JPS63100755A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63100755A JPS63100755A JP24682986A JP24682986A JPS63100755A JP S63100755 A JPS63100755 A JP S63100755A JP 24682986 A JP24682986 A JP 24682986A JP 24682986 A JP24682986 A JP 24682986A JP S63100755 A JPS63100755 A JP S63100755A
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- Japan
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- substrate
- semiconductor device
- semiconductor chip
- heat
- insulating layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、放熱性に優れた絶縁型の半導体装置に関する
。
。
（従来の技術）
従来、半導体装置は、例えば、第６図および第７図に示
すように、放熱板ａと外部リードｂとが一体に形成され
たリードフレームＣの表面に、半導体チップｄが直接載
置されるとともに、この半導体チップｄが載置された周
辺部分をモールド用樹脂ｅによって樹脂封止したものが
ある。そして、この半導体装置は、第８図に示すように
、取付ビスｇを放熱板ａに設けられたビス挿通孔ｉに挿
通して外付は放熱フィンｆの雌ネジ部に螺入することに
より外付は放熱フィンｆに取付けられる。その際、放熱
板ａに直接載置された半導体チップｄと外付は放熱フィ
ンｆとを絶縁するために、放熱板ａの裏面と外付は放熱
フィンｆとの間、および取付ビスｇの頭部とビス挿通孔
ｉの周縁部との間に絶縁体り、、ｈ、がそれぞれ介装さ
れる。
すように、放熱板ａと外部リードｂとが一体に形成され
たリードフレームＣの表面に、半導体チップｄが直接載
置されるとともに、この半導体チップｄが載置された周
辺部分をモールド用樹脂ｅによって樹脂封止したものが
ある。そして、この半導体装置は、第８図に示すように
、取付ビスｇを放熱板ａに設けられたビス挿通孔ｉに挿
通して外付は放熱フィンｆの雌ネジ部に螺入することに
より外付は放熱フィンｆに取付けられる。その際、放熱
板ａに直接載置された半導体チップｄと外付は放熱フィ
ンｆとを絶縁するために、放熱板ａの裏面と外付は放熱
フィンｆとの間、および取付ビスｇの頭部とビス挿通孔
ｉの周縁部との間に絶縁体り、、ｈ、がそれぞれ介装さ
れる。
また、第９図および第１θ図に示すように、モールド樹
脂による樹脂封止の際にビス挿通孔ｉの周囲をも被覆し
、放熱板ａの裏面のみを露出させ、外付は放熱フィンｆ
への取付時に取付ビスｇの頭部とビス挿通孔ｉの周縁部
との間に介装されていた絶縁体ｈ８を不要にした半導体
装置があるが、放熱板ａの裏面が露出しているので、放
熱板ａの裏面と外付は放熱フィンｆとの間に絶縁体ｈ１
が介装される（第１１図参照）。
脂による樹脂封止の際にビス挿通孔ｉの周囲をも被覆し
、放熱板ａの裏面のみを露出させ、外付は放熱フィンｆ
への取付時に取付ビスｇの頭部とビス挿通孔ｉの周縁部
との間に介装されていた絶縁体ｈ８を不要にした半導体
装置があるが、放熱板ａの裏面が露出しているので、放
熱板ａの裏面と外付は放熱フィンｆとの間に絶縁体ｈ１
が介装される（第１１図参照）。
さらに、近時、モールド用樹脂の熱伝導性の改良および
トランスファモールド技術の進歩によって、第１２図乃
至第１４図に示すように、放熱板ａの裏面も適宜厚さに
モールド樹脂ｅによって樹脂封止し、外付は放熱フィン
ｒへの取付けにあたって前述した絶縁体り、、ｈ、を廃
した半導体装置が提案されている。
トランスファモールド技術の進歩によって、第１２図乃
至第１４図に示すように、放熱板ａの裏面も適宜厚さに
モールド樹脂ｅによって樹脂封止し、外付は放熱フィン
ｒへの取付けにあたって前述した絶縁体り、、ｈ、を廃
した半導体装置が提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、第１２図乃至第１４図に示した半導体装
置において、放熱性を向上させる、すなわち外付は放熱
フィンへの熱伝導性を良くするためには、高熱伝導性樹
脂によって放熱板の裏面を被覆する樹脂の肉厚をできる
限り薄く形成すればよいが、高熱伝導性樹脂は成型性が
悪くなる傾向にあるため、トランスファモールド等にお
ける金型設計および成型方法に高度の技術が要求される
とともに、放熱板の裏面を被覆する樹脂の肉厚を薄くす
るには、機械的強度を維持する必要があるので成型技術
による限界があり、したがって熱伝導性の向上を図るに
