JPS63122165A - Optical sensor device - Google Patents
Optical sensor deviceInfo
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- JPS63122165A JPS63122165A JP61266666A JP26666686A JPS63122165A JP S63122165 A JPS63122165 A JP S63122165A JP 61266666 A JP61266666 A JP 61266666A JP 26666686 A JP26666686 A JP 26666686A JP S63122165 A JPS63122165 A JP S63122165A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 101
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光センサ装置に係り、特にファクシミリ、デジ
タルコピー、スキャナ等において、光画像情報の読取り
を行う光導電型の光センサ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an optical sensor device, and particularly to a photoconductive type optical sensor device for reading optical image information in facsimiles, digital copies, scanners, and the like.
［従来技術］
近年、ファクシミリ、デジタルコピー等の電子事務機の
普及に伴ない、小型で低コストの画像入力装置の需要が
高まっている。ａ−３ｉ。[Prior Art] In recent years, with the spread of electronic business machines such as facsimiles and digital copies, demand for small and low-cost image input devices has increased. a-3i.
Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等を光導電体として用い、光電変換効
果を利用したコプラナー型の光センサは、Ｎ稿に直接接
触できるとともに、結像系が不要であるか又は結像系の
動作距離が短いという長所をもっている。このコブラナ
ー型の光センナの中にセンサ特性を安定化させるために
、半導体層の下あるいは上に絶縁層と補助電極を有する
電界効果型光センサ（以下、光センサと略す、）がある
。A coplanar optical sensor that uses Cd5-CdSe as a photoconductor and takes advantage of the photoelectric conversion effect can directly contact the N document, and does not require an imaging system or has a short operating distance. It has advantages. Among these Cobranar type optical sensors, there is a field-effect optical sensor (hereinafter abbreviated as optical sensor) which has an insulating layer and an auxiliary electrode below or above a semiconductor layer in order to stabilize the sensor characteristics.
ｆＱ９図（ａ）、（ｂ）は上記光センサの概略的構成図
である。fQ9 Figures (a) and (b) are schematic configuration diagrams of the optical sensor.
第９図（ａ）において、ガラス又はセラミック等の絶縁
基板１上には、補助電極２及び絶縁層３が形成され、そ
の上に光導電層としてのＣｄ５−８ｅやａ−３ｉ：Ｈ等
の半導体層４が形成されている。更にオーミックコンタ
クト用のドーピング半導体層５を介して一対の主電極６
及び７が形成され、その間に受光窓８が形成されている
。In FIG. 9(a), an auxiliary electrode 2 and an insulating layer 3 are formed on an insulating substrate 1 made of glass or ceramic, and a photoconductive layer of Cd5-8e, a-3i:H, etc. is formed thereon. A semiconductor layer 4 is formed. Furthermore, a pair of main electrodes 6 are connected via a doped semiconductor layer 5 for ohmic contact.
and 7 are formed, and a light receiving window 8 is formed between them.
また、第９図（ｂ）に示す構造の光センサは、補助電極
２が主電極６．７上に設けられており、絶縁基板１が透
明で絶縁基板ｌ側から受光する。Further, in the optical sensor having the structure shown in FIG. 9(b), the auxiliary electrode 2 is provided on the main electrode 6.7, the insulating substrate 1 is transparent, and light is received from the insulating substrate l side.
なお、上記光センサと同一機能を有する部分には同一番
号が付されている。Note that parts having the same functions as those of the optical sensor described above are given the same numbers.
上記のような構成の光センサにおいて、入力である光の
強弱に対して、出力電流の大小の比を大きくとるために
は、該補助電極２に半導体層４を流れる電流の担い手と
なるキャリア（以後、多数キャリアと記す、）を空乏化
させるように多数キャリアの種類に応じ電子の場合は負
、ホールの場合は正のバイアス電圧を印加して動作させ
なければならないが、このような動作をさせると、出力
電流が小さくなるため、該光センサの信号読出し回路と
しては、出力電流を蓄積する蓄積コンデンサを設けるこ
とが必要となる。またそのために、該蓄積コンデンサに
蓄積された電荷を信号として転送するためのＴＰＴ及び
転送後に残された電荷を放電させるためのＴＰＴ等のス
イッチング素子、このスイッチング素子の接続を行なう
マトリクス回路等が必要となる。In the optical sensor configured as described above, in order to have a large ratio of the output current to the intensity of the input light, carriers (carriers that carry the current flowing through the semiconductor layer 4) are added to the auxiliary electrode 2. In order to deplete the majority carriers (hereinafter referred to as majority carriers), it is necessary to apply a negative bias voltage for electrons and a positive bias voltage for holes, depending on the type of majority carrier. As a result, the output current becomes small, so it is necessary to provide a storage capacitor for storing the output current in the signal readout circuit of the optical sensor. In addition, for this purpose, switching elements such as a TPT to transfer the charge accumulated in the storage capacitor as a signal, a TPT to discharge the charge left after the transfer, and a matrix circuit to connect these switching elements are required. becomes.
第１０図は上記光センサの光センサ装置を示す′概略図
である。FIG. 10 is a schematic diagram showing the optical sensor device of the above optical sensor.
