 茅３１元
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体層の異種接合構造より成るリツ
ジ状の光導波路を有し、かつ該光導波路側面に半導体層
より成る埋め込み層を有して成る半導体レーザにおいて
、少なくとも一方の共振器端面近傍ではII−VI族化合物
半導体層で該光導波路を埋め込みかつ該光導波路の幅と
電流注入幅をほぼ等しくして屈折率導波路とし、共振器
中央部では該II−VI族化合物半導体層で該光導波路を埋
め込みかつ該光導波路の幅を該電流注入幅より充分広く
して利得導波路としたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29026486A JPS63142879A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| FR8714606A FR2606223B1 (fr) | 1986-10-29 | 1987-10-22 | Laser a semiconducteur et son procede de fabrication |
| US07/113,788 US4856013A (en) | 1986-10-29 | 1987-10-28 | Semiconductor laser having an active layer and cladding layer |
| DE19873736497 DE3736497A1 (de) | 1986-10-29 | 1987-10-28 | Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29026486A JPS63142879A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142879A true JPS63142879A (ja) | 1988-06-15 |
| JPH0569318B2 JPH0569318B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=17753887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29026486A Granted JPS63142879A (ja) | 1986-10-29 | 1986-12-05 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0531542A1 (en) * | 1991-03-28 | 1993-03-17 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting type semiconductor laser and its fabrication method |
| JPH10223966A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 利得結合分布帰還型半導体レーザ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128092A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Imbedded type semiconductor laser device |
| JPS6058695A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 |
| JPS61144894A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Sony Corp | 半導体レ−ザ−の製法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP29026486A patent/JPS63142879A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128092A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Imbedded type semiconductor laser device |
| JPS6058695A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 |
| JPS61144894A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Sony Corp | 半導体レ−ザ−の製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0531542A1 (en) * | 1991-03-28 | 1993-03-17 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting type semiconductor laser and its fabrication method |
| US5375133A (en) * | 1991-03-28 | 1994-12-20 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture |
| JPH10223966A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 利得結合分布帰還型半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569318B2 (ja) | 1993-09-30 |
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Legal Events
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