JP2000273644A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2000273644A JP2000273644A JP7520799A JP7520799A JP2000273644A JP 2000273644 A JP2000273644 A JP 2000273644A JP 7520799 A JP7520799 A JP 7520799A JP 7520799 A JP7520799 A JP 7520799A JP 2000273644 A JP2000273644 A JP 2000273644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electrode
- film
- forming
- magnesium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドーピング材料の利用効率を向上させ、所望
の材料をドーピングした薄膜を容易に形成する。 【解決手段】 原材料ガスをプラズマにより分解して膜
形成を行うプラズマＣＶＤ装置であって、プラズマを発
生させるためのプラズマ発生用電極１６を、プラズマＣ
ＶＤで形成される膜にドーピングを施したい材料もしく
はその化合物、例えばアルミニウムにより構成したこと
を特徴とする。
の材料をドーピングした薄膜を容易に形成する。 【解決手段】 原材料ガスをプラズマにより分解して膜
形成を行うプラズマＣＶＤ装置であって、プラズマを発
生させるためのプラズマ発生用電極１６を、プラズマＣ
ＶＤで形成される膜にドーピングを施したい材料もしく
はその化合物、例えばアルミニウムにより構成したこと
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装
置およびプラズマＣＶＤ装置を用いた膜の形成方法に係
り、特に、二次電子放出係数が大きいため、放電開始電
圧低減をはかり駆動の容易化を図るためのプラズマディ
スプレイパネルの誘電体保護膜などとして利用される酸
化マグネシウム膜および酸化マグネシウム膜を成膜する
際に使用されるプラズマＣＶＤ装置と薄膜形成方法に関
する。
置およびプラズマＣＶＤ装置を用いた膜の形成方法に係
り、特に、二次電子放出係数が大きいため、放電開始電
圧低減をはかり駆動の容易化を図るためのプラズマディ
スプレイパネルの誘電体保護膜などとして利用される酸
化マグネシウム膜および酸化マグネシウム膜を成膜する
際に使用されるプラズマＣＶＤ装置と薄膜形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化学気相成長法の一つであるプラ
ズマＣＶＤ法は結晶の配向性が制御しやすく緻密な膜が
形成できる。その一例として、特に良好な結晶配向性を
有する酸化マグネシウム膜が得られる化学気相成長方法
については、例えば「ジェイピーエヌ ジェイ アプラ
イ フィジックス 第３２巻 １９９３年」（Jpn. J.A
ppl.Phys.Vol.32(1993)pp.L1448-1450 Part2,No.10Ａ,1
October 1993）および「ジェイピーエヌ ジェイ ア
プライ フィジックス 第３３巻 １９９４年」（Jpn.
J.Appl.Phys.Vol.33(1994)pp.6331-6335,Part1,No.11,N
ovember 1994）等に示されている。
ズマＣＶＤ法は結晶の配向性が制御しやすく緻密な膜が
形成できる。その一例として、特に良好な結晶配向性を
有する酸化マグネシウム膜が得られる化学気相成長方法
については、例えば「ジェイピーエヌ ジェイ アプラ
イ フィジックス 第３２巻 １９９３年」（Jpn. J.A
ppl.Phys.Vol.32(1993)pp.L1448-1450 Part2,No.10Ａ,1
October 1993）および「ジェイピーエヌ ジェイ ア
プライ フィジックス 第３３巻 １９９４年」（Jpn.
