JPS6285477A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS6285477A JPS6285477A JP60223708A JP22370885A JPS6285477A JP S6285477 A JPS6285477 A JP S6285477A JP 60223708 A JP60223708 A JP 60223708A JP 22370885 A JP22370885 A JP 22370885A JP S6285477 A JPS6285477 A JP S6285477A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光を検出する受光素子に係り、特に。
光通信用の検出器としてのアバランシェホトダイ。
オードおよびホトダイオード等の光半導体装置に関する
ものである。
ものである。
長波長受光素子、特に長波長アバランシェホト・ダイオ
ード(APD)は、低雑音かつ高速化を目指。
ード(APD)は、低雑音かつ高速化を目指。
して化合物半導体材料を利用した開発が活発に行5われ
でいる。上記開発中の素子の構造は、禁止帯・幅が小さ
い半導体領域で入射信号光を吸収し、禁・止帯幅が大き
い半導体領域でなだれ増倍作用をも。
でいる。上記開発中の素子の構造は、禁止帯・幅が小さ
い半導体領域で入射信号光を吸収し、禁・止帯幅が大き
い半導体領域でなだれ増倍作用をも。
つことか特徴である。このように光吸収領域と増。
倍領域とを分離した素子構造の基本的考えは、特1゜公
開59−38748号に示されている(第6図参照)。
開59−38748号に示されている(第6図参照)。
。
化合物半導体としては、InP、 GaSb系などの材
料。
料。
が使用されている。また上記構造の改善を意図し、て、
接合周辺で降伏防止のためにガードリング領。
接合周辺で降伏防止のためにガードリング領。
域を形成し、さらに高速化のために光増倍領域と、。
光吸収領域のバンド(伝導体あるいは価電子帯)間に生
じるエネルギーギャップによるキャリア蓄積効果を防止
する検討(第6図領域4に示す中間。
じるエネルギーギャップによるキャリア蓄積効果を防止
する検討(第6図領域4に示す中間。
禁止帯幅層の挿入)などが考えられている(特開。
昭57f28000号)。
しかし、電子の有効質量が小さく、がっ禁止帯。
幅が狭い化合物半導体では、電界強度が強くなる。
とアバランシェ降伏に至るまえにトンネル効果に・よる
降伏が生じやすくなる。このため、上記の光。
降伏が生じやすくなる。このため、上記の光。
吸収領域−光増倍領域分離型のAPD構造におい 5で
も、禁止帯幅が大きい領域(第6図領域5)に・形成さ
れたpn接合から伸びる高い電界が、比較的禁止帯幅が
小さい中間層(第6図領域4)ある。
も、禁止帯幅が大きい領域(第6図領域5)に・形成さ
れたpn接合から伸びる高い電界が、比較的禁止帯幅が
小さい中間層(第6図領域4)ある。
いは光吸収領域(第6図領域3)に印加されると。
きには、トンネル効果による電界放出により、大1゜き
な暗電流が発生することになる。これを防止するには、
禁止帯幅が大きい領域の中に形成されている接合と、上
記中間層あるいは光吸収領域との。
な暗電流が発生することになる。これを防止するには、
禁止帯幅が大きい領域の中に形成されている接合と、上
記中間層あるいは光吸収領域との。
間に介在する禁止帯幅が大きい領域(第6図領域。
5)の不純物濃度を高くする方法、または領域幅1゜を
厚くする方法がとられる。しがし不純物の濃度を高くす
ることは接合の最大電界を大きくすることになり、した
がってイオン化係数比を小さくすることになるため、な
だれ増倍雑音を増大させる結果になる。また領域幅を厚
くすることは、動作2゜電圧を高くする結果になり実用
上望ましくない。・〔発明の目的〕 本発明は、トンネル電流による暗電流の増加を・回避す
るとともに、低雑音で、かつ低動作電圧の・APDを得
ることを目的とする。
厚くする方法がとられる。しがし不純物の濃度を高くす
ることは接合の最大電界を大きくすることになり、した
がってイオン化係数比を小さくすることになるため、な
だれ増倍雑音を増大させる結果になる。また領域幅を厚
くすることは、動作2゜電圧を高くする結果になり実用
上望ましくない。・〔発明の目的〕 本発明は、トンネル電流による暗電流の増加を・回避す
るとともに、低雑音で、かつ低動作電圧の・APDを得
ることを目的とする。
本発明による光半導体装置は、禁止帯幅が太き・い一方
導電型の第1領域と、禁止帯幅が大きい他。
導電型の第1領域と、禁止帯幅が大きい他。
方導電型の第2領域と、禁止帯幅が小さい一方導。
電型の第3領域とからなる光半導体装置においてい第1
領域と第2領域とで接合を形成し、第1領域。
領域と第2領域とで接合を形成し、第1領域。
内に、上記第1領域より不純物濃度が大きい一方。
