JPS63107114A - 投影光学装置 - Google Patents

投影光学装置

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JPS63107114A
JPS63107114A JP61252085A JP25208586A JPS63107114A JP S63107114 A JPS63107114 A JP S63107114A JP 61252085 A JP61252085 A JP 61252085A JP 25208586 A JP25208586 A JP 25208586A JP S63107114 A JPS63107114 A JP S63107114A
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wafer
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JP61252085A
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Takechika Nishi
健爾 西
Hideo Mizutani
英夫 水谷
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は投影光学装置に関し、とくにそのアライメン
ト系に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、半導体露光装置の投影光学装置(よテレセントリ
ックすなわち射出瞳がほぼ無限遠の光学系で構成されて
いるなめに、ウェハへの入射光路と、ウェハ面で反射し
て戻ってくる光路は共通すなわち同一経路をとる。した
がって、これらの光をマスクの上方に設けられたアライ
メント系内で分割してその位置情報を検出する手段とし
てハーフミラ−等の分割器を光路内に設けろ方式によっ
て、この分割ビームを用いて例えばアライメン)・光学
系の検出光として取出している。このようなアライメン
ト系の構成は、例えば特開昭57−142612号公報
に開示されている通り公知である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の投影光学装置においては、光路内に
ハーフミラ−等を用いて照明光とアライメント光学系へ
の検出光とを分割しているので、アライメント光学系に
戻ってくる元旦は上記ハーフミラーを最低2回通過しな
ければならないために、照明系の光景に対して最大でも
25%の光量しか得られないことになり、満足されるア
ライメント精度が得られない原因となることがあった。
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、光景損失が非常に少なく、かつアライメント精度が
改良される光学系を採用したアライメント系を得ろこと
を目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る投影光学装置においては、射出瞳がほぼ
無限遠(テレセントリック)な投影レンズが使われろ。
マスク(レチクルも同義)にはアライメント用のマーク
が設けられており、このマークは投影レンズを介して被
投影基板としてのウェハ(又はステージ上の基準板)に
設けられたマークと位置合わせするために使われる。マ
スク又は基板上のマークには光源から対物光学系を介し
て観察又は検出用の照明光が送られる。さらにこの対物
光学系はマスク上のマークと、投影レンズにより逆投影
されたウェハ上のマークの像との整合状態を、所定の観
察面上に結像するために設けられる。そして光源と対物
光学系との間で、投影レンズの瞳と共役な位置(光源が
点光源と考えられる場合は、ここに光源像が形成される
)には、瞳を中心で2分割したとき、その2分割された
一方の領域の少なくとも一部に照明光が通るように制限
する光学部材(反射ミラー等)が設けられる。
本発明では、アライメント用の照明光は、所謂瞳分割方
式でウニへ上に照射されるため、ウェハ面での照明光は
垂直ではなく角度をもつ。このためアライメント用のマ
ークが単純な1本の直線パターンであり、そのマークの
直線エツジをアライメント検出に使う場合、直線エツジ
を含む平面内で照明光が傾いているようにすることがア
ライメントのためには望ましい。
〔作用〕
この発明においては、テレセントリックな投影光学系で
、アライメント系の光路にハーフミラ−等の分割器を使
用しない光学系とするために、照明光の光路と被投影基
板すなわちウェハ面で反射してきた戻り光の光路を投影
光学系の瞳と共役な位置で分離して、光量的な損失を少
なくできることを技術的要点とするもので、このため、
SlN比の高い位置検出のための電気的な出力波形が得
られて、アライメント精度が向上する。
〔発明の実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す投影光学装置の説明
図である。図において、光源(図示は省略)から出射さ
れた光はコンデンサレンズ1で集束され、図の矢印のよ
うにはゾ均一な強度分布の照明光としてマスクすなわち
レチクル2を照射する。レチクルパターン又はレチクル
マーク3の像は投影レンズ5によってステージ11上に
載置されたウェハ6上に縮少投影される。投影レンズ5
