JPS63138255A - シ−ト型ガラス電極 - Google Patents
シ−ト型ガラス電極Info
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- JPS63138255A JPS63138255A JP61285371A JP28537186A JPS63138255A JP S63138255 A JPS63138255 A JP S63138255A JP 61285371 A JP61285371 A JP 61285371A JP 28537186 A JP28537186 A JP 28537186A JP S63138255 A JPS63138255 A JP S63138255A
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Landscapes
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、pH,pNaなどのイオン測定1!掻(ガラ
ス電極)に関し、特に、従来は実現不可能とされていた
全く新規な構成のシート型のガラス電極を開発せんとし
てなされたものである。
ス電極)に関し、特に、従来は実現不可能とされていた
全く新規な構成のシート型のガラス電極を開発せんとし
てなされたものである。
従来のpH,pNa等のイオン測定電極は、一般にガラ
ス電極と呼ばれ、第12図に示すように、電気絶縁性ガ
ラスから成る支持管aの先端に、吹き上げによる火作り
法(バルーン法)で形成された半球形のpH,pNa等
のイオン応答ガラス膜すを接合し、その中に内部電極C
および内部1dを封入して構成されている。
ス電極と呼ばれ、第12図に示すように、電気絶縁性ガ
ラスから成る支持管aの先端に、吹き上げによる火作り
法(バルーン法)で形成された半球形のpH,pNa等
のイオン応答ガラス膜すを接合し、その中に内部電極C
および内部1dを封入して構成されている。
しかしながら、上記した従来構成のイオン測定電極(ガ
ラス電極)は、そのイオン応答ガラス膜すを前記のよう
に吹き上げによる火作り法(バルーン法)で形成しなけ
ればならないため、その加工時における膜厚制御のため
の火加減や吹き加減等の調節、あるいは、その支持管a
への接合時におけるマイクロクランクの発生防止等には
、相当の熟練技術を要すると共に、量産が困難なため製
造コストが非常に高くつくのみならず、全体構造が大型
にならざるを得す、また、操作性および保守性等の面で
も不利な点が多かった。
ラス電極)は、そのイオン応答ガラス膜すを前記のよう
に吹き上げによる火作り法(バルーン法)で形成しなけ
ればならないため、その加工時における膜厚制御のため
の火加減や吹き加減等の調節、あるいは、その支持管a
への接合時におけるマイクロクランクの発生防止等には
、相当の熟練技術を要すると共に、量産が困難なため製
造コストが非常に高くつくのみならず、全体構造が大型
にならざるを得す、また、操作性および保守性等の面で
も不利な点が多かった。
ところが、最近になって、例えば本願出願人に係る特願
昭61−63564号等により提案されているように、
内部液をゲル状化する技術が開発されたことによって、
例えば塩分測定電極や比較電極あるいはその複合電極の
ように、ガラス応答膜を必要としないものでは、第13
図(イ)、(ロ)に例示するように、そのシート化が可
能となり、全体構造の小型化、製造容易で量産可能であ
ることによる製造コストの低廉化ならびに操作性および
保守性の改善等が達成されるに至っている。なお、同第
13図(イ)、(ロ)に示している塩分測定用複合電極
において、eは塩化ビニル等から成る基板であって、そ
の上面に複数(この例では4個)の11T!L極r・・
・がスクリーン印刷などで形成され、かつ、その各基端
部がリード部g・・・に形成されると共に、その各先端
部が塩化銀の膜で被覆された内部電極部h・・・に形成
され、また、それら内部電極部h・・・の存在する部分
を除く基板e上に、塩化ビニル等から成る支持層iがス
クリーン印刷などで形成されている。そして、j・・・
は、夫々、基本的な内部液(例えばAg(l過飽和の3
.3NKC1など)にゲル化剤(例えば寒天やゼラチン
など)とゲル蒸発防止剤(例えばグリセリンやエチレン
グリコールなど)を添加して構成されたゲル状内部液で
あって、加熱によりペースト状としたものをスクリーン
印刷などで前記各内部電極部h・・・上に重ねて設けら
れている。また、k、 kおよびm、 mは前記各ゲ
ル状内部1i・・・の上に重ねて設けられた例えば存機
材料から成る応答膜およびKCj!を含浸させた多孔体
から成る液絡膜であって、その周囲において接着剤等に
より前記支持層iに固定されている。更に、nは前記支
持層iの表面側に形成された被検液注入用四部であり、
0はその被検液注入用凹部nに対する開閉自在な蓋体で
あって、その一端縁部が前記支持層iの上面に固着され
、また、pは前記支持層iの上面に設けられた粘着剤層
であって、この粘着剤Npに前記蓋体Oを閉成密着させ
ることにより、前記被検液注入用凹部nを密閉状態にす
ることができる。
昭61−63564号等により提案されているように、
内部液をゲル状化する技術が開発されたことによって、
例えば塩分測定電極や比較電極あるいはその複合電極の
ように、ガラス応答膜を必要としないものでは、第13
図(イ)、(ロ)に例示するように、そのシート化が可
能となり、全体構造の小型化、製造容易で量産可能であ
ることによる製造コストの低廉化ならびに操作性および
保守性の改善等が達成されるに至っている。なお、同第
13図(イ)、(ロ)に示している塩分測定用複合電極
において、eは塩化ビニル等から成る基板であって、そ
の上面に複数(この例では4個)の11T!L極r・・
・がスクリーン印刷などで形成され、かつ、その各基端
部がリード部g・・・に形成されると共に、その各先端
部が塩化銀の膜で被覆された内部電極部h・・・に形成
され、また、それら内部電極部h・・・の存在する部分
を除く基板e上に、塩化ビニル等から成る支持層iがス
クリーン印刷などで形成されている。そして、j・・・
は、夫々、基本的な内部液(例えばAg(l過飽和の3
.3NKC1など)にゲル化剤(例えば寒天やゼラチン
など)とゲル蒸発防止剤(例えばグリセリンやエチレン
グリコールなど)を添加して構成されたゲル状内部液で
あって、加熱によりペースト状としたものをスクリーン
印刷などで前記各内部電極部h・・・上に重ねて設けら
れている。また、k、 kおよびm、 mは前記各ゲ
ル状内部1i・・・の上に重ねて設けられた例えば存機
材料から成る応答膜およびKCj!を含浸させた多孔体
から成る液絡膜であって、その周囲において接着剤等に
より前記支持層iに固定されている。更に、nは前記支
持層iの表面側に形成された被検液注入用四部であり、
0はその被検液注入用凹部nに対する開閉自在な蓋体で
あって、その一端縁部が前記支持層iの上面に固着され
、また、pは前記支持層iの上面に設けられた粘着剤層
であって、この粘着剤Npに前記蓋体Oを閉成密着させ
ることにより、前記被検液注入用凹部nを密閉状態にす
ることができる。
かかる構成のシート型塩分測定用複合電極は、前記蓋体
Oを開成して、前記凹部n内に被検液を1滴程度注入し
た後、蓋体0を閉成してその被検液を各応答膜に、にお
よび液絡膜m、m上に押し拡げた上で、その蓋体0を前
記粘着剤層pに密着固定させ、しかる後、このシート型
塩分測定用複合電極を、前記リード部g・・・において
、例えばカード電卓型に構成された測定器本体(図示せ
ず)の装着部へ差し込み接続することにより、被検液の
塩分を測定するものである。
Oを開成して、前記凹部n内に被検液を1滴程度注入し