同図において、Ｒｓｌ、 Ｒｓ２． ＊ ｅ ｅ 、
Ｒｓｎが補助電極を有する光センサ、Ｃｓｌ、Ｃｓ２．
・・・。In the figure, Rsl, Rs2. *e e,
Optical sensors in which Rsn has an auxiliary electrode, Csl, Cs2 .
....
Ｃｓｎが蓄積コンデンサ、Ｔｔｌ、Ｔｔ２．−−− 。Csn is a storage capacitor, Ttl, Tt2 . ---.
Ｔｔｎ が蓄積コンデンサＣｓ１ｘＣｓｎに蓄積され
た電荷を転送する転送用Ｔ ＦＴ、 Ｔｒｉ、 Ｔｒ２
．・・・、Ｔｒｎが転送後蓄積コンデンサＣ３ｌ〜Ｃｓ
ｎ に残された電荷を放電する放電用ＴＰＴである。Ttn is a transfer TFT that transfers the charge accumulated in the storage capacitor Cs1xCsn. FT, Tri, Tr2
．． ..., Trn is the storage capacitor C3l~Cs after transfer
This is a discharge TPT that discharges the charge left in n.
Ｌｇｌ 〜Ｌｇｎは前記転送用ＴＦＴＴｔｌ 〜Ｔｔｎ
ｃ７）制御電極たるゲートと放電用ＴＦＴＴｒｌ〜Ｔｒ
ｎの制御電極たるゲートに接続される配線であり、Ｖｇ
ｌ〜Ｖｇｎはそれぞれに印加されるスイッチング電圧で
ある。ＬＤは該光センサ１ｉｓｔ〜Ｒｓｎの主電極に接
続される配線であり、ＶＤは印加される電圧である。Ｌ
Ｒは前記蓄積コンデンサＣｓｌ〜Ｃｓｎに接続される配
線であり、ＶＲはＪａコンデンサＣｓｌ〜Ｃｓｎの基準
電圧で、蓄積コンデンサＣｓｌ〜Ｃｓｎを放電用ＴＦＴ
Ｔｒｌ〜Ｔｒｎによって放電させると、蓄積コンデンサ
Ｃｓｌ〜Ｃｓｎの両端の電極の電位はともにＶＲとなる
。Lgl to Lgn are the transfer TFTTs Ttl to Ttn
c7) Gate as control electrode and discharge TFTTrl~Tr
This is a wiring connected to the gate which is the control electrode of Vg
1 to Vgn are switching voltages applied to each. LD is a wiring connected to the main electrodes of the optical sensors 1ist to Rsn, and VD is an applied voltage. L
R is the wiring connected to the storage capacitors Csl to Csn, VR is the reference voltage of the Ja capacitors Csl to Csn, and the storage capacitors Csl to Csn are connected to the discharge TFT.
When discharged by Trl to Trn, the potentials of the electrodes at both ends of the storage capacitors Csl to Csn both become VR.
前記光センサは、前記補助電極に該光センサの多数キャ
リアに応じ電子の場合は負、ホールの場合は正のバイア
スを定常的に印加することによって、多数キャリアに対
する空乏層が形成されると、少数キャリアは該補助電極
近傍の半導体層に、また多数キャリアは反対側の半導体
層中に相互に分離して存在するようになる。このような
状態においては、多数キャリアと少数キャリアとの再結
合がスムーズに行われないために、光センサに対する照
射光が遮断されても、少数キャリアが生き続ける限り残
留光電流が流れ、結果として光応答速度が低下し、光セ
ンサのＳ／Ｎ比低下をもたらすことになる。In the optical sensor, a depletion layer for majority carriers is formed by constantly applying a negative bias for electrons and a positive bias for holes according to the majority carriers of the optical sensor to the auxiliary electrode. Minority carriers exist in the semiconductor layer near the auxiliary electrode, and majority carriers exist in the semiconductor layer on the opposite side, separated from each other. In such a state, recombination between majority carriers and minority carriers does not occur smoothly, so even if the irradiation light to the optical sensor is cut off, a residual photocurrent will flow as long as the minority carriers remain alive, resulting in This results in a decrease in the optical response speed and a decrease in the S/N ratio of the optical sensor.
そこで、該補助゛電極に例えば第１１図に示すように、
該光センサの読取り時に電子の場合は負。Therefore, for example, as shown in FIG. 11, the auxiliary electrode is
Negative if the light sensor reads electrons.
ホールの場合は正の一定レベルのバイアス電圧ｖｌを印
加しておき、読取り時直前に非読取り時間を作り該バイ
アス電圧に対して、該バイアス電圧の極性と逆方向にパ
ルス電圧（大きさＶ２）を印加すると、光応答における
立ち上がりを改善し、光の強弱に対する出力電流の比を
大きくとることが可能となる。In the case of a hole, a bias voltage vl of a constant positive level is applied, and a non-reading period is created just before reading, and a pulse voltage (magnitude V2) is applied to the bias voltage in the opposite direction to the polarity of the bias voltage. By applying , it is possible to improve the rise in photoresponse and increase the ratio of output current to intensity of light.