導電型の第4領域が形成されていること、すなわ。
ち第1図に示すように、アバランシェ領域となる。
禁止帯幅が大きい低不純物濃度の領域15の第1領、。
域内、あるいは第1領域15内にあって一部分が領。
域14と接し、禁止帯幅が大きく、不純物濃度が上。
記第1領域15より高い第4領域25は、第2領域16
゜と第1領域15で形成する接合26の面より内側に存
。
゜と第1領域15で形成する接合26の面より内側に存
。
在するようにしたものである。 2゜3
・ 本発明によると、第1図に示す光半導体装置の・構造に
基ずく電界分布図の第2図から明らかなよ・うに、なだ
れ増倍に必要な高い電界は、第1図に・示す第4領域2
5と接合26との間の第1領域15に制・限されるよう
になる(上記部分の接合を主接合と5いう)。
・ 本発明によると、第1図に示す光半導体装置の・構造に
基ずく電界分布図の第2図から明らかなよ・うに、なだ
れ増倍に必要な高い電界は、第1図に・示す第4領域2
5と接合26との間の第1領域15に制・限されるよう
になる(上記部分の接合を主接合と5いう)。
第4領域25で電界は降下するため、低い電界が・第3
領域を構成する光吸収領域13、および中間層。
領域を構成する光吸収領域13、および中間層。
正帯領域14(第1図では第1領域15の一部も含む)
。
。
に印加される。したがって、トンネル効果が生じ、。
やすい禁止帯幅が狭い領域14.13にはドリフト飽。
相速度に必要な低い電界が保たれるだけであるた。
め、トンネル効果による暗電流の増加は生じない。。
一方、第4領域25の上面に対向する接合26の周辺。
部においては、その直下に第4領域25は存在せず、5
不純物濃度が低く、厚い第1領域15が存在するた。
不純物濃度が低く、厚い第1領域15が存在するた。
め、最大の電界は低くなりガードリングの効果を。
果すことができる。この状態は第2図に示すよう。
に、印加電圧に対してガードリング部と主接合部。
の電界分布の面積は等しくなるはずであるから、2゜・
4 ・ 第1領域15が厚いガードリング部の電界は全体的。
4 ・ 第1領域15が厚いガードリング部の電界は全体的。
に低くなり、効果的なガードリングの役割を果す。
ことができる。このため、安定ななだれ増倍特性。
が得られる。
また主接合部のなだれ増倍領域は、第1領域155の不
純物濃度が低いため、はぼ主接合26と第4領。
純物濃度が低いため、はぼ主接合26と第4領。
域25との間の第1領域15の厚さによって支配され。
るようになり、第1領域15の不純物変動などによ。
らず安定な動作電圧が期待できる。
また、本発明ではなだれ増倍領域と光吸収領域1゜13
との間に、両者の禁止帯幅の相違による光励起キャリア
の障壁を緩和する中間禁止帯幅の領域14が挿入されて
いる。このため光吸収領域13で発生した光励起キャリ
アは高速度でなだれ増倍領域の第1領域15に移行し、
応答速度が早くなるとい礼。
との間に、両者の禁止帯幅の相違による光励起キャリア
の障壁を緩和する中間禁止帯幅の領域14が挿入されて
いる。このため光吸収領域13で発生した光励起キャリ
アは高速度でなだれ増倍領域の第1領域15に移行し、
応答速度が早くなるとい礼。
特徴を有する。
さらに本発明による光半導体装置の他の応用例を第3図
に示す。第3図に示す光半導体装置は上記第1図の光半
導体装置に較べると、領域47が余分に挿入されている
ことを除くと、基本的には同、。
に示す。第3図に示す光半導体装置は上記第1図の光半
導体装置に較べると、領域47が余分に挿入されている
ことを除くと、基本的には同、。
じである。上記領域47は、なだれ増倍領域を形成。
する第1領域35と同じ禁止帯幅が大きい物質から。
なるが、不純物濃度は第1領域35より大きい。こ・の
ため主接合部から伸びる電界は第4領域45で降。
ため主接合部から伸びる電界は第4領域45で降。
下したのち、さらに領域47によって降下し、第35の
領域を構成する禁止帯幅が狭い光吸収領域33お。
領域を構成する禁止帯幅が狭い光吸収領域33お。
よび中間禁止帯領域34にかかる電界を効果的に飽。
和ドリフト速度に必要な低い電界まで低減させる。
ことができる。一方、ガードリング部から伸びる。
電界は、領域47によって降下し、主接合部と同じ1゜
く領域33.34にかかる電界を低減する。すなわち不
純物濃度が高い領域47の挿入による電圧降下分。
く領域33.34にかかる電界を低減する。すなわち不
純物濃度が高い領域47の挿入による電圧降下分。
だけ低減される効果がある。このためガードリン。
グ部での第3の領域を構成する光吸収領域33およ。
び中間禁止帯領域34にかかる電界は、第3図に示、。
した」二記発明のように、禁止帯幅が狭い領域の電界を
低減するのに効果がある。また、なだれ増倍に寄与する
領域は主接合と第4領域45によってはさまれた第1領
域35における高い電界の部分に制限されるのに対し、
ガードリング接合では、その、。
低減するのに効果がある。また、なだれ増倍に寄与する
