JPS63118075A

JPS63118075A - グロ−放電による被覆方法

Info

Publication number: JPS63118075A
Application number: JP26523786A
Authority: JP
Inventors: Shizuka Yamaguchi; 静山口; Masayuki Doi; 昌之土井; Masao Shimizu; 政男清水; Kazuyoshi Terakado; 一佳寺門
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-11-07
Filing date: 1986-11-07
Publication date: 1988-05-23
Also published as: JPH0527707B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、グロー放電による部材の表面処理法に係り、
特に、被処理品表面に形成された被膜内に混入する不純
物を少なくして純度の高い処理層を得ることができるグ
ロー放電による被覆方法に関する。

〔従来の技術〕

グロー放電による表面処理法としてＣＶＤ法の開発が盛
んに行われてＡる。このＣＶＤ法の中でもＤＣプラズマ
ＣＶＤ法が一般的であり金属表面にＴＩＣあるいはＴＩ
Ｎ等を被覆するのに用いられている。

第２図は、ＤＣ７’ラズマＣＶＤ装置の概略口である。

ＴＩＣあるいはＴＩＮ　ｉコーティングする場合２例に
して、従来のＤＣプラズマＣＶＤ　技術に説明する。

密封容器１内に被処理部材２を配置し、被処理部材２を
陰極、密封容器自体を陽極とする。

密封容器内は真空排気系６によす１０−”　Ｔｏｒｒ以
下の真空度に保つ６１念、密封容器内には、キャリアガ
ス（水素、アルゴン又はこれらの混合ガス）１２ａｌ八
ログン化物収納容器１５内に通してハロゲン化物を気化
させ、希釈ガス（水素、アルコ１ン又はこれらの混合ガ
ス）１２ｂと共に密封容器１内に導入する。ＴＩＣ又は
ＴＩＮ全コーティングする場合、ハロゲン化物としては
。

Ｔ　Ｉ　Ｃ１４等が用いられる。１念、反応ガスとして
ＴＩＣでは炭化水素ガス、ＴＩＮでは窒素あるいはアン
モニアガス１２ｃを’Ｊ封容器１内に導入して電源４に
より直流′這圧を印加しグロー放ｔを発生させて、被処
理部材２の表面にＴＩＣあるいｔ’！　ＴｋＮ　’ｉミ
コーティングる。プラズマＣＶＤ法ではプラズマ中にお
ける原子、分子の励起、解離作用を利用するため、通常
の熱ＣＶＤ法に比べて低い温度で被膜を形成できるもの
である。

ＤＣプラズマＣＶＤ法で作製される膜中にはハロゲンが
残留しやすい。このため、膜の純度が低下し、膜表面の
光沢むらあるいはくもりを生じたり、基材との界面での
密着性、膜の硬さあるいは耐食性等の機能上の緒特性が
低下するという問題があった。

膜中のハロゲン混入１ｔｔ−低下する技術として。

水素を用いる方法が例えば、特開昭５８−１０６８号に
示されている。これは、膜中に混入したハロゲン金成膜
後に水素雰囲気中でのグロー放電で水素がヌと反応させ
てハロゲン化水素として除去するものである。この方法
では、膜の極く表面に残留するハロゲンを還元し、ある
いに水素イオンのスフ９ツタリングにより除去して、膜
の清浄化が進み、時間とともに美しい光沢の表面が得ら
れる。しかし、膜厚が厚い場合には。

膜内部での還元反応は起こりにくく、ハロゲンが残留す
ることとなる。これは、ハロゲンの原子半径が大きく、
膜内を拡散して離脱することが困難なためである。膜内
部のハロゲン全拡散させるために高温とすることも考え
られるが、そうすると膜内部のハロゲンの除去は可能と
なるけれども加熱により膜は損傷を受け、低温での成膜
というプラズマＣＶＤのＰ＃徴が撰われる。