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記の様な動作を、該光センサを一次元
に多数配置して形成した画像読取装置等に適用しようと
すると、各センサビットの読取りが時系列的に行われる
ため、該パルス電圧の印加タイミングは１ビツトづつ異
なる。このため、前記光センサの補助電極への印加電圧
の制御を、転送用ＴＰＴ及び放電用ＴＰＴのゲート電圧
の制御と回路的に独立させて行うと、光センサの補助電
極制御用のマトリクス回路と転送用ＴＰＴのゲート電圧
制御用のマトリクス回路が必要となるために回路が複雑
になり、またパルスの印加のタイミング、パルス巾、パ
ルスの大きさ等それぞれ別に決めなければならず、駆動
が複雑になる問題を有していた。[Problems to be Solved by the Invention] However, when trying to apply the above-mentioned operation to an image reading device formed by arranging a large number of optical sensors in one dimension, the reading of each sensor bit becomes chronological. Therefore, the application timing of the pulse voltage differs bit by bit. Therefore, if the voltage applied to the auxiliary electrode of the optical sensor is controlled independently from the gate voltage control of the transfer TPT and the discharge TPT, the matrix circuit for controlling the auxiliary electrode of the optical sensor A matrix circuit for controlling the gate voltage of the transfer TPT is required, which makes the circuit complicated, and the timing of pulse application, pulse width, and pulse size must be determined separately, making driving complicated. There was a problem.
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、光センサの光応答
速度を向上させ且つ簡易な構成の光センサ装置を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide an optical sensor device that improves the optical response speed of an optical sensor and has a simple configuration.
［問題点を解決するための手段］
本発明の光センサ装置は、半導体層上に受光領域となる
部分を隔てて一対の主電極が設けられ。[Means for Solving the Problems] In the optical sensor device of the present invention, a pair of main electrodes are provided on a semiconductor layer with a portion serving as a light receiving region separated therefrom.
且つ少なくとも前記受光領域となる部分では前記半導体
層と補助電極とが絶縁層を介して積層された構造を有す
る光センサと、この光センサを流れる電荷を蓄積する蓄
積コンデンサと、この蓄積コンデンサに蓄積された電荷
を転送する転送用トランジスタと、前記蓄積コンデンサ
に蓄積された電荷を放電させる放電用トランジスタとを
有する光センサ装置において。and an optical sensor having a structure in which the semiconductor layer and the auxiliary electrode are laminated with an insulating layer interposed in at least a portion that becomes the light receiving region; In the optical sensor device, the optical sensor device includes a transfer transistor that transfers the charge stored in the storage capacitor, and a discharge transistor that discharges the charge stored in the storage capacitor.
前記放電用トランジスタの制ｍ電極に印加されるスイッ
チング電圧を分圧して前記補助電極に印加する分圧手段
を設けたことを特徴とする。The present invention is characterized in that a voltage dividing means is provided for dividing the switching voltage applied to the control electrode of the discharge transistor and applying the divided voltage to the auxiliary electrode.
［作用］
本発明の光センサ装置は、放電用トランジスタの制御電
極に印加されるスイッチング電圧を分圧して補助電極に
印加する分圧手段を設けたことにより、光センサの非読
取り区間内に前記補助電極にバイアス電圧を印加すると
ともに、このバイアス電圧に該バイアス電圧の極性に対
して逆方向にパルス電圧を印加することができ、前の読
み取り時の出力を消去して次の読み取りを行うことがで
きる。[Function] The optical sensor device of the present invention is provided with a voltage dividing means that divides the switching voltage applied to the control electrode of the discharge transistor and applies the divided voltage to the auxiliary electrode. A bias voltage is applied to the auxiliary electrode, and a pulse voltage can be applied to this bias voltage in the opposite direction to the polarity of the bias voltage, so that the output from the previous reading is erased and the next reading is performed. I can do it.
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第１図は、本発明の光センサ装設を示す一実施例の回路
図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the optical sensor installation of the present invention.
第２図は前記光センサ装置の動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the optical sensor device.
第１図において、前記第１０図と同様に。In FIG. 1, as in FIG. 10 above.
Ｒｓｌ、 Ｒｓ２． ” ” ＠ 、 Ｒｓｎが補助電
極を有する光センサ、Ｃｓｌ、Ｃｓ２．ａ ＊ ａ 、
Ｃｓｎが蓄積コンデンサ、Ｔｔｌ、Ｔｔ２．＊ ＊ ＊
、Ｔｔｎが蓄積コンデンサＣｓｌ〜Ｃｓｎに蓄積され
た電荷を転送する転送用ＴＦＴ、 Ｔｒｉ、 Ｔｒ２．
＊ ＊ ｅ 、 Ｔｒｎが転送後蓄積コンデンサＣ３
ｌＮＣ８ｎに残された電荷を放電するの放電用ＴＦＴ、
Ｃｘ１． Ｃ！２． ・＠ １１ 、 Ｃｘｎが該光
センサＲ５１−Ｒｓｎの補助電極に分圧された電圧を印
加するための分圧用コンデンサである。Rsl, Rs2. ” ”@, optical sensor where Rsn has an auxiliary electrode, Csl, Cs2. a*a,
Csn is a storage capacitor, Ttl, Tt2 . ＊ ＊ ＊
, Ttn are transfer TFTs that transfer the charges accumulated in the storage capacitors Csl to Csn, Tri, Tr2.
