JPS6276577A - 光素子 - Google Patents
光素子Info
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- JPS6276577A JPS6276577A JP60214614A JP21461485A JPS6276577A JP S6276577 A JPS6276577 A JP S6276577A JP 60214614 A JP60214614 A JP 60214614A JP 21461485 A JP21461485 A JP 21461485A JP S6276577 A JPS6276577 A JP S6276577A
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- Japan
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- lead frame
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- resin
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は光素子に関し、さらに詳しくは、 Ａ１合金の
リードフレームを用いた光素子に関する、 ［発明の技術的背景およびその問題点］光素子には、例
えば、ＧａＰを用いたＬＥＤ（発光ダイオード）のよう
に発光面だけではなく素子全体が発光するものが知られ
ている。
リードフレームを用いた光素子に関する、 ［発明の技術的背景およびその問題点］光素子には、例
えば、ＧａＰを用いたＬＥＤ（発光ダイオード）のよう
に発光面だけではなく素子全体が発光するものが知られ
ている。
このような光素子は、例えば、第１図に示されるような
各構成要素からなるものである。この第１図に基づいて
光素子の一例を説明する。
各構成要素からなるものである。この第１図に基づいて
光素子の一例を説明する。
リードフレーム（Ａ）２の上端部には、皿状反射部１が
設けられている１皿状反射部１上には、発光（受光）素
子４が、、、ｙ気菌接続をもって接合されている。また
、リードフレーム（Ａ）２とは方ｎニリードフレーム（
Ｂ）３が設けられ、発光（受光）素子４を介してポンデ
ィングワイヤ５で接続されている。
設けられている１皿状反射部１上には、発光（受光）素
子４が、、、ｙ気菌接続をもって接合されている。また
、リードフレーム（Ａ）２とは方ｎニリードフレーム（
Ｂ）３が設けられ、発光（受光）素子４を介してポンデ
ィングワイヤ５で接続されている。
、さらに、発光（受光）素子４は、例えばエポキシ樹１
１ｎで全体が被包されて月止樹ｍ１部６が構成される。
１ｎで全体が被包されて月止樹ｍ１部６が構成される。
このような光素子においては、Ｆｅ系のリードフレーム
が用いられており、皿状反射部１の表面には、その反射
率を高める目的で、通常銀メッキが施されるため、コス
トが高くなるという問題点があった。
が用いられており、皿状反射部１の表面には、その反射
率を高める目的で、通常銀メッキが施されるため、コス
トが高くなるという問題点があった。
そして反射部に銀メッキを施す場合、その前段処理とし
て反射部１の表面にはさび防＋ｈ用等のため銅ストライ
クメッキを行う必要がある。しかしながら、このような
処理においては、下層に位置する銅が銀の表面にｅ縮さ
れ、発光（受光）素子に拡散して、該素子の性能に悪影
響を及ぼす。
て反射部１の表面にはさび防＋ｈ用等のため銅ストライ
クメッキを行う必要がある。しかしながら、このような
処理においては、下層に位置する銅が銀の表面にｅ縮さ
れ、発光（受光）素子に拡散して、該素子の性能に悪影
響を及ぼす。
［発明の目的］
本発明は上記の問題点を解消し、低コストで光の反射率
が高い光素子の提供を目的とする。
が高い光素子の提供を目的とする。
［発明のＲ要］
本発明名１しは、アルミニウム合金からなり、かつ、所
定の表面粗さをイ１するリードフレームを用いると得ら
れた光素子は高い反射率を発現するとの事実を見い出し
、本発明の光素子を完成するに到ったのである。
定の表面粗さをイ１するリードフレームを用いると得ら
れた光素子は高い反射率を発現するとの事実を見い出し
、本発明の光素子を完成するに到ったのである。
すなわち、本発明の光素子は、表面粗さがＪＩＳＢＯ８
５！］で規定するＳＮ２〜ＳＮ１０であるアルミニウム
合金からなり、−Ｆ端部に皿状反射部が形成されたリー
