JPS6281446A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6281446A JPS6281446A JP60220232A JP22023285A JPS6281446A JP S6281446 A JPS6281446 A JP S6281446A JP 60220232 A JP60220232 A JP 60220232A JP 22023285 A JP22023285 A JP 22023285A JP S6281446 A JPS6281446 A JP S6281446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle size
- synthetic rubber
- microns
- silica
- epoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱ストレス後耐湿性に優れた、半導体封止用工
Ｉキシ樹脂組成物に関するものである。
Ｉキシ樹脂組成物に関するものである。
その特徴は、工ｌ？キシ基を含有する合成ゴムと、粒径
の小さい充填材によ抄低応力化を図っているところにあ
る。
の小さい充填材によ抄低応力化を図っているところにあ
る。
従来半導体封止用工ぽキシ樹脂組成物には一般に最大粒
径が１５０ξクロン平均粒径が２０ミクロン程度のシリ
ｐが使われているが、肉薄のフラントノ２ツケージで充
填不良を起こした９超ＬＳＩノｚツケージでノぞツシベ
ーションクラックトいった千成を起こしていた。又最近
の基板への表面実装化の動きで薄型ＩＣノ’？ツケージ
は、基板に仮留め後半出槽に浸漬されｒｃＡツケージが
直接２５０〜３５０℃の半田の中に浸漬するという熱ス
トレスを受ける。この急激な熱ストレスのためＩＣベレ
ッ＋と樹脂、リードフレームと樹脂の間に隙間ができこ
の丸め耐湿性が著しく劣化する。この熱ストレス後の耐
湿性に優れる材料はなかった。
径が１５０ξクロン平均粒径が２０ミクロン程度のシリ
ｐが使われているが、肉薄のフラントノ２ツケージで充
填不良を起こした９超ＬＳＩノｚツケージでノぞツシベ
ーションクラックトいった千成を起こしていた。又最近
の基板への表面実装化の動きで薄型ＩＣノ’？ツケージ
は、基板に仮留め後半出槽に浸漬されｒｃＡツケージが
直接２５０〜３５０℃の半田の中に浸漬するという熱ス
トレスを受ける。この急激な熱ストレスのためＩＣベレ
ッ＋と樹脂、リードフレームと樹脂の間に隙間ができこ
の丸め耐湿性が著しく劣化する。この熱ストレス後の耐
湿性に優れる材料はなかった。
一方従来から合成ゴムを使用した低化カニＩキシ樹脂組
成物は、色々と検討されているが、成形性（特に硬化性
、パリ、離型性）等に問題があった。例えば、カルボキ
シル基含有ジエン系ゴム質ポリマーを添加した場合〔特
開昭５８−１７６９５８号〕では、ゴムが溶出し成形性
に問題があるだけでなく、親水性のカルボキシル基を含
有するため、著しく耐湿性が劣った。分子内に工Ｉキシ
基を２つ以上もつジエン系ゴムは、エポキシ樹脂と化学
反応によシ結合するため溶出することはないが、このゴ
ム単独では熱ストレス後の耐湿性を向上させるには不十
分である。
成物は、色々と検討されているが、成形性（特に硬化性
、パリ、離型性）等に問題があった。例えば、カルボキ
シル基含有ジエン系ゴム質ポリマーを添加した場合〔特
開昭５８−１７６９５８号〕では、ゴムが溶出し成形性
に問題があるだけでなく、親水性のカルボキシル基を含
有するため、著しく耐湿性が劣った。分子内に工Ｉキシ
基を２つ以上もつジエン系ゴムは、エポキシ樹脂と化学
反応によシ結合するため溶出することはないが、このゴ
ム単独では熱ストレス後の耐湿性を向上させるには不十
分である。
本発明は従来熱ストレスを受けた後の耐湿性に問題があ
った半導体封止用エポキシ樹脂組成物を抜本的に改良し
実用的製品の開発を目的として研究した結果、フィラー
粒径を小さくすると共にエイキシ基を含有する合成ゴム
を添加することにより、熱ストレス後の耐湿性に優れた
半導体封止用エイキシ樹脂組成物が得られることを見い
出したものである。
った半導体封止用エポキシ樹脂組成物を抜本的に改良し
実用的製品の開発を目的として研究した結果、フィラー
粒径を小さくすると共にエイキシ基を含有する合成ゴム
を添加することにより、熱ストレス後の耐湿性に優れた
半導体封止用エイキシ樹脂組成物が得られることを見い
出したものである。
本発明は重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が
１００ミクロン以下のシリカを充填材として用い、分子
内に工ぽキシ基を２つ以上含有する合成ゴムを、０１〜
２０ｔｆ’％含有することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物である。
１００ミクロン以下のシリカを充填材として用い、分子
内に工ぽキシ基を２つ以上含有する合成ゴムを、０１〜
２０ｔｆ’％含有することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物である。
一般的に半導体封止用工ぽキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、シリカ、処理剤、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、