* * e, Trn is storage capacitor C3 after transfer
A discharge TFT for discharging the charge left in lNC8n,
Cx1. C! 2.・@11, Cxn is a voltage dividing capacitor for applying a divided voltage to the auxiliary electrodes of the optical sensors R51-Rsn.
Ｃｇｓｌ 、 Ｃｇｓ２ 、 ａ １１６ 、 Ｃ
ｇｓｎが光センサＲ５１ｘＲｓｎにおける前記蓄積コン
デンサ接続側の主電極と補助電極との間の容量である。Cgsl, Cgs2, a116, C
gsn is the capacitance between the main electrode and the auxiliary electrode on the storage capacitor connection side in the optical sensor R51xRsn.
Ｌｇｌ〜Ｌｇｎは前記転送用Ｔ Ｆ Ｔ Ｔ ｔｌ −
Ｔ ｔｎの制御電極たるゲートと放電用ＴＦＴＴｒｌ−
Ｔｒｎの制御電極たるゲートに接続され、且つ分圧用コ
ンデンサＣ！１〜Ｃｘｎと接続される配線であり、Ｖｇ
ｌ〜Ｖｇｎはそれぞれに印加されるスイッチング電圧で
ある。ＬＤは該光センサＩｔ＋１−Ｒｓｎの主電極に接
続される配線であり、ＶＤは印加される電圧である。Ｌ
Ｒは前記＠積コンデンサＣｇｌ〜Ｃｓｎに接続される配
線であり、ＶＲは蓄積コンデンサｃｓｌ〜Ｃ８ｎの基準
電圧で、蓄積コンデンサＣｓ１−Ｃ５！ｌを放電用ＴＦ
ＴＴｒｌ〜Ｔｒｎによって放電させると、蓄積コンデン
サＣｓ１−Ｃｓｎの両端の電極の電位はともにＶＲとな
る。なお、配線Ｌｇｌ−Ｌｇｎ。Lgl to Lgn are the transfer TFT tl −
Gate as control electrode of T tn and TFTTrl- for discharge
It is connected to the gate, which is the control electrode of Trn, and is connected to the voltage dividing capacitor C! This is the wiring connected to 1 to Cxn, and Vg
1 to Vgn are switching voltages applied to each. LD is a wiring connected to the main electrode of the optical sensor It+1-Rsn, and VD is an applied voltage. L
R is the wiring connected to the product capacitors Cgl to Csn, VR is the reference voltage of the storage capacitors csl to C8n, and storage capacitors Cs1 to C5! TF for discharging
When discharged by TTrl to Trn, the potentials of the electrodes at both ends of the storage capacitors Cs1 to Csn both become VR. Note that the wiring Lgl-Lgn.
ＬＤ 、 ＬＲ、はマトリクス回路を構成する。LD and LR constitute a matrix circuit.
次に前記光センサ装置の動作について説明を行う、今前
記光センサの多数キャリアを電子であるとする。Next, the operation of the optical sensor device will be explained. It is assumed that the majority carriers of the optical sensor are electrons.
第１図において、配線ＬＤに正の電圧ＶＤを。In FIG. 1, a positive voltage VD is applied to the wiring LD.
配置ＬＲに負の電圧ＶＲを印加すると、光センサＲｓｌ
〜Ｒｓｎに照射光量に応じた電流が流れ、蓄積コンデン
サＣｓｌ〜Ｃｓｎに電荷が９１積されて、蓄積コンデン
サＣｓｌ〜Ｃｓｎの光センサＲｓｌ〜Ｒｓｎの主電極側
の電位が上がる。When a negative voltage VR is applied to the arrangement LR, the optical sensor Rsl
A current corresponding to the amount of irradiation light flows through ~Rsn, 91 charges are accumulated in the storage capacitors Csl~Csn, and the potential of the storage capacitors Csl~Csn on the main electrode side of the photosensors Rsl~Rsn increases.
ここで、第２図に示すようなタイミングで、前記転送用
ＴＦＴＴｔｌ−Ｔｔｎのゲートと前記放電用ＴＦＴＴｒ
ｌｘＴｒｎのゲートとに、スイッチング電圧Ｖｇｌ”Ｖ
ｇｎを第１図の各配線によるマトリクス回路を介して印
加すると、区間Ｔ １．１では蓄積コンデンサＣｓｌ〜
Ｃ３１１に電荷の蓄積が行われ、区間Ｔ１２では転送用
ＴＦＴＴｔｌがオンし、蓄積コンデンサ（、＋１の電荷
が信号として転送される。さらに１区間Ｔ１３で放電用
Ｔ Ｆ Ｔ Ｔ ｒ １がオンし、転送の終了した該蓄
積コンデンサＣｓｌの両端の電極がショートされ、残っ
た電荷の放電が行われて、光センサＲｓｌの読み取りに
関する１サイクルが終了すると同時に、転送用ＴＦＴＴ
ｔ２がオンし、区間Ｔ２１で、蓄積を行っていた蓄積コ
ンデンサＣｓ２の電荷が信号として転送が行われ、以下
光センサＲｓｌと同様の読取リサイクルが次々と隣の光
センサビットに対して行われる。Here, at the timing shown in FIG. 2, the gates of the transfer TFTs tl-Ttn and the discharge TFTTr
A switching voltage Vgl”V is applied to the gate of lxTrn.
