JPH0513798A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光吸収層の、空乏層の外側周辺部の領域で発
生するキャリアに起因する応答速度の低下を抑えて、入
射光の変化に対して急速に応答する光電流を発生させる
ことを目的とする。 【構成】 窓層を貫通して光吸収層中に達する深さに形
成された導電型反転領域と、該導電型反転領域の外側周
辺に該導電型反転領域を取り囲む形で、該導電型反転領
域の周辺に形成される空乏層の外側周辺部の光吸収層中
で発生した少数キャリアの寿命が上記空乏層の底部近傍
の光吸収層中の少数キャリアの寿命よりも著しく短くな
る短寿命領域を設けたことを特徴としている。
生するキャリアに起因する応答速度の低下を抑えて、入
射光の変化に対して急速に応答する光電流を発生させる
ことを目的とする。 【構成】 窓層を貫通して光吸収層中に達する深さに形
成された導電型反転領域と、該導電型反転領域の外側周
辺に該導電型反転領域を取り囲む形で、該導電型反転領
域の周辺に形成される空乏層の外側周辺部の光吸収層中
で発生した少数キャリアの寿命が上記空乏層の底部近傍
の光吸収層中の少数キャリアの寿命よりも著しく短くな
る短寿命領域を設けたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等の半
導体受光装置に関するものであり、特に入射光に対する
応答速度が速い半導体受光装置に関するものである。
Ｄ）、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等の半
導体受光装置に関するものであり、特に入射光に対する
応答速度が速い半導体受光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば昭和６１年度電子通信学
会、総合全国大会予稿集９７８（４〜１４９頁）に記載
されている従来のＩｎＧａＡｓプレーナ型ＰＤの平面
図、図４は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図４
で、ｎ+ 型（以下、ｎ+ −と記す）ＩｎＰ基板１上にｎ
型（以下、ｎ−と記す）ＩｎＰバッファ層２、ｎ- 型
（以下、ｎ- −と記す）ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、ｎ-
−ＩｎＰ窓層４がこの順序で積層して形成され、ｎ- −
ＩｎＰ窓層４の表面の一部から例えばＺｎなどのｐ型不
純物を拡散して導電型が反転された領域、すなわちｐ+
領域５が形成されている。ｐ+ 領域５の最下部はｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層３に達している。３１は空乏層、
点線６は空乏層フロントで、該空乏層フロント６がｐ+
領域５とｎ- −ＩｎＰ窓層４およびｎ- −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層３との間の実質的なＰＮ接合として作用する。
会、総合全国大会予稿集９７８（４〜１４９頁）に記載
されている従来のＩｎＧａＡｓプレーナ型ＰＤの平面
図、図４は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図４
で、ｎ+ 型（以下、ｎ+ −と記す）ＩｎＰ基板１上にｎ
型（以下、ｎ−と記す）ＩｎＰバッファ層２、ｎ- 型
（以下、ｎ- −と記す）ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、ｎ-
−ＩｎＰ窓層４がこの順序で積層して形成され、ｎ- −
ＩｎＰ窓層４の表面の一部から例えばＺｎなどのｐ型不
純物を拡散して導電型が反転された領域、すなわちｐ+
領域５が形成されている。ｐ+ 領域５の最下部はｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層３に達している。３１は空乏層、
点線６は空乏層フロントで、該空乏層フロント６がｐ+
領域５とｎ- −ＩｎＰ窓層４およびｎ- −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層３との間の実質的なＰＮ接合として作用する。
【０００３】ｎ- −ＩｎＰ窓層４の上面で、受光領域１
０を除く部分には、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で
シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの光に対して透明な表面
保護膜１１が形成されている。受光領域１０の周囲で、
表面保護膜１１上にはｐ+ 領域５にオーミック接触する
ｐ電極（アノード）１２が形成されている。図３に示す
ように、ｐ電極１２の一部は外方に膨出してワイヤボン
ディング用の電極パッド１３を構成しており、該電極パ
ッド１３にアノードワイヤ１４がボンディングされてい
る。図４に戻って、基板１の底面にはｎ電極（カソー
ド）１５が形成されている。入射光１６によって光吸収
層３中に電子１７とホール１８のペアが発生する。
０を除く部分には、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で
シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの光に対して透明な表面
保護膜１１が形成されている。受光領域１０の周囲で、
表面保護膜１１上にはｐ+ 領域５にオーミック接触する
ｐ電極（アノード）１２が形成されている。図３に示す
ように、ｐ電極１２の一部は外方に膨出してワイヤボン
ディング用の電極パッド１３を構成しており、該電極パ
ッド１３にアノードワイヤ１４がボンディングされてい
る。図４に戻って、基板１の底面にはｎ電極（カソー
ド）１５が形成されている。入射光１６によって光吸収
層３中に電子１７とホール１８のペアが発生する。
【０００４】次に、図３、図４に示す従来のフォトダイ
オードの動作を説明する。ｎ+ −ＩｎＰ基板１上に結晶
