JPS63130124A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JPS63130124A JPS63130124A JP61278349A JP27834986A JPS63130124A JP S63130124 A JPS63130124 A JP S63130124A JP 61278349 A JP61278349 A JP 61278349A JP 27834986 A JP27834986 A JP 27834986A JP S63130124 A JPS63130124 A JP S63130124A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は排ガスの処理装置に関し、特に半導体の工・ノ
チング排ガス中の有害成分を除去するのに適した排ガス
処置装置に関するものである。
チング排ガス中の有害成分を除去するのに適した排ガス
処置装置に関するものである。
さらに詳しくは六フッ化硫黄及びフッ素化炭化水素系等
のフロン類などを半導体のエツチングに用いた場合に生
ずる排ガス中に含まれるSF、、。
のフロン類などを半導体のエツチングに用いた場合に生
ずる排ガス中に含まれるSF、、。
HF、5iFt、 WF、、、 5OJz、SOh等の
有害成分を効率良く除去する装置に関するものである。
有害成分を効率良く除去する装置に関するものである。
近年の半導体産業における微細加工技術の進歩には目覚
ましいものがあり、この技術の進歩に伴い使用されるガ
スの種類も多様化して来ている。特に半導体のエツチン
グにはCF4.CzF4゜C3FW等のフッ素化炭素、
CF+CI、 CFZCIZ、 CFCl3等のハロゲ
ン化フッ素化炭素、CHF 3等のフッ素化炭化水素及
びSF、、 WF、等フッ素を含有する種々の化合物が
大量に使用されている。
ましいものがあり、この技術の進歩に伴い使用されるガ
スの種類も多様化して来ている。特に半導体のエツチン
グにはCF4.CzF4゜C3FW等のフッ素化炭素、
CF+CI、 CFZCIZ、 CFCl3等のハロゲ
ン化フッ素化炭素、CHF 3等のフッ素化炭化水素及
びSF、、 WF、等フッ素を含有する種々の化合物が
大量に使用されている。
エツチングは被加工材料の上にガスを供給し、プラズマ
等により反応を起こさせ、蒸気圧の高い物質、揮発性の
高い物質を生成させることにより行う。従って、その排
ガスには種々の物質が含まれ、その中には有害成分も存
在する。例えばSF、を用いた場合には)IP、 5O
Fz、 SF4等が含まれている。
等により反応を起こさせ、蒸気圧の高い物質、揮発性の
高い物質を生成させることにより行う。従って、その排
ガスには種々の物質が含まれ、その中には有害成分も存
在する。例えばSF、を用いた場合には)IP、 5O
Fz、 SF4等が含まれている。
このため、エツチング排ガスは系外に排出する前に、こ
れら有害成分を除去することが必要であるが、合宿の所
好ましい処理装置が存在しないのが実情である。例えば
、現在使用されている塔弐の処理装置は塔内部に吸着剤
又はこれら有害成分と反応をする薬剤を充填し、吸着も
しくは化学反応により有害成分を除去するものであるが
、吸着剤もしくは薬剤が一種に限定されるため、特定成
分のみの除去に止まる欠点がある。そのため、二基、三
基と直列に塔を配置し、充填物の種類を変え、排ガス中
の有害成分総てを除去する工夫がなされているが、装置
的に大がかりなものとなり、クリーンルームの様な単位
体積当たりが非常に高価な場所で使用するには適さない
。さらに、この様な方式ではガスの片流れが生じること
があり、吸着剤或いは薬剤が平均して消費されないばか
りか、有害ガスインジケーターが作動せずに有害ガスが
系外に出る危険性も有している。
れら有害成分を除去することが必要であるが、合宿の所
好ましい処理装置が存在しないのが実情である。例えば
、現在使用されている塔弐の処理装置は塔内部に吸着剤
又はこれら有害成分と反応をする薬剤を充填し、吸着も
しくは化学反応により有害成分を除去するものであるが
、吸着剤もしくは薬剤が一種に限定されるため、特定成
分のみの除去に止まる欠点がある。そのため、二基、三
基と直列に塔を配置し、充填物の種類を変え、排ガス中
の有害成分総てを除去する工夫がなされているが、装置
的に大がかりなものとなり、クリーンルームの様な単位