When gn is applied through the matrix circuit with each wiring shown in Fig. 1, the storage capacitor Csl ~
Charge is accumulated in C311, and in interval T12, the transfer TFT Ttl is turned on, and the charge of +1 is transferred as a signal.Furthermore, in one interval T13, the discharging TFT T r 1 is turned on, The electrodes at both ends of the storage capacitor Csl where the transfer has been completed are short-circuited, the remaining charge is discharged, and at the same time one cycle regarding the reading of the optical sensor Rsl is completed, the transfer TFTT
t2 is turned on, and in interval T21, the charge in the storage capacitor Cs2 that has been stored is transferred as a signal, and thereafter, reading recycling similar to that of the optical sensor Rsl is performed one after another for the adjacent optical sensor bits.
第１図に示す回路においては、上記に示すように、読取
り、転送、放電が行われるが、同時に光センサＲｓ１〜
Ｒｓｎの補助電極には放電用ＴＦＴＴｒｌ〜Ｔｒｎのゲ
ートに印加されるスイッチング電圧と同相の電圧が印加
され、光応答速度の改善が図られている。即ち光センサ
Ｒｓｌに注目して考えると、補助電極には、分圧用コン
デンサＣ！１と、光センサＲｓｌの補助電極と主電極の
一方（蓄積コンデンサＣｓｌ側）との間に生ずる容量Ｃ
ｇｓｌと、蓄積コンデンサＣｓｌとにより、放電用ＴＰ
ＴＴｒｌに印加されるスイッチング電圧Ｖｇ２と基準電
圧ＶＲとの間で分圧された電圧が印加される。光センサ
Ｒｓｌは放電区間Ｔ１３に印加されるパルス電圧により
電子が引き込まれ、この区間では大きな電流が流れると
同時にホールの再結合を促進し、光センナＲｓｌ内に残
されていた放電区間以前の光情報を打ち消し、読取り区
間Ｔｌｌでの光応答における立ち下がりを特に改善する
ため、光強度に対する出力電流の比を大きくとれるよう
になる。一方、放電区間Ｔ１３では光センサＲｓｌに大
きな電流が流れているが、蓄積コンデンサＣｓ１は放電
状態にあるため電荷蓄積は行われず、不要な情報を混入
させる心配はない、さらに、電荷蓄積型の読み出し回路
においては、蓄積コンデンサに電荷が蓄積されてくると
、光センサの補助電極の電位が信号読出し側の主電極に
対して相対的に変化し、その結果第３図に示すように、
出力電流を変化させることとなるが、本発明の回路では
、補助電極の相対電位の変動が、第４図に示すように、
上記の分圧効果により、前記の容Ｅｋｃｇｓｌの値と分
圧用コンデンサＣ！１の値との比に抑えられるため出力
電流の変動が抑えられ、安定した駆動が行える。In the circuit shown in FIG. 1, reading, transfer, and discharge are performed as shown above, but at the same time, the optical sensors Rs1 to
A voltage in phase with the switching voltage applied to the gates of the discharge TFTs Trl to Trn is applied to the auxiliary electrode of Rsn to improve the optical response speed. That is, if we focus on the optical sensor Rsl, the auxiliary electrode has a voltage dividing capacitor C! 1 and the capacitance C generated between the auxiliary electrode and one of the main electrodes (storage capacitor Csl side) of the optical sensor Rsl.
gsl and storage capacitor Csl, discharge TP
A voltage divided between the switching voltage Vg2 applied to TTrl and the reference voltage VR is applied. In the optical sensor Rsl, electrons are drawn in by the pulse voltage applied to the discharge section T13, and at the same time a large current flows in this section, recombination of holes is promoted, and the light remaining in the optical sensor Rsl before the discharge section is removed. In order to cancel the information and particularly improve the fall in the optical response in the reading interval Tll, it becomes possible to increase the ratio of the output current to the optical intensity. On the other hand, in the discharge section T13, a large current flows through the optical sensor Rsl, but since the storage capacitor Cs1 is in a discharged state, no charge is accumulated, so there is no need to worry about unnecessary information being mixed in. In the circuit, when charge is accumulated in the storage capacitor, the potential of the auxiliary electrode of the optical sensor changes relative to the main electrode on the signal readout side, and as a result, as shown in Figure 3,
In the circuit of the present invention, the change in the relative potential of the auxiliary electrode changes the output current as shown in FIG.
Due to the above voltage dividing effect, the value of the capacitance Ekcgsl and the voltage dividing capacitor C! Since the ratio is suppressed to a value of 1, fluctuations in the output current are suppressed and stable driving can be performed.
次に上記回路構成を用いた画像読取装置について説明す
る。Next, an image reading device using the above circuit configuration will be explained.
第５図は上記光センサ装置の概略図である。なお、第９
図と重複する部分については同一番号を付する。FIG. 5 is a schematic diagram of the optical sensor device. In addition, the 9th
Parts that overlap with the figures are given the same numbers.