領域は主接合と第4領域45によってはさまれた第1領
域35における高い電界の部分に制限されるのに対し、
ガードリング接合では、その、。
直下に第4領域45がないため、主接合部に較べて。
厚い第1領域35によって電界が低くなるため、発・明
の本質としては第1図に示したものと変らない。・〔発
明の実施例〕 つぎに本発明の実施例を図面により説明する。5第1図
は本発明による光半導体装置の第1実施例・を示す断面
図、第2図は上記実施例の素子内部に・おける電界分布
を示す図、第3図は本発明の第2゜実施例を示す断面図
、第4図は本発明の第3実施。
の本質としては第1図に示したものと変らない。・〔発
明の実施例〕 つぎに本発明の実施例を図面により説明する。5第1図
は本発明による光半導体装置の第1実施例・を示す断面
図、第2図は上記実施例の素子内部に・おける電界分布
を示す図、第3図は本発明の第2゜実施例を示す断面図
、第4図は本発明の第3実施。
例を示す断面図、第5図は本発明の第4実施例を1゜示
す断面図である。第1図に示す第1実施例の構成をIn
P系半導体材料を用いた場合について説明。
す断面図である。第1図に示す第1実施例の構成をIn
P系半導体材料を用いた場合について説明。
する。不純物濃度が高いn+形基板11上に、気相工。
ピタキシャル成長技術を用いて不純物濃度2X1015
゜cm−3,厚さ2.5μmのn形InP層12を形成
し、引続1−1いて順次、不純物濃度2×1015C7
I+−3,厚さ3μmのn。
゜cm−3,厚さ2.5μmのn形InP層12を形成
し、引続1−1いて順次、不純物濃度2×1015C7
I+−3,厚さ3μmのn。
形I n Ga As光吸収層13.不純物濃度2×1
015cm−3゜厚さ0.37zmのn形InGa、A
sP層(禁止帯幅対応1.3゜μm)中間禁止帯領域1
4を形成する。さらに続い。
015cm−3゜厚さ0.37zmのn形InGa、A
sP層(禁止帯幅対応1.3゜μm)中間禁止帯領域1
4を形成する。さらに続い。
て不純物濃度が2×1015cm−3,厚さ4μmのn
形 、。
形 、。
・ 7 ・
InP層を第1領域15として形成し光半導体基体を・
構成する。高エネルギのイオンを選択的に打込む・方法
によって、上記n形InP層である第1領域15・の表
面から3μmの所にピーク不純物濃度がくる・ようにS
iを打込み(ピーク濃度3 X 1016cm ’)、
n5形の第4領域25を形成する。上記n形の第4領域
・25は、高エネルギイオンの打込み以外にも、第1・
領域15の結晶成長を途中で中断し、不純物の選択。
構成する。高エネルギのイオンを選択的に打込む・方法
によって、上記n形InP層である第1領域15・の表
面から3μmの所にピーク不純物濃度がくる・ようにS
iを打込み(ピーク濃度3 X 1016cm ’)、
n5形の第4領域25を形成する。上記n形の第4領域
・25は、高エネルギイオンの打込み以外にも、第1・
領域15の結晶成長を途中で中断し、不純物の選択。
拡散を行ったのち、再度結晶成長を継続して行う。
ことなどにより形成することもできる。領域25の、。
不純物濃度Nと厚さdは、どの程度まで電界を下。
げろかということにより設定する必要がある。電。
界低減の大きさはqNd/Eによって与えられる。こ。
こでqは電荷素置、Eは誘電率である。つぎにイ。
オン打込み、あるいは拡散方法によって拡散深さ、。
1.5μmのp形層を第2領域16として形成する。そ
。
。
の後パッシベーション膜として、プラズマSi Nxと
CVDSiO2の2層膜17を形成し、公知のホトエツ
チングによって不必要部分を取除いた。光反射防。
CVDSiO2の2層膜17を形成し、公知のホトエツ
チングによって不必要部分を取除いた。光反射防。
止膜としてSi Nx層膜18形成し、公知の蒸着技術
に。。
に。。
・ 8 ・
よってp、n両領域にオーミック電極19.20を形成
・した。
・した。
上記により形成された第1実施例の動作を説明・する。
波長1μm〜1.6μmの入射光は第1領域15゜と第
4領域25を透過し、領域14かn形InGaAs層5
13の一方あるいは両方で吸収される。電極19と20
・に逆バイアス電圧が印加されているため、上記n・形
I n Ga As層】3および領域14は空乏層化し
ている。
4領域25を透過し、領域14かn形InGaAs層5
13の一方あるいは両方で吸収される。電極19と20
・に逆バイアス電圧が印加されているため、上記n・形
I n Ga As層】3および領域14は空乏層化し
ている。
ので、光励起キャリアはドリフト速度でなだれ増。
倍をおこすのに十分な高い電界がかかっている接1゜合
26の主接合領域部に移動する。ここでは入ってきたキ
ャリアによってなだれ増倍作用が生じ、増倍された光電
流が電極19.20に接続された外部回。
26の主接合領域部に移動する。ここでは入ってきたキ
ャリアによってなだれ増倍作用が生じ、増倍された光電