また、成膜を例えば７００〜１２００℃で行うＣＶ’Ｄ
法も考えられるが放ｉｔ圧が高くなり、それに伴って放
電が不均一になって温度差金主じ、被処理品に均一な表
面処理を施すことができない傾向が大きくなるという問
題点を有している。

その解決策としては例えば従来の真空熱処理炉内でイオ
ン処理を行う方法、或いは外部から高周波加熱を行いつ
つイオン処理を行う方法等がある。しかし、前者の場合
には例えば炭素繊維のよ５なヒータによって被処理品の
加熱を行うため、側熱電源に高出力を要するとともに、
イオンによる加熱が少なくなるので従来のイオンのみに
よる処理に比較して被処理品の表面に到達するイオン量
も少なくなる。そのため、装置の溝造が複雑で、制御も
煩雑となるとともに全体の消費エネルギーも多く、イオ
ンによるクリーニング作用、表面に捕獲される原子等の
処理に関与する原子の濃度も少なくなる欠点がある。

後者の場合には高周波による誘導電流によって加熱する
次め、多くの部品を炉内に装備し念場合、高周波コイル
からの距離によって、個々の部品間で加熱される温度が
異なるとともに、前者同様に１！源の出力の制御が複雑
となる。また処理に要するエネルギーも多く、イオンの
クリーニング作用１表面のイオン濃度の制御の上でも欠
点がある。

膜中のハロゲン低減のための別の従来技術が特開昭５９
−７０７６７号に示されている。これは、例えば被処理
品の外周で減圧容器の内側に、被処理品える陰極とは別
に、被処理品から離れた位置に一定間隔を保った複数重
の陰極を配置し、金属あるいけ半金属のハロゲン化物、
水素、メタンあるいは窒素ガスを導入してガスの圧力、
陰極の間隙および電源出力等を制御してグロー放電を発
生させることによって、この陰極と被処理物間で高を離
密度のホロー陰極放電を生じさせて、被処理表面を高温
度に加熱保持して被膜を形成するものである。この処理
では第３図、第４図に示すようにホロー陰極放電全形成
するための補助電極５を被処理８之る陰極２とは別に配
置するものである。第５図は第４図中の補助電標、がヌ
供給管および被処理品の配置の斜視である。このような
方法においては、被処理部近傍で反応種の１！離密度を
高めることができるので、前述のグロー放電のみによる
方式に比べて、高速で良質の被膜全均一に形成すること
ができる。しかし、補助電啄と被処理部材との間隙が小
さくなるにし念がって、その空間内への新しいガスの供
給が不光分になると共に、その空間での反応ガスすなわ
ちハロゲン化水素の滞留時間が長くなり、膜内のハロゲ
ンの残留金主じて純度が低下する可能性がある。

膜中のハロゲンを低減するための他の従来技術が特開昭
６１−５６２７３号に示されてい−る。

すなわち、減圧した反応室内に被処理部材表面に直接後
しない空間で反応ガス物／ｉｔをプラズマにより分解し
励起活性化させる構造を有する部分と、活性化されたガ
スを被処理部材表面まで導く部分と全備えることにより
、任意の被処理部材表面近傍に、活性化された反応種金
高濃度で供給し、更にその活性化される空間には常に新
しい反応ガスを供給し、活性化され念ガスが均一に分布
されるようにすることによって、高純度で良質、均質な
被膜全高速で成膜するものである。このような処理は、
第６図に示す処理装置及び第７図に示す構造の電極を配
設することにより行える。しかし、この方法においても
、電極内で活性化され念高濃度の反応種と共に。

その反応により生皮した反応生成物のガス、例えばハロ
ゲン化水素が被処理部材表面へ吸着し。

被膜内に残留することがある。この現象を小くするため
に、電極と被処理部材の間隔を大きくすると、残留ｔは
減少するが、活性化された反応種の被処理部材への到達
量も減少するため成膜速度が低下する傾向がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上述べたように、プラズマＣＶＤ法はグロー放ｔ’を
用いて低温プラズマ金発生させ、このプラズマにより反
応種全活性化させて、比較的低温で膜を高速形成するも
のであるが、しかし。