体積当たりが非常に高価な場所で使用するには適さない
。さらに、この様な方式ではガスの片流れが生じること
があり、吸着剤或いは薬剤が平均して消費されないばか
りか、有害ガスインジケーターが作動せずに有害ガスが
系外に出る危険性も有している。
また、インジケーターが排ガス出口付近に取り付けられ
ている場合は、インジケーターが作動したときは既に有
害ガスが系外に出ているという問題がある。そのため、
鋭敏な感度を有するインジケーターが望まれているが、
現在では未だ満足できるものは提供されていない。
ている場合は、インジケーターが作動したときは既に有
害ガスが系外に出ているという問題がある。そのため、
鋭敏な感度を有するインジケーターが望まれているが、
現在では未だ満足できるものは提供されていない。
本発明の目的は従来の排ガス処理装置の問題点を解決し
、エツチング排ガス中に含まれる有害成分を効果的に除
去するコンパクトな装置の提供及びこの装置に使用する
高感度なインジケーターの提供にある。
、エツチング排ガス中に含まれる有害成分を効果的に除
去するコンパクトな装置の提供及びこの装置に使用する
高感度なインジケーターの提供にある。
本発明は、装置内部が仕切り板により少なくとも3室に
分割され、該仕切り板にはガスが順次各室を通過する様
にガス流通口が設けてあり、且つ、少なくとも1つのガ
ス流通口には有害ガスインジケーターが取り付けてある
ことを特徴とする排ガス処理装置である。
分割され、該仕切り板にはガスが順次各室を通過する様
にガス流通口が設けてあり、且つ、少なくとも1つのガ
ス流通口には有害ガスインジケーターが取り付けてある
ことを特徴とする排ガス処理装置である。
以下に図を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は処理装置が円筒型である場合の構造図である。
1は本体、2は仕切り板である。排ガスの流れは太い矢
印で示しである。排ガスは3のガス入口ノズルより、D
室に入る。D室はオイルミストコレクタ室であり、場合
により細かなステンレス製デミスタ−が入っており、減
速されることによりオイルミストが捕集される。
印で示しである。排ガスは3のガス入口ノズルより、D
室に入る。D室はオイルミストコレクタ室であり、場合
により細かなステンレス製デミスタ−が入っており、減
速されることによりオイルミストが捕集される。
オイルミストが除去されたガスはガス流通口XIを通り
S室に入る。S室は化学反応室であり、有害ガスと反応
する薬剤、例えばソーダライム、ソーダライムとアルミ
ナの混合物、亜硫酸ソーダ含浸アルミナ等が充填されて
おり、SO□F2+5OFz、 WFh、 HF等と反
応、除去する様になっている。A室及びC室は物理吸着
室であり、アルミナ、活性炭、亜硫酸ソーダ含浸アルミ
ナ等が充填されている。S室を出たガスはガス流通口X
2及びX3を通り、A室、次いでC室に入り、SF5゜
CF3等の不活性ガスが吸着された後、4のガス出口ノ
ズルより糸外に排出される。
S室に入る。S室は化学反応室であり、有害ガスと反応
する薬剤、例えばソーダライム、ソーダライムとアルミ
ナの混合物、亜硫酸ソーダ含浸アルミナ等が充填されて
おり、SO□F2+5OFz、 WFh、 HF等と反
応、除去する様になっている。A室及びC室は物理吸着
室であり、アルミナ、活性炭、亜硫酸ソーダ含浸アルミ
ナ等が充填されている。S室を出たガスはガス流通口X
2及びX3を通り、A室、次いでC室に入り、SF5゜
CF3等の不活性ガスが吸着された後、4のガス出口ノ
ズルより糸外に排出される。
11、12は有害ガスインジケーターであり、出口部及
びA室とC室の境界にあるガス流通口x3に設置しであ
る。インジケーターはガス出口部だけに設置しても良い
が、インジケーターが作動(変色)したときは既に有害
ガスが系外に出ている可能性があり、他の各室間のガス
流通口部分X、及びx2にも設置するのが好ましい。
びA室とC室の境界にあるガス流通口x3に設置しであ
る。インジケーターはガス出口部だけに設置しても良い
が、インジケーターが作動(変色)したときは既に有害
ガスが系外に出ている可能性があり、他の各室間のガス
流通口部分X、及びx2にも設置するのが好ましい。
尚、図中、5及び9はボールバルブ、6はガス入口管、
7はガス出口管、8は抜口ノズル、10は薬剤出入口ノ
ズル、13は液面計、14は吊り金具、15はキャスタ
ー、16は取手である。
7はガス出口管、8は抜口ノズル、10は薬剤出入口ノ