J.Appl.Phys.Vol.33(1994)pp.6331-6335,Part1,No.11,N
ovember 1994）等に示されている。
【０００３】そこで以下では薄膜を形成するための、従
来のプラズマＣＶＤ装置でドーピングを施した一例につ
いて図面を参照しながら説明する。図３は、従来のプラ
ズマＣＶＤ法により所望の材料をドーピングした薄膜を
形成する形成装置の概略図を示したものである。但し、
ここでは薄膜として所望の材料をドーピングした酸化物
薄膜を形成する場合を例に挙げて説明することとする。
来のプラズマＣＶＤ装置でドーピングを施した一例につ
いて図面を参照しながら説明する。図３は、従来のプラ
ズマＣＶＤ法により所望の材料をドーピングした薄膜を
形成する形成装置の概略図を示したものである。但し、
ここでは薄膜として所望の材料をドーピングした酸化物
薄膜を形成する場合を例に挙げて説明することとする。
【０００４】成膜室１は、ＲＦ電源２から印加される電
圧によってプラズマ３を発生させるためのプラズマ発生
用電極４、およびプラズマ発生用電極４上のプラズマ３
の発生領域を限定するシ−ルド５、プラズマ発生用電極
４と成膜室１を電気的に絶縁するための絶縁物６、成膜
する基板７を加熱する基板加熱ランプ８、基板７を保持
する基板ホルダ−９を備え、加熱されガス化した原材料
は、キャリアガスにより輸送され、原材料ガス供給ライ
ン系１０から供給される。この原材料は酸化物薄膜材料
とドーピングを施す材料を含んでいる。
圧によってプラズマ３を発生させるためのプラズマ発生
用電極４、およびプラズマ発生用電極４上のプラズマ３
の発生領域を限定するシ−ルド５、プラズマ発生用電極
４と成膜室１を電気的に絶縁するための絶縁物６、成膜
する基板７を加熱する基板加熱ランプ８、基板７を保持
する基板ホルダ−９を備え、加熱されガス化した原材料
は、キャリアガスにより輸送され、原材料ガス供給ライ
ン系１０から供給される。この原材料は酸化物薄膜材料
とドーピングを施す材料を含んでいる。
【０００５】また、酸素を含む反応性ガスが反応性ガス
供給ライン系１１から供給される。高密度プラズマを安
定に発生させるためプラズマ発生用電極の背後には永久
磁石１２を設置し、永久磁石１２を内蔵し、プラズマ発
生用電極４を取り付けたカソ−ドホルダ−１３は電極冷
却用の水冷系１４が設置され、水冷されている。成膜室
１は真空排気系１５により排気され、所定の真空度に設
定される。
供給ライン系１１から供給される。高密度プラズマを安
定に発生させるためプラズマ発生用電極の背後には永久
磁石１２を設置し、永久磁石１２を内蔵し、プラズマ発
生用電極４を取り付けたカソ−ドホルダ−１３は電極冷
却用の水冷系１４が設置され、水冷されている。成膜室
１は真空排気系１５により排気され、所定の真空度に設
定される。
【０００６】プラズマ発生用電極４は、水冷系１４によ
り冷却される。
り冷却される。
【０００７】本装置により、次のように成膜は行われ
る。原材料ガス供給系１０と反応性ガス供給系１１から
原材料ガスと酸素を含む反応性ガスが成膜室１に導入さ
れ、真空排気系１５により所定の圧力に設定される。原
材料ガスには少なくともプラズマＣＶＤ法で形成したい
材料とドーピングしたい材料を含んだガスを用いてい
る。
る。原材料ガス供給系１０と反応性ガス供給系１１から
原材料ガスと酸素を含む反応性ガスが成膜室１に導入さ
れ、真空排気系１５により所定の圧力に設定される。原
材料ガスには少なくともプラズマＣＶＤ法で形成したい
材料とドーピングしたい材料を含んだガスを用いてい
る。
【０００８】基板７は基板加熱ランプ８により所定の温
度に加熱されている。ＲＦ電源２によりプラズマ発生用
電極４に電圧が印加されると、プラズマ３が発生する。
供給された原材料ガスは基板７・プラズマ発生用電極４
の間においてプラズマにより分解され、また同時に、プ
ラズマ３により活性化、また電離した酸素と結びつき酸
化物となり基板７上に積層し、所望の材料をドーピング
した酸化物薄膜が形成される。
度に加熱されている。ＲＦ電源２によりプラズマ発生用
電極４に電圧が印加されると、プラズマ３が発生する。
供給された原材料ガスは基板７・プラズマ発生用電極４
の間においてプラズマにより分解され、また同時に、プ
ラズマ３により活性化、また電離した酸素と結びつき酸
化物となり基板７上に積層し、所望の材料をドーピング
した酸化物薄膜が形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマＣ
ＶＤ装置は原材料をガス化し、成膜室内に流すことによ
り、薄膜形成を行う基板近傍にたまたま到達した粒子の
みが気相成長により薄膜として形成されるため、実際は
膜にならずに排気されてしまう原材料が多く利用効率が
悪い。通常、薄膜形成材料のみが原材料として用いられ
るが、プラズマＣＶＤ装置を用いてドーピングを行う場
合はドーピング材料も原材料ガスに含まれるため、ドー
ピングしたい材料も膜にならず排気されてしまいドーピ
ング材料の利用効率は悪くなることとなる。
ＶＤ装置は原材料をガス化し、成膜室内に流すことによ
り、薄膜形成を行う基板近傍にたまたま到達した粒子の
みが気相成長により薄膜として形成されるため、実際は
膜にならずに排気されてしまう原材料が多く利用効率が
悪い。通常、薄膜形成材料のみが原材料として用いられ
