JPH038117B2 - - Google Patents
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- JPH038117B2 JPH038117B2 JP57104077A JP10407782A JPH038117B2 JP H038117 B2 JPH038117 B2 JP H038117B2 JP 57104077 A JP57104077 A JP 57104077A JP 10407782 A JP10407782 A JP 10407782A JP H038117 B2 JPH038117 B2 JP H038117B2
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- gallium arsenide
- indium phosphide
- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はp形インジウムリンの第1の領域、n
形インジウムリンの層及びn形インジウム・ガリ
ウムヒ素の層をこの順に含む結晶から成るなだれ
光検知器として有用な半導体デバイスに係る。
形インジウムリンの層及びn形インジウム・ガリ
ウムヒ素の層をこの順に含む結晶から成るなだれ
光検知器として有用な半導体デバイスに係る。
低損失光フアイバの減衰が1.3ないし1.6ミクロ
ンの波長領域で特に低いという事実は、そのよう
な波長において効率のよい光検出器の必要性を生
み出した。特に関心のあるものは、それらが固有
の利得をもつためなだれ光検出器である。これま
でに1.25ミクロンより長波長で有用な感度の高い
光検出器を実現することは、困難であることがわ
かつている。特に、そのような長波長で使用する
ために設計された従来技術によるデバイスにおい
ては、光電流利得が実現される電圧において、ト
ンネル電流及びその結果生じるシヨツト雑音は大
きくなる傾向があり、そのような検出器を用いる
受信機の感度の改善を制限してきた。
ンの波長領域で特に低いという事実は、そのよう
な波長において効率のよい光検出器の必要性を生
み出した。特に関心のあるものは、それらが固有
の利得をもつためなだれ光検出器である。これま
でに1.25ミクロンより長波長で有用な感度の高い
光検出器を実現することは、困難であることがわ
かつている。特に、そのような長波長で使用する
ために設計された従来技術によるデバイスにおい
ては、光電流利得が実現される電圧において、ト
ンネル電流及びその結果生じるシヨツト雑音は大
きくなる傾向があり、そのような検出器を用いる
受信機の感度の改善を制限してきた。
この問題は本発明に従い、上に述べたように、
なだれ光検出器として有用な半導体デバイスにお
いて克服される。本発明の半導体デバイスは、n
形インジウムの層が単位面積当りの固定電荷数が
2×1012ないし3×1012/cm2となるような厚さ及
びドーピングを有することを特徴とする。
なだれ光検出器として有用な半導体デバイスにお
いて克服される。本発明の半導体デバイスは、n
形インジウムの層が単位面積当りの固定電荷数が
2×1012ないし3×1012/cm2となるような厚さ及
びドーピングを有することを特徴とする。
一視点において、本発明は大きなトンネル漏れ
電流を伴うことなく、1.7ミクロンもの長波長で
有用ななだれ光検出器を実現する。
電流を伴うことなく、1.7ミクロンもの長波長で
有用ななだれ光検出器を実現する。
以下に、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。尚、便宜上、図面の各部の比率
は実際のものとは異なる。
ついて説明する。尚、便宜上、図面の各部の比率
は実際のものとは異なる。
具体的には、大きなトンネル漏れ電流を伴わな
い高利得In0.53Ga0.47As/InPなだれフオトダイオ
ードが実現される。好ましい実施例において、こ
のダイオードは順次p形インジウムリンの電極層
10、インジウムリンのn形領域13及びn形イ
ンジウム・ガリウムヒ素の電極領域14を含む結
晶から成る。
い高利得In0.53Ga0.47As/InPなだれフオトダイオ
ードが実現される。好ましい実施例において、こ
のダイオードは順次p形インジウムリンの電極層
10、インジウムリンのn形領域13及びn形イ
ンジウム・ガリウムヒ素の電極領域14を含む結
晶から成る。
トンネル電流を大きくなく保つためには、p形
InP電極領域及びn形InP層間にp形InPバツフア
層12を配置し、p−n接合を形成し高電界p−
n接合領域中の深いレベルを通してのトンネルを
減すことが重要である。加えて、トンネルが始ま
る前に、最適降伏条件を実現するために、n形
InP層13中の実効全電荷を制御することが重要
である。特に、好ましい実施例において、この層
中の単位面積当りの固定電荷は2×1012/cm2ない
し3×1012/cm2にすることが重要である。
InP電極領域及びn形InP層間にp形InPバツフア
層12を配置し、p−n接合を形成し高電界p−
n接合領域中の深いレベルを通してのトンネルを
減すことが重要である。加えて、トンネルが始ま
る前に、最適降伏条件を実現するために、n形
InP層13中の実効全電荷を制御することが重要
である。特に、好ましい実施例において、この層