成長され、格子定数がＩｎＰに整合したＩｎＧａＡｓ光
吸収層３のバンドギャップ波長λｇは約１．６７μｍで
あり、一方、ＩｎＰ窓層４のバンドギャップ波長λｇは
約０．９３μｍである。よって、図３、図４のＩｎＧａ
Ａｓフォトダイオードの波長感度は、ほぼ１．０μｍ〜
１．６μｍ（λ≒１．０〜１．６μｍ）帯にある。そこ
で、入射光１６の波長λが約１．３μｍとして動作を説
明する。
オードの動作を説明する。ｎ+ −ＩｎＰ基板１上に結晶
成長され、格子定数がＩｎＰに整合したＩｎＧａＡｓ光
吸収層３のバンドギャップ波長λｇは約１．６７μｍで
あり、一方、ＩｎＰ窓層４のバンドギャップ波長λｇは
約０．９３μｍである。よって、図３、図４のＩｎＧａ
Ａｓフォトダイオードの波長感度は、ほぼ１．０μｍ〜
１．６μｍ（λ≒１．０〜１．６μｍ）帯にある。そこ
で、入射光１６の波長λが約１．３μｍとして動作を説
明する。
【０００５】フォトダイオードは一般に無バイアスまた
は逆バイアス状態で使用されるので、ｐ電極１２にはｎ
電極１５の電位を基準として０Ｖまたは−５Ｖ〜−１０
Ｖの負電圧が印加される。ｎ- −ＩｎＰ窓層４のキャリ
ア濃度は１×１０16ｃｍ-3程度であり、一方、ｎ-−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度は５×１０-15 ｃ
ｍ-3程度で、光吸収層３のキャリア濃度の方が窓層４の
キャリア濃度より小さいので、特に逆バイアス状態で
は、空乏層３１は主として光吸収層３内に拡がる。
は逆バイアス状態で使用されるので、ｐ電極１２にはｎ
電極１５の電位を基準として０Ｖまたは−５Ｖ〜−１０
Ｖの負電圧が印加される。ｎ- −ＩｎＰ窓層４のキャリ
ア濃度は１×１０16ｃｍ-3程度であり、一方、ｎ-−Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度は５×１０-15 ｃ
ｍ-3程度で、光吸収層３のキャリア濃度の方が窓層４の
キャリア濃度より小さいので、特に逆バイアス状態で
は、空乏層３１は主として光吸収層３内に拡がる。
【０００６】受光面にλ≒１．３μｍの入射光１６が入
射すると、この入射光はλｇ≒０．９３μｍのｎ- −Ｉ
ｎＰ窓層４では吸収されず、λｇ≒１．６７μｍのｎ-
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で吸収され、該光吸収層３に
おいて電子１７とホール１８のペアが発生する。光吸収
層３中の空乏層３１内で発生した電子１７とホール１８
のペアからなるキャリアは空乏層３１内の電界によるド
リフト電流として電極１２、１５を経て取出されて、外
部回路で光電流として観測される。空乏層３１外で発生
したホールのうち拡散により空乏層３１に達したものは
上記のドリフト電流として取出される。そこで、ｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度を下げて空乏層
３１の幅を広くするとドリフト電流に寄するキャリアの
割合が大きくなって光電流が大きくなり、感度を向上さ
せることができる。同時にブレークダウン電圧を高くす
ることができる。さらに、表面保護膜１１の膜厚ｔ、屈
折率ｎを、ｎ- −ＩｎＰ窓層４の屈折率ｎs 、真空中の
屈折率ｎo 、および入射光４０の波長λに対して数１、
数２が満足するように選定することにより、反射率が
０、すなわち透過率が１００％の表面保護膜（所謂ＡＲ
コート膜）とすることがある。ＡＲコート膜からなる表
面保護膜を設けることにより、４０％程度感度を向上さ
せることができる。
射すると、この入射光はλｇ≒０．９３μｍのｎ- −Ｉ
ｎＰ窓層４では吸収されず、λｇ≒１．６７μｍのｎ-
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で吸収され、該光吸収層３に
おいて電子１７とホール１８のペアが発生する。光吸収
層３中の空乏層３１内で発生した電子１７とホール１８
のペアからなるキャリアは空乏層３１内の電界によるド
リフト電流として電極１２、１５を経て取出されて、外
部回路で光電流として観測される。空乏層３１外で発生
したホールのうち拡散により空乏層３１に達したものは
上記のドリフト電流として取出される。そこで、ｎ- −
ＩｎＧａＡｓ光吸収層３のキャリア濃度を下げて空乏層
３１の幅を広くするとドリフト電流に寄するキャリアの
割合が大きくなって光電流が大きくなり、感度を向上さ
せることができる。同時にブレークダウン電圧を高くす
ることができる。さらに、表面保護膜１１の膜厚ｔ、屈
折率ｎを、ｎ- −ＩｎＰ窓層４の屈折率ｎs 、真空中の
屈折率ｎo 、および入射光４０の波長λに対して数１、
数２が満足するように選定することにより、反射率が
０、すなわち透過率が１００％の表面保護膜（所謂ＡＲ
コート膜）とすることがある。ＡＲコート膜からなる表
面保護膜を設けることにより、４０％程度感度を向上さ
せることができる。
【数１】
【数２】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構造のＩ
ｎＧａＡｓプレーナ型フォトダイオードでは入射光１６
が当該フォトダイオードのチップ全面に拡がり、このた
め空乏層３１以外の領域に入射した光によっても電子１
７とホール１８とのペアが発生する。このうち、拡散に
より空乏層３１に到達したホールは光電流として取出さ
れるが、ドリフトに比べて拡散速度は著しく遅いため、
空乏層３１内またはその近傍で発生したキャリアに比し
て光電流として外部回路で観察される時間に遅れが生ず
る。図５はパルス状入射光１６を示し、図６はパルス状
入射光１６の強度の時間的変化に対する光電流の応答波
形を示す。図５に示すように、入射光１６はｔ1 で立ち
上がり、ｔ2 よりｔf1の時間経過して立ち下がるような
時間的変化を示すパルス状波形をもつものとすると、外
部回路で観測される光電流は図６の波形２０で示すよう
に、ｔ2 からｔf1より長いｔf2経過して低下する応答特
性を示す。このように、上述の従来のＩｎＧａＡｓプレ
ーナ型フォトダイオードは高速で変化する入射光に高速
