JPS63142683A - アバランシエホトダイオ−ド - Google Patents

アバランシエホトダイオ−ド

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Publication number
JPS63142683A
JPS63142683A JP61288801A JP28880186A JPS63142683A JP S63142683 A JPS63142683 A JP S63142683A JP 61288801 A JP61288801 A JP 61288801A JP 28880186 A JP28880186 A JP 28880186A JP S63142683 A JPS63142683 A JP S63142683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
inp
ingaas
avalanche photodiode
superlattice
Prior art date
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Pending
Application number
JP61288801A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Fujiwara
一郎 藤原
Hiroshi Matsuda
広志 松田
Kazuhiro Ito
和弘 伊藤
Kazuyuki Nagatsuma
一之 長妻
Hirobumi Ouchi
博文 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は1.55μm蛍光通信システム用の受光素子に
係り1%に、低雑音で高速・高感度の特性を有するアバ
ランシェホトダイオード(APDと略す)に関する。
〔従来の技術〕
高電界を正確に制御することが必要なAPDでは、高電
界がかかるキャリア濃度の低い(Lo)半導体層でキャ
リアの増倍を起こし、比較的キャリア濃度の高い半導体
層(Hl)で高電界を緩和し、キャリア濃度の低い(L
O)半導体層で光を吸収するLO−Hi−LO型のキャ
リア濃度分布が適しており、Be1l研究所のF、 C
apassoらによって公知になっている(エレクトロ
ン・レター。
第20巻、第635〜637頁1984年(E1ect
r□HLett、、VOI、20.635〜637(1
984) )参照)。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記公知例はキャリア増倍層にInGaAs層を用いて
いる。エネルギーバンド構造の対称性により、InP系
の化合物半導体材料では成子と正孔のイオン化係数比が
1に近い、この値は0.8μm帯でのSiの値20に比
べ小さい。したがって、イオン化係数比を犬きくとるこ
とが低雑音化につながるAPDではInP系材料のイオ
ン化係数比を何らかの方法で犬さくとる必要があった。
また、InPとInGaAsの価電子帯のエネルギーの
不連続が約0.4eVと大きく、このバンド不連続に基
づき、正孔かへテロ界面に蓄積し、高速応答性を劣化さ
せる問題点もあった。
本発明の目的は上記問題点を改善し、低雑音でかつ高速
・高感度のAPDを実現することである。
上記目的を達成するには、LO−Hi−LO型APDに
おいて、まず、キャリア増倍層をInPとInGaAs
の超格子で形成し、電子と正孔のイオン化係数比?大き
くすることにおる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は電界緩和ノーにデユーティ−比が異なり、グ
レーデッドなエネルギーバンド構造を持つInPとIn
GaAs のドーピング超格子分用いることによって達
成される。
〔作用〕
キャリア増倍層と超格子を用いて、電子と正孔のイオン
化係数比が大きくなった場合、APL)のS/N比が改
善される。S/N比が大きくなれば。
最小受信感度が減少し、低雑音APDを実現できる。
マタ、グレーデッドエネルギー構造を持つInPとIn
GaAs の超格子分用いることにより、正孔に対する
価電子帯の不連続エネルギーを低減することができ、光
吸収層側よりドリフトしてきた正孔の蓄積効果?抑え、
高速なAPII実現することができる。
〔実施例〕
以下1本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図は超格子を用いたInP系のI、o−Hi−Lo型A
PI)の縦断面図である。
まず製造方法について述べる。
n”−InP基板1上に分子線エピタキシー(MBE)
法または、有機金属熱分解気相成長(+dOCVD)法
により、n−−InP バッファ層(0,5μm)2、
n−−InGaAs光吸収層(3μm)3.Ink’と
InGaAs のドーピ7グH1格子4(0,3μm)
、InPとInGaAsの超格子5(0,5μm)、n
−−InP窓層6を連続成長させる。次に、SiNと8
102をマスクとしてCdの低温拡散(430C)を行