るが、プラズマＣＶＤ装置を用いてドーピングを行う場
合はドーピング材料も原材料ガスに含まれるため、ドー
ピングしたい材料も膜にならず排気されてしまいドーピ
ング材料の利用効率は悪くなることとなる。
【００１０】また、プラズマＣＶＤ法で形成したい材料
とドーピングしたい材料をそれぞれガス化し、原材料ガ
スとして成膜室１に導入する際に、それぞれの材料には
固有のガス化する温度が有るため、プラズマＣＶＤ法で
形成したい材料をガス化する原材料気化器とドーピング
したい材料をガス化する原材料気化器を必要とする。ド
ーピング材料をプラズマＣＶＤ膜に所望の割合で取り込
ませるには、ドーピング材料用気化器とプラズマＣＶＤ
膜用気化器を用いてそれぞれのガス流量をコントロール
する必要があり、装置的に複雑となる。
とドーピングしたい材料をそれぞれガス化し、原材料ガ
スとして成膜室１に導入する際に、それぞれの材料には
固有のガス化する温度が有るため、プラズマＣＶＤ法で
形成したい材料をガス化する原材料気化器とドーピング
したい材料をガス化する原材料気化器を必要とする。ド
ーピング材料をプラズマＣＶＤ膜に所望の割合で取り込
ませるには、ドーピング材料用気化器とプラズマＣＶＤ
膜用気化器を用いてそれぞれのガス流量をコントロール
する必要があり、装置的に複雑となる。
【００１１】そこで、本発明は、この様な課題を解決す
るために創案されたものであり、ドーピング材料の利用
効率を向上させた、所望の材料をドーピングした薄膜を
容易に形成するためのプラズマＣＶＤ装置を提供するも
のである。
るために創案されたものであり、ドーピング材料の利用
効率を向上させた、所望の材料をドーピングした薄膜を
容易に形成するためのプラズマＣＶＤ装置を提供するも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマＣ
ＶＤ装置は、原材料ガスをプラズマにより分解して膜形
成を行うプラズマＣＶＤ装置であって、プラズマを発生
させるためのプラズマ発生用電極を、プラズマＣＶＤで
形成される膜にドーピングを施したい材料、もしくはそ
の化合物により構成したことを特徴とする。
ＶＤ装置は、原材料ガスをプラズマにより分解して膜形
成を行うプラズマＣＶＤ装置であって、プラズマを発生
させるためのプラズマ発生用電極を、プラズマＣＶＤで
形成される膜にドーピングを施したい材料、もしくはそ
の化合物により構成したことを特徴とする。
【００１３】また、プラズマ発生用電極に高周波（Ｒ
Ｆ）電圧とＤＣ電圧を同時に印加することを特徴とす
る。
Ｆ）電圧とＤＣ電圧を同時に印加することを特徴とす
る。
【００１４】本発明によれば、ドーピングしたい材料も
しくはその化合物からなるプラズマ発生用電極がプラズ
マに曝されることによりスパッタリングされ、プラズマ
発生用電極と対向する離間位置に配置された被成膜基板
に飛散し、薄膜中に取り込まれ所望のドーピングを施し
た薄膜を形成することができる。
しくはその化合物からなるプラズマ発生用電極がプラズ
マに曝されることによりスパッタリングされ、プラズマ
発生用電極と対向する離間位置に配置された被成膜基板
に飛散し、薄膜中に取り込まれ所望のドーピングを施し
た薄膜を形成することができる。
【００１５】また、ドーピング材料はスパッタリングに
より薄膜中に取り込まれるため、ドーピング材料をガス
化し成膜室内に流し基板近傍にたまたま到達した粒子が
基板上に成長する従来法と比べてドーピング材料の利用
効率は向上することとなる。
より薄膜中に取り込まれるため、ドーピング材料をガス
化し成膜室内に流し基板近傍にたまたま到達した粒子が
基板上に成長する従来法と比べてドーピング材料の利用
効率は向上することとなる。
【００１６】また、ドーピング材料用の原材料気化器を
必要としないため，装置構成が簡単となる。
必要としないため，装置構成が簡単となる。
【００１７】また、プラズマＣＶＤとして作用するプラ
ズマ密度を主にＲＦ電源から印加する電圧により制御
し、プラズマ発生用電極のスパッタリングを主にＤＣ電
源から印加する電圧により制御することができる。これ
により、ＲＦ電源から印加する電圧を制御することによ
り、プラズマ密度を変化させ、プラズマＣＶＤによる薄
膜成長を制御すると同時に、ＤＣ電源から印加する電圧
を制御することにより、プラズマ発生用電極のスパッタ
リング速度を制御し、プラズマＣＶＤ装置を用いて形成
される膜中に含まれるドーピング材料の割合を制御でき
る装置を実現し得ることになる。
ズマ密度を主にＲＦ電源から印加する電圧により制御
し、プラズマ発生用電極のスパッタリングを主にＤＣ電
源から印加する電圧により制御することができる。これ
により、ＲＦ電源から印加する電圧を制御することによ
り、プラズマ密度を変化させ、プラズマＣＶＤによる薄
膜成長を制御すると同時に、ＤＣ電源から印加する電圧
を制御することにより、プラズマ発生用電極のスパッタ
リング速度を制御し、プラズマＣＶＤ装置を用いて形成
される膜中に含まれるドーピング材料の割合を制御でき
る装置を実現し得ることになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るプラズマＣＶＤ装置について、図１を参照しながら説
明する。尚、プラズマＣＶＤ装置により形成する膜とし
ては、アルミニウムをドーピングした酸化マグネシウム