た後、蓋体0を閉成してその被検液を各応答膜に、にお
よび液絡膜m、m上に押し拡げた上で、その蓋体0を前
記粘着剤層pに密着固定させ、しかる後、このシート型
塩分測定用複合電極を、前記リード部g・・・において
、例えばカード電卓型に構成された測定器本体(図示せ
ず)の装着部へ差し込み接続することにより、被検液の
塩分を測定するものである。
そこで、かかる塩分測定電極や比較電極およびその複合
電極のシート化の実現に伴って、pH。
電極のシート化の実現に伴って、pH。
pNa等のイオン測定用ガラス電極についても、当然に
、そのシート化による全体構造の小型化。
、そのシート化による全体構造の小型化。
製造コストの低廉化ならびに操作性および保守性の改善
等が強く要望されるに至っている。
等が強く要望されるに至っている。
ところが、前記第12図に示した従来構成のガラス電極
においては、その半球形のイオン応答ガラス膜すを、相
当の熟練技術を要しはするものの、吹き上げによる火作
り法(バルーン法)で、ともかくも必要とする膜厚(0
,1〜0.3+am)を有するものを実現させることは
可能であったが、懸案のシート型ガラス電極を実現せん
とする場合にどうしても必要となる、平板状でガラス化
限界に近い膜厚(0,1〜0. 3mm)を要求される
p )1応答ガラス膜等のイオン応答性極薄ガラス膜は
、現状では製造することが不可能なため、未だその実現
をみていない。
においては、その半球形のイオン応答ガラス膜すを、相
当の熟練技術を要しはするものの、吹き上げによる火作
り法(バルーン法)で、ともかくも必要とする膜厚(0
,1〜0.3+am)を有するものを実現させることは
可能であったが、懸案のシート型ガラス電極を実現せん
とする場合にどうしても必要となる、平板状でガラス化
限界に近い膜厚(0,1〜0. 3mm)を要求される
p )1応答ガラス膜等のイオン応答性極薄ガラス膜は
、現状では製造することが不可能なため、未だその実現
をみていない。
即ち、従来は、厚さが最低1mIm程度の薄板ガラスは
垂直引き上げ法で製造され、それよりも薄い仮ガラス(
例えばプレパラートなどに使用されるもの)は、前記垂
直引き上げ法により得られる可及的に薄い板ガラスに対
して更に研磨加工を施すことにより製造していた。しか
し、その場合には、製造コストが極めて高くつくばかり
で無く、ガラ大表面に比較的大きな凹凸やマイクロクラ
ックが残ってしまうため、イオン濃度測定電極用のガラ
ス応答膜としては使用できない。何故ならば、その凹凸
が大きくマイクロクランクが存在するガラス表面では被
検液の吸脱着が円滑に行われないために、正確な測定が
できないからである。
垂直引き上げ法で製造され、それよりも薄い仮ガラス(
例えばプレパラートなどに使用されるもの)は、前記垂
直引き上げ法により得られる可及的に薄い板ガラスに対
して更に研磨加工を施すことにより製造していた。しか
し、その場合には、製造コストが極めて高くつくばかり
で無く、ガラ大表面に比較的大きな凹凸やマイクロクラ
ックが残ってしまうため、イオン濃度測定電極用のガラ
ス応答膜としては使用できない。何故ならば、その凹凸
が大きくマイクロクランクが存在するガラス表面では被
検液の吸脱着が円滑に行われないために、正確な測定が
できないからである。
また、極薄平板ガラスの製造方法としては、バルーン法
により形成された極薄半球面ガラスの一部周面を切り取
ってから熱板プレスで平板ガラスに再成形する方法とか
、事前成形ガラスを軟化温度以上に昇温させて引き延ば
すプレフォームアニュエーション法が従来から知られて
いるが、前者のガラス再成形法の場合には、十分な大き
さの極薄平板ガラスを得ることが困難であるし、ガラス
表面にマイクロクランクが発生し易いという欠点があり
、また、後者のプレフォームアニュエーション法の場合
には極めて大規模な装置を必要とすると共に、完成した
極薄平板ガラスにひずみが残り易いという欠点がある。
により形成された極薄半球面ガラスの一部周面を切り取
ってから熱板プレスで平板ガラスに再成形する方法とか
、事前成形ガラスを軟化温度以上に昇温させて引き延ば
すプレフォームアニュエーション法が従来から知られて
いるが、前者のガラス再成形法の場合には、十分な大き
さの極薄平板ガラスを得ることが困難であるし、ガラス
表面にマイクロクランクが発生し易いという欠点があり
、また、後者のプレフォームアニュエーション法の場合
には極めて大規模な装置を必要とすると共に、完成した
極薄平板ガラスにひずみが残り易いという欠点がある。
しかも、上記両方法は、共に、温度−粘度曲線が比較的
緩やかな傾斜を呈して、成形操作可能な温度範囲を比較
的広くとることがnJ能な組成を有する通常のガラス(
所謂ナトリウムガラスなど)の場合にのみ有効な方法で
あって、イオン濃度測定電極用のガラス応答膜として用
いられるような特殊なガラス(所謂リチウムガラス)の
ように、温度−粘度曲線が比較的急な傾斜を呈して、成
形操作可能な温度範囲が狭い組成を有するものに適用し
た場合には、ガラスの結晶化(失yi>が発生するため
、所望の極薄平板ガラスを得ることは全く不可能であっ
た。
緩やかな傾斜を呈して、成形操作可能な温度範囲を比較
的広くとることがnJ能な組成を有する通常のガラス(
所謂ナトリウムガラスなど)の場合にのみ有効な方法で
あって、イオン濃度測定電極用のガラス応答膜として用
いられるような特殊なガラス(所謂リチウムガラス)の
ように、温度−粘度曲線が比較的急な傾斜を呈して、成
形操作可能な温度範囲が狭い組成を有するものに適用し
た場合には、ガラスの結晶化(失yi>が発生するため
、所望の極薄平板ガラスを得ることは全く不可能であっ
た。
また、十分な信転性を有するシート型ガラス電極を実現
するためには、上記した平板状イオン応答ガラス膜の実
現という問題の他に、その平板状イオン応答ガラス膜と
支持層および基板との間における高度の電気絶縁性を確
保しなければならないという問題もある。
するためには、上記した平板状イオン応答ガラス膜の実
現という問題の他に、その平板状イオン応答ガラス膜と
支持層および基板との間における高度の電気絶縁性を確
保しなければならないという問題もある。
本発明は、上記従来実情に鑑みてなされたものであって
、その目的は、上述した諸問題を克服することによって
、従来懸案であったところの、掻めてコンパクトで信鎖
性ならびに操作性および保守性等に優れ、かつ、容易に
かつ安価に製造できるという(11点を有するシート型
ガラス電極を実現せんとすることにある。
、その目的は、上述した諸問題を克服することによって
、従来懸案であったところの、掻めてコンパクトで信鎖
性ならびに操作性および保守性等に優れ、かつ、容易に
かつ安価に製造できるという(11点を有するシート型
ガラス電極を実現せんとすることにある。
上記目的を達成するために、本発明によるシート型ガラ
ス電極は、第1図の基本的構成図(ただし、実際よりも
厚みを大きくして描いている)に示すように、十分に高
い電気絶縁性を有する材料から成る基板Aの上面に、内
部電極部Bおよびリード部Cを備えた電極りを付着させ
ると共に、十分に高い電気絶縁性を有する材料から成り
且つ前記内部電極部Bに対応する箇所に孔Eを有する支
持層Fを、前記リード部Cおよびその周辺を露出させる
状態で、前記基板への上面に形成し、かつ、その支持層
Fにおける前記孔E内にゲル状内部液Gを充填し、更に
、所定の大きさを有するように事前成形された平板状極
薄ガラスに対して予熱上高速表面加熱処理を施すことに
より製作された平板状のイオン応答ガラス膜Hを、その
下面を前記ゲル状内部液Gの上面に密着させ且つそのゲ
ル状内部IGを前記孔E内に密封させる状態に、十分に
高い電気絶縁性を有する接合材料1を用いて、その周囲
において前記支持NFの上面に固着しである、という特