に応答できないという問題がある。
ｎＧａＡｓプレーナ型フォトダイオードでは入射光１６
が当該フォトダイオードのチップ全面に拡がり、このた
め空乏層３１以外の領域に入射した光によっても電子１
７とホール１８とのペアが発生する。このうち、拡散に
より空乏層３１に到達したホールは光電流として取出さ
れるが、ドリフトに比べて拡散速度は著しく遅いため、
空乏層３１内またはその近傍で発生したキャリアに比し
て光電流として外部回路で観察される時間に遅れが生ず
る。図５はパルス状入射光１６を示し、図６はパルス状
入射光１６の強度の時間的変化に対する光電流の応答波
形を示す。図５に示すように、入射光１６はｔ1 で立ち
上がり、ｔ2 よりｔf1の時間経過して立ち下がるような
時間的変化を示すパルス状波形をもつものとすると、外
部回路で観測される光電流は図６の波形２０で示すよう
に、ｔ2 からｔf1より長いｔf2経過して低下する応答特
性を示す。このように、上述の従来のＩｎＧａＡｓプレ
ーナ型フォトダイオードは高速で変化する入射光に高速
に応答できないという問題がある。
【０００８】入射光に対する光電流の応答特性を改善し
たフォトダイオードとして以下に示すようなものがあ
る。
たフォトダイオードとして以下に示すようなものがあ
る。
【０００９】 特開平１−１６１７７８号公報の第１
図に示されているフォトダイオード。 同図に示されているフォトダイオードはｐ+ 拡散領域の
近傍のＰＮ接合の外側の窓層および光吸収層を除去した
もので、ｐ+ 拡散領域により形成された接合部の外側に
は光吸収によるキャリアは存在しないので、拡散によっ
て空乏層に到達するホールによる光電流は存在しないか
ら、入射光に対する光電流の応答特性は改善される。し
かし、同公報記載のフォトダイオードは、ＰＮ接合外側
の窓層および光吸収層をエッチングにより完全に除去す
る必要があり、エッチングに時間がかかり、また、エッ
チングにより段差が出来た部分に保護膜や配線用リード
線を設ける必要があり、所謂ステップカバリッジに起因
する保護膜の欠陥や、断線が生じ易いという欠点があ
る。
図に示されているフォトダイオード。 同図に示されているフォトダイオードはｐ+ 拡散領域の
近傍のＰＮ接合の外側の窓層および光吸収層を除去した
もので、ｐ+ 拡散領域により形成された接合部の外側に
は光吸収によるキャリアは存在しないので、拡散によっ
て空乏層に到達するホールによる光電流は存在しないか
ら、入射光に対する光電流の応答特性は改善される。し
かし、同公報記載のフォトダイオードは、ＰＮ接合外側
の窓層および光吸収層をエッチングにより完全に除去す
る必要があり、エッチングに時間がかかり、また、エッ
チングにより段差が出来た部分に保護膜や配線用リード
線を設ける必要があり、所謂ステップカバリッジに起因
する保護膜の欠陥や、断線が生じ易いという欠点があ
る。
【００１０】 特開平２−２１４１７１号公報の第１
図に示されている半導体受光装置。 この半導体受光装置は、受光部のｐ+ 拡散領域をとり囲
んでリング状のフローティングｐ+ 領域を設け、該フロ
ーティングｐ+領域による空乏層の電界によって応答速
度の遅れの原因となる拡散キャリアの移動を阻止したも
のである。この半導体受光装置は、フローティングｐ+
領域を所望の深さ、所望の厚みとなるようにＺｎ等の不
純物を拡散するのが困難で、応答速度の遅れの原因とな
る拡散キャリアの阻止作用が不充分であるという問題が
ある。
図に示されている半導体受光装置。 この半導体受光装置は、受光部のｐ+ 拡散領域をとり囲
んでリング状のフローティングｐ+ 領域を設け、該フロ
ーティングｐ+領域による空乏層の電界によって応答速
度の遅れの原因となる拡散キャリアの移動を阻止したも
のである。この半導体受光装置は、フローティングｐ+
領域を所望の深さ、所望の厚みとなるようにＺｎ等の不
純物を拡散するのが困難で、応答速度の遅れの原因とな
る拡散キャリアの阻止作用が不充分であるという問題が
ある。
【００１１】 特開平２−２４０９７４号公報の第１
図に示されている半導体受光素子。 この半導体受光装素子は、受光領域の周囲にＨＲコー
ト、光吸収領域およびＡＲコートを順次形成して、受光
領域以外から光が結晶内部に進入するのを阻止したもの
である。この半導体受光素子は、受光領域の周囲の構造
中、特にＨＲコート上に結晶性の光吸収領域を形成する
のが困難であり、製造が著しく困難であるという問題が
ある。
図に示されている半導体受光素子。 この半導体受光装素子は、受光領域の周囲にＨＲコー
ト、光吸収領域およびＡＲコートを順次形成して、受光
領域以外から光が結晶内部に進入するのを阻止したもの
である。この半導体受光素子は、受光領域の周囲の構造
中、特にＨＲコート上に結晶性の光吸収領域を形成する
のが困難であり、製造が著しく困難であるという問題が
ある。
【００１２】 特開平１−３１０５７９号の第１図に
示されている半導体受光装置。 この半導体受光装置は、ｎ+ −ＩｎＰ基板中に形成され
た溝中にＩｎＧａＡｓ光吸収層を形成し、該光吸収層お
よび光吸収層の周囲の基板の表面部にｐ+ 拡散領域を形
成したものである。この半導体受光装置は、溝中に形成
される光吸収層の結晶性に問題があり、空乏層の拡がり
は光吸収層全体を覆うもので、受光領域以外の領域から
進入した光に起因する電流の割合が大きくなるという問
題がある。
示されている半導体受光装置。 この半導体受光装置は、ｎ+ −ＩｎＰ基板中に形成され
た溝中にＩｎＧａＡｓ光吸収層を形成し、該光吸収層お
よび光吸収層の周囲の基板の表面部にｐ+ 拡散領域を形
成したものである。この半導体受光装置は、溝中に形成
される光吸収層の結晶性に問題があり、空乏層の拡がり
は光吸収層全体を覆うもので、受光領域以外の領域から
進入した光に起因する電流の割合が大きくなるという問
題がある。
【００１３】 特開平２−２９１１８０号公報の第１
図に示されているフォトダイオード。 このフォトダイオードは、基板のｐ+ 領域周辺に高濃度
領域を形成したものであるが、基板ｐ+ 領域との間のＰ
Ｎ接合の最大電界強度が高濃度部で大きくなるため、耐
圧が低下し、表面のリーク電流が大きくなる問題があ