流が電極19.20に接続された外部回。
路に流れる。
第2実施例の構造を示す第3図において、上記1、第1
実施例と同様に、基板31上に、n形InP層32゜n
形I n Ga As層33.n形InGaAsP層の
領域34.n形InP層47.n形InP層の第1領域
35を気相成長法によって順次形成する。n形InP層
47を除く他の。
実施例と同様に、基板31上に、n形InP層32゜n
形I n Ga As層33.n形InGaAsP層の
領域34.n形InP層47.n形InP層の第1領域
35を気相成長法によって順次形成する。n形InP層
47を除く他の。
各層は、上記第1実施例の各層に対応して考える。。
ことができる。上記n形InP層47は不純物濃度2・
X 1.016Cm a、厚さ0.4μmである。本実
施例の第4・領域45および第2領域46はいずれもイ
オン打込み・によって形成した。なお、本光半導体装置
の動作・は前記第1実施例の場合と同様である。
X 1.016Cm a、厚さ0.4μmである。本実
施例の第4・領域45および第2領域46はいずれもイ
オン打込み・によって形成した。なお、本光半導体装置
の動作・は前記第1実施例の場合と同様である。
第1実施例および第2実施例ではInP系材料を・用い
て説明したが、光吸収領域であるn形InGaAs・層
13および33を禁止帯幅が小さいGaSb、禁止帯幅
。
て説明したが、光吸収領域であるn形InGaAs・層
13および33を禁止帯幅が小さいGaSb、禁止帯幅
。
が大きい領域あるいは中間層を組成制御したGa 。
AI Sb Asで形成した場合にも、本発明の本質は
変l。
変l。
らない。また第1領域15.35をInPに化ツアー
InA4Asに変えた場合にも、本発明の本質は変らな
い。。
InA4Asに変えた場合にも、本発明の本質は変らな
い。。
化合物半導体では、上記のように種々の材料的な。
組合わせが考えられるが、材料が変っても本発明。
の主旨は変らない。 1゜
上記第1図および第3図では第4領域25および。
上記第1図および第3図では第4領域25および。
45を接合26および46の内側に形成することによつ
。
。
て、上記接合26および46の周辺部がガードリング。
効果を生じるということを述べたが、第4図の第。
3実施例および第5図の第4実施例に示すように、2゜
より完全なガードリング効果を発揮させるために、・接
合66および86の周辺部を、不純物濃度が低い傾・釘
型接合が形成されるように変化させた場合にお・いても
、本発明の本質には変りがない。
より完全なガードリング効果を発揮させるために、・接
合66および86の周辺部を、不純物濃度が低い傾・釘
型接合が形成されるように変化させた場合にお・いても
、本発明の本質には変りがない。
上記のように本発明による光半導体装置は、禁・止帯幅
が大きい一方導電型の第1領域と、禁止帯・幅が大きい
他方導電型の第2領域と、禁止帯幅が。
が大きい一方導電型の第1領域と、禁止帯・幅が大きい
他方導電型の第2領域と、禁止帯幅が。
小さい一方導電型の第3領域とからなる光半導体装置に
おいて、第1領域と第2領域とで接合を形、。
おいて、第1領域と第2領域とで接合を形、。
成し、第1領域内に、該第1領域より不純物濃度。
が大きい一方導電型の第4領域が形成されている。
ことにより、接合にかかる電界は禁止帯幅が大き。
い高濃度層によって降下するため、光吸収に関す。
る禁止帯幅が小さい領域の電界は軽減され、トン、。
ネル電流による暗電流の増加を防止することがで。
きる。また主接合部に較べてガードリング部の領。
域は低不純物濃度の厚い領域で形成されているた。
め、ガードリング部の電界が軽減され、接合周辺。
での降伏が防止できるので、安定ななだれ増倍作、。
・ 11 ・
用を実現することができる。さらになだれ増倍領・域は
不純物濃度が低く、禁止帯幅が大きい領域に、あり、か
つその厚さによって支配されるため、均・−な増倍作用
を得ることができる。
不純物濃度が低く、禁止帯幅が大きい領域に、あり、か
つその厚さによって支配されるため、均・−な増倍作用
を得ることができる。
4、図面の簡単な説明 5第1
図は本発明による光半導体装置の第1実施。
図は本発明による光半導体装置の第1実施。
例を示す断面図、第2図は上記実施例の素子内部。
における電界分布を示す図、第3図は本発明の第。
2実施例を示す断面図、第4図は本発明の第3実。
雄側を示す断面図、第5図は本発明の第4実施例、。
を示す断面図、第6図は従来の光半導体装置の−。
例を示す断面図である。
1.3.14.33.34.53.54.73.74・
・・第3領域15・、 35.55.75・・・第1領
域16、36.56.76・・・第2領域
、525、4.5.65.85・・・第4領域
26、46.66、86・・・接合 代理人弁理士 中村純之助 。
・・第3領域15・、 35.55.75・・・第1領
域16、36.56.76・・・第2領域
、525、4.5.65.85・・・第4領域