従来技術はいずれも膜内に残留する反応生成物。

特にハロｒ７を少なくする配慮が十分ではなく。

得られる膜の特性が不十分であったり、ばらつきが大き
いという問題があり九。

本発明の目的は、ＤＣプラズマＣＣ性法みならずＲＦプ
ラズマＣＶＤ法を含むプラズマＣＶＤ法において、形成
し念被膜内に反応生成物の不純物、特にハロゲンの混入
が少ない高純度で特性の優れ念被膜金形成する被覆方法
を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕

上記目的は、プラズマＣＶＤ法において、グロー放電を
維持しながら、金属又は半金属のノ・ロダン化物の気化
ガスの供給を周期的に断続させることにより達成される
。

なお、上記プラズマＣＶＤ法とは、　Ｄ、Ｃ，プラズマ
ＣＶＤ法及び’Ｒ，Ｆ、プラズマＣ■法を含むもので、
「従来の技術」の項あるいは「実施例」の項で記載し念
補助電極を有するＤＣプラズマＣＶＤ、補助１ｔｆｆｌ
とガス導入管金有するＤＣプラズマＣ■、被処理品を電
気的に中性とし対向電極金有するＤＣプラズマＣＶＤ、
平行平板型ＲＦプラズマＣＶＤ及びヘキソードｆＪＡＲ
ＦプラズマＣｖＤを含むものである。

〔作用〕

ハロゲン化物の気化ガスの供給を断続することにより被
処理品の近傍の上記ガス濃度が周期的に低減する。この
ため、成膜速度が周期的に減少し、あるいは底膜が停止
する。

−万、グロー放電を維持することにより、被膜表面をス
パッタ・クリーニングし、被膜中に取込でれ念反応生成
物、主としてハロゲンを除去する。

したがって、反応生成物の混入が少ない被膜を順次堆積
することができる。

また、水素ガスの供給を継続することにこり。

被膜中に取込まれた反応生成物と水素とが反応して、除
去するので１反応生成物の混入がさらに少ない被膜を順
次堆積することができる。

〔実施例〕

実施例１用いた装置ぼ、第５図に示す補助ｔｖ／ｉ及びガス供給
手段を有する第４図に示すＤＣ７″ラズマＣＶＤ装置で
あり、第１図に示す処理ガス濃度サイクル制御によって
ＴＩＮ膜被覆を行なっ九。

第４図は、実施例１で用い之ＣＶＤ装置である。

本図において、１は炉体で、中空筒体の上下の開口部に
上蓋及び下蓋がバッキングを介して固定でれ密封状態に
なっている。２は陰極となる被処理品であって、回転陰
極端子８に連結された回転保持部材３に保持されている
。この回転陰極端子８の他端は回転電力供給機構９によ
りｔ源４の１極に接続されている。１７ｔ、回転保持部
材３は回転電動機２１により回転されるようになってＡ
る。被処理品２の近傍には内側及び外側の円筒状の補助
電極５　ａ　ｓ　５　ｂが配設されており、その一端は
陰極側に接続されている。

この補助電極内には処理ガスのガス供給管１７も配設さ
れている。この様に被処理品２、補助電極５ｍ、５ｂ及
びガス供給管１７の詳細構成を第５図に示す。被処理品
２を挾んで円筒状の補助電極５ｍ、５ｂ’ｉ相対向して
配設した電極構造と、被処理品２と補助電極５ｍ、５ｂ
との間の円周上に位置するようにガス供給管１７が配設
されている。円筒状の補助電極５　ａ　＋　−５ｂは、
補助電極５ａの内周面と補助電極５ｂの外周面が同心円
で相対向し、その中間の同心円上にピン状の被処理品２
が配置され、更に補助電極５ａの内周面と被処理品２、
及び補助電極５ｂの外周面と被処理品との中間の円上に
複数に分枝したガス供給管１７が配設されている。