る。
図に示されているフォトダイオード。 このフォトダイオードは、基板のｐ+ 領域周辺に高濃度
領域を形成したものであるが、基板ｐ+ 領域との間のＰ
Ｎ接合の最大電界強度が高濃度部で大きくなるため、耐
圧が低下し、表面のリーク電流が大きくなる問題があ
る。
【００１４】 特開平１−２０５４７７号公報の第１
図に示されているフォトダイオード。 このフォトダイオードは、受光部の周辺に光吸収層や窓
層の導電形式と逆のｐ+ の高不純物濃度領域を形成して
構成されている。しかし、上記ｐ+ 高不純物濃度領域は
表面リーク電流を抑えることを目的としたもので、応答
速度の遅れの原因となる拡散電流が外部回路で観察され
るのを阻止することを目的としたものではなく、入射光
の変化に対する応答速度は速くならないという問題があ
る。
図に示されているフォトダイオード。 このフォトダイオードは、受光部の周辺に光吸収層や窓
層の導電形式と逆のｐ+ の高不純物濃度領域を形成して
構成されている。しかし、上記ｐ+ 高不純物濃度領域は
表面リーク電流を抑えることを目的としたもので、応答
速度の遅れの原因となる拡散電流が外部回路で観察され
るのを阻止することを目的としたものではなく、入射光
の変化に対する応答速度は速くならないという問題があ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
従来の半導体受光装置あるいはフォトダイオードに見ら
れた問題点を解消することを目的としたもので、窓層を
貫通して光吸収層に達する深さに形成された導電型反転
領域と、該導電型反転領域の外側の周囲に該導電型反転
領域を取り囲む形で、該導電型反転領域の外側周辺部の
光吸収層中で発生した少数キャリアの寿命が上記導電型
反転領域の低部近傍の光吸収層中の少数キャリアの寿命
に比べて著しく短くなるようにした領域（以下、短寿命
領域）を設けたものである。
従来の半導体受光装置あるいはフォトダイオードに見ら
れた問題点を解消することを目的としたもので、窓層を
貫通して光吸収層に達する深さに形成された導電型反転
領域と、該導電型反転領域の外側の周囲に該導電型反転
領域を取り囲む形で、該導電型反転領域の外側周辺部の
光吸収層中で発生した少数キャリアの寿命が上記導電型
反転領域の低部近傍の光吸収層中の少数キャリアの寿命
に比べて著しく短くなるようにした領域（以下、短寿命
領域）を設けたものである。
【００１６】
【作用】本発明の半導体受光装置では、導電型反転領域
上の受光領域以外から入射した光により空乏層の外側周
辺部の光吸収層中で生じた少数キャリアは短寿命領域中
で多数キャリアと速やかに再結合するため寿命が著しく
短くなる。このため、少数キャリアの拡散長をＬ、拡散
定数をＤ、寿命をτとすると、拡散長Ｌは数３に示すよ
うに著しく短くなり、このため空乏層の外側周辺部の光
吸収層中で生じた少数キャリアは光電流に寄与しなくな
り、応答電流波形のいわゆるすそ引きがなくなり、高速
動作が可能になる。
上の受光領域以外から入射した光により空乏層の外側周
辺部の光吸収層中で生じた少数キャリアは短寿命領域中
で多数キャリアと速やかに再結合するため寿命が著しく
短くなる。このため、少数キャリアの拡散長をＬ、拡散
定数をＤ、寿命をτとすると、拡散長Ｌは数３に示すよ
うに著しく短くなり、このため空乏層の外側周辺部の光
吸収層中で生じた少数キャリアは光電流に寄与しなくな
り、応答電流波形のいわゆるすそ引きがなくなり、高速
動作が可能になる。
【数３】
【００１７】
【実施例】図１は本発明のＩｎＧａＡｓプレーナ型ＰＤ
の一実施例の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面
図である。図１、図２において、ｎ+ −ＩｎＰ基板４１
上にｎ−ＩｎＰバッファ層４２、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層４３、ｎ- −ＩｎＰ窓層４４がこの順序で積層し
て形成されている。ｎ- −ＩｎＰ窓層４４の表面の受光
領域５０が形成される部分から例えばＺｎなどのｐ型不
純物を拡散して導電型が反転されたｐ+ 領域４５が形成
されている。ｐ+ 領域４５の最下部はｎ- −ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層４３に達している。５１は空乏層、点線４６
は空乏層フロントで、該空乏層フロント４６がｐ+ 領域
４５とｎ- −ＩｎＰ窓層４４およびｎ- −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層４３との間の実質的なＰＮ接合として作用す
る。空乏層５１の外側周辺部で窓層４４、光吸収層４３
中には、例えば、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ等のｎ型
不純物の拡散による方法や、プロトン注入等のインプラ
ンテーションによる方法によって、少数キャリア、この
場合はホールの寿命が通常のアンドープＩｎＧａＡｓに
おけるホールの寿命に比べて１０-2乃至１０-8倍程度に
短くなるようにしたホール短寿命領域６０が形成されて
いる。図１の点線の円６２は短寿命領域６０の内側境界
線を示す。また、従来のフォトダイオードと同様にプラ
ズマＣＶＤなどの方法でＳｉＮなどの光に対して透明な
表面保護膜６１が形成されている。表面保護膜６１は入
射光６６に対してＡＲコート膜仕様となるように前記数
１、数２に従って膜厚ｔ、屈折率ｎが選定されている。
の一実施例の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面
図である。図１、図２において、ｎ+ −ＩｎＰ基板４１
上にｎ−ＩｎＰバッファ層４２、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層４３、ｎ- −ＩｎＰ窓層４４がこの順序で積層し
て形成されている。ｎ- −ＩｎＰ窓層４４の表面の受光
領域５０が形成される部分から例えばＺｎなどのｐ型不
純物を拡散して導電型が反転されたｐ+ 領域４５が形成