26、46.66、86・・・接合 代理人弁理士 中村純之助 。
、12・
第1図
1賛 厚
第3図
第4図
第5図
第6図
Claims (2)
- (1)禁止帯幅が大きい一方導電型の第1領域と、禁止
帯幅が大きい他方導電型の第2領域と、禁止帯幅が小さ
い一方導電型の第3領域とからなる光半導体装置におい
て、第1領域と第2領域とで接合を形成し、第1領域内
に、上記第1領域より不純物濃度が大きい一方導電型の
第4領域が形成されていることを特徴とする光半導体装
置。 - (2)上記第4領域は、接合中央部の第2領域下にあり
、接合周辺部の第2領域下には存在しないことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の光半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60223708A JPS6285477A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光半導体装置 |
US06/915,410 US4816890A (en) | 1985-10-09 | 1986-10-06 | Optoelectronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60223708A JPS6285477A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6285477A true JPS6285477A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16802416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60223708A Pending JPS6285477A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4816890A (ja) |
JP (1) | JPS6285477A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4601129B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2010-12-22 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体受光素子製造方法 |
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US5583352A (en) * | 1994-04-29 | 1996-12-10 | Eg&G Limited | Low-noise, reach-through, avalanche photodiodes |
JPH11202140A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Fujitsu Ltd | 光送受信デバイス及びその製造方法 |
GB9827901D0 (en) * | 1998-12-19 | 1999-02-10 | Secr Defence | Active semiconductor |
AU3951500A (en) * | 1999-04-15 | 2000-11-02 | Trenton G. Coroy | Photodiodes with photoconductive gain enhancement |
US8368159B2 (en) * | 2011-07-08 | 2013-02-05 | Excelitas Canada, Inc. | Photon counting UV-APD |
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JPS59112664A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS60173880A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Nec Corp | 半導体受光素子およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60223708A patent/JPS6285477A/ja active Pending
-
1986
- 1986-10-06 US US06/915,410 patent/US4816890A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4816890A (en) | 1989-03-28 |
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