徴を備えている。
ス電極は、第1図の基本的構成図(ただし、実際よりも
厚みを大きくして描いている)に示すように、十分に高
い電気絶縁性を有する材料から成る基板Aの上面に、内
部電極部Bおよびリード部Cを備えた電極りを付着させ
ると共に、十分に高い電気絶縁性を有する材料から成り
且つ前記内部電極部Bに対応する箇所に孔Eを有する支
持層Fを、前記リード部Cおよびその周辺を露出させる
状態で、前記基板への上面に形成し、かつ、その支持層
Fにおける前記孔E内にゲル状内部液Gを充填し、更に
、所定の大きさを有するように事前成形された平板状極
薄ガラスに対して予熱上高速表面加熱処理を施すことに
より製作された平板状のイオン応答ガラス膜Hを、その
下面を前記ゲル状内部液Gの上面に密着させ且つそのゲ
ル状内部IGを前記孔E内に密封させる状態に、十分に
高い電気絶縁性を有する接合材料1を用いて、その周囲
において前記支持NFの上面に固着しである、という特
徴を備えている。
かかる特徴構成故に発揮される作用は次の通りである。
即ち、上記本発明によれば、後述する実施例の記載から
もより一層明らかとなるように、所定の大きさを有する
ように事前成形された平板状の極薄ガラスに対して予熱
上高速表面加熱処理を施すという全く新規な手法によっ
て初めて製作可能となった極薄平板状のイオン応答ガラ
ス膜Hを使用すると共に、基板Aおよび支持層Fを共に
十分に高い電気絶縁性を有する材料で構成し、かつ、そ
の支持層Fに対して前記イオン応答ガラス膜Hを、十分
に高い電気絶縁性を有する接合材料■により固着する、
という対策を講じたことにより、所要の高電気絶縁性を
有するシート型のガラス電極を、従来のガラス電極に比
べて非常に容易かつ安価に製造できるようになり、もっ
て、イオン測定用ガラス電極の大幅なコンパクト化なら
びに信頼性。
もより一層明らかとなるように、所定の大きさを有する
ように事前成形された平板状の極薄ガラスに対して予熱
上高速表面加熱処理を施すという全く新規な手法によっ
て初めて製作可能となった極薄平板状のイオン応答ガラ
ス膜Hを使用すると共に、基板Aおよび支持層Fを共に
十分に高い電気絶縁性を有する材料で構成し、かつ、そ
の支持層Fに対して前記イオン応答ガラス膜Hを、十分
に高い電気絶縁性を有する接合材料■により固着する、
という対策を講じたことにより、所要の高電気絶縁性を
有するシート型のガラス電極を、従来のガラス電極に比
べて非常に容易かつ安価に製造できるようになり、もっ
て、イオン測定用ガラス電極の大幅なコンパクト化なら
びに信頼性。
操作性、保守性等の向上という所期の目的を十分に達成
できるに至った。
できるに至った。
以下、本発明に係るシート型ガラス電極の具体′ 的
実施例を図面(第2図ないし第11図)に基いて説明す
る。なお、ここではpH測定用のシート型ガラス電極を
例に挙げて説明する。
実施例を図面(第2図ないし第11図)に基いて説明す
る。なお、ここではpH測定用のシート型ガラス電極を
例に挙げて説明する。
第2図の分解斜視図ならびにそのl11−[[1線断面
およびIV−TV線断面を示す第3図および第4図は実
施例に係るpH測定用のシート型複合電極を示している
。
およびIV−TV線断面を示す第3図および第4図は実
施例に係るpH測定用のシート型複合電極を示している
。
各図において、Aは、例えばポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート、アクリル、ポリフ
ッ化エチレンなどの有機高分子材料あるいは石英ガラス
、パイレックスガラスなどの無機材料のように、電解物
質を含有する溶液中に浸漬しても十分に高い電気絶縁性
を存する材料から構成される基板(本例ではポリエチレ
ンテレフタレート板)であって、その基板Aの上面には
、電気良導体であるAg、Cu、Au、PL等およびそ
の合金等のうちから選定された金属またはその金属を含
むペーストあるいはI rQl 、SnO。
レン、ポリエチレンテレフタレート、アクリル、ポリフ
ッ化エチレンなどの有機高分子材料あるいは石英ガラス
、パイレックスガラスなどの無機材料のように、電解物
質を含有する溶液中に浸漬しても十分に高い電気絶縁性
を存する材料から構成される基板(本例ではポリエチレ
ンテレフタレート板)であって、その基板Aの上面には
、電気良導体であるAg、Cu、Au、PL等およびそ
の合金等のうちから選定された金属またはその金属を含
むペーストあるいはI rQl 、SnO。
などの半導体を、真空蒸着法、CVD法などの物理的メ
ッキ法または電解法、無電解法などの化学的メッキ法も
しくはシルクスクリーン法、凸版法。
ッキ法または電解法、無電解法などの化学的メッキ法も
しくはシルクスクリーン法、凸版法。
平板法などの印刷法により、内外2対の電極D・・・が
付着形成されている(本例では、前記基板Aの上面にグ
ラフト加工およびシランカップリング剤等によるアンカ
ー処理を施した上で、Agペーストのシルクスクリーン
印刷をした)。なお、それ・ら全ての電極D・・・にお
ける基板Aの一端縁部に位置する基端部分はそのままで
リード部C・・・とされ、また、外側の一対の電極り、
Dにおける前記基板Aの略中央部に位置する他方の略円
形先端部分は例えばAgC1などの電極材料で:I!I
覆された(前記と同様に、物理的メッキ法または化、学
的メッキ法もしくは印刷法などによる)内部電極部B、
Bに形成され、内側の一対の電極り、 Dにおける
前記基板Aの略中央部に位置する他方の先端部分間に亘
っては例えばサーミスタなどの温度補償用電極部Tが設
けられている。
付着形成されている(本例では、前記基板Aの上面にグ
ラフト加工およびシランカップリング剤等によるアンカ
ー処理を施した上で、Agペーストのシルクスクリーン
印刷をした)。なお、それ・ら全ての電極D・・・にお
ける基板Aの一端縁部に位置する基端部分はそのままで
リード部C・・・とされ、また、外側の一対の電極り、
Dにおける前記基板Aの略中央部に位置する他方の略円
形先端部分は例えばAgC1などの電極材料で:I!I
覆された(前記と同様に、物理的メッキ法または化、学
的メッキ法もしくは印刷法などによる)内部電極部B、
Bに形成され、内側の一対の電極り、 Dにおける
前記基板Aの略中央部に位置する他方の先端部分間に亘
っては例えばサーミスタなどの温度補償用電極部Tが設
けられている。
そして、前記基板Aの上面には、それと同様に十分に高
い電気絶縁性を有する材料から成り、かつ、前記両回部
電極部B、Hに対応する箇所に孔E、 Eを有する支
持層F(本例ではポリエチレンテレフタレート層)が、
前記全てのリード部C・・・およびその周辺を露出させ
る状態で、前記基板Aの上面に、例えばスクリーン印刷
法、または、十分に高い電気絶縁性(例えばIOMΩ以
上)を保証し得る接合剤(例えばポリオレフィン系、シ
リコンレジン系など)を用いた熱融着手段等を用いて形
成されている。なお、この支持層Fの上面にもグラフト
加工およびシランカップリング剤等によるアンカー処理
を施しておく。
い電気絶縁性を有する材料から成り、かつ、前記両回部
電極部B、Hに対応する箇所に孔E、 Eを有する支
持層F(本例ではポリエチレンテレフタレート層)が、
前記全てのリード部C・・・およびその周辺を露出させ
る状態で、前記基板Aの上面に、例えばスクリーン印刷
法、または、十分に高い電気絶縁性(例えばIOMΩ以
上)を保証し得る接合剤(例えばポリオレフィン系、シ
リコンレジン系など)を用いた熱融着手段等を用いて形
成されている。なお、この支持層Fの上面にもグラフト
加工およびシランカップリング剤等によるアンカー処理
を施しておく。
また、前記支持層Fにおける前記両孔E、 E内には
、夫々、基本的な内部液(例えばAgC1過飽和の3.