被処理品２及び補助電極５ｍ＋５ｂの一端は電源の陰極
に接続されている。ガス供給管１７へは処理ガスが第４
図に示す機構により供給される。なお、ガス供給管１７
にはガス噴出口２２が複数個設けられており、被処理品
２に向けて処理ガスが噴出される。

目標の組成の被膜を均一に形成するには、処理ガスを均
一に分布させる必要がある。このために処理ガス供給管
またけ被処理品、あるいはその双方全移動させる。例え
ば処理ガス供給管を回転あるいは往復させて間欠的ある
いは連続的に位置を変える。同様に、被処理品と処理ガ
ス供給管の双方全移動させる場合は被処理品も相対的に
移動させる。そして、ガス噴出口の大きさ、その分布状
態を考慮することが好ましい。

このようなガスの分布状態とすることにより。

均一な分布で目的組成の被膜が形成される。

また、適切な当量比に調整され九反応性ガス全ガス供給
管により被処理品と補助電極間、あるいは補助電極間の
空間に供給して高電離密度のグロー放’ｔ’に発生させ
ることにより、底膜速度を高くしている。

ここで、処理ガス供給・制御系を第４図に示キャリアガ
ス１２１を流量制御器１３＆により、ハロゲン化物気化
ガスヲノ・ログン化物収納容器１５のガス入口側及び出
口側流量制御器１３ｄ及び１３＠により制御する。流量
制御器１３ｆに、キャリアガスのバイパスを行う際に用
いるもので、容器１５のガス入ロ側流量制御器１３ｄと
出口側流量制御器１３・を閉じることでハロゲン化物を
含まないキャリアガスを流量制御するものである。流量
制御器１３ｂはハロゲン化物と反応するガス（以下、反
応ガスと言う。）１２ｂ’ｉ、流！制御器１３ｃは希釈
ガス１２ｃを制御する。

実施例１では、キャリアガス１２ａ及び希釈ガス１２ａ
として水素ガスを、ハロゲン化物としてＴｉＣｌ２全、
反応ガス１２ｂとして窒素ガスを用いた。

流量制御さｔ″Ｌ念処理ガスは、絶縁層１８により電気
的に絶縁されたガス回転供給機構１６全介して炉体１内
のガス供給管１７に導入する。

続いて、ガス濃度制御サイクルについて説明する。第１
図は、処理時間の経過に伴なうガス濃度及び処理温度の
変化を示す。キャリアガス及び希釈ガスの濃度は、曲線
ａに示すように、初期の放電が安定した後には一定の値
を保持する。キャリアガス１２ｍは流量制御器１３ｄ及
び１３ｅを閉じ、パイ／？スの流量制御器１３ｆで制御
して常にガスを流しておくことにより、大きなガス濃度
の変動がなく供給して保持できる。希釈ガス１２ｂは流
量制御器１３ｂにより富に一定に保持される。−万、ハ
ロゲン化物のガス濃度は曲線すに示すように１周期的に
ハロゲン化物ガスの供給を断続する。すなわち、被膜形
成工程Ａと被膜清浄化工程Ｂとを繰返している。被膜形
成工程Ａ″′Ｃは、処理ガスを全て供給して、被膜を形
成する期間である。被膜清浄化工程Ｂでは、ハロゲン化
物ガスの供給を停止し、水素ガスを供給して、膜中に取
り込１れ念ハロゲンを除去するものである。なお、反応
ガス１２ｃは流量制御器１３ｅにより常に一定に保つか
、あるいは被膜形成工程Ａのみに供給し、ガス濃度を高
くしても良い。