膜を例に挙げて説明することとする。
るプラズマＣＶＤ装置について、図１を参照しながら説
明する。尚、プラズマＣＶＤ装置により形成する膜とし
ては、アルミニウムをドーピングした酸化マグネシウム
膜を例に挙げて説明することとする。
【００１９】本発明者らは、プラズマディスプレイパネ
ルにおける誘電体の耐スパッタ用保護膜として用いる酸
化マグネシウム膜をプラズマＣＶＤ法により形成するこ
とを念頭におき、本発明に至った。尚、図３と同一構成
要素には同一番号を付し、詳しい説明を省略する。
ルにおける誘電体の耐スパッタ用保護膜として用いる酸
化マグネシウム膜をプラズマＣＶＤ法により形成するこ
とを念頭におき、本発明に至った。尚、図３と同一構成
要素には同一番号を付し、詳しい説明を省略する。
【００２０】成膜装置を構成する成膜室１内には、ＲＦ
電源２から印加される交流電圧によってプラズマ３を発
生させるステンレス鋼製や銅製などのカソードホルダー
１３と、プラズマ３の発生領域を限定するシールド部材
５と、成膜室１及びカソードホルダー１３間を電気的に
絶縁する絶縁部材６と、被成膜基板７を位置決めして保
持する基板ホルダ９と、被成膜基板７を加熱する加熱ラ
ンプ８とが配設されている。
電源２から印加される交流電圧によってプラズマ３を発
生させるステンレス鋼製や銅製などのカソードホルダー
１３と、プラズマ３の発生領域を限定するシールド部材
５と、成膜室１及びカソードホルダー１３間を電気的に
絶縁する絶縁部材６と、被成膜基板７を位置決めして保
持する基板ホルダ９と、被成膜基板７を加熱する加熱ラ
ンプ８とが配設されている。
【００２１】ここでのカソードホルダー１３は、被成膜
基板７と対向する離間位置に配置されたうえで冷却水循
環系１４を介して冷却されるものであり、カソードホル
ダー１３のプラズマ曝露部位、つまり、プラズマ３に対
して曝されるカソードホルダー１３の上側位置には、ア
ルミニウムを用いて作製されたプラズマ発生用電極１６
が取り付けられている。
基板７と対向する離間位置に配置されたうえで冷却水循
環系１４を介して冷却されるものであり、カソードホル
ダー１３のプラズマ曝露部位、つまり、プラズマ３に対
して曝されるカソードホルダー１３の上側位置には、ア
ルミニウムを用いて作製されたプラズマ発生用電極１６
が取り付けられている。
【００２２】また、この際における成膜室１の所定位置
ごとには、マグネシウムを含む有機金属化合物、例え
ば、一般式Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2 で示される粉末状のア
セチルアセトン金属錯塩を加熱することによってガス化
してなる原材料ガスを、窒素をキャリアガスとして輸送
する原材料ガス供給系１０と、酸素を含む反応ガスを供
給する反応性ガス供給系１１と、成膜室１内の排気時に
使用される真空ポンプ１５とがそれぞれ接続されてい
る。
ごとには、マグネシウムを含む有機金属化合物、例え
ば、一般式Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2 で示される粉末状のア
セチルアセトン金属錯塩を加熱することによってガス化
してなる原材料ガスを、窒素をキャリアガスとして輸送
する原材料ガス供給系１０と、酸素を含む反応ガスを供
給する反応性ガス供給系１１と、成膜室１内の排気時に
使用される真空ポンプ１５とがそれぞれ接続されてい
る。
【００２３】このプラズマＣＶＤ装置を使用することに
よっては、以下のような手順に従ったアルミニウムをド
ーピングした酸化マグネシウム膜の成膜処理が実行され
る。まず、マグネシウムを含む一般式Ｍｇ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）2 で示される粉末状のアセチルアセトン金属錯塩
がガス化されてなる原材料ガスを原材料ガス供給系１０
を通して、また、酸素を含む反応性ガスを反応性ガス供
給系１１を通して成膜室１内に供給することが行われた
後、この成膜室１内は真空排気系１５でもって所要の圧
力状態に設定される。なお、この際における被成膜基板
７は予め基板ホルダ９によって保持されており、加熱ラ
ンプ８でもって所要の温度に達するまで加熱されてい
る。
よっては、以下のような手順に従ったアルミニウムをド
ーピングした酸化マグネシウム膜の成膜処理が実行され
る。まず、マグネシウムを含む一般式Ｍｇ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）2 で示される粉末状のアセチルアセトン金属錯塩
がガス化されてなる原材料ガスを原材料ガス供給系１０
を通して、また、酸素を含む反応性ガスを反応性ガス供
給系１１を通して成膜室１内に供給することが行われた
後、この成膜室１内は真空排気系１５でもって所要の圧
力状態に設定される。なお、この際における被成膜基板
７は予め基板ホルダ９によって保持されており、加熱ラ
ンプ８でもって所要の温度に達するまで加熱されてい
る。
【００２４】引き続き、ＲＦ電源２からカソードホルダ
ー１３に対してＲＦ電圧を印加すると、被成膜基板７と
対向配置されたカソードホルダー１３の上側位置に取り
付けられたアルミニウムからなるプラズマ発生用電極１
６上ではプラズマ３が発生することになり、成膜室１内
に供給されていた原材料ガス及び反応性ガスは被成膜基