い、ガードリング7を形成した後sZnの選択熱拡散に
より、主接合8’に形成fる。パッシベーションg9は
PsG/8i0x/8iNの三層構造であり、反射防止
膜lOはS iNk用いる。最後にp型オーミック電極
11 (Au/P t/T i )、n型オーミック電
極12 (Au/Pd/AuGeNi ) k形成する
次に実施例の動作について述べる。
APL)に入射した光は逆バイアスされて空乏層化して
いるInGaAs光吸収層に吸収される。
InGaAsの吸収係数は1.55μm帯でlXl0’
cIn−1以上と大きく、膜厚を3Am以上にすれば内
部量子効率はほぼ100%近くなる。また、反射防止膜
であるSiNを最適化すれば1表面反射を1チ以内に抑
えることができ、外部量子効率90%を容易に実現する
ことができる。
光吸収量で発生したキャリアはドリフI−L、を界緩和
層を通り、キャリア増倍層で1バランシュ増倍されtl
”n接合に調達する。
キャリア増倍層にInPとI n Ga A s の超
格子を用いているため、電子と正孔のイオン化係数比が
大きくなり、S/N比が改善される。したがって、最適
増倍率が向上し、最小受信感度が改善される。
また、[界緩和層は、  InPとInGaAs のデ
ユーティ−比と変えたグレーデッドな超格子となってい
るため、正孔の蓄積を抑え、高速応答が実現される。
また、本発明はI nAtA s/ I nG a A
 s系に適用した場合も工rlP/InGaAs の場
合と同様なAPD特性が得られることは言うまでもない
〔発明の効果〕
本発明によれば、キャリア増倍層の電子と正孔のイオン
化係数比と犬きくとることができるので、APDの8/
N比を向上させ、最小受信感度を小さくすることができ
る。
lた、電界緩ajU’に:グレーデッドなエネルギーバ
ンド構造?もつ超格子としているので、正孔の蓄積効果
を抑え、高速なAPDを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例である1、55μm帯の光通信システ
ムに用いられるAPDの縦断面図である。 1・・・n型InP基板、2・・・n −InPバッフ
ァ層。 3− n−−Ir+GaAs光吸収層、4− I n 
PとInGaAsの超格子(アンドープ)、5− I 
n PとInGaAs の超格子(ドープ) 、 6−
 n−−I nP窓層、7・・・p−InP(ガードリ
ング(cd拡散orBe、Mgイyl−7注入) 、 
8=・P−I nP(主接合;Zn、Cd拡Bor B
 e 、 Mg (yF7注入)、9・・・SiO□/
SINパッシベーション膜、lO・・・SiN反射防止
膜、11・−・p型オーミック―極、12・・・n型オ
ーミック醒極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、n型基板上に少なくとも光を吸収する光吸収層に生
    じたキャリアを増倍する増倍層、高電界を制御する電界
    緩和層を含む複数の半導体層を積層して形成するアバラ
    ンシエホトダイオードにおいて、増倍層をInPとIn
    GaAsまたはInGaAsとInAlAsの超格子で
    形成することを特徴とするアバランシエホトダイオード
    。 2、特許請求の範囲第1項に記載のアバランシエホトダ
    イオードにおいて、上記電界緩和層をInPとInGa
    AsまたはInGaAsとInAlAsのドーピング超
    格子で形成することを特徴とするアバランシエホトダイ
    オード。 3、特許請求の範囲第1項記載のアバランシエホトダイ
    オードにおいて、上記増倍層のキャリア濃度を5×10
    ^1^4cm^−^3と5×10^1^5cm^−^3
    の間とすることを特徴とするアバランシエホトダイオー
    ド。 4、上記電界緩和層のキャリア濃度を5×10^1^5
    cm^−^3〜5×10^1^6cm^−^3とするこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のアバランシ
    エホトダイオード。
JP61288801A 1986-12-05 1986-12-05 アバランシエホトダイオ−ド Pending JPS63142683A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137376A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Nec Corp アバランシェフォトダイオード
KR100352816B1 (ko) * 2000-03-10 2002-09-16 광주과학기술원 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조
CN111312835A (zh) * 2020-02-19 2020-06-19 中国电子科技集团公司第四十四研究所 单电子传输雪崩光电二极管结构及制作方法

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