ハロゲン化物は被膜形成工程Ａのみに流量制御器１’３
ｄ、１３ｅによりキャリアガス１２ｍを制御しながら供
給され、ガス濃度を高くして保持される。この際、流量
制御器１３ｆは閉じられている。このようなガス濃度に
制御することにより、被膜形成工程゛Ａではハロゲン化
物と目的によって反応ガスが供給され、被膜が形成され
る。被膜清浄化工程でにキャリアガスと希釈ガスあるい
は場合によって反応ガスが供給され、これらのガスによ
りスフ９ツタクリーニングあるいは脱ガス及び水素ガス
による還元反応により清浄化が行われ、ハロダン化物の
反応生成物が混入されないか、あるいは混入しても非常
に微量である被膜が形成される。

なお、各被膜形成工程Ａで堆積する膜中に取込でれてい
るハロゲンを直後の被膜清浄工程Ｂで除去するものであ
るから、清浄化可能な堆積膜厚とする必要があり、被膜
清浄工程の条件に応じて、各被膜形成工程の時間全定め
なければならない。すなわち被膜形成工程Ａの処理時間
が長くなり被膜が厚くなると被膜表面のみのスパッタク
リーニングと脱ガス及び還元反応になってしまい、被膜
内部にはハロゲン化物の反応生成物が残留してし鷹う之
めである。なお、各被膜清浄化工程は十分長くする必要
がある。

ハロゲン化物ガスの供給を停止しても、ガス配管内ある
いは被処理品の周辺に一定時間ハログン化ガスが残留し
、直ちにガス濃度が０（！：ばならないからである。実
施例１では、被膜形成工程Ａ及び被膜清浄化工程Ｂの処
理時間をそれぞれ、１分間及び３分間として、これらの
工程を各々２０回繰返した。

以上のように、被膜清浄化工程Ｂにより清浄化され念薄
い被膜を繰返して形成して目的の厚さの被膜を形成する
ことにより、ハロゲン化物の反応生成物等を残留しない
被膜を形成することができる。

被処理部材と（−てはＪＩＳ規格ＳＫＤ　６１熱間ダイ
ス鋼６１種製のアルミダイキャスト型用ピン（直径Ｌｏ
ｗで段付、高さ１２０　ｍ　）を使用した。

第５図の補助電極５ａ、５ｂは高さ１５０憩で、補助電
極５ａの内径は直径３４０箇、補助電極５ｂの外径は直
径２５０ｍで、いずれも厚さ５−の軟鋼製を用いた。こ
の補助電極５ａの内径及び補助電極５ｂの外径の中間で
ある直径２９５ｍの円周上に、被処理品２のビン？約５
０園間隔で１２本設置した。ガス供給管１７は補助電極
５ａ、５ｂと被処理品２のビンの空間に六等分した角度
にそれぞれ２本、計１２本設けた。このガス供給管には
端部１３０ｘｍの範囲に直径０．８から１．５　ｍｍの
ガス噴出口２２を端部に向かうにしたがい大きくなるよ
うにして多数開口されている。

コーティング処理は、真空ポンプ６により炉体１の内部
を５Ｘ１０　　Ｔｏｒｒ以下の真空度に真空排気した後
、上記のように流ｉ調整した処理ガスを導入し、４００
〜９００ｖの直流電圧を印加して、被処理品２と補助電
極５ａ、５ｂの間の空間に高電離密度のプラズマを発生
させた。処理温度は９００℃とした。その結果、ＴＩＮ
コーティング被膜が厚さ４μｍ程度形成されており、Ｔ
ＩとＮの化学組成の比は１に近い値であった。また、Ｅ
ＰＭＡ　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　Ｍｉｃｒｏ
　Ａｎａｌｙｚｅｒ）の結果、塩素は検出されなかった
。そして、表面硬さはビッカース硬さで約Ｈｖ２２００
であり、十分硬い値を示していた。したがって被膜中に
は硬さ等の特性に悪影響を及ぼすＨＣｊ　、　ＮＨ４Ｃ
ｌの混入のない、またはあっても検出されない程度の微
量であり、純度の高いＴＩＮ被膜が形成されていること
が明確である。なお、ＨＣｌ　。