板７の近傍で熱分解されると共に、プラズマ３中で分解
される。そして、原材料ガスの分解成分は瞬時にプラズ
マ３によって励起、解離、電離させられた酸素と結合す
ることになり、マグネシウムと酸素とが結合してなる酸
化マグネシウムは被成膜基板７の表面上に堆積して酸化
マグネシウム膜となる。
ー１３に対してＲＦ電圧を印加すると、被成膜基板７と
対向配置されたカソードホルダー１３の上側位置に取り
付けられたアルミニウムからなるプラズマ発生用電極１
６上ではプラズマ３が発生することになり、成膜室１内
に供給されていた原材料ガス及び反応性ガスは被成膜基
板７の近傍で熱分解されると共に、プラズマ３中で分解
される。そして、原材料ガスの分解成分は瞬時にプラズ
マ３によって励起、解離、電離させられた酸素と結合す
ることになり、マグネシウムと酸素とが結合してなる酸
化マグネシウムは被成膜基板７の表面上に堆積して酸化
マグネシウム膜となる。
【００２５】ここで、同時にカソードホルダー１３の上
側位置に取り付けられたアルミニウムからなるプラズマ
発生用電極１６のプラズマ曝露部位がスパッタリングさ
れることにより、電極材料であるアルミニウムが飛散
し、酸化マグネシウム膜中に電極材料であるアルミニウ
ムが取り込まれ、アルミニウムをドーピングした酸化マ
グネシウム膜を実現し得ることになる。
側位置に取り付けられたアルミニウムからなるプラズマ
発生用電極１６のプラズマ曝露部位がスパッタリングさ
れることにより、電極材料であるアルミニウムが飛散
し、酸化マグネシウム膜中に電極材料であるアルミニウ
ムが取り込まれ、アルミニウムをドーピングした酸化マ
グネシウム膜を実現し得ることになる。
【００２６】本手法によれば酸化マグネシウム膜のプラ
ズマＣＶＤ装置のプラズマ発生用電極材料にアルミニウ
ムを用いることにより、酸化マグネシウムへのアルミニ
ウムのドーピングを容易に実現することができる。
ズマＣＶＤ装置のプラズマ発生用電極材料にアルミニウ
ムを用いることにより、酸化マグネシウムへのアルミニ
ウムのドーピングを容易に実現することができる。
【００２７】また、ドーピング材料はスパッタリングに
より薄膜中に取り込まれるため、ドーピング材料をガス
化し成膜室内に流し基板近傍にたまたま到達した粒子が
基板上に成長する従来法と比べてドーピング材料の利用
効率は向上し、また、ドーピング材料用の原材料気化器
を必要としないため装置構成が簡単となり、ドーピング
材料の使用効率が良く、なおかつ構成が簡単なプラズマ
ＣＶＤ装置を実現することができる。
より薄膜中に取り込まれるため、ドーピング材料をガス
化し成膜室内に流し基板近傍にたまたま到達した粒子が
基板上に成長する従来法と比べてドーピング材料の利用
効率は向上し、また、ドーピング材料用の原材料気化器
を必要としないため装置構成が簡単となり、ドーピング
材料の使用効率が良く、なおかつ構成が簡単なプラズマ
ＣＶＤ装置を実現することができる。
【００２８】なお、本実施例において、原材料ガス供給
系１０と反応性ガス供給系１１を別々に成膜室に導入し
たが、成膜室に導入する前に混合した状態で成膜室に導
入してもよく本実施例に限定されるものではない。
系１０と反応性ガス供給系１１を別々に成膜室に導入し
たが、成膜室に導入する前に混合した状態で成膜室に導
入してもよく本実施例に限定されるものではない。
【００２９】また、本実施例において、反応性のガスと
して酸素ガスを導入したが、水素ガスおよび酸素ガス、
もしくは水をガス化し導入してもよい。これにより実験
においては約２倍の成膜速度が得られた。詳細な要因は
不明であるが、それぞれのガスがプラズマの影響により
励起、解離、電離等が促進され活性な状態になっている
ため、マグネシウムを含む原材料ガスの分解反応が促進
されるためと推察される。
して酸素ガスを導入したが、水素ガスおよび酸素ガス、
もしくは水をガス化し導入してもよい。これにより実験
においては約２倍の成膜速度が得られた。詳細な要因は
不明であるが、それぞれのガスがプラズマの影響により
励起、解離、電離等が促進され活性な状態になっている
ため、マグネシウムを含む原材料ガスの分解反応が促進
されるためと推察される。
【００３０】また、本実施例において、基板７、基板ホ
ルダ−９は固定されプラズマ発生用電極１６に対して静
止した状態であるが、膜厚均一性向上、また、生産性向
上のため基板７、基板ホルダ−９を回転させる、または
プラズマ発生用電極に対して搬送させてもよく、本実施
例に限定されるものではない。
ルダ−９は固定されプラズマ発生用電極１６に対して静
止した状態であるが、膜厚均一性向上、また、生産性向
上のため基板７、基板ホルダ−９を回転させる、または
プラズマ発生用電極に対して搬送させてもよく、本実施
例に限定されるものではない。
【００３１】電極にＲＦ電圧だけでなく同時にＤＣ電圧
を印加する実施例を図２に示す。
を印加する実施例を図２に示す。
【００３２】この構成により、カソードホルダー１３に
対して、ＲＦ電源２とＤＣ電源１７の両方から電圧を印
加する。プラズマＣＶＤとして作用するプラズマ密度を
主にＲＦ電源から印加する電圧により制御し、プラズマ
発生用電極のスパッタリングを主にＤＣ電源から印加す
る電圧により制御することができる。
対して、ＲＦ電源２とＤＣ電源１７の両方から電圧を印
加する。プラズマＣＶＤとして作用するプラズマ密度を