中の単位面積当りの固定電荷は2×1012/cm2ない
し3×1012/cm2にすることが重要である。
加えて、より広く応用できると確信される本発
明の別の視点において、ここで述べた種類のヘテ
ロ接合光検出器の応答速度は、n形InP層13及
びn形InGaAs吸収電極層14間の障壁層によ
り、著しく影響を受けることが見出された。特
に、実効的にこの接合の障壁高さを低くするた
め、このヘテロ界面の禁制帯幅に傾斜をもたせる
ことが、高速応答に重要である。これは電荷蓄積
効果を最小にし、それによつて応答速度を増す。
特に、好ましい実施例において、成長条件はInP
及びInGaAs領域間の界面における組成に傾斜を
もたすように調整された。
明の別の視点において、ここで述べた種類のヘテ
ロ接合光検出器の応答速度は、n形InP層13及
びn形InGaAs吸収電極層14間の障壁層によ
り、著しく影響を受けることが見出された。特
に、実効的にこの接合の障壁高さを低くするた
め、このヘテロ界面の禁制帯幅に傾斜をもたせる
ことが、高速応答に重要である。これは電荷蓄積
効果を最小にし、それによつて応答速度を増す。
特に、好ましい実施例において、成長条件はInP
及びInGaAs領域間の界面における組成に傾斜を
もたすように調整された。
第1図を参照すると、基板として主表面11が
<100>面に対応するように切り出された亜鉛を
約1018/cm3の濃度に一様にドープされたp形InP
の結晶10が用いられるように示されている。
<100>面に対応するように切り出された亜鉛を
約1018/cm3の濃度に一様にドープされたp形InP
の結晶10が用いられるように示されている。
この表面上の周知の液相技術により、約0.5な
いし5.0ミクロンの厚さ、好ましくは亜鉛を1立
方センチメートル当り1017ないし1018原子の濃度
で含むp形エピタキシヤルバツフア層が成長され
る。
いし5.0ミクロンの厚さ、好ましくは亜鉛を1立
方センチメートル当り1017ないし1018原子の濃度
で含むp形エピタキシヤルバツフア層が成長され
る。
これにすぐ続いて、InP層13の同じ表面に液
相成長が行なわれる。それは故意にはドープされ
ず、そのためそれは第3図に示されるようにn形
に成長する。このn形層の厚さ及び固定電荷量
は、なだれ降伏におけるヘテロ界面での電界を決
定し、従つてこれらパラメータの制御は重要であ
る。適当な値については以下でより詳細に述べ
る。
相成長が行なわれる。それは故意にはドープされ
ず、そのためそれは第3図に示されるようにn形
に成長する。このn形層の厚さ及び固定電荷量
は、なだれ降伏におけるヘテロ界面での電界を決
定し、従つてこれらパラメータの制御は重要であ
る。適当な値については以下でより詳細に述べ
る。
次に、第4図に示されるように、In.53Ga.47As
のエピタキシヤル層14を成長させるために周知
の液相技術が用いられる。この層は故意にはドー
プされず、従つてそれは1立方センチメートル当
り5×1015の濃度以下のドナを有するn形に成長
する。この層は約5ミクロンの厚さが有利であ
る。
のエピタキシヤル層14を成長させるために周知
の液相技術が用いられる。この層は故意にはドー
プされず、従つてそれは1立方センチメートル当
り5×1015の濃度以下のドナを有するn形に成長
する。この層は約5ミクロンの厚さが有利であ
る。
当業者には周知のように、吸収層14は効率を
制御する結晶の不完全性を避けるために、適切に
格子整合がとれる限り、他の広い組成範囲をもた
すこともできる。具体的には、インジウム、ガリ
ウム、ヒ素及びリンを、得られる禁制帯が吸収す
べきフオトンのエネルギーより小さい限り、比率
を変えて使用できる。
制御する結晶の不完全性を避けるために、適切に
格子整合がとれる限り、他の広い組成範囲をもた
すこともできる。具体的には、インジウム、ガリ
ウム、ヒ素及びリンを、得られる禁制帯が吸収す
べきフオトンのエネルギーより小さい限り、比率
を変えて使用できる。
ある種の例では、低ドープ・インジウムガリウ
ムヒ素に対して容易に得られるより低抵抗の接触
を作ること及び電気接続を容易にするために、層
14上により高濃度ドープの層をつけ加えるのが
望ましいことが明らかになつている。そのような
層は本質的に電極の一部と見なせる。そのような
層は電極の形成を容易にするように選択すべきで
あるが、その中ではほとんど光を吸収しないよう
な十分大きな禁制帯となる組成をもたす必要があ
る。
ムヒ素に対して容易に得られるより低抵抗の接触
を作ること及び電気接続を容易にするために、層
14上により高濃度ドープの層をつけ加えるのが
望ましいことが明らかになつている。そのような
層は本質的に電極の一部と見なせる。そのような
層は電極の形成を容易にするように選択すべきで
あるが、その中ではほとんど光を吸収しないよう
な十分大きな禁制帯となる組成をもたす必要があ
る。
しかし、上で述べたように、高速応答のために
は層13及び14間のヘテロ界面における急激な
障壁は避けるべきことを見出している。特に、急
激な遷移ではポテンシヤル井戸ができ、そこに電
荷が蓄積される傾向がある。このことはそのよう
な構造をメモリーとして用いるある程度の可能性
を作つているが、光検出器としての速い応答に対
しては害となる。従つて、界面で傾斜をもたせる