ドフレームと、前記反射部に接合された発光もしくは受
光素子と、前記素子を封止する樹脂とを具備したことを
特徴とするものである。
５！］で規定するＳＮ２〜ＳＮ１０であるアルミニウム
合金からなり、−Ｆ端部に皿状反射部が形成されたリー
ドフレームと、前記反射部に接合された発光もしくは受
光素子と、前記素子を封止する樹脂とを具備したことを
特徴とするものである。
リードフレームは、アルミニウムを主成分とする合金か
らなる。このアルミニウムを主成分とする合金は、アル
ミニウムの他にマグネシウム、マンガン、ケイ素、鉄、
クロム、銅、亜鉛等からなるものであり、例えば、 Ａ
ＩＬ −Ｍｇ−Ｓｉ合金、ＡＭ−Ｃｕ−Ｓｉ合金、Ａｌ
１−Ｃｕ−Ｍｇ合金等が挙げられる。
らなる。このアルミニウムを主成分とする合金は、アル
ミニウムの他にマグネシウム、マンガン、ケイ素、鉄、
クロム、銅、亜鉛等からなるものであり、例えば、 Ａ
ＩＬ −Ｍｇ−Ｓｉ合金、ＡＭ−Ｃｕ−Ｓｉ合金、Ａｌ
１−Ｃｕ−Ｍｇ合金等が挙げられる。
特にその組成は規定しないが、リードフレームとしての
強度を有するものであれば良い、析出硬化型、固溶体硬
化型等の熱処理型へ交合金が適する。
強度を有するものであれば良い、析出硬化型、固溶体硬
化型等の熱処理型へ交合金が適する。
このようなＡ４合金から製造されたリードフレームはそ
の表面粗さがＪＩＳ ＢＯ６５９に規定するＳＮ２〜Ｓ
Ｎ１０である。表面粗さがＳＮ２未満の場合は、前記し
た封止樹脂部６を形成する際に素子封土用の樹脂とリー
ドフレームとの接触面積が減少することにより、封止時
における接合強度、密、ｎ性が低下する。５ＮＩＯを超
える場合は、反射率が波長４００〜！１５０ｎｍの青色
から赤外領域で２０％以下（純Ａ４の蒸着面を １００
％とした場合）に低下する。また、後述するろう付工程
時に超音波が散乱して良好なろう付が得にくくなる。
の表面粗さがＪＩＳ ＢＯ６５９に規定するＳＮ２〜Ｓ
Ｎ１０である。表面粗さがＳＮ２未満の場合は、前記し
た封止樹脂部６を形成する際に素子封土用の樹脂とリー
ドフレームとの接触面積が減少することにより、封止時
における接合強度、密、ｎ性が低下する。５ＮＩＯを超
える場合は、反射率が波長４００〜！１５０ｎｍの青色
から赤外領域で２０％以下（純Ａ４の蒸着面を １００
％とした場合）に低下する。また、後述するろう付工程
時に超音波が散乱して良好なろう付が得にくくなる。
このようなリードフレームの皿状反射部上に発光もしく
は受光素子を載置する。
は受光素子を載置する。
次いで、発光もしく＋ｆ受光素子を包み込むように、例
えばエポキシ樹脂等の樹脂で被包し、全体を封＋ｈする
。
えばエポキシ樹脂等の樹脂で被包し、全体を封＋ｈする
。
ここで、リードフレームの下方部（樹脂で被包、封ＩＩ
−されていない部分）を、鉛および／または錫を主成分
とするろう材で、ろう付を行い被覆する。
−されていない部分）を、鉛および／または錫を主成分
とするろう材で、ろう付を行い被覆する。
ここで使用する鉛および／または錫を主成分とするろう
材と１．ｒ：は、ろう付性が良好であり、かつリードフ
レームに対するろう付強度の強いものが好ましい。例え
ば、５ｎ−Ｐｂ共品はんだ、また、Ａｇ、ＡＩ 、Ｃｕ
等を含む５ｎ−Ｐｂ共品はんだ等を挙げることかで層る
。特にこれに限定Ｓれるものではない。
材と１．ｒ：は、ろう付性が良好であり、かつリードフ
レームに対するろう付強度の強いものが好ましい。例え
ば、５ｎ−Ｐｂ共品はんだ、また、Ａｇ、ＡＩ 、Ｃｕ
等を含む５ｎ−Ｐｂ共品はんだ等を挙げることかで層る
。特にこれに限定Ｓれるものではない。
このようなろう材を用いてろう付による被覆を行う場合
は、リードフレームのろう付を行なう部分を、ろう材浴
中で超音波をかけて一定時間浸漬することにより、 Ａ
４合金からなるリードフレーム表面の酸化膜が物理的に
破壊され、ろう付強度を高めることができる。適用する
超音波の周波数はｌＯ〜５０ＫＨｚが好ましい、ろう材
浴の温度は２４０〜３００℃、浸漬時間は、ろう材浴の
温度と超音波の周波数により適宜決定することができる
。また、このろう付は、窒素ガスのような非酸化性ガス
雰囲気下で行うことが好ましい。
は、リードフレームのろう付を行なう部分を、ろう材浴
中で超音波をかけて一定時間浸漬することにより、 Ａ
４合金からなるリードフレーム表面の酸化膜が物理的に
破壊され、ろう付強度を高めることができる。適用する
超音波の周波数はｌＯ〜５０ＫＨｚが好ましい、ろう材
浴の温度は２４０〜３００℃、浸漬時間は、ろう材浴の