難燃剤、顔料等より構成される０特に現在汎用の材料は
クレゾールノボラック型エイキシ樹脂、フェノールノボ
ラック（硬化剤）、第３級アミン（硬化促進剤）、シリ
カ（充填材）、シランカッシリング剤（シリカの表面処
理剤）等で構成される。シリカ量としては５０〜８０重
量％が普通である。
樹脂、シリカ、処理剤、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、
難燃剤、顔料等より構成される０特に現在汎用の材料は
クレゾールノボラック型エイキシ樹脂、フェノールノボ
ラック（硬化剤）、第３級アミン（硬化促進剤）、シリ
カ（充填材）、シランカッシリング剤（シリカの表面処
理剤）等で構成される。シリカ量としては５０〜８０重
量％が普通である。
本発明ではシリカとして重量平均粒径が１５ミクロン以
下で最大粒径が１００ミクロン以下であることが必要で
、これ以上だと熱ストレス後の耐湿性には全く効果がな
い。フラットノ！ツケージの様な薄肉のノξツケージに
は、さらに粒径を小さくしだもの例えば、重量平均粒径
が１０ミクロン以下最大粒径が５０ミクロン以下のもの
が好ましい。
下で最大粒径が１００ミクロン以下であることが必要で
、これ以上だと熱ストレス後の耐湿性には全く効果がな
い。フラットノ！ツケージの様な薄肉のノξツケージに
は、さらに粒径を小さくしだもの例えば、重量平均粒径
が１０ミクロン以下最大粒径が５０ミクロン以下のもの
が好ましい。
合成ゴムとしては分子内にエイキシ基を２つ以上含む合
成ゴムを、０１〜２０重量％含むことが必要である。分
子内にエポキシ基を２つ以−Ｆ持たない合成ゴムは、エ
ポキシ樹脂と親和性が悪く成形時ブリードする等問題が
あシ、０．１重量％以下の添加量では効果はなく２０重
ｉｓ以上の添加蓋では、樹脂の強度が著１．〈低下１７
又熱膨張係数、寸法変化率が大きく熱ストレス後の耐湿
性には効果がない。
成ゴムを、０１〜２０重量％含むことが必要である。分
子内にエポキシ基を２つ以−Ｆ持たない合成ゴムは、エ
ポキシ樹脂と親和性が悪く成形時ブリードする等問題が
あシ、０．１重量％以下の添加量では効果はなく２０重
ｉｓ以上の添加蓋では、樹脂の強度が著１．〈低下１７
又熱膨張係数、寸法変化率が大きく熱ストレス後の耐湿
性には効果がない。
このように本発明に従うと熱ストレス後の耐湿性に優れ
た半導体封止用工・エポキシ樹脂組成物を得ることがで
きる。半導体封止用途では超ＬＳＩ化によりノξツケー
ジ全体のうちＸＣ−：レットが占める体積が大きくなり
樹脂の肉厚が薄くなるといった状況下で、熱ストレス後
の耐湿性に優れた本発明の樹脂組成物は高度の信頼性を
与える点で非常に有益である。
た半導体封止用工・エポキシ樹脂組成物を得ることがで
きる。半導体封止用途では超ＬＳＩ化によりノξツケー
ジ全体のうちＸＣ−：レットが占める体積が大きくなり
樹脂の肉厚が薄くなるといった状況下で、熱ストレス後
の耐湿性に優れた本発明の樹脂組成物は高度の信頼性を
与える点で非常に有益である。
以下、工４！キシ樹脂組成物の検討例で説明する。例で
用いた部はすべて重量部である。
用いた部はすべて重量部である。
実施例１〜４
本実施例で使用したシリカは次の通りである。
溶融シリカＡ（電気化学工業）
重量平均粒径１０ミクロン最大粒径７０ミクロン溶融シ
リカＢ（１！気化学工業） 重量平均粒径７ ミクロン最大粒径５０ミクロン結晶シ
リカＣ（龍 森） 重量平均粒径１０ミクロン最大粒径７０ミクロン本実施
例で使用したエイキシ基含有合成ゴムとは次の通シであ
る。
リカＢ（１！気化学工業） 重量平均粒径７ ミクロン最大粒径５０ミクロン結晶シ
リカＣ（龍 森） 重量平均粒径１０ミクロン最大粒径７０ミクロン本実施
例で使用したエイキシ基含有合成ゴムとは次の通シであ
る。
合成ゴムａ：両末端工ぽキシ基含有１，４トランスタイ
プポリブタジエン（エポキシ当 １ｉ１４５０） 合成ゴムｂ：分子内エポキシ基含有１，４トランスタイ
プぼりブタジェン（数平均分子 ｉｉｉ ３０００ 、エポキシ当量２００）合成ゴムＣ
：分子内工Ｉキシ基含有１，２ビニルタイプポリブタジ
エン（数平均分子量 ７００、エイキシ当量２２０） 合成ゴムｄ：分子内エイキシ基含有１．２ビニルタイプ
ぼりブタジェン（数平均分子量 １０００、エイキシ当量１９０） 合成ゴムｅ：分子内エポキシ基含有１．２ビニルタイプ
ぼりブタジェン（数平均分子量 １８００、エポギシ当ＩＩ！： ２２０ ）実施例１〜
９ シＩＪ 力Ａ −Ｃ７０部、表ｉ＃ｒ処理剤（日本ユニ
カーＡ−１８６）０．４部、合成ゴムａ −ｅ Ｘ部、
ｘ Ｈ？キシレジン（住友化学ＫＳＣＮ−１０２５）２
０−Ｘ部、フェノールノボラック（住友ベークライト）
１０部、硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−３６０／四国
化成２ＭＺ ＝ ９／１ ） ０．２部、顔料（三菱化
成）１１．５部、離型剤（ヘキストジャノξンヘキスト
ＯＰ／ヘキストＳ＝１／１）０．４部を加え混合した稜
コニーダーで混練し９種のニブキシ樹脂組成物を得た。
プポリブタジエン（エポキシ当 １ｉ１４５０） 合成ゴムｂ：分子内エポキシ基含有１，４トランスタイ
プぼりブタジェン（数平均分子 ｉｉｉ ３０００ 、エポキシ当量２００）合成ゴムＣ