ズル、13は液面計、14は吊り金具、15はキャスタ
ー、16は取手である。
インジケーターはNaPベレットにブロモクレゾールグ
リーン又はプロ上チモールブルーを0.01〜1wt%
含浸させたものよりなり、HF’l1M度1〜10 p
pmのガスが接触すると速やかに黄色から青色に変色す
る。尚、従来用いられているインジケーターはアルミナ
にpH指示薬を含浸させたものが一般的であるが、アル
ミナが排ガス中の成分と反応をする場合があり、そのた
め感応が遅く、また一度変色をしても時間の経過により
色が元に戻ってしまう欠点がある。本発明に用いるイン
ジケーターはこれらの欠点を改良しである。
リーン又はプロ上チモールブルーを0.01〜1wt%
含浸させたものよりなり、HF’l1M度1〜10 p
pmのガスが接触すると速やかに黄色から青色に変色す
る。尚、従来用いられているインジケーターはアルミナ
にpH指示薬を含浸させたものが一般的であるが、アル
ミナが排ガス中の成分と反応をする場合があり、そのた
め感応が遅く、また一度変色をしても時間の経過により
色が元に戻ってしまう欠点がある。本発明に用いるイン
ジケーターはこれらの欠点を改良しである。
このインジケーターが作動(変色)したときは、充填薬
剤が寿命であることを示している。
剤が寿命であることを示している。
従って、この場合には別の処理装置と交換し、薬剤の入
れ換えを行う。処理装置自体がコンパクトであるので、
この交換が容易にできるのも本発明の利点の1つである
。
れ換えを行う。処理装置自体がコンパクトであるので、
この交換が容易にできるのも本発明の利点の1つである
。
以上、図に基づいて本発明を具体的に説明したが、本体
は必ずしも円筒形である必要はなく、角柱、立方体、直
方体いずれの形式であっても良い。また仕切り板により
分割された室はオイルミストコレクタ室、化学反応室、
物理吸着室の順になっていなくても良く、また場合によ
り化学反応室又は物理吸着室のいずれかが省略されてい
ても良い。しかし、室数は3以上であることが好ましい
。また、エツチングは通常真空(減圧)下で行われるこ
とから、真空ポンプを使用するので、このポンプに使用
するオイルがミストとなって排ガス中に含まれるのでオ
イルミストコレクタ室は必須であり、第1室を当該室と
することが好ましい。
は必ずしも円筒形である必要はなく、角柱、立方体、直
方体いずれの形式であっても良い。また仕切り板により
分割された室はオイルミストコレクタ室、化学反応室、
物理吸着室の順になっていなくても良く、また場合によ
り化学反応室又は物理吸着室のいずれかが省略されてい
ても良い。しかし、室数は3以上であることが好ましい
。また、エツチングは通常真空(減圧)下で行われるこ
とから、真空ポンプを使用するので、このポンプに使用
するオイルがミストとなって排ガス中に含まれるのでオ
イルミストコレクタ室は必須であり、第1室を当該室と
することが好ましい。
本装置はエツチング排ガス処理用として発明されたもの
ではあるが、同様な有害成分を含むガス、例えば化学蒸
着排ガスの処理等にも使用し得るものである。
ではあるが、同様な有害成分を含むガス、例えば化学蒸
着排ガスの処理等にも使用し得るものである。
以下、実施例及び比較例により、本発明の効果を具体的
に説明する。
に説明する。
実施例1
第1図に示した排ガス処理装置を使用した。
この処理装置はSOS 304製であり、円筒の高さ5
00 mm、内径350 mmである。充填物はD室に
ステンレス製オイルデミスタ、S室にソーダライム(キ
シダ化学製、 JIS 2号品)、A室にアルミナ(住
友化学製、活性アルミナKHD−46) 、C室に活性
炭(タケダ薬品製、白鷺CZ、)を用いた。
00 mm、内径350 mmである。充填物はD室に
ステンレス製オイルデミスタ、S室にソーダライム(キ
シダ化学製、 JIS 2号品)、A室にアルミナ(住
友化学製、活性アルミナKHD−46) 、C室に活性
炭(タケダ薬品製、白鷺CZ、)を用いた。
半導体集積回路素子の高集積化、高微細化に用いられる
エツチングガスの一つにSF、ガスがあるが、この場合
のエツチング排ガスを本排ガス処理装置で処理した場合
の実施例について記載する。
エツチングガスの一つにSF、ガスがあるが、この場合
のエツチング排ガスを本排ガス処理装置で処理した場合
の実施例について記載する。
シリコン基板上にSF6200 m7/Mを流し、プラ