は前記テレセントリックな主光学系を形成している。ま
た、ステージ11は干渉計9によってX及びYとθ(角
度)の位置計測が行われろ。この位置(座標)情報は制
御装置19に送られ、制御装置19は駆動装置10に対
してステージ11を任意の位置に移動及び停止の指示を
行なう機構金儲えてステージの移動手段を形成している
一方、第1図の右上部分に示した光学系は、コ 。
ンデンサレンズ1とレチクル2の間の所定位置に設置さ
れたミラー4を含め、投影レンズ5と共同してアライメ
ント装置を構成するものである。アライメント装置はア
ライメント光源12から発する光を光ファイバ13と2
個のレンズ21及び22と視野絞り23によって集光す
るが、その光は投影レンズ5の瞳と共役な位置Aに設け
た折返しミラー(全反射鏡)20で瞳の半分に相当する
部分が直角に偏向され、第1図中の斜線部で示す  ”
ように第1対物レンズ14の上半分を通過してミラー4
に達しミラー4によって反射されレチクルマーク3の位
置で集束したのち投影レンズ5の瞳epの半分の領域を
介してウェハ゛6の表面にあるウェハマーク7位置に結
像される。このため、アライメント用の照明系の主光線
はウェハ6に対して垂直から傾いた光路をもつ。すなわ
ち、投影レンズ5の光軸AXを含む平面内で照明光が傾
いたものとなる◇そして、ウェハマーク7からの戻り光
、特に正反射光はmopの他方の半分の領域を介して、
レチクルマーク3の位置に結像し、さらにレチクル3を
透過して第1対物レンズ14の下半分を通す、瞳共役位
置Aを折返しミラー20に遮光されることなく通過し、
第2対物レンズ15の下半分を通って集束され、撮像管
17の撮像面に結像される。撮像面にはレチクルマーク
3とウェハマーク7の両方の像が形成され、両マークの
相対的な位置情報(画像信号)が撮像管17より得られ
る。
上記戻り光のうち正反射光は光量的な損失(もちろんレ
ンズの透過率による損失はある)をアライメント系によ
っては全く受けることなく、撮像管17によって受光さ
れたのち、アライメント系の波形処理装置18によって
、レチクルマーク3とウェハマーク7の位置ずれを計測
し、制御装置19にその結果を伝え、制御装置19はそ
の結果にもとづいて駆動装置10がステージ11を駆動
してアライメントが自動的に行われる。
上記のようなアライメント系の構成によって、アライメ
ン!・用の光を分割する分割器を使用しないために、光
景の損失がなくなり、撮像管17で光電変換したときの
S/N比が非常に高く、アライメント精度が向上する利
点が得られる。また、この光学系はM方向(投影レンズ
5の光軸AXを通る半径方向)に対してはテレセントリ
ック性をくずしており、かつ開口数NAもM方向のみ小
さくなっているが、アライメント計測をS方向(M方向
と直交する方向)で行うようにすれば、その影響は測定
精度に対して無視できることになる。また、S方向に対
しては主光線はテレセントリック系のためウェハ6に対
してほぼ垂直に入射するので、S方向に関してはディフ
ォーカス(焦点ぼけ)時にマーク像のシフトがおこるこ
ともない。ただし、M方向に関してはマークシフト (
像シフト)が起る。
第2図は瞳位置Aにおけろ瞳像ep′での照明光と戻り
光の配置関係を示す説明図である。図において、中心線
CIより左側斜線部は照明光IAの分布を示し、右側は
戻り光の分布を示している。
図において、戻り光の場合、S方向の像の形成に関与す
る0次光(正反射光)rto及び回折光(図には1次光
のみを示した)R1はその大部分が撮像管17で受光で
きることがわかる。なお、照明光IAの瞳像ep′上で
の分布は第2図のように半円状になっているが、第2図
の中心線Ce  より左側にある限り、マークに適した
任意の分布をえらぶことができ、照明光と戻り光のうち
の正反射光とはほぼ完全に分離できる。
第3図に、レチクルマーク3とウェハマーク7の像形状
とその波形信号を示した。第3図(A)はアライメント
時のレチクルマーク3の像3a及び3bとウェハマーク
7の像7aの関係位置を示したものてあり、第3図(A
)に対応する画像信号の波形を第3図(B)の説明図に
示した。例えば、第3図(人)においてレチクルマーク
3が3aと3bの2本からなり、その間隔りを30μm
の設計値としたとき、第3図(B)のようにレチクルマ
ーク3によってできる波形の中心位置aとし、ウェハマ
ークの1g47aの中心位置をbとすれば、aとbのず
れ量αはレチクルマークの波形3aと3bの距離からミ
クロン単位で換算して求めろことができる。すなわち、
次式 を用いて求めてやればよい。実際には、ずれ量α=0と
なるように前記の手段で制御することによって、アライ
メント作業が完了することになる。
尚、第3図において、レチクルマーク3の像3a、3b
は撮像管17の撮像面では暗部として結像される。これ
は投影レンズ5の射出瞳が無限遠にあることと密接な関
係がある。第1図に示したように、投影レンズ5のレチ
クル2側が非テレセントリックな場合、レチクルマーク
3の中心とMepの中心を結ぶ主光線は光軸AXに対し
て傾くことになる。このため第1対物レンズ14を介し
てレチクル2を照明するマーク3からの直接の反射光は
第1対物レンズ14には戻らない。そしてマーク3の回
りの透明部、投影レンズ5を介してウェハ6に到達した