3NKC1に@酸11i fJi液を加えたものなど)
にゲル化剤(例えば寒天、ゼラチン、ニカワ、アルギン
酸、各種アクリル系吸水性ポリマーなど)とゲル蒸発防
止剤(例えばグリセリンやエチレングリコールなど)を
添加して構成された円盤形のゲル状内部液G、Gが、例
えば加熱によりペースト状とした上でスクリーン印刷法
等により、自由状態においてその上面が前記支持層Fの
上面よりも若干突出する状態に充填されて、前記内部電
極部B、B上に重ねて設けられている。
、夫々、基本的な内部液(例えばAgC1過飽和の3.
3NKC1に@酸11i fJi液を加えたものなど)
にゲル化剤(例えば寒天、ゼラチン、ニカワ、アルギン
酸、各種アクリル系吸水性ポリマーなど)とゲル蒸発防
止剤(例えばグリセリンやエチレングリコールなど)を
添加して構成された円盤形のゲル状内部液G、Gが、例
えば加熱によりペースト状とした上でスクリーン印刷法
等により、自由状態においてその上面が前記支持層Fの
上面よりも若干突出する状態に充填されて、前記内部電
極部B、B上に重ねて設けられている。
更に、前記両孔E、Hのうちの一方の孔E内におけるゲ
ル状内部液Gの上方においては、所定の大きさを有する
ように事前成形された平板状極薄ガラスに対して予熱上
高速表面加熱処理を施すことにより製作された平板状の
pH応応答ガラス膜外、その下面が前記ゲル状内部液G
の上面に密着し且つそのゲル状内部液Gが前記孔E内に
密封される状態に、十分に高い電気絶縁性を有する接合
材料■ (例えば、シランカップリング剤等を含むシリ
コン系、エポキシ系、ウレタン系などの有機高分子接着
剤)を用いて、その周囲において前記支持層Fの上面に
固着され、p H測定用ガラス電極Pに構成されている
。
ル状内部液Gの上方においては、所定の大きさを有する
ように事前成形された平板状極薄ガラスに対して予熱上
高速表面加熱処理を施すことにより製作された平板状の
pH応応答ガラス膜外、その下面が前記ゲル状内部液G
の上面に密着し且つそのゲル状内部液Gが前記孔E内に
密封される状態に、十分に高い電気絶縁性を有する接合
材料■ (例えば、シランカップリング剤等を含むシリ
コン系、エポキシ系、ウレタン系などの有機高分子接着
剤)を用いて、その周囲において前記支持層Fの上面に
固着され、p H測定用ガラス電極Pに構成されている
。
更にまた、他方の孔E内におけるゲル状内部液Gの上方
においては、KClを含浸させた無機焼結多孔体または
有機高分子多孔体等から成る液絡膜Jが、その下面が前
記ゲル状内部液Gの上面に密着する状態に、その周囲に
おいて前記支持層Fの上面に接合され、比較電極Rに構
成されている。
においては、KClを含浸させた無機焼結多孔体または
有機高分子多孔体等から成る液絡膜Jが、その下面が前
記ゲル状内部液Gの上面に密着する状態に、その周囲に
おいて前記支持層Fの上面に接合され、比較電極Rに構
成されている。
上記のように構成されたp)(測定用シート型複合電極
は、本例ではその全体厚さが0.511IIa程度のも
のとされ、第5図に示すように、前記pH1illl定
用ガラス電極Pおよび比較電極Rを上面側に解放させ、
かつ、前記リード部C・・・が形成されている基板Aの
一端縁部を外側方に突出させる状態で、合成樹脂製のケ
ーシングに内に収納されて、チップ状の測定電極ユニッ
トUが構成される。そのチップ状測定電極ユニットUを
構成するケーシングには、被検液注入用凹部Mを形成す
る上部枠体Nと、その上部枠体Nに対する底蓋0と、前
記上部枠体Nの一端縁部において揺動開閉自在に取り付
けられた前記被検液注入用凹部Mに対する上1iQとか
ら成り、更に、そのケーシングK(本例では前記上部枠
体Nの部分)における前記リード部C・・・突出されて
いる側の端縁からは、後述する測定器本体Zに対する係
合用突片■が連設されている。
は、本例ではその全体厚さが0.511IIa程度のも
のとされ、第5図に示すように、前記pH1illl定
用ガラス電極Pおよび比較電極Rを上面側に解放させ、
かつ、前記リード部C・・・が形成されている基板Aの
一端縁部を外側方に突出させる状態で、合成樹脂製のケ
ーシングに内に収納されて、チップ状の測定電極ユニッ
トUが構成される。そのチップ状測定電極ユニットUを
構成するケーシングには、被検液注入用凹部Mを形成す
る上部枠体Nと、その上部枠体Nに対する底蓋0と、前
記上部枠体Nの一端縁部において揺動開閉自在に取り付
けられた前記被検液注入用凹部Mに対する上1iQとか
ら成り、更に、そのケーシングK(本例では前記上部枠
体Nの部分)における前記リード部C・・・突出されて
いる側の端縁からは、後述する測定器本体Zに対する係
合用突片■が連設されている。
かかる構成のpH測定用シート型複合電極を内蔵するチ
ップ状測定電極ユニッ)Uは、前記上蓋Qを開成して、
前記被検液注入用凹部M内に被検液を1滴ないし数滴程
度注入することにより、その底部に位置するp H測定
用ガラス電極Pおよび比較電極Rを十分に被検液に接液
させた上で、その上蓋Qを閉成し、しかる後、そのチッ
プ状測定電極ユニットUを、第6図に例示すように、カ
ード電卓型に構成された測定器本体Zの装着部Yへ、前
記リード部C・・・および係合用突片■において差し込
み接続し、被検液のp trを測定するのである。
ップ状測定電極ユニッ)Uは、前記上蓋Qを開成して、
前記被検液注入用凹部M内に被検液を1滴ないし数滴程
度注入することにより、その底部に位置するp H測定
用ガラス電極Pおよび比較電極Rを十分に被検液に接液
させた上で、その上蓋Qを閉成し、しかる後、そのチッ
プ状測定電極ユニットUを、第6図に例示すように、カ
ード電卓型に構成された測定器本体Zの装着部Yへ、前
記リード部C・・・および係合用突片■において差し込
み接続し、被検液のp trを測定するのである。
次に、前記pH応答ガラス膜H(本例では、縦×横×厚
さ−10mmX 8aa+X O,laa+)あるいは
pNa応答ガラス膜などのイオン応答ガラス膜の従来に
なかった新規な製造方法の具体的手順について詳細に説
明しておく。
さ−10mmX 8aa+X O,laa+)あるいは
pNa応答ガラス膜などのイオン応答ガラス膜の従来に
なかった新規な製造方法の具体的手順について詳細に説
明しておく。
先ず、所定の成分および量の粉末原料を混合して白金る
つぼ等により熔融および固化させた後、アニール処理を
施すことにより、所定の組成を有するガラス(例えばp
Hガラス)の大型ガラスインゴットを製造する。これ
により、本例では、縦×横×厚さ= 328+nmX
93mmX 23m+sの大型ガラスインゴットを得た
。
つぼ等により熔融および固化させた後、アニール処理を
施すことにより、所定の組成を有するガラス(例えばp
Hガラス)の大型ガラスインゴットを製造する。これ
により、本例では、縦×横×厚さ= 328+nmX
93mmX 23m+sの大型ガラスインゴットを得た
。
このように、大型ガラスインゴ・7トを製造すれば、相
当のコストダウンを図れるのみならず、品質の安定性お
よび組成の均一性を確保できる利点がある。
当のコストダウンを図れるのみならず、品質の安定性お
よび組成の均一性を確保できる利点がある。
次に、上記大型ガラスインゴットを、機械的な切断手段
(例えばワイヤーカット法、内周刃切削法、外周刃切削
法などの比較的容易に実施できる公知手段がある)を用
いて、適当な大きさのガラスブロックに分断する。これ
により、本例では、縦×横×厚さ= 45m+mX 4
5mmX 23mmのガラスブロックを14個得た。
(例えばワイヤーカット法、内周刃切削法、外周刃切削
法などの比較的容易に実施できる公知手段がある)を用
いて、適当な大きさのガラスブロックに分断する。これ
により、本例では、縦×横×厚さ= 45m+mX 4
5mmX 23mmのガラスブロックを14個得た。
続いて、上記各ガラスブロックを同じく機械的切断手段
を用いてスライスすることにより、目標厚さく 0 、
1 ffim)に可及的に近い厚目(0,2m+a)
の第1ガラスシートを製作する。これにより、本例では