ＮＴ（４ＣｔばＴｌＣ４４，Ｎ２及びＮ２による反応生
成物である。

一方、従来法で形成され７’ｌ−ＴＩＮ被膜は、そのビ
ッカース硬ざはＨｖ　９００程度であり、低い値であっ
た。”ｆ　７’ｈ　ＥＰＭＡによればＣｔのピークが認
められ、Ｔ１の検出強度に対するＣｔのそれの比ば０，
０６であった。したがって、従来法で形成した被膜中に
はＨＣ７あるいはＮＨ４Ｃ６の状態で不純物が残留して
いることが明確である。

以上のように、本実施例によれば不純物の混入の少ない
ＴＩＮ被膜を形成できることが明瞭に確認芒ｆ″Ｌ念。

１’ｃ、ｇ２図、第３図に示す装置についても。

それぞれ同様の処理を行なった結果、ＨＣｌ、ＮＨ２Ｃ
ｌのいずれも含１ない純度の高いＴｉＮ膜を得た。

実施例２第６図に示したＤＣプラズマＣＶＤ装置ヲ用い。

第７図に示したガス供給口を兼ね備えた電極考造を用い
て１図１に示す曲線の処理ガス濃度になるよ５にしてＢ
Ｎコーティングを行った。４被処理部材としてｆｉＷｃ
−Ｃｏ系超硬合金のチップ（１５Ｘ１５Ｘ５ｔ）を使用
した。この被処理品２は陰極及び陽極から絶縁した治具
に設置し、これに対向してガス供給口を兼ね備えた電極
５′全電極のガス供給口から被処理部材２１での距離を
２０ｍにして配設した。なお、を極５′は耳７図に示す
ような構造ヲしている。電極５′の被処理部材２に面し
た側には、直径０．５　Ｗのガス供給口２２が多数配列
されており、このガス供給口２２の近傍には供給口２２
を囲むよ５に高さ１５■、厚さ２■のＳＵＳ　３０４製
の板２４が長手方向に間隔４ｍ＋で複数配置されている
。

コーティング処理は、真空ボン７°６により炉体１の内
部ｋｌＸ１０　　Ｔｏｒｒ以下に減圧し、希釈ガス１２
ｃに水素ガスを用いて流量制御器１３ｃで制御し３００
〜１００ＯＶの直流加圧金印加して電極６にグロー放電
を発生させ、高さ１５■、厚さ２ｍｓ＋０８ＵＳ製の板
の間で高電Ｒｑ！！度放１！全発生させた。この際、被
処理部材２にはグロー放電は発生しておらず、電極５′
からの輻射熱により加熱されて９００℃に保持される。

次いで、Ｂ源のハロゲン化物としてデンベに入ったＢｃ
ｔ、全２０℃に保温し気化したガス金流債制御器により
制御するとともに、反応ガス１２ｂとしてアンモニアガ
スを流量制御器１３ｂで制御して供給した。なお、ＢＣ
ｌ３は蒸気圧が高いのでこの実施例ではキャリアガスは
用いなかった。

これらの処理ガスの濃度サイクルは、被膜形成工程Ａの
処理時間を３０秒、被膜清浄化工程Ｂ’に２分間として
、これらの工程を３０回行った。なお、反応ガス１２ｂ
のアンモニアガスは、被膜清浄工程Ｂにおいては供給せ
ず、曲線すと同様のガス濃度とし念。このようにして、
９００℃にて総計の被膜形成時間１５分、被膜清浄時間
６０分のＢＮコーティング処理を行った。

−１’を比較として従来法についても、ＢＣｌ３、アン
モニア及び水素ガスを１５分間供給して処理を行っ之。

その結果、本発明法によれば、ＢＮコーティング被被膜
３μｍ形成されており、結晶構造はＸ線回折によればｈ
ｅｘａｇｏｎａｌであることがらｈ　−ＢＮであった。

なお、Ｘ＠回折ではこのｈ’−ＢＮ及び被処理部材のＷ
ｅ−Ｃｏ超硬合金の回折線のみで、ＮＩ（４Ｃ４等の不
純物の回折線は同定されなかった。Ｅハ仏による表面分
析結果でも、Ｃｔのピークが認められなかった。したが
って、本発明法でに高純度のＢＮ膜が形成されているこ
とが明確である。