主にＲＦ電源から印加する電圧により制御し、プラズマ
発生用電極のスパッタリングを主にＤＣ電源から印加す
る電圧により制御することができる。
【００３３】このように、ＲＦ電源から印加する電圧を
制御することにより、プラズマ密度を変化させ、プラズ
マＣＶＤによる薄膜成長を制御すると同時に、ＤＣ電源
から印加する電圧を制御することにより、プラズマ発生
用電極のスパッタリング速度を制御し、プラズマＣＶＤ
装置を用いて形成される膜中に含まれるドーピング材料
の割合を制御できる装置を実現し得ることになる。
制御することにより、プラズマ密度を変化させ、プラズ
マＣＶＤによる薄膜成長を制御すると同時に、ＤＣ電源
から印加する電圧を制御することにより、プラズマ発生
用電極のスパッタリング速度を制御し、プラズマＣＶＤ
装置を用いて形成される膜中に含まれるドーピング材料
の割合を制御できる装置を実現し得ることになる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ドーピン
グ材料の利用効率を向上させた、所望の材料をドーピン
グした薄膜を容易に形成することができる。
グ材料の利用効率を向上させた、所望の材料をドーピン
グした薄膜を容易に形成することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の基本構成図
の基本構成図
【図２】本発明の他の実施例におけるプラズマＣＶＤ装
置の基本構成図
置の基本構成図
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の基本構成図
１ 成膜室 ２ ＲＦ電源 ３ プラズマ ４ プラズマ発生用電極 ５ シ−ルド ６ 絶縁物 ７ 基板 ８ 基板加熱ランプ ９ 基板ホルダ− １０ 原材料ガス供給系 １１ 反応性ガス供給系 １２ 永久磁石 １３ カソ−ドホルダ− １４ 水冷系 １５ 真空排気系 １６ アルミニウムからなるプラズマ発生用電極 １７ ＤＣ電源
フロントページの続き (72)発明者 安井 秀明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA11 AA14 BA01 BA42 FA01 FA03 KA14 KA46 LA11 5C027 AA03 AA07
Claims (8)
- 【請求項１】原材料ガスをプラズマにより分解して膜形
成を行うプラズマＣＶＤ装置であって、プラズマを発生
させるためのプラズマ発生用電極を、プラズマＣＶＤで
形成される膜にドーピングを施したい材料、もしくはそ
の化合物により構成したことを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置。 - 【請求項２】プラズマ発生用電極に高周波（ＲＦ）電圧
とＤＣ電圧を同時に印加することを特徴とする請求項１
記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】原材料にマグネシウムを含む有機金属固体
もしくは液体を用い、これをガス化し、少なくとも酸素
を含むガスとともにプラズマにより分解し、酸化マグネ
シウム膜を形成する酸化マグネシウム膜形成用のプラズ
マＣＶＤ装置であって、前記プラズマを発生させるため
のプラズマ発生用電極を、プラズマＣＶＤで形成される
膜にドーピングを施したい材料、もしくはその化合物に
より構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】原材料にマグネシウムを含む有機金属固体
もしくは液体を用い、これをガス化し、少なくとも酸素
を含むガスとともにプラズマにより分解し、酸化マグネ
シウム膜を形成する酸化マグネシウム膜形成用のプラズ
マＣＶＤ装置であって、前記プラズマを発生させるため
のプラズマ発生用電極を、アルカリ土類金属もしくはそ
の化合物により構成したことを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置。 - 【請求項５】プラズマ発生用電極を用いてプラズマを発
生させ、原材料ガスを前記プラズマにより分解して薄膜
の形成を行う場合、形成される薄膜にドーピングを施し
たい材料もしくはその化合物により構成したプラズマ発
生用電極を用いて薄膜を形成することを特徴とする薄膜
形成方法。 - 【請求項６】プラズマ発生用電極に高周波（ＲＦ）電圧
とＤＣ電圧を同時に印加して薄膜を形成することを特徴
とする請求項５記載の薄膜形成方法。 - 【請求項７】電極を用いてプラズマを発生させ、原材料
としてのマグネシウムを含む有機金属固体もしくは液体
をガス化し、少なくとも酸素を含むガスとともに前記プ
ラズマにより分解して酸化マグネシウム膜を形成する場
合、形成される膜にドーピングを施したい材料もしくは
その化合物により構成した電極を用いて酸化マグネシウ
ム膜を被成膜体に形成することを特徴とする薄膜形成方
法。 - 【請求項８】電極を用いてプラズマを発生させ、マグネ
シウムを含む有機金属固体もしくは液体をガス化し、少
なくとも酸素を含むガスとともに前記プラズマにより分
解して酸化マグネシウム膜を形成する場合、アルカリ土
類金属もしくはその化合物により構成した電極を用いて
酸化マグネシウム膜を被成膜体に形成することを特徴と
する薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7520799A JP2000273644A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7520799A JP2000273644A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273644A true JP2000273644A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13569530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7520799A Pending JP2000273644A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000273644A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006059786A (ja) * | 2004-03-19 | 2006-03-02 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP2006079977A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007035655A (ja) * | 2006-11-10 | 2007-02-08 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2010135344A (ja) * | 2010-03-17 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| US8076851B2 (en) | 2004-11-22 | 2011-12-13 | Panasonic Corporation | Plasma display having a crystalline MgO dielectric layer |
| CN103100365A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 北京低碳清洁能源研究所 | 一种具有中空阴极或双中空阴极的等离子体裂解碳质材料反应器*** |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP7520799A patent/JP2000273644A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4541832B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2006059786A (ja) * | 2004-03-19 | 2006-03-02 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP2006079977A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP4650824B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2011-03-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US8427054B2 (en) | 2004-11-22 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method of manufacturing same |
| US8076851B2 (en) | 2004-11-22 | 2011-12-13 | Panasonic Corporation | Plasma display having a crystalline MgO dielectric layer |
| US8253333B2 (en) | 2004-11-22 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having an mgO crystal layer for improved discharge characteristics and method of manufacturing same |
| US8258701B2 (en) | 2004-11-22 | 2012-09-04 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having a MgO crystal powder layer for improved discharge characteristics and method of manufacturing same |
| US8269419B2 (en) | 2004-11-22 | 2012-09-18 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having an MGO crystal layer for improved discharge characteristics and method of manufacturing same |