、 縦×横×厚さ= 45au+X 45m5x O、2m
mの第1ガラスシートを多数得た。
を用いてスライスすることにより、目標厚さく 0 、
1 ffim)に可及的に近い厚目(0,2m+a)
の第1ガラスシートを製作する。これにより、本例では
、 縦×横×厚さ= 45au+X 45m5x O、2m
mの第1ガラスシートを多数得た。
而して、前記各第1ガラスシートは、まだ目標厚さく
0 、 1 mm)よりも大きな厚み(0,2n+m)
を有していると共に、その表面には前記機械的切断によ
る比較的大きな凹凸が残存しているので、不透明(スリ
ガラス状)の状態で、まだ前記pH応答ガラスMHとし
て使用し得る完成状態にはならない。
0 、 1 mm)よりも大きな厚み(0,2n+m)
を有していると共に、その表面には前記機械的切断によ
る比較的大きな凹凸が残存しているので、不透明(スリ
ガラス状)の状態で、まだ前記pH応答ガラスMHとし
て使用し得る完成状態にはならない。
そこで、前記各第1ガラスシートを、例えば5%NH,
F水溶液などに浸漬して、更にその表面(表裏両面)か
ら所定厚さ分く本例では0.05mm)だけエツチング
処理を施すことにより、目標厚さく 0 、 1 as
)を有し、かつ、表面凹凸がある程度減少した第2ガラ
スシートを製作する。このエツチング処理により一層薄
くて、且つ、表面凹凸がある程度減少した第2ガラスシ
ートを得ることができるが、それでも未だ半透明な状態
で完成状態にはならない。これにより、本例では、縦×
横×厚さ= 45ms+X 45mmX O,1msの
第2ガラスシートを得た。
F水溶液などに浸漬して、更にその表面(表裏両面)か
ら所定厚さ分く本例では0.05mm)だけエツチング
処理を施すことにより、目標厚さく 0 、 1 as
)を有し、かつ、表面凹凸がある程度減少した第2ガラ
スシートを製作する。このエツチング処理により一層薄
くて、且つ、表面凹凸がある程度減少した第2ガラスシ
ートを得ることができるが、それでも未だ半透明な状態
で完成状態にはならない。これにより、本例では、縦×
横×厚さ= 45ms+X 45mmX O,1msの
第2ガラスシートを得た。
なお、前記機械的切断手段によって最終的な目標厚さに
切断した場合には、その目標厚さの第1ガラスシートを
直接得られるので、このエツチング処理による第2ガラ
スシートの製作工程は、必ずしも必要ではない。
切断した場合には、その目標厚さの第1ガラスシートを
直接得られるので、このエツチング処理による第2ガラ
スシートの製作工程は、必ずしも必要ではない。
次に、前記各第2ガラスシートを、機械的切断手段(ス
クライバ−によるダイシングなと)によって、所定の大
きさを有するチップ状に分断する。
クライバ−によるダイシングなと)によって、所定の大
きさを有するチップ状に分断する。
これにより、本例では、所期の大きさおよび厚さを有す
るところの、 縦×横×厚さ= l Os+wX 8mmX O,1m
sのチップ状第2ガラスシートを得た。
るところの、 縦×横×厚さ= l Os+wX 8mmX O,1m
sのチップ状第2ガラスシートを得た。
なお、このチップ状第2ガラスシートは、ワックスある
いはフッ素等を除去するため、例えば超音波洗浄等によ
り十分に洗浄される。
いはフッ素等を除去するため、例えば超音波洗浄等によ
り十分に洗浄される。
さて、上記のようにして得られた各チップ状第2ガラス
シートは、その表面に残存する凹凸を無くして、透明で
表面が十分に平滑な状態にする必要があるため、下記の
ような全く新規な熱処理手段によって表面処理が施され
る。
シートは、その表面に残存する凹凸を無くして、透明で
表面が十分に平滑な状態にする必要があるため、下記の
ような全く新規な熱処理手段によって表面処理が施され
る。
即ち、ガラスの熱処理時において従来非常に困難な問題
となっていた急激な温度変化あるいは極めて不均一な温
度分布の発生によるガラスの割れや溶融凝縮を効果的に
防止できるように、そのチップ状第2ガラスシート全体
を、予め、溶融温度直前まで昇温させておき、その溶融
寸前の予熱状態において、その表面に対して更に所定量
の熱エネルギーを短時間で加えることにより、その表面
のみを溶融させてから固化させる、という予熱上高速表
面熱処理を施すようにしたのである。
となっていた急激な温度変化あるいは極めて不均一な温
度分布の発生によるガラスの割れや溶融凝縮を効果的に
防止できるように、そのチップ状第2ガラスシート全体
を、予め、溶融温度直前まで昇温させておき、その溶融
寸前の予熱状態において、その表面に対して更に所定量
の熱エネルギーを短時間で加えることにより、その表面
のみを溶融させてから固化させる、という予熱上高速表
面熱処理を施すようにしたのである。
そして、その結果、従来の如何なる方法によっても実現
できなかった、十分な大きさを有し、マイクロクラック
、ひずみ、結晶化(失透)が発生せず、しかも、表面も
十分に平滑で透明であるという厳しい条件を満たし、p
H応答ガラス膜トlとして七分に使用できる極薄平板ガ
ラスを、その組成の如何に拘らず、容易かつ安価に製造
できるようになった。
できなかった、十分な大きさを有し、マイクロクラック
、ひずみ、結晶化(失透)が発生せず、しかも、表面も
十分に平滑で透明であるという厳しい条件を満たし、p
H応答ガラス膜トlとして七分に使用できる極薄平板ガ
ラスを、その組成の如何に拘らず、容易かつ安価に製造
できるようになった。
ところで、前記予熱上高速表面熱処理の具体的な実施手
段としては、種々の方式が考えられるが、現在までの試
作実験によれば、下記の3方式が最も適当であった。
段としては、種々の方式が考えられるが、現在までの試
作実験によれば、下記の3方式が最も適当であった。
そのひとつ(第1方式)は、言わば予熱下レーザー熱照
射方式であって、第7図に示すように、XYテーブルl
と、そのXYテーブルl上に!!置したヒータブロック
2と、そのヒータブロック2に対する温度調節器3と、
前記XYテーブルl上の一定点に対して例えばCotレ
ーザーR(数WないしIOW程度で十分)を照射可能な
レーザー照射装置4と、それらXYテーブルl、温度調
節器3.レーザー照射装置4等を夫々制御するためのコ
ントローラー5とから成るシステムを構成し、そして、
前述のようにして得られたチップ状第2ガラスシートS
を前記ヒータブロック2上に載置した上で、先ず、前記
ヒータブロック2に対する温度調節器3をコントローラ
ー5により制御して、そのチップ状第2ガラスシートS
全体を予め溶融温度直前まで昇温させ(本例では軟化点
以下の約600℃とした)、シかる後、その)8融寸前
の予熱状態において、前記XYテーブル1およびレーザ
ー照射装置4をコントローラー5により制御して、ヒー
タブロック2上のチップ状第2ガラスシートSの表面に
おける所要箇所あるいは表面全体に亘って、CO2レー
ザーRを所定速度の(本例では数cm/sec程度とし
た)走査(スキャニング)により照射して所定量の熱エ
ネルギーを短時間でj+uえることによって、その表面
のみを溶融させてから固化させる、という予熱上高速表
面熱処理を行うのである。なお、−Cに、ガラスに対し
て光を照射した場合、先ずその界面(表面)において熱
吸収が生じるため、上記のようにチップ状第2ガラスシ
ートSの片面側からCO□レーザーRを照射するだけで
、その表裏両面を同時に処理できる。また、この予熱下
レーザー熱照射方式は、チップ状第2ガラスシー)Sの
一部(所要箇所)表面のみを精密ガラス化すれば足りる
という場合に特に好適である。
射方式であって、第7図に示すように、XYテーブルl
と、そのXYテーブルl上に!!置したヒータブロック
2と、そのヒータブロック2に対する温度調節器3と、
前記XYテーブルl上の一定点に対して例えばCotレ
ーザーR(数WないしIOW程度で十分)を照射可能な
レーザー照射装置4と、それらXYテーブルl、温度調
節器3.レーザー照射装置4等を夫々制御するためのコ
ントローラー5とから成るシステムを構成し、そして、
前述のようにして得られたチップ状第2ガラスシートS