温度と超音波の周波数により適宜決定することができる
。また、このろう付は、窒素ガスのような非酸化性ガス
雰囲気下で行うことが好ましい。
［発明の実施例］
以下、実施例および比較例を掲げ、本発明をさらに詳述
する。
する。
実施例１〜３
リー ドクレームを構成する合金として、 へ文−Ｍｇ
−Ｃｕ合金を使用した。この合金を用い１表面粗さが（
１）ＳＮ２ 、 （２）５および（３）１０の３種類の
リードフレームを製造した。エポキシ樹脂により封［に
後、未封１）１一部分にろう付を行い被覆した。この場
合のろう材はＡｇを ５％以下含有する Ｐｂ−３ｎ共
晶はんだを使用した。２０Ｋ）Ｉｚの超音波をかけなが
ら、２８０°Ｃのろう材温中に２秒間浸漬し、ろう付を
行い、本発明の光素子を得た。
−Ｃｕ合金を使用した。この合金を用い１表面粗さが（
１）ＳＮ２ 、 （２）５および（３）１０の３種類の
リードフレームを製造した。エポキシ樹脂により封［に
後、未封１）１一部分にろう付を行い被覆した。この場
合のろう材はＡｇを ５％以下含有する Ｐｂ−３ｎ共
晶はんだを使用した。２０Ｋ）Ｉｚの超音波をかけなが
ら、２８０°Ｃのろう材温中に２秒間浸漬し、ろう付を
行い、本発明の光素子を得た。
この光素子の反射率および導電率を測定した。
その結果を第２図に示す（ＳＮ＝ｌＯの場合）、第２図
に示すとおり、Ｆｅフレームに銀メッキを施した場合と
同等の高い反射率を示した。他の場合も同様であった。
に示すとおり、Ｆｅフレームに銀メッキを施した場合と
同等の高い反射率を示した。他の場合も同様であった。
導電率は、 Ｆｅ系リードフレームの場合よりも大であ
った（Ｆｅ系 １０％ＩＡＣ：Ｓ、 ＩＩ合金約３０
％ＩＡＣＳ）。また、樹脂封止時におけるフレームと樹
脂の接合強度も良好であった。従って、封止が良好に行
われていた。
った（Ｆｅ系 １０％ＩＡＣ：Ｓ、 ＩＩ合金約３０
％ＩＡＣＳ）。また、樹脂封止時におけるフレームと樹
脂の接合強度も良好であった。従って、封止が良好に行
われていた。
比較例１
実施例１と同様の合金で５Ｎ＝１のものを用いてリード
フレームを製造後、以下の工程は実施例と同様にして光
素子を得た。
フレームを製造後、以下の工程は実施例と同様にして光
素子を得た。
この光素子を用い、実施例１と同様にして反射率を測定
した。その結果、５ＩＪｚ図に示すとおり、高い反射率
を示したが、樹脂封止時における接合強度が弱く、上の
な封Ｉトを行うことができず、このため実用には適さな
かった。
した。その結果、５ＩＪｚ図に示すとおり、高い反射率
を示したが、樹脂封止時における接合強度が弱く、上の
な封Ｉトを行うことができず、このため実用には適さな
かった。
比較例２
実施例１と同様のＡｌ１−Ｍｇ合金を用い５ｌｌｌ＝１
１のリードフレームを製造後、以下の１−程を実施例１
と同様にして光素子を得た。
１のリードフレームを製造後、以下の１−程を実施例１
と同様にして光素子を得た。
この光素子を用い、実施例１と同様にｌ−で反射率の測
定を行った、その結果、第２図に示すとおり、反射率が
極めて低く、このため実用には適さなかった。
定を行った、その結果、第２図に示すとおり、反射率が
極めて低く、このため実用には適さなかった。
［発明の効果］
以上に説明したとおり本発明の光素子は、その表面粗さ
がＳＮ２〜５ＮＩＱの範囲であるＡ！；Ｌ合金からなる
リードフレームを用いることにより、高い反射率を有す
るものである。し、たがって、従来反射率を高めるため
に行われていたＡｇメッキを行う必要がなく、このため
、製造コストの低減、製造工程の簡略化を図ることがで
きるものであり、その工業的価値は極めて大である。ま
た、従来のＦｅ系フレームに比べへ交合金は導電率が高
いため損失が小さい。しかし、余り導電率が高いと熱伝
導も高くなり、ろう付の際リードフレームを伝って半導
体素子の接合部にクラック発生等の悪影響を与えるよう
な熱伝導が生じやすいが、 Ａ１合金はＦｅ系よりは
高いが、このような悪影響を学えるまでには到らないほ
ど、良い導電率を示す。
がＳＮ２〜５ＮＩＱの範囲であるＡ！；Ｌ合金からなる
リードフレームを用いることにより、高い反射率を有す
るものである。し、たがって、従来反射率を高めるため
に行われていたＡｇメッキを行う必要がなく、このため
、製造コストの低減、製造工程の簡略化を図ることがで
きるものであり、その工業的価値は極めて大である。ま
た、従来のＦｅ系フレームに比べへ交合金は導電率が高
いため損失が小さい。しかし、余り導電率が高いと熱伝