第６図は上記光センナ装置を用いた画像読取装置の概略
図である。FIG. 6 is a schematic diagram of an image reading device using the optical sensor device described above.
第５図において、光導電層として水素化アモルファスシ
リコンの半導体層４（第５図中下図示）を用い、この半
導体層４と絶縁層３（第５図中下図示）と主電極６，７
と補助電極２とで光センサＲｓｌを構成し、配線Ｌｇま
たる配置！９と不図示の絶縁・層３と電極１２とで分圧
用コンデンサＣ！ｌを構成し、電極１３と電極１４と不
図示の絶縁層３とで蓄積コンデンサＣｓｌを構成する。In FIG. 5, a hydrogenated amorphous silicon semiconductor layer 4 (shown at the bottom in FIG. 5) is used as a photoconductive layer, and this semiconductor layer 4, an insulating layer 3 (shown at the bottom in FIG. 5), and main electrodes 6, 7
and the auxiliary electrode 2 constitute the optical sensor Rsl, and the wiring Lg is arranged! 9, an insulating layer 3 (not shown), and an electrode 12 form a voltage dividing capacitor C! The electrode 13, the electrode 14, and the insulating layer 3 (not shown) constitute a storage capacitor Csl.
また、不図示の半導体層４及び絶縁層３と電極１６．１
７゜１９とで放電用ＴＦＴＴｒｌを構成し、不図示の半
導体層４及び絶縁層３と電極１５，１６．１８とで転送
用ＴＦＴＴｔｌを構成する。各素子は透明の絶縁性基板
上に形成される。In addition, a semiconductor layer 4, an insulating layer 3, and an electrode 16.1 (not shown) are also included.
7.degree. 19 constitutes a discharge TFTTrl, and a semiconductor layer 4 and an insulating layer 3 (not shown) and electrodes 15, 16, and 18 constitute a transfer TFTTrl. Each element is formed on a transparent insulating substrate.
上記光センサ装置は、例えば第６図に示すような画像読
取装置に取り付けて用いられる。The optical sensor device is used by being attached to an image reading device as shown in FIG. 6, for example.
第６図に示すように、取付は台２４には入射光窓が設け
られており、光源２３からの光がこの入射光窓を通して
照射される。また、取付は台２４には、前述の光センサ
装置２２とこの光センサ装置２２からの光信号を処理す
るＩＣ２５とが設けられている。入射光窓を通して照射
された光は、光センサ族２２２２を通して、紙送りロー
ラ２０によって送られてきた原稿２１に光に照射され、
その反射光は、該光センサ装Ｆ１１２２上の光センサで
読み取られる０以上の構成の画像読み取り装置は、高速
度で且つ高品位の読み取りを行うことができた。As shown in FIG. 6, the mounting table 24 is provided with an incident light window, and the light from the light source 23 is irradiated through this incident light window. Further, the mounting base 24 is provided with the above-mentioned optical sensor device 22 and an IC 25 for processing the optical signal from the optical sensor device 22. The light irradiated through the incident light window passes through the photosensor group 2222 and is irradiated onto the document 21 fed by the paper feed roller 20.
The reflected light is read by the optical sensor on the optical sensor device F1122, and the image reading device having a configuration of 0 or more was able to perform high-speed and high-quality reading.
第７図及び第８図は本発明の光センサ装置の別の実施例
を示す回路図である。なお、第１図と同一部分について
は、同一符号を付するものとし。FIGS. 7 and 8 are circuit diagrams showing another embodiment of the optical sensor device of the present invention. Note that the same parts as in Figure 1 are given the same reference numerals.
各部分及びその動作の説明は省略する。Descriptions of each part and its operation will be omitted.
第７図において、前記実施例と同様１ビツト目に注目し
て説明すると、光センサＲｓｌの補助電極に印加する電
圧を、基準電圧ＶＲを基準として。In FIG. 7, the explanation will be given with attention to the first bit as in the previous embodiment.The voltage applied to the auxiliary electrode of the optical sensor Rsl is based on the reference voltage VR.
放電用ＴＦＴＴｒｌに印加するスイッチング電圧Ｖｇ２
を、分圧用に設けたコンデンサＣ！１１ 。Switching voltage Vg2 applied to discharge TFTTrl
The capacitor C! is installed for voltage division. 11.
Ｃ！１２により分圧して与える。該補助電極には前記実
施例と同様に読取り区間の直前にパルス電圧が印加され
、光センサＲｓｌの光応答速度における立ち下がりが特
に改善され、入射光の強弱に対する出力電流の大小比を
大きくとることができる。C! Partial pressure is given by 12. A pulse voltage is applied to the auxiliary electrode just before the reading period as in the previous embodiment, and the fall in the optical response speed of the optical sensor Rsl is particularly improved, and the magnitude ratio of the output current to the intensity of the incident light is made large. be able to.