を前記ヒータブロック2上に載置した上で、先ず、前記
ヒータブロック2に対する温度調節器3をコントローラ
ー5により制御して、そのチップ状第2ガラスシートS
全体を予め溶融温度直前まで昇温させ(本例では軟化点
以下の約600℃とした)、シかる後、その)8融寸前
の予熱状態において、前記XYテーブル1およびレーザ
ー照射装置4をコントローラー5により制御して、ヒー
タブロック2上のチップ状第2ガラスシートSの表面に
おける所要箇所あるいは表面全体に亘って、CO2レー
ザーRを所定速度の(本例では数cm/sec程度とし
た)走査(スキャニング)により照射して所定量の熱エ
ネルギーを短時間でj+uえることによって、その表面
のみを溶融させてから固化させる、という予熱上高速表
面熱処理を行うのである。なお、−Cに、ガラスに対し
て光を照射した場合、先ずその界面(表面)において熱
吸収が生じるため、上記のようにチップ状第2ガラスシ
ートSの片面側からCO□レーザーRを照射するだけで
、その表裏両面を同時に処理できる。また、この予熱下
レーザー熱照射方式は、チップ状第2ガラスシー)Sの
一部(所要箇所)表面のみを精密ガラス化すれば足りる
という場合に特に好適である。
他のひとつ(第2方式)は、言わば予熱下ランプ熱照射
方式であって、第8図に示すように、断熱材から成る固
定基台6と、その基台6上に載置した耐熱性、熱伝導性
および放熱性に優れた材料から成り且つ望ましくは黒色
のワーキングボード(例えばカーボン板)7と、そのワ
ーキングボード7上にランプ光(例えばハロゲンランプ
光)Lを集光可能であって、その発光出力、!I光度、
照射時間等を調節可能で且つ十分な発光出力を得られる
(集光部において最大千数百℃を実現できる)ランプ光
照射装置8と、そのランプ光照射装置if8を制御する
ためのコントローラー9とから成るシステムを構成し、
そして、前述のようにして得られたチップ状第2ガラス
シートSを前記ワーキングボード7上に!!2置した上
で、前記ランプ光照射装置8をコントローラー5により
制御して、先ず、そのチップ状第2ガラスシートSに対
して、それと同じ大きさ又はそれよりもやや太き目に集
光させる状態で、徐々に発光出力を上げながらランプ光
りを照射し、そのチップ状第2ガラスシートS全体を予
め溶融温度直前までゆっくりと昇温させ(本例では軟化
点以下の約600℃とした)、シかる後、その溶融寸前
の予熱状態において更に続けて、比較的高い発光出力(
本例では1200℃程度とした)のランプ光りを、チッ
プ状第2ガラスシートSの表面全体に亘って極く短時間
(本例では数秒程度)照射して所定量の熱エネルギーを
加えることにより、その表面のみを全体的に均一性良(
溶融させてから固化させる、という予熱上高速表面熱処
理を行うのである。なお、この場合にも、チップ状第2
ガラスシートSの片面側からランプ光りを照射するだけ
で、その表裏両面を同時に処理できる。また、この予熱
下ランプ熱照射方式は、チップ状第2ガラスシートSの
表面全体を精密ガラス化する場合に特に好適であるが、
予熱後の表面処理の際において集光度を絞ったり、ある
いは、その状態で走査による照射を行うことによって、
前述の予熱下ランプ熱照射方式と同様に、チップ状第2
ガラスシートSの一部(所要箇所)表面のみの精密ガラ
ス化を、比較的少ない工フルギー消費にて実現すること
も可能である。
方式であって、第8図に示すように、断熱材から成る固
定基台6と、その基台6上に載置した耐熱性、熱伝導性
および放熱性に優れた材料から成り且つ望ましくは黒色
のワーキングボード(例えばカーボン板)7と、そのワ
ーキングボード7上にランプ光(例えばハロゲンランプ
光)Lを集光可能であって、その発光出力、!I光度、
照射時間等を調節可能で且つ十分な発光出力を得られる
(集光部において最大千数百℃を実現できる)ランプ光
照射装置8と、そのランプ光照射装置if8を制御する
ためのコントローラー9とから成るシステムを構成し、
そして、前述のようにして得られたチップ状第2ガラス
シートSを前記ワーキングボード7上に!!2置した上
で、前記ランプ光照射装置8をコントローラー5により
制御して、先ず、そのチップ状第2ガラスシートSに対
して、それと同じ大きさ又はそれよりもやや太き目に集
光させる状態で、徐々に発光出力を上げながらランプ光
りを照射し、そのチップ状第2ガラスシートS全体を予
め溶融温度直前までゆっくりと昇温させ(本例では軟化
点以下の約600℃とした)、シかる後、その溶融寸前
の予熱状態において更に続けて、比較的高い発光出力(
本例では1200℃程度とした)のランプ光りを、チッ
プ状第2ガラスシートSの表面全体に亘って極く短時間
(本例では数秒程度)照射して所定量の熱エネルギーを
加えることにより、その表面のみを全体的に均一性良(
溶融させてから固化させる、という予熱上高速表面熱処
理を行うのである。なお、この場合にも、チップ状第2
ガラスシートSの片面側からランプ光りを照射するだけ
で、その表裏両面を同時に処理できる。また、この予熱
下ランプ熱照射方式は、チップ状第2ガラスシートSの
表面全体を精密ガラス化する場合に特に好適であるが、
予熱後の表面処理の際において集光度を絞ったり、ある
いは、その状態で走査による照射を行うことによって、
前述の予熱下ランプ熱照射方式と同様に、チップ状第2
ガラスシートSの一部(所要箇所)表面のみの精密ガラ
ス化を、比較的少ない工フルギー消費にて実現すること
も可能である。
更に他のひとつ(第3方式)は、言わばベルト移動炉方
式であって、第9図に示すように、炉10内を設定速度
にて一方向に移動する回転ベルト11と、前記炉10の
ベルト移動方向に沿って設けられ各別に温度設定可能と
された複数個(本例では上下3対)のヒーター12・・
・と、それら回転ヘル)11およびヒーター12・・・
を制御するためのコントローラー13とから成る電気式
加熱炉システムを構成し、そして、前述のようにして得
られたチップ状第2ガラスシートSの複数枚を、第10
図に示すように、熱伝導性に優れた上下2枚の基板(例
えば、窒化硼素、窒化珪素などの非酸化物セラミックス
板、カーボン板、カーボングラファイト板、アルミナ板
など:本例では縦×横×厚さ= 50mn+x 50m
mX 0. 635II1mのアルミナ板)14.14
の間に、夫々極く薄いスペーサ(本例では、厚さ0.6
35111m のアルミナ板)15゜15を介して挟
持させたワーキングブロック16の状態とし、それらワ
ーキングブロック16・・・を、前記回転ベル)11上
に連続的に載置して、前記炉lO内をその人口10Aか
ら出口10Bへ所定時間(速度)で通過させるのである
。なお、その炉lO内における移動路HDと温度Tの関
係は、前記コントローラー13によるベルト11の速度
制御および各ヒーター11・・・に対する個別の温度制
御により、例えば第11図に模式的に示しているように
任意に設定可能である。即ら、前記炉lOの入口10A
から導入されたワーキングブロック16に挟持されたチ
ップ状第2ガラスシートS・・・は、夫々、第11図に
おけるA点に至るまでの予熱量間の間に、その全体が徐
々に溶融温度直前まで昇温され(本例では軟化点以下の
約600℃とじた。pNaガラス応答膜の場合には70
0℃とする)、その溶融寸前の予熱状態において更に続
けて、第11図におけるB点に至るまでの極く短かい表
面ta融期間(本例では10秒程度)の間に所定量の熱
エネルギーを加えられることにより、その表面(表裏両
面)のみが全体的に均一性良く熔融し、その後、第11
図における0点(冷却点)に至って固化する、という予
熱上高速表面熱処理が施されるのである。 なお、前記
第9図において、10aは入口エアカーテン用空気(又
はNtガス)噴出器、10bは出口エアカーテン用空気
(又はNtガス)噴出器、IOCはファイヤリング兼冷
却ガス用空気(またはN2ガス)噴出器、100はファ
イヤリング兼冷却ガス排出管である。
式であって、第9図に示すように、炉10内を設定速度
にて一方向に移動する回転ベルト11と、前記炉10の
ベルト移動方向に沿って設けられ各別に温度設定可能と