導も高くなり、ろう付の際リードフレームを伝って半導
体素子の接合部にクラック発生等の悪影響を与えるよう
な熱伝導が生じやすいが、 Ａ１合金はＦｅ系よりは
高いが、このような悪影響を学えるまでには到らないほ
ど、良い導電率を示す。
第１図は、本発明の光素子の一例を示す概略図である。
第２図は、実施例および比較例の光素子の反射率を示す
図である。 、液長１ｎｍ＋ −一一一一一一 第２図
図である。 、液長１ｎｍ＋ −一一一一一一 第２図
Claims (2)
- （１）表面粗さがＪＩＳ Ｂ０８５９で規定するＳＮ２
〜ＳＮ１０であるアルミニウム合金からなり、上端部に
皿状反射部が形成されたリードフレームと、前記反射部
に接合された発光もしくは受光素子と、前記素子を封止
する樹脂とを具備したことを特徴とする光素子。 - （２）前記リードフレームの樹脂で被包されていない部
分が鉛及び／又は錫を主成分とするろう材で被覆されて
いる特許請求の範囲第１項記載の光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214614A JPS6276577A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214614A JPS6276577A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276577A true JPS6276577A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16658637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214614A Pending JPS6276577A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276577A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763901A (en) * | 1992-12-17 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6677614B1 (en) | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6808950B2 (en) | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651370B2 (ja) * | 1975-05-20 | 1981-12-04 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60214614A patent/JPS6276577A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651370B2 (ja) * | 1975-05-20 | 1981-12-04 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763901A (en) * | 1992-12-17 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6677614B1 (en) | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6808950B2 (en) | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7094619B2 (en) | 1992-12-17 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a light emitting device |
| US7288795B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7297984B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7315046B2 (en) | 1992-12-17 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
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