ただし、本実施例においては、該補助電極の電位は、読
取り区間中固定されるため、主電極の信号取出し側に対
する相対電位の変動を補うような作用は得られない、な
お、本実施例では放電用ＴＦＴ Ｔ ｒ １のスイッチ
ング電圧Ｖｇ２を容量分割で分圧して、光センサＲｓｌ
の補助電極に印加したが、分圧の方法は容量分割に限定
されず、例えば第８図に示すように分圧用抵抗Ｒ１１１
、Ｒｘ１２を用いた抵抗分割でもかまわない、これらの
実施例を前記実施例と同様に第６図に示した画像読取装
置に設けたところ、高速読取りにおいて高品位の画像読
み取りが行うことができた。However, in this embodiment, since the potential of the auxiliary electrode is fixed during the reading period, it is not possible to obtain an effect of compensating for fluctuations in the relative potential of the main electrode to the signal extraction side. The switching voltage Vg2 of the discharge TFT T r 1 is divided by capacitance division, and the optical sensor Rsl
However, the method of voltage division is not limited to capacitance division; for example, as shown in FIG.
, resistance division using Rx12 may be used. When these examples were installed in the image reading device shown in FIG. 6 in the same way as the previous example, high-quality image reading could be performed at high speed reading. .
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明の光センサ装置にお
いては、光センサの光応答速度の立ち下がり速度が著し
く改善され、光の強弱に応じた出力電流の大小比を大き
くとることができる。[Effects of the Invention] As explained in detail above, in the optical sensor device of the present invention, the falling speed of the optical response speed of the optical sensor is significantly improved, and the magnitude ratio of the output current depending on the intensity of light is greatly increased. You can take it.
また分圧手段を蓄積コンデンサと、光センサの前記蓄積
コンデンサ接続側の主電極と補助電極との間の容量と、
放電用トランジスタの制ｕ４電極と前記補助電極との間
に接続された分圧用コンデンサとから構成すれば、蓄積
コンデンサに電荷が蓄積される場合に伴なう、光センサ
の信号取り出し側の主電極に対する補助電極の相対電位
の変動を減少させ、出力電流の変動を小さく抑えること
ができる。Further, the voltage dividing means is a storage capacitor, and a capacitance between a main electrode and an auxiliary electrode on the storage capacitor connection side of the optical sensor.
If it is composed of a voltage dividing capacitor connected between the control u4 electrode of the discharging transistor and the auxiliary electrode, the main electrode on the signal extraction side of the optical sensor can be used when charge is accumulated in the storage capacitor. It is possible to reduce fluctuations in the relative potential of the auxiliary electrode to the auxiliary electrode, thereby suppressing fluctuations in the output current.
本発明の光センサ装置を用いた画像読取装置は高速度で
且つ高品位の読み取りが可能である。An image reading device using the optical sensor device of the present invention is capable of high-speed and high-quality reading.
第１図は１本発明の光センサ装置を示す一実施例の回路
図である。
第２図は上記光センサ装置の動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。
第３図及び第４図は上記本発明の光センサ装置の効果を
説明するための特性図である。
第５図は上記光センサ装置の概略図である。
第６図は上記光センサ装置を用いた画像読取装置の概略
図である。
第７図及び第８図は本発明の光センサ装置の別の実施例
を示す回路図である。
第９図（ａ）、（ｂ）は光センサの概略的構成図である
。
第１０図は上記光センサの光センサ装置を示す概略図で
ある。
第１１図は上記光センサの補助電極に印加される電圧の
波形図である。
Ｒｓｌ〜Ｒｓｎ・・・・・光センサ
Ｃｓｌ〜Ｃｓｎ拳・会・・蓄積コンデンサＴｔｌ−Ｔｔ
ｎ１１・・Ｏ・転送用ＴＦＴＴｒｉ 〜Ｔｒｎ＊ ＊
＊ ｅ ｅ放電用ＴＦＴＣｘｌ〜Ｃｘｎ、 Ｃ！１１
ＮＣｚｎｌ 。
Ｃｘ１２〜Ｃｘｎ２ ・・Φ番分圧用コンデンサＣｇｓ
Ｉ ＮＣｇｓｎ ＊ ｅ ｅ ａ光センサＲｓｌ 〜Ｒ
５ｎｃｙ）主電極−補助電極間容量
Ｌｇｌ〜Ｌｇｎ。
ＬＤ、ＬＲ・・・・・配線
Ｖｇｌ〜Ｖｇｎ・・Φ・・スイッチング電圧ＶＲ・・・
・・基準電圧
ＶＤ・・・・・印加電圧
Ｒｘ１ｌ ＮＲｘｎ１ 。
Ｒｘ１２〜Ｒ！１１２ ・・・・分圧用抵抗代理人
弁理士 山 下 積 平
Ｍ１図
第２図
Ｖ＋ ＜ Ｖ２
Ｖ＋≦ＶＲ
第３図
第４図
瀦°助電本セ＠Ａちう続出Ｌ４則工電判ト１Ｓズｆｆ１
３ｋｇ対電株の慣？１１
第７図
第８図
第１１図
Ｖ。
Ｔ２：畔ちｔセク時FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the optical sensor device of the present invention. FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the optical sensor device. FIGS. 3 and 4 are characteristic diagrams for explaining the effects of the optical sensor device of the present invention. FIG. 5 is a schematic diagram of the optical sensor device. FIG. 6 is a schematic diagram of an image reading device using the above optical sensor device. FIGS. 7 and 8 are circuit diagrams showing another embodiment of the optical sensor device of the present invention. FIGS. 9(a) and 9(b) are schematic configuration diagrams of the optical sensor. FIG. 10 is a schematic diagram showing the optical sensor device of the optical sensor. FIG. 11 is a waveform diagram of the voltage applied to the auxiliary electrode of the optical sensor. Rsl~Rsn... Optical sensor Csl~Csn fist/kai...Storage capacitor Ttl-Tt
n11...O.Transfer TFTTri ~Trn* *
*e TFTCxl~Cxn for e-discharge, C! 11
NCznl. Cx12~Cxn2...φ No. voltage dividing capacitor Cgs
I NCgsn * e e a Optical sensor Rsl ~R
5ncy) Main electrode-auxiliary electrode capacitance Lgl~Lgn. LD, LR...Wiring Vgl~Vgn...Φ...Switching voltage VR...