された複数個(本例では上下3対)のヒーター12・・
・と、それら回転ヘル)11およびヒーター12・・・
を制御するためのコントローラー13とから成る電気式
加熱炉システムを構成し、そして、前述のようにして得
られたチップ状第2ガラスシートSの複数枚を、第10
図に示すように、熱伝導性に優れた上下2枚の基板(例
えば、窒化硼素、窒化珪素などの非酸化物セラミックス
板、カーボン板、カーボングラファイト板、アルミナ板
など:本例では縦×横×厚さ= 50mn+x 50m
mX 0. 635II1mのアルミナ板)14.14
の間に、夫々極く薄いスペーサ(本例では、厚さ0.6
35111m のアルミナ板)15゜15を介して挟
持させたワーキングブロック16の状態とし、それらワ
ーキングブロック16・・・を、前記回転ベル)11上
に連続的に載置して、前記炉lO内をその人口10Aか
ら出口10Bへ所定時間(速度)で通過させるのである
。なお、その炉lO内における移動路HDと温度Tの関
係は、前記コントローラー13によるベルト11の速度
制御および各ヒーター11・・・に対する個別の温度制
御により、例えば第11図に模式的に示しているように
任意に設定可能である。即ら、前記炉lOの入口10A
から導入されたワーキングブロック16に挟持されたチ
ップ状第2ガラスシートS・・・は、夫々、第11図に
おけるA点に至るまでの予熱量間の間に、その全体が徐
々に溶融温度直前まで昇温され(本例では軟化点以下の
約600℃とじた。pNaガラス応答膜の場合には70
0℃とする)、その溶融寸前の予熱状態において更に続
けて、第11図におけるB点に至るまでの極く短かい表
面ta融期間(本例では10秒程度)の間に所定量の熱
エネルギーを加えられることにより、その表面(表裏両
面)のみが全体的に均一性良く熔融し、その後、第11
図における0点(冷却点)に至って固化する、という予
熱上高速表面熱処理が施されるのである。 なお、前記
第9図において、10aは入口エアカーテン用空気(又
はNtガス)噴出器、10bは出口エアカーテン用空気
(又はNtガス)噴出器、IOCはファイヤリング兼冷
却ガス用空気(またはN2ガス)噴出器、100はファ
イヤリング兼冷却ガス排出管である。
ところで、上記ベルト移動炉方式は、前記予熱下ランプ
熱照射方式と同様に、チップ状第2ガラスシートSの表
面全体を精密ガラス化する場合に特に好適であると共に
、大量生産を行う場合に極めて好適である。ただし、前
記第7図および第8図に示した予熱下レーザー熱照射方
式および予熱下ランプ熱照射方式においても、チップ状
第2ガラスシートSまたはそれを支持するヒークブロノ
ク2あるいはワーキングボード7を自動交換するハンド
リング装置などを付設することによって、量産システム
を構築することは可能である。
熱照射方式と同様に、チップ状第2ガラスシートSの表
面全体を精密ガラス化する場合に特に好適であると共に
、大量生産を行う場合に極めて好適である。ただし、前
記第7図および第8図に示した予熱下レーザー熱照射方
式および予熱下ランプ熱照射方式においても、チップ状
第2ガラスシートSまたはそれを支持するヒークブロノ
ク2あるいはワーキングボード7を自動交換するハンド
リング装置などを付設することによって、量産システム
を構築することは可能である。
また、前記エツチング処理による第2ガラスシートを製
作する必要がない場合には、機械的切断によるスライス
後の第1ガラスシートをダイシングしてチップ化した上
で、そのチップ状第1ガラスシートを、前記チップ状第
2ガラスシートSと同様に、上記予熱上高速表面熱処理
に供すればよい。
作する必要がない場合には、機械的切断によるスライス
後の第1ガラスシートをダイシングしてチップ化した上
で、そのチップ状第1ガラスシートを、前記チップ状第
2ガラスシートSと同様に、上記予熱上高速表面熱処理
に供すればよい。
以上詳述したところから明らかなように、本発明によれ
ば、所定の大きさを有するように事前成形された平板状
の極薄ガラスに対して予熱上高速表面加熱処理を施すと
いう全く新規な手法に用いたことにより初めて製作可能
となった極薄平板状のイオン応答ガラス膜を使用すると
共に、基板および支持層を共に十分に高い電気絶縁性を
有する材料で構成し、かつ、その支持層に対して前記イ
オン応答ガラス膜を、十分に高い電気絶縁性を有する接
合材料により固着するようにしたことによって、所要の
高電気絶縁性を存するンート型のガラス電極を、従来の
ガラス電極に比べて非常に容易かつ安価に製造できるよ
うになり、もって、イオン測定用ガラス電極の大幅なコ
ンパクト化ならびに信頼性、操作性、保守性等の向上と
いう所期の目的を十分に達成できる、という優れた効果
が発揮されるに至った。
ば、所定の大きさを有するように事前成形された平板状
の極薄ガラスに対して予熱上高速表面加熱処理を施すと
いう全く新規な手法に用いたことにより初めて製作可能
となった極薄平板状のイオン応答ガラス膜を使用すると
共に、基板および支持層を共に十分に高い電気絶縁性を
有する材料で構成し、かつ、その支持層に対して前記イ
オン応答ガラス膜を、十分に高い電気絶縁性を有する接
合材料により固着するようにしたことによって、所要の
高電気絶縁性を存するンート型のガラス電極を、従来の
ガラス電極に比べて非常に容易かつ安価に製造できるよ
うになり、もって、イオン測定用ガラス電極の大幅なコ
ンパクト化ならびに信頼性、操作性、保守性等の向上と
いう所期の目的を十分に達成できる、という優れた効果
が発揮されるに至った。
第1図は本発明に係るシート型ガラス電極の基本的構成
を示す一部断面外観斜視図(クレーム対応図)を示して
いる。 また、第2図ないし第6図は本発明に係るシート型ガラ
ス電極の具体的実施例としてのp Hallllll−
ト型複合電極の構成を説明するためのものであって、第
2図は分解斜視図、第3図は第2図の11線断面図、第
4図は第2図のIV−IV線断面図を示し、また、第5
図はそのp +(測定用シート型複合電極をケーシング
内に収納したユニット状態の外観斜視図、第6図はその
ユニットを測定器本体へ接続する状態を表す外観斜視図
を示し、更に、第7図ないし第11図は主要構成部材で
ある平板状イオン応答ガラス膜の製造手順を説明するた
めのものであって、第7図は第1方式の概略システム構
成図、第8図は第2方式の概略システム構成図、第9図
は第3方式の概略システム構成図、第10図はその要部
側面図、第11図はその制御特性例を表すグラフを夫々
示している。 そして、第12図および第13図は本発明の技術的背景
ならびに従来技術の問題点を説明するためのものであっ
て、第12図は従来構成に係るイオン測定用ガラス電極
の一部断面側面図を示し、第13図(イ)、(ロ)は夫
々シート型塩分測定用複合電極の縦断面図および外観斜
視図を示している。 A・・・・・・・・・高電気絶縁性基板、B・・・・・
・・・・内部電極部、 C・・・・・・・・・リード部、 D・・・・・・・・・電極、 E・・・・・・・・・孔、 F・・・・・・・・・高電気絶縁性支持層、G・・・・
・・・・・ゲル状内部液、 H・・・・・・・・・平板状イオン応答ガラス11り、
!・・・・・・・・・高電気絶縁性接合材料。 第1図 A・・・・・・・・・高電気絶縁性基板、B・・・・・
・・・・内部電極部、 C・・・・・・・・・リード部、 D・・・・・・・・・電極、 E・・・・・・・・・孔、 F・・・・・・・・・高電気絶縁性支持層、G・・・・
・・・・・ゲル状内部液、 H−・・・・・・・・平板状イオン応答ガラス膜、■・
・・・・・・・・高電気絶縁性接合材料。 第7図 第8図 第11図 第12図
を示す一部断面外観斜視図(クレーム対応図)を示して
いる。 また、第2図ないし第6図は本発明に係るシート型ガラ
ス電極の具体的実施例としてのp Hallllll−
ト型複合電極の構成を説明するためのものであって、第
2図は分解斜視図、第3図は第2図の11線断面図、第
4図は第2図のIV−IV線断面図を示し、また、第5
図はそのp +(測定用シート型複合電極をケーシング
内に収納したユニット状態の外観斜視図、第6図はその