照明光の反射光が、再びレチクル2の下面を照明するこ
とになる。もちろんマーク3の像はウェハ6上に投影さ
れるから、その反射像もレチクル2の下面に逆投影され
る。しかしながら投影レンズ5のウェハ側がテレセント
リックであると、その逆投影像はレチクルマーク3と全
く重ね合わさって結像されることになる。
このため、撮像管17には、ウェハ7で反射された照明
光が投影レンズ5を介してマーク3を透過照明した状態
でマーク3の像が結像する乙とになり、マーク3は暗部
として見えるのである。
尚、第1図の実施例で1ライメント用の照明光はミラー
20で折返して第1対物レンズ14の上半分に入射して
いるが、この照明光の入れ方は、M方向に関して瞳分割
ができればどのようなものであってもよい。例えば光源
12、ファイバー13、レンズ21,22、絞り23で
構成される系と第2対物レンズ15、撮像管17で構成
される系との配置を入れ替えてもよい。
なお、本発明によるアライメント系の光学系、すなわち
照明光とウェハ面(又は像面に位置した基準マーク板8
)で反射してきた戻り光の光路を瞳で分離する光学系で
は、アライメント系の照明用光源としてレーザを使用し
た場合でも、レーザ光源に光が戻るいわゆるバックトー
クを防ぐことができ、それによる障害を防止することに
も有効であることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、アライメント系の照明
光及び照明された物体からの反射光(0次光2回折光、
散乱光)の光路にハーフミラ−等を使用しないので、光
量的な損失がな(S/N比の高い検出波形を得られるこ
とによるアライメン)・精度の向上に著るしい効果があ
る。その上、レチクルマークとステージ上に設けられた
標準マーク板8に形成されたフィデューシャルマーク(
ウェハマーク7と同形)でアライメン】・を行えば、オ
フアクシスアライメント光学系16に対するベースライ
ン計測(アライメント光学系16の検出中心とレチクル
マーク3の投影位置との物理的な間隔の測定)を行うこ
とにもなり、この面でも有効な手段となる。
さらに、本発明を合焦装置として用いることもできる。
すなわち、投影レンズ5の視野内でS方向に伸びたエツ
ジを持つウェハマークはテレセントリック性ずれのため
に、ディフォーカス時に撮像管17の結像面でM方向に
マークシフトをおこす。この現象を利用すれば合焦時の
マーク位置を記憶しておき、その位置とのずれを検出す
ることによって、合焦検出も行うことができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す投影光学装置の一説明
図、第2図はアライメント光学系の瞳位置での照明光と
戻り光の配置説明図、第3図はレチクルマークとウェハ
マークによる像形状とその波形信号との関係を示す説明
図である。 図において、1はコンデンサレンズ、2はレチクル、3
はレチクルマーク、4はミラー、5は投影レンズ、6は
ウェハ、7はウェハマーク、8は標準マーク(FM) 
、9は干渉計、10は駆動装置、11はステージ、12
はアライメント光源、13は光ファイバ、14は第1対
物レンズ、15は第2対物レンズ、16はオフアキシス
方式アライメント光学系、17は撮像管、18は波形処
理装置、19は制御装置、20は折返しミラー、21は
ミラー、22はミラー、23は視野絞りである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスク上のパターンを射出瞳がほぼ無限遠の投影光学系
    を介して被投影基板に投影する投影光学装置において、
    上記投影光学装置を介して前記基板に照明光を送るため
    の光源と、該光源とマスクとの間に配置され、上記照明
    光を前記マスクに向けて照射するとともに、上記投影光
    学系と上記マスクとを介して得られる前記基板からの光
    情報を入射し、所定の検出面に結像させる対物光学系と
    、該対物光学系と前記光源との間で、前記投影光学系の
    前記射出瞳とほぼ共役な位置に配置され、該射出瞳を中
    心で2分割したとき、該2分割された一方の領域の少く
    とも1部に前記照明光が通るように制限する制限部材と
    を設けたことを特徴とする投影光学装置。
JP61252085A 1986-10-24 1986-10-24 投影光学装置 Expired - Fee Related JPH07123102B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02207520A (ja) * 1989-02-07 1990-08-17 Canon Inc 露光装置
JP2009145279A (ja) * 2007-12-17 2009-07-02 Nikon Corp 3次元形状測定装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02207520A (ja) * 1989-02-07 1990-08-17 Canon Inc 露光装置
JP2009145279A (ja) * 2007-12-17 2009-07-02 Nikon Corp 3次元形状測定装置

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