JPS628533A - 金めつきされた電子部品パツケ−ジ - Google Patents
金めつきされた電子部品パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS628533A JPS628533A JP60146545A JP14654585A JPS628533A JP S628533 A JPS628533 A JP S628533A JP 60146545 A JP60146545 A JP 60146545A JP 14654585 A JP14654585 A JP 14654585A JP S628533 A JPS628533 A JP S628533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plated
- nickel
- plating
- gold
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本拠明は半導体素子などを収納する電子部品パッケージ
、特に金属面上に金メッキが施された電子部品パッケー
ジに関するものである。
、特に金属面上に金メッキが施された電子部品パッケー
ジに関するものである。
金メツキ皮膜は電子部品におけるダイボンディング性、
ワイヤーボンディング性、ハンダ付は性、耐熱性および
耐食性などが優れていることにより、電子部品への金メ
ッキが広く行われていることは周知のとおりである。
ワイヤーボンディング性、ハンダ付は性、耐熱性および
耐食性などが優れていることにより、電子部品への金メ
ッキが広く行われていることは周知のとおりである。
一方、セラミックにメタライズを施し、該メタライズに
金メッキを施す製造過程では、前記メタライズ層上に無
電解ニッケルメッキまたは電気ニッケルメッキ皮膜を形
成した後に、リード付けを行って電気ニッケル、電気金
メッキを行う。ついで、ダイボンディング、ワイヤーボ
ンディングを行った後にキャップ封止を施す。
金メッキを施す製造過程では、前記メタライズ層上に無
電解ニッケルメッキまたは電気ニッケルメッキ皮膜を形
成した後に、リード付けを行って電気ニッケル、電気金
メッキを行う。ついで、ダイボンディング、ワイヤーボ
ンディングを行った後にキャップ封止を施す。
その際の加熱条件が過酷（例えば４５０”Ｃ１１０分程
度１であるために、ダイボンディングしたペレツ）中の
シリコンが、金メツキ皮膜の下地であるニッケルメッキ
皮膜中にまで拡散してニッケルーシリコン合金層を形成
する。同時にニッケルメッキ皮膜のニッケルが、金メツ
キ皮膜中に拡散して金メツキ層表面に酸化ニッケルを形
成する。
度１であるために、ダイボンディングしたペレツ）中の
シリコンが、金メツキ皮膜の下地であるニッケルメッキ
皮膜中にまで拡散してニッケルーシリコン合金層を形成
する。同時にニッケルメッキ皮膜のニッケルが、金メツ
キ皮膜中に拡散して金メツキ層表面に酸化ニッケルを形
成する。
このためニッケルーシリコン合金層と純粋なニッケル層
との界面によりメクキ剥れを生じ、また上記金属メッキ
層表面の酸化ニッケルにより、ハンダ付は不良を生ずる
から、信頼性の点で大きな問題となる恐れがあった。
との界面によりメクキ剥れを生じ、また上記金属メッキ
層表面の酸化ニッケルにより、ハンダ付は不良を生ずる
から、信頼性の点で大きな問題となる恐れがあった。
上記対策のため金メツキ下地として、電気ニッケルメッ
キを施した後に加熱処理する方法があるが、該方法は加
熱条件の管理を厳重にする必要があるばかりでなく、工
程数の増加により生産性の低下を招く恐れがある。
キを施した後に加熱処理する方法があるが、該方法は加
熱条件の管理を厳重にする必要があるばかりでなく、工
程数の増加により生産性の低下を招く恐れがある。
一方、特開昭５５−３４６９２号公報に記載されている
ように、ニッケル皮膜上にニッケルーフパ。
ように、ニッケル皮膜上にニッケルーフパ。
ルト合金メッキを施し、または特開昭５８−４９５５号
公報に記載されているように・ニッケル皮膜Ｉ上にロジ
ウムメッキを施すことが提案されている。
公報に記載されているように・ニッケル皮膜Ｉ上にロジ
ウムメッキを施すことが提案されている。
ところが、上記のようにロジウムメッキを抛す場合に使
用されるロジウムメッキ液は分解し易いため、セラミッ
ク基板上にもロジウムが析出して配線間のシ璽−トの原
因となる懸念があった。
用されるロジウムメッキ液は分解し易いため、セラミッ
ク基板上にもロジウムが析出して配線間のシ璽−トの原
因となる懸念があった。
本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、金メ
ツキ皮膜の剥離がなく、かつはんだ付着性が良好で、し
かも信頼性を向上させると共に、寿命を延長させること
ができる金メッキされた電子部品パッケージを提供する
ことを目的とするものである。
ツキ皮膜の剥離がなく、かつはんだ付着性が良好で、し
かも信頼性を向上させると共に、寿命を延長させること
ができる金メッキされた電子部品パッケージを提供する
ことを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するために、金属面上に金メッ
キが施された電子部品パッケージにおいて、該金メッキ
の下地としてニッケルメッキを施した後、該ニッケルメ
ッキ展出にルテニウムメッキを施して薄膜を形成したこ
とを特徴とする。
キが施された電子部品パッケージにおいて、該金メッキ
の下地としてニッケルメッキを施した後、該ニッケルメ
ッキ展出にルテニウムメッキを施して薄膜を形成したこ
とを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面について説明する。
第１図において、１はセラミック基板、２はセラミック
基板１上にタングステンあるいはモリブデン焼結体を使