されている。ｐ+ 領域４５の最下部はｎ- −ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層４３に達している。５１は空乏層、点線４６
は空乏層フロントで、該空乏層フロント４６がｐ+ 領域
４５とｎ- −ＩｎＰ窓層４４およびｎ- −ＩｎＧａＡｓ
光吸収層４３との間の実質的なＰＮ接合として作用す
る。空乏層５１の外側周辺部で窓層４４、光吸収層４３
中には、例えば、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ等のｎ型
不純物の拡散による方法や、プロトン注入等のインプラ
ンテーションによる方法によって、少数キャリア、この
場合はホールの寿命が通常のアンドープＩｎＧａＡｓに
おけるホールの寿命に比べて１０-2乃至１０-8倍程度に
短くなるようにしたホール短寿命領域６０が形成されて
いる。図１の点線の円６２は短寿命領域６０の内側境界
線を示す。また、従来のフォトダイオードと同様にプラ
ズマＣＶＤなどの方法でＳｉＮなどの光に対して透明な
表面保護膜６１が形成されている。表面保護膜６１は入
射光６６に対してＡＲコート膜仕様となるように前記数
１、数２に従って膜厚ｔ、屈折率ｎが選定されている。
【００１８】受光領域５０の周囲の表面保護膜６１上に
はｐ+ 領域４５にオーミック接触するｐ電極（アノー
ド）５２が形成されている。図１に示すように、ｐ電極
５２の一部は外方に膨出してワイヤボンディング用の電
極パッド５３を構成しており、該電極パッド５３にアノ
ードワイヤ５４がボンディングされている。図２で、基
板４１の底面にはｎ電極（カソード）５５が形成されて
いる。入射光６６によって光吸収層４３中に電子５７と
ホール５８のペアが発生する。
はｐ+ 領域４５にオーミック接触するｐ電極（アノー
ド）５２が形成されている。図１に示すように、ｐ電極
５２の一部は外方に膨出してワイヤボンディング用の電
極パッド５３を構成しており、該電極パッド５３にアノ
ードワイヤ５４がボンディングされている。図２で、基
板４１の底面にはｎ電極（カソード）５５が形成されて
いる。入射光６６によって光吸収層４３中に電子５７と
ホール５８のペアが発生する。
【００１９】図１、図２に示す本発明のフォトダイオー
ドにおいて、一例として基板４１のキャリア濃度は１×
１０18〜５×１０18ｃｍ-3、バッファ層４２のキャリア
濃度は１×１０16〜５×１０15ｃｍ-3、光吸収層４３の
短寿命領域６０を除く部分のキャリア濃度は１×１０15
〜１×１０16ｃｍ-3、好ましくは５×１０15ｃｍ-3程
度、窓層４４の短寿命領域６０を除く部分のキャリア濃
度は１×１０15〜１×１０16ｃｍ-3であるとする。ま
た、ｐ+ 領域４５のキャリア濃度は１×１０18〜１×１
０19ｃｍ-3、短寿命領域６０のキャリア濃度は１×１０
18〜１×１０19ｃｍ-3とされている。これらの各層、各
領域のキャリア濃度は単なる一例であって、入射光の波
長やフォトダイオード自体の目的とする特性によって変
更されることは言う迄もない。
ドにおいて、一例として基板４１のキャリア濃度は１×
１０18〜５×１０18ｃｍ-3、バッファ層４２のキャリア
濃度は１×１０16〜５×１０15ｃｍ-3、光吸収層４３の
短寿命領域６０を除く部分のキャリア濃度は１×１０15
〜１×１０16ｃｍ-3、好ましくは５×１０15ｃｍ-3程
度、窓層４４の短寿命領域６０を除く部分のキャリア濃
度は１×１０15〜１×１０16ｃｍ-3であるとする。ま
た、ｐ+ 領域４５のキャリア濃度は１×１０18〜１×１
０19ｃｍ-3、短寿命領域６０のキャリア濃度は１×１０
18〜１×１０19ｃｍ-3とされている。これらの各層、各
領域のキャリア濃度は単なる一例であって、入射光の波
長やフォトダイオード自体の目的とする特性によって変
更されることは言う迄もない。
【００２０】次に、本発明のフォトダイオードの動作を
説明する。図３、図４に示す従来のフォトダイオードと
同様に、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層４３のバンドギャ
ップ波長λｇは約１．６７μｍ、ｎ- −ＩｎＰ窓層４４
のバンドギャップ波長λｇは約０．９３μｍで、本発明
のＩｎＧａＡｓフォトダイオードの波長感度は１．０μ
ｍ〜１．６μｍの帯域内にある。そこで、入射光６６の
波長λは約１．３μｍであるとする。
説明する。図３、図４に示す従来のフォトダイオードと
同様に、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層４３のバンドギャ
ップ波長λｇは約１．６７μｍ、ｎ- −ＩｎＰ窓層４４
のバンドギャップ波長λｇは約０．９３μｍで、本発明
のＩｎＧａＡｓフォトダイオードの波長感度は１．０μ
ｍ〜１．６μｍの帯域内にある。そこで、入射光６６の
波長λは約１．３μｍであるとする。
【００２１】従来のフォトダイオードに関して説明した
ように、図１、図２に示す本発明のフォトダイオードに
おいても、ｐ電極６１にはｎ電極５５の電位を基準とし
て０Ｖまたは−５Ｖ〜−１０Ｖの負電圧が印加される。
この状態で１．３μｍの波長をもった光が受光領域５０
を含むフォトダイオード全体に入射すると、この光はλ
ｇ≒０．９３μｍの窓層４４では吸収されず、λｇ≒
１．６７μｍの光吸収層４３で吸収されて、該光吸収層
４３中で電子５７とホール５８のペアが発生する。ｐ+
領域４５の下の空乏層５１内で発生した電子５７とホー
ル５８のペアからなるキャリアは空乏層５１内の電界に
よるドリフト電流として電極５２、５５を経て取出され
て、外部回路で観察される。空乏層５１外で発生したキ
ャリアのうち、ｐ+ 領域４５の下の光吸収層４３中で発
生したホールは拡散によって空乏層５１に達し、同様に
ドリフト電流として取出される。ｐ+ 領域４５の下の空
乏層外の光吸収層４３中で発生した上記ホールが空乏層
５１に達するまでの拡散距離が比較的短く、このためこ
のホールによる応答速度の遅れは殆ど問題にならない。
ように、図１、図２に示す本発明のフォトダイオードに