| US8508129B2 (en) | 2004-11-22 | 2013-08-13 | Panasonic Corporation | Plasma display panel including metal oxide crystal powder and method of manufacturing same |
| JP4542080B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2007035655A (ja) * | 2006-11-10 | 2007-02-08 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP4598154B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2010135344A (ja) * | 2010-03-17 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| CN103100365A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 北京低碳清洁能源研究所 | 一种具有中空阴极或双中空阴极的等离子体裂解碳质材料反应器*** |
| CN103100365B (zh) * | 2011-11-11 | 2015-05-13 | 北京低碳清洁能源研究所 | 一种具有中空阴极或双中空阴极的等离子体裂解碳质材料反应器*** |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0286306B1 (en) | Method and apparatus for vapor deposition of diamond | |
| EP2396808B1 (en) | Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| US8383210B2 (en) | Method of forming a film by deposition from a plasma | |
| JP3836184B2 (ja) | 酸化マグネシウム膜の製造方法 | |
| Xu et al. | Characterization of CNx films prepared by twinned ECR plasma source enhanced DC magnetron sputtering | |
| JP2000273644A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US6245394B1 (en) | Film growth method and film growth apparatus capable of forming magnesium oxide film with increased film growth speed | |
| RU2032765C1 (ru) | Способ нанесения алмазного покрытия из паровой фазы и устройство для его осуществления | |
| JP4531193B2 (ja) | スロットアンテナを用いたカーボンナノチューブ薄膜形成ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置及び該薄膜の形成方法 | |
| JPH031377B2 (ja) | ||
| JPH08222554A (ja) | プラズマを利用した成膜装置およびその方法 | |
| JPH10168570A (ja) | 酸化マグネシウム膜の成膜装置 | |
| JP2617539B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の製造装置 | |
| JP3577885B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置および酸化マグネシウム膜の形成方法 | |
| JPH1136078A (ja) | プラズマｍｏｃｖｄ装置 | |
| JP2000273636A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の形成方法 | |
| JPH11256341A (ja) | プラズマｍｏｃｖｄ装置および酸化マグネシウム膜 | |
| Matsumoto | Development of CVD diamond synthesis techniques | |
| JPS62177180A (ja) | 表面処理法 | |
| JPH01290761A (ja) | 蒸着方法および蒸着装置 | |
| JP3418795B2 (ja) | 溶融蒸発用金属組成物および金属の溶融蒸発方法 | |
| JPH05147908A (ja) | 立方晶窒化ホウ素粉末の製造方法 | |
| JPH08291381A (ja) | アーク放電型ｐｖｄ装置 | |
| JPH0747819B2 (ja) | プラズマフラッシュ蒸着方法および装置 | |
| JPH0133935B2 (ja) |