も限界がある。
置において、放熱性を向上させる、すなわち外付は放熱
フィンへの熱伝導性を良くするためには、高熱伝導性樹
脂によって放熱板の裏面を被覆する樹脂の肉厚をできる
限り薄く形成すればよいが、高熱伝導性樹脂は成型性が
悪くなる傾向にあるため、トランスファモールド等にお
ける金型設計および成型方法に高度の技術が要求される
とともに、放熱板の裏面を被覆する樹脂の肉厚を薄くす
るには、機械的強度を維持する必要があるので成型技術
による限界があり、したがって熱伝導性の向上を図るに
も限界がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体装置は、放熱性を有する金属板の上面に
絶縁層および回路形成用の導電層を順次ｔａ層してなる
基板上に半導体チップおよび外部リードが配設され、こ
れら導電層、半導体チップ、および外部リードが金属線
によって接続されるとともに前記基板の裏面のみが露出
するように樹脂封止されたものである。
絶縁層および回路形成用の導電層を順次ｔａ層してなる
基板上に半導体チップおよび外部リードが配設され、こ
れら導電層、半導体チップ、および外部リードが金属線
によって接続されるとともに前記基板の裏面のみが露出
するように樹脂封止されたものである。
（作用）
基板の表面に積層された絶縁層によって、基板を放熱フ
ィンに取付る際に、基板の裏面と放熱フィンとが当接し
ても、半導体チップと放熱フィンとは絶縁されており、
しかも、この絶縁層は積層基板として生成されることか
ら、従来の絶縁体や樹脂の肉厚に比べてはるかに薄く、
このため熱抵抗が低減される。
ィンに取付る際に、基板の裏面と放熱フィンとが当接し
ても、半導体チップと放熱フィンとは絶縁されており、
しかも、この絶縁層は積層基板として生成されることか
ら、従来の絶縁体や樹脂の肉厚に比べてはるかに薄く、
このため熱抵抗が低減される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図および第２図は本発明の半導体装置を示している
。
。
基板ｌは、例えばアルミニウム等の金属板２の表面に絶
縁層３およびエツチング加工等により適宜な回路パター
ンに形成された導電層４を順次積層したものであり、こ
の基板ｌにはビス挿通孔１ａが形成されている。基板１
の導電１ｉ４上には半導体チップ５および予めリードフ
レーム状に形成された電極引出し用の外部リード６がろ
う付けされ、金属線７によって必要な配線が施されると
ともに樹脂により基板１の裏面のみが露出するように樹
脂封止されて外囲器８が形成されている。この外囲器８
には、ビス挿通孔１ａの周囲を被覆してなる通孔８ａが
形成されている。この樹脂封止は、例えばトランスファ
成型によって行われ、基板の裏面が露出するように形成
されており、金型設計および成型方法に高度の技術を要
求する必要がな（、容易に形成することができる。
縁層３およびエツチング加工等により適宜な回路パター
ンに形成された導電層４を順次積層したものであり、こ
の基板ｌにはビス挿通孔１ａが形成されている。基板１
の導電１ｉ４上には半導体チップ５および予めリードフ
レーム状に形成された電極引出し用の外部リード６がろ
う付けされ、金属線７によって必要な配線が施されると
ともに樹脂により基板１の裏面のみが露出するように樹
脂封止されて外囲器８が形成されている。この外囲器８
には、ビス挿通孔１ａの周囲を被覆してなる通孔８ａが
形成されている。この樹脂封止は、例えばトランスファ
成型によって行われ、基板の裏面が露出するように形成
されており、金型設計および成型方法に高度の技術を要
求する必要がな（、容易に形成することができる。
上記のように構成された半導体装置は、第３図に示すよ
うに、ビスｌＯを挿通孔８ａに挿通し、放熱フィン１１
に形成された雌ネジ部１２に螺入することによって金属
板２の裏面が放熱フィン１１に当接した状態で取付固定
される。
うに、ビスｌＯを挿通孔８ａに挿通し、放熱フィン１１
に形成された雌ネジ部１２に螺入することによって金属
板２の裏面が放熱フィン１１に当接した状態で取付固定
される。
これによって、半導体チップ５および外部リード６は金
属板２上に積層された絶縁層３を介して載置されている
ため、半導体チップ５と放熱フィン１１とは絶縁された
状態となる。
属板２上に積層された絶縁層３を介して載置されている
ため、半導体チップ５と放熱フィン１１とは絶縁された
状態となる。
また、前記導電層３はエツチング加工により自由に回路
形成できるため、第４図に示すように、放熱を必要とす
る絶縁型ハイブリッド回路のパンケージにも適用できる
。なお、前記実施例と同部材には同符号を付している。
形成できるため、第４図に示すように、放熱を必要とす
る絶縁型ハイブリッド回路のパンケージにも適用できる
。なお、前記実施例と同部材には同符号を付している。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明の半導体装置は放熱フィンへ