ズマエツチングを6ケ月間行い、本排ガス処理装置によ
る有害物質の除去効果について調べた。
ズマエツチングを6ケ月間行い、本排ガス処理装置によ
る有害物質の除去効果について調べた。
6ケ月後の処理装置入口、出口ガスの平均的組成を表1
に示した。
に示した。
表1 排ガス処理装置前後のガス組成の変化表1から明
らかなように、酸性成分と高分子量の物質が良く除去さ
れていた。
らかなように、酸性成分と高分子量の物質が良く除去さ
れていた。
又、ガス出口の前に取り付けられたインジケーター(ブ
レインジケーター)はガス出口インジケーターの変色よ
りも約1ケ月早く変色し、薬剤変換時期の目処もたてや
すかった。
レインジケーター)はガス出口インジケーターの変色よ
りも約1ケ月早く変色し、薬剤変換時期の目処もたてや
すかった。
又、比較例として、断面積が同じになるようなパイプ(
内径約19cm)で同様の実験を行ったが、吸着ゾーン
界面が一定でなく、インジケーターの指示が同じ高さで
も一定の値が得られなかった。
内径約19cm)で同様の実験を行ったが、吸着ゾーン
界面が一定でなく、インジケーターの指示が同じ高さで
も一定の値が得られなかった。
又、薬剤ライフも単筒式では破過曲線の部分が短くなり
、薬剤も充分に活用できない状態で交換が必要になった
。
、薬剤も充分に活用できない状態で交換が必要になった
。
以上の記述でも明らかなように、本装置は単筒式より薬
剤が有効に利用でき、ブレインジケーターの設置により
、破過が予測でき、更にインジケータ一部でのガス片流
れがないため、インジケーターの色相変化が信用できる
という利点がある。
剤が有効に利用でき、ブレインジケーターの設置により
、破過が予測でき、更にインジケータ一部でのガス片流
れがないため、インジケーターの色相変化が信用できる
という利点がある。
実施例2
タングステンシリサイド薄膜形成装置のクリーニングに
5F610□ガスを使用した場合の排ガス処理について
の実施例を記述する。
5F610□ガスを使用した場合の排ガス処理について
の実施例を記述する。
SF61,000 mZ/Mとat 200aZ/Mと
の混合ガスをプラズマCVD装置に送入し、内部のクリ
ーニングを行った。CVO装置出口(真空ポンプOut
側)に本排ガス処理装置を取り付け、2ケ月間試験を行
った。結果を表2に示した。
の混合ガスをプラズマCVD装置に送入し、内部のクリ
ーニングを行った。CVO装置出口(真空ポンプOut
側)に本排ガス処理装置を取り付け、2ケ月間試験を行
った。結果を表2に示した。
表2 排ガス処理装置前後のガス組成の変化この結果か
ら明らかなように、SF6. CF4以外のガスはほと
んど除去されていた。
ら明らかなように、SF6. CF4以外のガスはほと
んど除去されていた。
なお、このとき使用した充填薬剤はソーダライム−アル
ミナの混合物である。(S、A、C室に充填)。
ミナの混合物である。(S、A、C室に充填)。
実施例3
RIE(Reactive Ion Etching、
反応性イオンエツチング)ガスとしてCF、とH2を用
いた場合の排ガス処理を本排ガス処理装置を用いて行っ
た。
反応性イオンエツチング)ガスとしてCF、とH2を用
いた場合の排ガス処理を本排ガス処理装置を用いて行っ
た。
ウェハの素材はSiO□である。
100 @Z/HのCF、と50m7/MのH2で工・
ノチングを行った場合の排ガス組成及び排ガス処理装置
出口ガスの組成を表3に示した。
ノチングを行った場合の排ガス組成及び排ガス処理装置
出口ガスの組成を表3に示した。
表3 排ガス処理装置前後のガス組成の変化=
有害ガスの殆どは本処理装置で除害されるがCOのみは
取り除けなかった。
取り除けなかった。
なお、実施例3で使用した薬剤はアルミナ(A、C室)
、ソーダライム(S室)で実施期間は6ケ月間である。
、ソーダライム(S室)で実施期間は6ケ月間である。
【図面の簡単な説明】
第1図は処理装置が同筒型である場合の構造図、第2図
はその横断面略示図、第3図はその縦断面略示図である
。
はその横断面略示図、第3図はその縦断面略示図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 装置内部が仕切り板により少なくとも3室に分割さ
れ、該仕切り板にはガスが順次各室を通過する様にガス
流通口が設けてあり、且つ、少なくとも1つのガス流通
口には有害ガスインジケーターが取り付けてあることを