おいても、ｐ電極６１にはｎ電極５５の電位を基準とし
て０Ｖまたは−５Ｖ〜−１０Ｖの負電圧が印加される。
この状態で１．３μｍの波長をもった光が受光領域５０
を含むフォトダイオード全体に入射すると、この光はλ
ｇ≒０．９３μｍの窓層４４では吸収されず、λｇ≒
１．６７μｍの光吸収層４３で吸収されて、該光吸収層
４３中で電子５７とホール５８のペアが発生する。ｐ+
領域４５の下の空乏層５１内で発生した電子５７とホー
ル５８のペアからなるキャリアは空乏層５１内の電界に
よるドリフト電流として電極５２、５５を経て取出され
て、外部回路で観察される。空乏層５１外で発生したキ
ャリアのうち、ｐ+ 領域４５の下の光吸収層４３中で発
生したホールは拡散によって空乏層５１に達し、同様に
ドリフト電流として取出される。ｐ+ 領域４５の下の空
乏層外の光吸収層４３中で発生した上記ホールが空乏層
５１に達するまでの拡散距離が比較的短く、このためこ
のホールによる応答速度の遅れは殆ど問題にならない。
【００２２】一方、受光領域５０外に入射した光により
空乏層５１外の光吸収層４３中で発生した電子６７、ホ
ール６８のペアのうち、特にホール６８の寿命は短寿命
領域６０の存在により短くなるため、空乏層５１に到達
するホールの数は殆どないか、空乏層５１に到達したホ
ールも短い拡散長内で発生したものに限られ、外部回路
で観察される光電流のうち応答速度の遅れの原因となる
長距離の拡散キャリアによる電流成分は殆どない。よっ
て、入射光の変化に対して高速応答が可能になる。本発
明のフォトダイオードでは、表面保護膜６１はＡＲコー
トを使用しているため、表面保護膜６１を通して１００
％近い光が入射するが、前述の理由によりこの入射光に
より発生したホールの寿命は著しく短くなっているた
め、応答速度に遅れを生じさせることはない。同時に、
反射率が実質的に０％になるため、反射光によって光源
側に悪影響を与える心配もない。
空乏層５１外の光吸収層４３中で発生した電子６７、ホ
ール６８のペアのうち、特にホール６８の寿命は短寿命
領域６０の存在により短くなるため、空乏層５１に到達
するホールの数は殆どないか、空乏層５１に到達したホ
ールも短い拡散長内で発生したものに限られ、外部回路
で観察される光電流のうち応答速度の遅れの原因となる
長距離の拡散キャリアによる電流成分は殆どない。よっ
て、入射光の変化に対して高速応答が可能になる。本発
明のフォトダイオードでは、表面保護膜６１はＡＲコー
トを使用しているため、表面保護膜６１を通して１００
％近い光が入射するが、前述の理由によりこの入射光に
より発生したホールの寿命は著しく短くなっているた
め、応答速度に遅れを生じさせることはない。同時に、
反射率が実質的に０％になるため、反射光によって光源
側に悪影響を与える心配もない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体受光装置
では、導電型反転領域４５の外側に該導電型反転領域４
５をとり囲んで形成された短寿命領域６０の作用によ
り、空乏層の外側に入射した光によるキャリアは短時間
で消滅するから、拡散によって上記空乏層に到達して時
間的に遅れた光電流を生じさせる原因となるキャリアは
殆ど存在せず、高速で変化する入射光に対しても高速応
答して、時間遅れのない光電流を取出すことができる。
また、本発明の半導体受光装置では、入射光束が受光領
域５０に指向されている場合に、何らかの原因で上記入
射光束が受光領域５０の中心に対して偏心して、受光領
域５０以外の部分に光が入射し、そのため空乏層５１の
外側の領域で大量のキャリアが発生しても、これによっ
て応答速度が低下することはない。よって、本発明の半
導体受光装置は、高速で変化する入射光に対しても応答
遅れのない光電流を取出すことができる。
では、導電型反転領域４５の外側に該導電型反転領域４
５をとり囲んで形成された短寿命領域６０の作用によ
り、空乏層の外側に入射した光によるキャリアは短時間
で消滅するから、拡散によって上記空乏層に到達して時
間的に遅れた光電流を生じさせる原因となるキャリアは
殆ど存在せず、高速で変化する入射光に対しても高速応
答して、時間遅れのない光電流を取出すことができる。
また、本発明の半導体受光装置では、入射光束が受光領
域５０に指向されている場合に、何らかの原因で上記入
射光束が受光領域５０の中心に対して偏心して、受光領
域５０以外の部分に光が入射し、そのため空乏層５１の
外側の領域で大量のキャリアが発生しても、これによっ
て応答速度が低下することはない。よって、本発明の半
導体受光装置は、高速で変化する入射光に対しても応答
遅れのない光電流を取出すことができる。
【図１】本発明の半導体受光装置の一実施例の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。
【図３】従来の半導体受光装置の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図である。
【図５】半導体受光装置に入射されるパルス状に変化す
る入射光の一例を示す波形図である。
る入射光の一例を示す波形図である。
【図６】図５の入射光に応答して従来の半導体受光装置
が発生する光電流の波形を示す図である。
が発生する光電流の波形を示す図である。
４１ 基板
４２ バッファ層
４３ 光吸収層
４４ 窓層
４５ 導電型反転領域
５０ 受光領域
５１ 空乏層
５２ ｐ電極
６０ 短寿命領域
６１ 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の導電型の半導体基板と、該基板上
に設けられた第１の導電型の光吸収層と、該光吸収層上
に積層して形成された該光吸収層よりもバンドギャップ
が広い第１の導電型の窓層と、該窓層の表面から上記光
吸収層に達するかもしくは該光吸収層まで数μｍ程度に
接近する深さに形成された第２の導電型の導電型反転領
域と、該導電型反転領域上の受光領域が形成される領域
上の少なくとも一部分の領域を除く上記窓層の表面に形
成された入射光に対して実質的に透明な表面保護膜と、
少なくとも上記光吸収層中であって、上記導電型反転領