：分子内工Ｉキシ基含有１，２ビニルタイプポリブタジ
エン（数平均分子量 ７００、エイキシ当量２２０） 合成ゴムｄ：分子内エイキシ基含有１．２ビニルタイプ
ぼりブタジェン（数平均分子量 １０００、エイキシ当量１９０） 合成ゴムｅ：分子内エポキシ基含有１．２ビニルタイプ
ぼりブタジェン（数平均分子量 １８００、エポギシ当ＩＩ！： ２２０ ）実施例１〜
９ シＩＪ 力Ａ −Ｃ７０部、表ｉ＃ｒ処理剤（日本ユニ
カーＡ−１８６）０．４部、合成ゴムａ −ｅ Ｘ部、
ｘ Ｈ？キシレジン（住友化学ＫＳＣＮ−１０２５）２
０−Ｘ部、フェノールノボラック（住友ベークライト）
１０部、硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−３６０／四国
化成２ＭＺ ＝ ９／１ ） ０．２部、顔料（三菱化
成）１１．５部、離型剤（ヘキストジャノξンヘキスト
ＯＰ／ヘキストＳ＝１／１）０．４部を加え混合した稜
コニーダーで混練し９種のニブキシ樹脂組成物を得た。
これらの成形材料の熱ストレス後耐湿性、成形性を測定
した結果表の様に比較例に比べて優れていることがわか
った。
した結果表の様に比較例に比べて優れていることがわか
った。
比較例１
末端カルボキシル基、１ｆリイソゾレン（クラレＬＩＲ
−４０３’）合成ゴム１２部を実施例中の合成ゴムＢ−
６の替わシに使い他は実施例と同様の原料を用いた。
−４０３’）合成ゴム１２部を実施例中の合成ゴムＢ−
６の替わシに使い他は実施例と同様の原料を用いた。
比較例２
重量平均粒径２０ミクロン最大粒径ｘｓｏミクロンの溶
融シリカＤ（龍森）を実施例中のシリカＡ−Ｃの替わり
に使い、他は実施例と同様の原料を用いた。
融シリカＤ（龍森）を実施例中のシリカＡ−Ｃの替わり
に使い、他は実施例と同様の原料を用いた。
比較例３
重量平均粒径２０ミクロン最大粒径１５０ミクロンの溶
融シリカＤ（龍森）を実施例中のシリカＡ−Ｃの替わり
に使い、実施例中の合成ゴムは一切添加せずに、他は実
施例と同様の原料を用いた。
融シリカＤ（龍森）を実施例中のシリカＡ−Ｃの替わり
に使い、実施例中の合成ゴムは一切添加せずに、他は実
施例と同様の原料を用いた。
＊１．１６ ｐｉｎ ＤＩＰを成形した時のリードビン
上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のｈ以下
の時Ａ、２，１，６の時Ｂ、局〜−の時Ｃ１ｈ以上（タ
イバーを超えた）Ｄｏ ＊２、アルミ模擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩ
Ｐを２８０℃の半田槽に５秒間浸漬させ、その後１３５
℃、１００％ＲＨの条件で５００ｈｒ保管しアルミ腐食
による不良数／総数で判定。
上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のｈ以下
の時Ａ、２，１，６の時Ｂ、局〜−の時Ｃ１ｈ以上（タ
イバーを超えた）Ｄｏ ＊２、アルミ模擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩ
Ｐを２８０℃の半田槽に５秒間浸漬させ、その後１３５
℃、１００％ＲＨの条件で５００ｈｒ保管しアルミ腐食
による不良数／総数で判定。
Claims (1)
- 重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が１００ミ
クロン以下のシリカを充填材として用い、分子内にエポ
キシ基を２つ以上含有する合成ゴムを０．１〜２０重量
％含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220232A JPS6281446A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220232A JPS6281446A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281446A true JPS6281446A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16747954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220232A Pending JPS6281446A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281446A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487616A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Toray Industries | Resin composition for sealing semiconductor |
| JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH0299552A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02173155A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
| JPH05132609A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554952A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS58174416A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60220232A patent/JPS6281446A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554952A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS58174416A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487616A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Toray Industries | Resin composition for sealing semiconductor |
| JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH0299552A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02173155A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
| JPH05132609A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5476884A (en) | Semiconductor device-encapsulating epoxy resin composition containing secondary amino functional coupling agents | |
| JPS6281446A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS61168618A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH08157561A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH05259316A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2867471B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPS6162511A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2954412B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH04296046A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2963260B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2005290111A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH0733429B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH09124774A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP2005281624A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH01275620A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR100413357B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
| JPS6356515A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11199754A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2954413B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3093051B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2635621B2 (ja) | 半導体装置封止用樹脂組成物 | |
| JPH01263112A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6317926A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2658749B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH05175373A (ja) | エポキシ樹脂組成物 |