ためには、層14の成長条件は層13及び14間
の界面で、成分のある程度の相互拡散を起し、障
壁高さによりゆるやかな変化をもたせるように選
ばれる。この目的のためには各種の技術が知られ
ており、その中で恐らく最も容易なものは、典型
的には0.1℃の過飽和といつた過飽和度の低い条
件で最初層14を成長させ、その成長中InPと
InGaAs間での界面の傾斜を作ることである。あ
るいは、中間組成の薄い層を、周知の液相エピタ
キシヤル技術により、層13及び14間に成長さ
せることもできる。条件は、80ボルトないし150
ボルトの逆バイアスが印加された時、検出器が確
実になだれ増倍を起すように、約500−1000オン
グストロームの厚さの傾斜領域ができるよう調整
される。
は層13及び14間のヘテロ界面における急激な
障壁は避けるべきことを見出している。特に、急
激な遷移ではポテンシヤル井戸ができ、そこに電
荷が蓄積される傾向がある。このことはそのよう
な構造をメモリーとして用いるある程度の可能性
を作つているが、光検出器としての速い応答に対
しては害となる。従つて、界面で傾斜をもたせる
ためには、層14の成長条件は層13及び14間
の界面で、成分のある程度の相互拡散を起し、障
壁高さによりゆるやかな変化をもたせるように選
ばれる。この目的のためには各種の技術が知られ
ており、その中で恐らく最も容易なものは、典型
的には0.1℃の過飽和といつた過飽和度の低い条
件で最初層14を成長させ、その成長中InPと
InGaAs間での界面の傾斜を作ることである。あ
るいは、中間組成の薄い層を、周知の液相エピタ
キシヤル技術により、層13及び14間に成長さ
せることもできる。条件は、80ボルトないし150
ボルトの逆バイアスが印加された時、検出器が確
実になだれ増倍を起すように、約500−1000オン
グストロームの厚さの傾斜領域ができるよう調整
される。
上に述べたように、層13の厚さとドーピング
はなだれ降伏における層13及び15間のヘテロ
接合界面の電界を、大きく支配する。従つて、こ
れらのパラメータの制御は重要である。
はなだれ降伏における層13及び15間のヘテロ
接合界面の電界を、大きく支配する。従つて、こ
れらのパラメータの制御は重要である。
この界面における電界Eは
E=q/e∫W X1N(X)dX=q/eσで与えられ、
こ こでN(X)はp−n接合から距離Xにおける固
定電荷密度であり、X1はp−n接合から界面ま
での距離、qは電子の電荷、e1は1.04pF/cmで層
14の誘電率である。従つて、σは層14中から
掃き出される単位面積当りの全電荷である。降伏
電圧においてヘテロ界面でトンネルが本質的にな
いようにするためには、E1.5×105V/cmであ
ることが示される。このことはσ1.0×1012cm-2
を意味する。
こ こでN(X)はp−n接合から距離Xにおける固
定電荷密度であり、X1はp−n接合から界面ま
での距離、qは電子の電荷、e1は1.04pF/cmで層
14の誘電率である。従つて、σは層14中から
掃き出される単位面積当りの全電荷である。降伏
電圧においてヘテロ界面でトンネルが本質的にな
いようにするためには、E1.5×105V/cmであ
ることが示される。このことはσ1.0×1012cm-2
を意味する。
p−n接合における電界は降伏において大きな
電流利得が得られるように、十分大きくすべきこ
とも重要である。出願人らの解析により、最もも
感度の高いなだれフオトダイオードは、層13が
約2×1012/cm2に等しいかそれより大きい全固定
電荷量の値σをもつ時に得られることが示されて
いる。しかし、約3×1012/cm2より大きなσの場
合、層13は降伏において完全には空乏化してお
らず、非常に低い量子効率が生じる。従つて、σ
の値は最適の結果を得るためには、約2×1012cm
-2ないし3×1012cm-2の範囲にすべきである。
電流利得が得られるように、十分大きくすべきこ
とも重要である。出願人らの解析により、最もも
感度の高いなだれフオトダイオードは、層13が
約2×1012/cm2に等しいかそれより大きい全固定
電荷量の値σをもつ時に得られることが示されて
いる。しかし、約3×1012/cm2より大きなσの場
合、層13は降伏において完全には空乏化してお
らず、非常に低い量子効率が生じる。従つて、σ
の値は最適の結果を得るためには、約2×1012cm
-2ないし3×1012cm-2の範囲にすべきである。
一実施例において、層13は約2ミクロンの厚
さに作られ、この層中のドナ濃度は約1016cm-3
で、約2×1012cm-2のσを生じた。
さに作られ、この層中のドナ濃度は約1016cm-3
で、約2×1012cm-2のσを生じた。
容量及び端部電解効果を減すためには、得られ
るダイオードを第5図に示されるようにメサ構造
に整形するのが望ましい。典型的な場合、メサは
標準的なフオトリソグラフイ技術により規定さ
れ、1パーセントの臭素−メタノール溶液でエツ
チされる。約1.3×10-4cm2の円状領域がより小さ
な最上表面には典型的である。合金電極により低
抵抗接続15,16がそれぞれ電極層10及び1
4に作られる。本発明の具体的な実施例におい
て、金−亜鉛が層10に対する電極として用いら
れ、金−スズが層14に対する電極として用いら
れる。
るダイオードを第5図に示されるようにメサ構造