一方、従来法で形成されたＢＮ膜に、剥雑しやすく、Ｅ
ＰＭＡによる分析においてもＣ４のピークが認められて
、Ｔｌに対するＣ２のピーク高さの比は０．０４であっ
た。このように、従来法により形成され之被膜には不純
物として）・ログン化物の反応生成物が残留しているた
めに剥離しやすいものと考えられる。−万１本実施例で
は不純物の残留が少ない高純度の被膜である念めにＥ着
性も良い被膜が形成できる。

実施例３第８図（１）に示す平行平板型Ｒ，Ｆ、プラズマＣＶＤ
装置を用いて、実施例１，２と同様の処理を行ない、純
度の高い被膜を得念。バイアス電圧を適切に選ぶことに
より、被膜形成工程中においてもホローカソード放電の
時間比率をｎ密に調整することが可能となり、膜厚方向
の純度分布をより均一とすることができる。

第８図（ｂ）に示すヘキソード型Ｒ，Ｆ、プラズマＣｖ
Ｄ装置を用いて、ＴｉＮ膜、ＢＮ膜を炸裂し。

純度の高い膜を得た。

〔発明の効果〕

本発明によれば、膜の特性に対し有害なハロゲノの濃度
が低い純度が良く、特性の秀れた膜の製造が可能となっ
念。特に、膜厚方向のノ・ロダン濃度分布を均一に、し
かも低くすることが可能となるので、特性の秀れ念厚膜
の製造に適する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における処理ガス濃度及び処理温度を表
わす図、第２図は典型的なりＣプラズマＣＶＤ装置の概
略図、第３図は補助電極を有するＤＣプラズマＣｖＤ装
置の概略図、第４図は補助電極とガス供給管を有するＤ
ＣプラズマＣＶＤ装置の概略図、第５図は第４図におけ
る補助１！極、ガス供給管及び被処理品の配置図、第６
図は被処理品を電気的に中性とし、対向電極全有するＤ
ＣプラズマＣＶ’Ｄ装置の概略図、第７図は第６図にお
ける対向電極の斜視図、第８図（ａ）　、　（ｂ）はＲ
Ｆ７’ラズマＣＶＤ装置の概略図である。１・・・炉体、　　　　　　　２・・・被処理品、３・
・・回転保持部材、　　４・・・直流電源、５ａ　＊　
ｓｂ・・・補助電極、５′・・・特殊を極、６・・・真
空排気系、　　　７・・・陽極端子、８・・・回転陰極
端子、　　９・・・回転電力供給機構、１１・・・真空
測定子、１２１Ｌ、１２ｂ、１２ｅ・・・キャリア、反応、希釈
ガス、１３・・・ガス流量制御系、１３ａ＊１３ｂ＋１３ａｓ１３ｄ、１３ｅ＊１３ｆ　−
・・流量制御器、１５・・・ハロゲン化物収納容器、１６・・・ガス回転供給機構、１７・・・ガス供給管、　　２１・・・電動機。２２・・・ガス噴出口、　　　２４・・・８ＵＳ　３０
４製板。２５・・・高周波電源。

Claims

【特許請求の範囲】

１、目的被膜の金属又は半金属成分元素のハロゲン化物
の気化ガスと水素ガス、不活性ガス又はこれらの混合ガ
スを主成分とする処理ガスを容器内に導入し、被処理品
の近傍でグロー放電を起こし、上記ガスを励起、解離し
て、被処理品表面に膜を堆積する方法において、グロー
放電を維持しつつ該ハロゲン化物の気化ガスの供給を周
期的に断続することを特徴とするグロー放電による被覆
方法。