...Reference voltage VD...Applied voltage Rx1l NRxn1. Rx12~R! 112 ・・・Resistance agent for partial pressure
Patent Attorney Yamashita Seki Hira M1 Figure 2 V+ < V2 V+ ≦ VR Figure 3 Figure 4 〦°Supporting Electricity Book Seminar @A Chiu L4 Rule Technical Electricity Review 1S ff1
3kg anti-density stock practice? 11 Figure 7 Figure 8 Figure 11 V. T2: At the time of t-sex
Claims (3)
主電極が設けられ、且つ少なくとも前記受光領域となる
部分では前記半導体層と補助電極とが絶縁層を介して積
層された構造を有する光センサと、この光センサを流れ
る電荷を蓄積する蓄積コンデンサと、この蓄積コンデン
サに蓄積された電荷を転送する転送用トランジスタと、
前記蓄積コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電
用トランジスタとを有する光センサ装置において、前記
放電用トランジスタの制御電極に印加されるスイッチン
グ電圧を分圧して前記補助電極に印加する分圧手段を設
けたことを特徴とする光センサ装置。(1) A structure in which a pair of main electrodes are provided on a semiconductor layer with a portion that will become a light receiving region separated from each other, and the semiconductor layer and an auxiliary electrode are laminated with an insulating layer interposed in at least the portion that will become the light receiving region. a storage capacitor that stores the charge flowing through the photosensor; a transfer transistor that transfers the charge stored in the storage capacitor;
In an optical sensor device having a discharging transistor for discharging charges accumulated in the storage capacitor, voltage dividing means is provided for dividing a switching voltage applied to a control electrode of the discharging transistor and applying the divided voltage to the auxiliary electrode. An optical sensor device characterized by:
ンサの前記蓄積コンデンサ接続側の主電極と補助電極と
の間の容量と、前記放電用トランジスタの制御電極と前
記補助電極との間に接続された分圧用コンデンサとから
構成され、前記スイッチング電圧と前記蓄積コンデンサ
に印加される基準電圧との間で分圧を行ったことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光センサ装置。(2) The voltage dividing means has a capacitance between the storage capacitor, a main electrode and an auxiliary electrode on the storage capacitor connection side of the optical sensor, and a control electrode of the discharge transistor and the auxiliary electrode. 2. The optical sensor device according to claim 1, comprising a voltage dividing capacitor connected thereto, and voltage dividing is performed between the switching voltage and the reference voltage applied to the storage capacitor. .
電極と前記蓄積コンデンサとの間に接続された直列のコ
ンデンサ又は直列の抵抗から構成され、前記スイッチン
グ電圧と前記蓄積コンデンサに印加される基準電圧との
間で分圧を行ったことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光センサ装置。(3) The voltage dividing means is composed of a series capacitor or a series resistor connected between the control electrode of the discharge transistor and the storage capacitor, and the switching voltage and the reference applied to the storage capacitor are Claim 1 characterized in that voltage division is performed between the voltage and the voltage.
The optical sensor device described in Section 1.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266666A JPH07114273B2 (en) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | Optical sensor device and image reading device using the same |
| US07/117,957 US4886977A (en) | 1986-11-11 | 1987-11-09 | Photoelectric converter provided with voltage dividing means |
| EP93113275A EP0576040B1 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Photoelectric converter |
| DE3751739T DE3751739T2 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Photoelectric converter |
| EP87116614A EP0267591B1 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Photoelectric converter |
| DE3752337T DE3752337T2 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-10 | Photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266666A JPH07114273B2 (en) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | Optical sensor device and image reading device using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122165A true JPS63122165A (en) | 1988-05-26 |
| JPH07114273B2 JPH07114273B2 (en) | 1995-12-06 |
Family
ID=17434001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61266666A Expired - Lifetime JPH07114273B2 (en) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | Optical sensor device and image reading device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114273B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382817B1 (en) * | 1999-01-20 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | A pattern for detecting the living things and thin film transistor optical sensor with the same |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP61266666A patent/JPH07114273B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382817B1 (en) * | 1999-01-20 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | A pattern for detecting the living things and thin film transistor optical sensor with the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114273B2 (en) | 1995-12-06 |
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|---|---|---|---|
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