特徴とする排ガス処理装置。 2 仕切り板により分割された室が、各1以上のオイル
ミストコレクタ室、化学反応室及び物理吸着室よりなる
特許請求の範囲第1項記載の排ガス処理装置。 3 インジケーターがフッ化ナトリウムにブロモクレゾ
ールグリーン又はブロムチモールブルーを含浸させたも
のである特許請求の範囲第1項記載の排ガス処理装置。 4 化学反応室及び物理吸着室にはソーダライム、アル
ミナ、活性炭及び亜硫酸ソーダ含浸アルミナのいずれか
が充填されている特許請求の範囲第1項記載の排ガス処
理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61278349A JPH0714455B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61278349A JPH0714455B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 排ガス処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63130124A true JPS63130124A (ja) | 1988-06-02 |
JPH0714455B2 JPH0714455B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17596096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61278349A Expired - Lifetime JPH0714455B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714455B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0494723A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Central Glass Co Ltd | フッ化塩素を含む排ガスの乾式処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4884077A (ja) * | 1972-01-27 | 1973-11-08 | ||
JPS5157674A (ja) * | 1974-11-15 | 1976-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Kukiseijofuirutaa |
JPS5243714A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-06 | Kobe Steel Ltd | Method of cooling wire |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP61278349A patent/JPH0714455B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4884077A (ja) * | 1972-01-27 | 1973-11-08 | ||
JPS5157674A (ja) * | 1974-11-15 | 1976-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Kukiseijofuirutaa |
JPS5243714A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-06 | Kobe Steel Ltd | Method of cooling wire |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0494723A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Central Glass Co Ltd | フッ化塩素を含む排ガスの乾式処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0714455B2 (ja) | 1995-02-22 |
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