ユニットを測定器本体へ接続する状態を表す外観斜視図
を示し、更に、第7図ないし第11図は主要構成部材で
ある平板状イオン応答ガラス膜の製造手順を説明するた
めのものであって、第7図は第1方式の概略システム構
成図、第8図は第2方式の概略システム構成図、第9図
は第3方式の概略システム構成図、第10図はその要部
側面図、第11図はその制御特性例を表すグラフを夫々
示している。 そして、第12図および第13図は本発明の技術的背景
ならびに従来技術の問題点を説明するためのものであっ
て、第12図は従来構成に係るイオン測定用ガラス電極
の一部断面側面図を示し、第13図(イ)、(ロ)は夫
々シート型塩分測定用複合電極の縦断面図および外観斜
視図を示している。 A・・・・・・・・・高電気絶縁性基板、B・・・・・
・・・・内部電極部、 C・・・・・・・・・リード部、 D・・・・・・・・・電極、 E・・・・・・・・・孔、 F・・・・・・・・・高電気絶縁性支持層、G・・・・
・・・・・ゲル状内部液、 H・・・・・・・・・平板状イオン応答ガラス11り、
!・・・・・・・・・高電気絶縁性接合材料。 第1図 A・・・・・・・・・高電気絶縁性基板、B・・・・・
・・・・内部電極部、 C・・・・・・・・・リード部、 D・・・・・・・・・電極、 E・・・・・・・・・孔、 F・・・・・・・・・高電気絶縁性支持層、G・・・・
・・・・・ゲル状内部液、 H−・・・・・・・・平板状イオン応答ガラス膜、■・
・・・・・・・・高電気絶縁性接合材料。 第7図 第8図 第11図 第12図
Claims (1)
- 十分に高い電気絶縁性を有する材料から成る基板の上面
に、内部電極部およびリード部を備えた電極を付着させ
ると共に、十分に高い電気絶縁性を有する材料から成り
且つ前記内部電極部に対応する箇所に孔を有する支持層
を、前記リード部およびその周辺を露出させる状態で、
前記基板の上面に形成し、かつ、その支持層における前
記孔内にゲル状内部液を充填し、更に、所定の大きさを
有するように事前成形された平板状極薄ガラスに対して
予熱下高速表面加熱処理を施すことにより製作された平
板状のイオン応答ガラス膜を、その下面を前記ゲル状内
部液の上面に密着させ且つそのゲル状内部液を前記孔内
に密封させる状態に、十分に高い電気絶縁性を有する接
合材料を用いて、その周囲において前記支持層の上面に
固着してあることを特徴とするシート型ガラス電極。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61285371A JPS63138255A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | シ−ト型ガラス電極 |
DE3789491T DE3789491T2 (de) | 1986-11-27 | 1987-11-20 | Plattenförmige Glaselektrode. |
EP87117176A EP0269031B1 (en) | 1986-11-27 | 1987-11-20 | Sheet type glass electrode |
US07/124,567 US4816132A (en) | 1986-11-27 | 1987-11-24 | Sheet type electrode |
CN89104626A CN1013575B (zh) | 1986-11-27 | 1987-11-26 | 超薄玻璃板的生产方法 |
CN87107994A CN1010255B (zh) | 1986-11-27 | 1987-11-26 | 薄片型电极 |
KR1019870013425A KR900005244B1 (ko) | 1986-11-27 | 1987-11-27 | 시이트형 전극 |
US07/264,143 US4883563A (en) | 1986-11-27 | 1988-10-28 | Method of manufacturing a thin glass membrane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61285371A JPS63138255A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | シ−ト型ガラス電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63138255A true JPS63138255A (ja) | 1988-06-10 |
JPH044545B2 JPH044545B2 (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=17690680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61285371A Granted JPS63138255A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-28 | シ−ト型ガラス電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63138255A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4111047A1 (de) * | 1990-04-09 | 1991-10-10 | Horiba Ltd | Geraet zur ionenkonzentrationsmessung |
JPH03125251U (ja) * | 1990-03-31 | 1991-12-18 | ||
JPH04357449A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイオセンサおよびバイオセンサ測定装置 |
EP2610613A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-03 | HORIBA, Ltd. | Liquid membrane type ion-selective electrode |
JP2021518325A (ja) * | 2018-03-23 | 2021-08-02 | フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ. | 炉を備えるデバイスおよびそれを使用するための方法 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61285371A patent/JPS63138255A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03125251U (ja) * | 1990-03-31 | 1991-12-18 | ||
DE4111047A1 (de) * | 1990-04-09 | 1991-10-10 | Horiba Ltd | Geraet zur ionenkonzentrationsmessung |
JPH04357449A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイオセンサおよびバイオセンサ測定装置 |
EP2610613A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-03 | HORIBA, Ltd. | Liquid membrane type ion-selective electrode |
US9151727B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-10-06 | Horiba, Ltd. | Liquid membrane type ion-selective electrode |
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