域の周囲を取り囲んで設けられた少数キャリアの寿命が
上記導電型反転領域底部の光吸収層中の少数キャリアの
寿命よりも著しく短くなるようにされた第１の導電型の
短寿命領域と、上記表面保護膜上に上記導電型反転領域
に電気的に接触して形成された一方の電極と、上記半導
体基板の裏面にこれと電気的に接触して設けられた他方
の電極とからなる半導体受光装置。 - 【請求項２】 第１の導電型のＩｎＰ半導体基板と、該
ＩｎＰ基板上に設けられた第１の導電型のＩｎＧａＡｓ
光吸収層と、該ＩｎＧａＡｓ光吸収層上に積層して形成
された該光吸収層よりもバンドギャップが広い第１の導
電型のＩｎＰ窓層と、該ＩｎＰ窓層の表面から上記Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層に達するかもしくは該光吸収層まで数
μｍ程度に接近する深さに形成された導電型反転領域
と、該導電型反転領域上の受光領域が形成される領域上
の少なくとも一部分の領域を除く上記窓層の表面に形成
された入射光に対して実質的に透明な表面保護膜と、少
なくとも上記光吸収層中であって、上記導電型反転領域
の周囲を取り囲んで設けられた少数キャリアの寿命が上
記導電型反転領域底部の光吸収層中の少数キャリアの寿
命よりも著しく短くなるようにされた第１の導電型の短
寿命領域と、上記表面保護膜上に上記導電型反転領域に
電気的に接触して形成された一方の電極と、上記ＩｎＰ
半導体基板の裏面にこれと電気的に接触して設けられた
他方の電極とからなる半導体受光装置。 - 【請求項３】 第１の導電型はｎ型、第２の導電型はｐ
型であり、導電型反転領域は窓層の表面からＺｎなどの
ｐ型不純物を拡散して形成され、短寿命領域は窓層の表
面からＳｉ、Ｔｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ等のｎ型不純物を拡
散させるか、プロトン注入等のインプランテーションに
よる方法によって形成されたものであることを特徴とす
る請求項１記載の半導体受光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160233A JPH0513798A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体受光装置 |
| US07/906,222 US5272364A (en) | 1991-07-01 | 1992-06-24 | Semiconductor photodetector device with short lifetime region |
| DE69220146T DE69220146T2 (de) | 1991-07-01 | 1992-06-24 | Halbleiterfotodetektorvorrichtung |
| EP92305796A EP0522746B1 (en) | 1991-07-01 | 1992-06-24 | Semiconductor photodetector device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160233A JPH0513798A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513798A true JPH0513798A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15710588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3160233A Pending JPH0513798A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体受光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5272364A (ja) |
| EP (1) | EP0522746B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0513798A (ja) |
| DE (1) | DE69220146T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989522B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-receiving module and light-receiving device having malfunction preventing structure |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289333A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| FR2824186B1 (fr) * | 2001-04-27 | 2003-09-05 | Security Vision Concept | Nouveau capteur de luminosite et son procede de fabrication |
| JP2006332412A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Rohm Co Ltd | 受光装置 |
| JP4956944B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2012-06-20 | 三菱電機株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| FR2959815B1 (fr) * | 2010-05-05 | 2013-07-12 | Essilor Int | Dispositif de demonstration et de test de l'efficacite d'un traitement anti reflet d'une lentille ophtalmique |