用したメタライジング釦より形成されたダイポンディン
グパッドアルいはワイヤーポンディングパッドあるいは
リード付はパッドである。３は該パッド２上に無電解ま
たは電気メッキにより形成されたニッケル皮膜で、該ニ
ッケル皮膜３には銀−銅ろう材４を介してリード５がろ
う付け“されている。６はニッケル皮膜３上に電気メッ
キにより２〜５μｍの厚さに形成されたニッケル皮膜、
７は市販ルテニウム液、例えば日中貴金製１ルテニツク
ス１によりニッケル皮膜６上に形成されたルテニウムメ
ッキ皮膜、８は純金メッキ液、例えば日中貴金属製ゝテ
ンペレククス４０１′によりルテニウムメッキ皮膜７上
に形成された厚さ２１Ｘｎの金メツキ皮膜、９は金メツ
キ皮膜８上にワイヤー１０を介してボンディングされた
半導体ペレツト、１１は苺うミクク製でガラス印刷した
封止キャップで、該封止キャップ１１はリード５に気密
忙ハンダディップされている。
基板１上にタングステンあるいはモリブデン焼結体を使
用したメタライジング釦より形成されたダイポンディン
グパッドアルいはワイヤーポンディングパッドあるいは
リード付はパッドである。３は該パッド２上に無電解ま
たは電気メッキにより形成されたニッケル皮膜で、該ニ
ッケル皮膜３には銀−銅ろう材４を介してリード５がろ
う付け“されている。６はニッケル皮膜３上に電気メッ
キにより２〜５μｍの厚さに形成されたニッケル皮膜、
７は市販ルテニウム液、例えば日中貴金製１ルテニツク
ス１によりニッケル皮膜６上に形成されたルテニウムメ
ッキ皮膜、８は純金メッキ液、例えば日中貴金属製ゝテ
ンペレククス４０１′によりルテニウムメッキ皮膜７上
に形成された厚さ２１Ｘｎの金メツキ皮膜、９は金メツ
キ皮膜８上にワイヤー１０を介してボンディングされた
半導体ペレツト、１１は苺うミクク製でガラス印刷した
封止キャップで、該封止キャップ１１はリード５に気密
忙ハンダディップされている。
本実施例は上記のような構成からなり、ルテニウムメッ
キ皮膜７の厚さを０．５〜１０μｍの範囲で変化させ、
次に述べる種々の評価試験を行った。
キ皮膜７の厚さを０．５〜１０μｍの範囲で変化させ、
次に述べる種々の評価試験を行った。
（１） ダイボンディング性は、Ｘｌｌ１！透視によ
り金−シリコン共晶で９０％以上層れているものを良好
とした。
り金−シリコン共晶で９０％以上層れているものを良好
とした。
（１１）金メツキ皮膜剥離性は、ダイボンドしたサンプ
ルを空気中で４６０℃、１５分加熱した後−ヒートシ１
クク試験（２００°Ｃ〜０°Ｃ１各１０秒づつ５サイク
ル）を行い、４３０℃のヒートブロック上でペレツトを
剥離したとき、金−シリコン層で剥離されたものを良好
とした。
ルを空気中で４６０℃、１５分加熱した後−ヒートシ１
クク試験（２００°Ｃ〜０°Ｃ１各１０秒づつ５サイク
ル）を行い、４３０℃のヒートブロック上でペレツトを
剥離したとき、金−シリコン層で剥離されたものを良好
とした。
（１） 耐熱性は金メツキ後、空気中で４６０°Ｃ１
１５分加熱し、金メッキ膜の膨張および剥離を生じない
ものを良好とした。
１５分加熱し、金メッキ膜の膨張および剥離を生じない
ものを良好とした。
０■ リード折り曲げ性は、メッキされたリード５に
荷重を付加して折り曲げテス） （ＭＩＬ−８ＴＤ８８
３．２００４による）を行い、金メッキ膜の剥離あるい
はひび割れを生じないものを良好とした。
荷重を付加して折り曲げテス） （ＭＩＬ−８ＴＤ８８
３．２００４による）を行い、金メッキ膜の剥離あるい
はひび割れを生じないものを良好とした。
（ｖ）ハンダ付は性は、リード５にはんだディツプを行
い、リード５が９５％以上はんだで濡れているもの（Ｍ
ＩＬ−８ＴＤ８８５．２００３による：を良好とした。
い、リード５が９５％以上はんだで濡れているもの（Ｍ
ＩＬ−８ＴＤ８８５．２００３による：を良好とした。
上記の試験結果は下記表に示すとおりである。
この表より明らかなよう・９に、ルテニウム皮膜の膜厚
が０．５〜５．０μｍのときに良好な結果が得られた。
が０．５〜５．０μｍのときに良好な結果が得られた。
また、メッキ液の安定性も問題なく・かつセラミック上
にルテニウムが析出することもなかった。
にルテニウムが析出することもなかった。
本実施例は上述したように、金メッキの下地としてニッ
ケルメッキを施した後、該ニッケルメッキ膜上にルテニ
ウムメッキを施して薄膜を形成することにより、半導体
ノ々クテージング時の過酷な加熱において、ベレット中
のシリコンのニッケル層への拡散およびニッケルの金メ
ッキ層への拡散を防止するバリアーとして、ルテニウム
が有効に作用するのを確認することができた。したがっ
て、該ルテニウムメッキにより加熱処理を行わなくても
、メッキ層の剥離およびハンダ付けの不良が皆無となり
、かつメッキ作業を連続的忙行うことができる。
ケルメッキを施した後、該ニッケルメッキ膜上にルテニ
ウムメッキを施して薄膜を形成することにより、半導体
ノ々クテージング時の過酷な加熱において、ベレット中
のシリコンのニッケル層への拡散およびニッケルの金メ
ッキ層への拡散を防止するバリアーとして、ルテニウム
が有効に作用するのを確認することができた。したがっ
て、該ルテニウムメッキにより加熱処理を行わなくても
、メッキ層の剥離およびハンダ付けの不良が皆無となり
、かつメッキ作業を連続的忙行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、金メッキ層の剥
離を皆無とし、かつはんだ付は性を良好にするばかりで
なく、信頼性の向上および寿命の延長をはかることがで
きる。
離を皆無とし、かつはんだ付は性を良好にするばかりで
なく、信頼性の向上および寿命の延長をはかることがで
きる。
第１図は本発明の金メッキされた電子部品パッケージの
一実施例を示す断面図である。 ６・・・ニッケルメッキ層、 ７・・ルテニウムメッキ層、 ８・・・金メッキ層。