の取付けにあたって従来必要であった絶縁体が全く不要
となり、熱伝導性に優れている。
の取付けにあたって従来必要であった絶縁体が全く不要
となり、熱伝導性に優れている。
しかも、半導体チップと放熱フィンとを絶縁する絶縁層
の厚さは積層基板として生成されるため、従来のように
、半導体チップと放熱フィンとを絶縁していた絶縁体や
樹脂に比べはるかに薄く形成することができ、放熱フィ
ンへの熱伝導性に優れている。
の厚さは積層基板として生成されるため、従来のように
、半導体チップと放熱フィンとを絶縁していた絶縁体や
樹脂に比べはるかに薄く形成することができ、放熱フィ
ンへの熱伝導性に優れている。
第１図乃至第３図は本発明の半導体装置の一実施例を示
し、第１図は半導体装置の平面図、第２図は同断面図、
第３図は半導体装置を放熱フィンに取付けた状態を示す
断面図、第４図および第５図は本発明に係る半導体装置
の他の実施例を示し、第４図は樹脂封止前の半導体装置
の概略を示す平面図、第５図は同断面図、第６図乃至第
１４図は従来の半導体装置を示し、第６図は平面図、第
７図は断面図、第８図は放熱フィンへの取付状態を示す
断面図、第９図乃至第１１図は従来の他の半導体装置を
示し、第９図は平面図、第１Ｏ図は断面図、第１１図は
放熱フィンへの取付状態を示す断面図、第１２図乃至第
１４図は従来のさらに他の半導体装置を示し、第１２図
は平面図、第１３図は断面図、第１４図は放熱フィンへ
の取付状態を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・金属板３・・・絶
縁層 ４・・・導電層５・・・半導体チップ
６・・・外部リード８・・・外囲器
し、第１図は半導体装置の平面図、第２図は同断面図、
第３図は半導体装置を放熱フィンに取付けた状態を示す
断面図、第４図および第５図は本発明に係る半導体装置
の他の実施例を示し、第４図は樹脂封止前の半導体装置
の概略を示す平面図、第５図は同断面図、第６図乃至第
１４図は従来の半導体装置を示し、第６図は平面図、第
７図は断面図、第８図は放熱フィンへの取付状態を示す
断面図、第９図乃至第１１図は従来の他の半導体装置を
示し、第９図は平面図、第１Ｏ図は断面図、第１１図は
放熱フィンへの取付状態を示す断面図、第１２図乃至第
１４図は従来のさらに他の半導体装置を示し、第１２図
は平面図、第１３図は断面図、第１４図は放熱フィンへ
の取付状態を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・金属板３・・・絶
縁層 ４・・・導電層５・・・半導体チップ
６・・・外部リード８・・・外囲器
Claims (1)
- １）放熱性を有する金属板の上面に絶縁層および回路形
成用の導電層を順次積層してなる基板上に半導体チップ
および外部リードが配設され、これら導電層、半導体チ
ップ、および外部リードが金属線によって接続されると
ともに前記基板の裏面のみが露出するように樹脂封止さ
れたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24682986A JPS63100755A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24682986A JPS63100755A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100755A true JPS63100755A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17154314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24682986A Pending JPS63100755A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100755A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336753A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Sharp Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24682986A patent/JPS63100755A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336753A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Sharp Corp | 半導体装置 |
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