に整形するのが望ましい。典型的な場合、メサは
標準的なフオトリソグラフイ技術により規定さ
れ、1パーセントの臭素−メタノール溶液でエツ
チされる。約1.3×10-4cm2の円状領域がより小さ
な最上表面には典型的である。合金電極により低
抵抗接続15,16がそれぞれ電極層10及び1
4に作られる。本発明の具体的な実施例におい
て、金−亜鉛が層10に対する電極として用いら
れ、金−スズが層14に対する電極として用いら
れる。
用いる場合、所望のなだれ動作を起させるため
に、そのような電極間には逆バイアスが印加され
るであろう。
に、そのような電極間には逆バイアスが印加され
るであろう。
もちろん、たとえば分子ビームエピタキシーあ
るいは化学気相成長を含む他の技術及び形状も製
作に使用できる。同様に、n形インジウムリン基
板から始めて、n形インジウム・ガリウムヒ素
層、n形インジウムリン層及びp形インジウムリ
ン層をそれに続けてもよい。ここで述べた設計に
対する考え方は、同様に適用できる。同様に、メ
サ構造について具体的に述べたが、プレーナ形状
も場合によつては好ましいこともある。
るいは化学気相成長を含む他の技術及び形状も製
作に使用できる。同様に、n形インジウムリン基
板から始めて、n形インジウム・ガリウムヒ素
層、n形インジウムリン層及びp形インジウムリ
ン層をそれに続けてもよい。ここで述べた設計に
対する考え方は、同様に適用できる。同様に、メ
サ構造について具体的に述べたが、プレーナ形状
も場合によつては好ましいこともある。
第1図ないし第5図は、典型的な製作プロセス
で順次行なわれる工程における本発明の実施例を
示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、第1の領域……1
2、n形インジウム・リンの層……13、n形イ
ンジウム・ガリウム・ヒ素の層……14。
で順次行なわれる工程における本発明の実施例を
示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、第1の領域……1
2、n形インジウム・リンの層……13、n形イ
ンジウム・ガリウム・ヒ素の層……14。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 P形インジウムリンの第1の領域(例えば1
2)、n形インジウムリンの層(例えば13)及
びn形インジウムガリウムヒ素の層(例えば1
4)を含む結晶からなるなだれ光検知器として有
用な半導体デバイスにおいて、 該n形インジウムリンの層は有意な暗電流を伴
うことなくデバイスの応答速度を最大にするため
に、単位面積当りの固定電荷の数が2×1012乃至
3×1012/cm2の範囲になるような厚さとドーピン
グを有し、該n形インジウムリンの層と該インジ
ウム・ガリウムヒ素の層との間のヘテロ界面はイ
ンジウム・ガリウムヒ素とインジウムリンとの間
の界面における組成勾配から生じる傾斜禁制帯領
域からなることを特徴とする半導体デバイス。 2 特許請求の範囲第1項に記載の半導体デバイ
スにおいて、 該インジウムリンとインジウム・ガリウムヒ素
との間のヘテロ界面は、傾斜した禁制帯の領域を
形成するため約500乃至1000オングストロームの
勾配領域を含むことを特徴とする半導体デバイ
ス。 3 特許請求の範囲第1項に記載の半導体デバイ
スにおいて、 該結晶は更に該n形インジウム・ガリウムヒ素
の層に隣接したn形インジウムリンの層を含むこ
とを特徴とする半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US275346 | 1981-06-19 | ||
US06/275,346 US4473835A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Long wavelength avalanche photodetector |
Publications (2)
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JPH038117B2 true JPH038117B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57104077A Granted JPS582077A (ja) | 1981-06-19 | 1982-06-18 | 半導体デバイス |
Country Status (5)
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JP (1) | JPS582077A (ja) |
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JPS5736878A (en) * | 1980-08-18 | 1982-02-27 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Semiconductor photodetector |
JPS5861679A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ド |