一実施例を示す断面図である。 ６・・・ニッケルメッキ層、 ７・・ルテニウムメッキ層、 ８・・・金メッキ層。
Claims (1)
- 金属面上に金メッキが施された電子部品パッケージにお
いて、該金メッキの下地としてニッケルメッキを施した
後、該ニッケルメッキ膜上にルテニウムメッキを施して
薄膜を形成したことを特徴とする金メッキが施された電
子部品パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146545A JPS628533A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146545A JPS628533A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628533A true JPS628533A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15410074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60146545A Pending JPS628533A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660404A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Nec Corporation | Element joining pad for semiconductor device mounting board |
| JP2018178237A (ja) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 松田産業株式会社 | ルテニウムを含む積層めっき被覆材 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60146545A patent/JPS628533A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660404A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Nec Corporation | Element joining pad for semiconductor device mounting board |
| US5485352A (en) * | 1993-12-27 | 1996-01-16 | Nec Corporation | Element joining pad for semiconductor device mounting board |
| JP2018178237A (ja) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 松田産業株式会社 | ルテニウムを含む積層めっき被覆材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4675243A (en) | Ceramic package for semiconductor devices | |
| JPS6013078B2 (ja) | 金メツキされた電子部品及びその製法 | |
| US6759597B1 (en) | Wire bonding to dual metal covered pad surfaces | |
| JPS6243343B2 (ja) | ||
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JPS628533A (ja) | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ | |
| JPS628532A (ja) | 金メツキされた電子部品パツケ−ジ | |
| KR900003472B1 (ko) | 전자부품의 도금방법 | |
| JPS6034257B2 (ja) | 金の導電層を有する電子部品 | |
| JPS639957A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| US5119167A (en) | Method of improving the corrosion resistance of aluminum contacts on semiconductors | |
| JPS62131526A (ja) | 金めつきされた電子部品 | |
| JPS6196098A (ja) | 金メツキされた電子部品 | |
| JPS633036B2 (ja) | ||
| JPS63137574A (ja) | メタライズ金属層の表面被覆構造 | |
| JPH02174253A (ja) | 金属部にレニウム層を有する電子部品パッケージ | |
| JPS6353287A (ja) | Ａｇ被覆導体 | |
| JPS613663A (ja) | 金属部材の鑞付け前処理方法 | |
| JP2944128B2 (ja) | セラミックパッケージ | |
| JPS59149042A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH1065297A (ja) | セラミック基板及びその製造方法 | |
| JPH06177290A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0288793A (ja) | 気密端子のメッキ方法 | |
| JP2004282103A (ja) | リードフレームの部分貴金属めっき方法 | |
| JPS60143636A (ja) | 電子部品 |