| JP5973149B2 (ja) | 2010-10-14 | 2016-08-23 | ローム株式会社 | 光検出装置 |
| CN109671795B (zh) * | 2018-12-25 | 2024-05-24 | 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 | 背入射式阵列光电芯片及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034079A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体ヘテロ接合受光素子 |
| JPH01125989A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| JPH01205477A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Shimadzu Corp | フォトダイオード |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56158487A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | Silicon avalanche photodiode |
| JPS5793584A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photoreceiving element |
| JPS58115873A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
| JPS61172381A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-08-04 | Fujitsu Ltd | ＩｎＰ系化合物半導体装置 |
| JPS61283178A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Nec Corp | 光導電型半導体受光素子 |
| JPS62211967A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS62219676A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Toshiba Corp | アバランシエホトダイオ−ド及びその製造方法 |
| JPS63224268A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| JPH01161778A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| JPH01310579A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| JPH02214171A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| JPH02240974A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| JPH02291180A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Shimadzu Corp | フォトダイオード |
| JPH03220782A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3160233A patent/JPH0513798A/ja active Pending
-
1992
- 1992-06-24 EP EP92305796A patent/EP0522746B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-24 US US07/906,222 patent/US5272364A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-24 DE DE69220146T patent/DE69220146T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034079A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体ヘテロ接合受光素子 |
| JPH01125989A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| JPH01205477A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Shimadzu Corp | フォトダイオード |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989522B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-receiving module and light-receiving device having malfunction preventing structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69220146T2 (de) | 1997-10-16 |
| US5272364A (en) | 1993-12-21 |
| DE69220146D1 (de) | 1997-07-10 |
| EP0522746A1 (en) | 1993-01-13 |
| EP0522746B1 (en) | 1997-06-04 |
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