JPS5984589A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Fujitsu Ltd | アバランシフオトダイオード |
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US4586066A (en) * | 1984-04-10 | 1986-04-29 | Rca Inc. | Avalanche photodetector |
CA1228662A (en) * | 1984-04-10 | 1987-10-27 | Paul P. Webb | Double mesa avalanche photodetector |
CA1228661A (en) * | 1984-04-10 | 1987-10-27 | Rca Inc. | Avalanche photodetector |
CA1228663A (en) * | 1984-04-10 | 1987-10-27 | Paul P. Webb | Photodetector with isolated avalanche region |
US4597004A (en) * | 1985-03-04 | 1986-06-24 | Rca Corporation | Photodetector |
US5051804A (en) * | 1989-12-01 | 1991-09-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Photodetector having high speed and sensitivity |
US10032950B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-07-24 | University Of Virginia Patent Foundation | AllnAsSb avalanche photodiode and related method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643781A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor photodetecting element |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3995303A (en) * | 1975-06-05 | 1976-11-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Growth and operation of a step-graded ternary III-V heterojunction p-n diode photodetector |
US4122476A (en) * | 1976-11-22 | 1978-10-24 | International Business Machines Corporation | Semiconductor heterostructure |
US4144540A (en) * | 1978-02-06 | 1979-03-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tunable infrared detector with narrow bandwidth |
US4353081A (en) * | 1980-01-29 | 1982-10-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Graded bandgap rectifying semiconductor devices |
US4383269A (en) * | 1980-09-19 | 1983-05-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Graded bandgap photodetector |
-
1981
- 1981-06-19 US US06/275,346 patent/US4473835A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-06-11 FR FR8210219A patent/FR2508235B1/fr not_active Expired
- 1982-06-18 DE DE19823222848 patent/DE3222848A1/de active Granted
- 1982-06-18 GB GB08217777A patent/GB2100928B/en not_active Expired
- 1982-06-18 JP JP57104077A patent/JPS582077A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643781A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor photodetecting element |
Also Published As
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