JPS6275839A - 波及的けた上げ加算器用加算器セル - Google Patents

波及的けた上げ加算器用加算器セル

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JPS6275839A
JPS6275839A JP61229470A JP22947086A JPS6275839A JP S6275839 A JPS6275839 A JP S6275839A JP 61229470 A JP61229470 A JP 61229470A JP 22947086 A JP22947086 A JP 22947086A JP S6275839 A JPS6275839 A JP S6275839A
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gate
transistor
carry
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    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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    • G06F7/00Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
    • G06F7/38Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation
    • G06F7/48Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation using non-contact-making devices, e.g. tube, solid state device; using unspecified devices
    • G06F7/50Adding; Subtracting
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  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、CMO3技術による波及的けた上げ加算器用
の加算器セルであって、けた上げ入力端信号の評価のた
め、和形成のため、およびけた上げ形成のため、2つの
変数に対する1つのゲート装置を有し、2つの変数のう
ちの一方の変数および1つのけた上げ入力端信号に対す
るそれぞれ1つの入力端子と、1つの和信号および1つ
のけた上げ出力端信号に対するそれぞれ1つの出力端子
とが設けられている加算器セルに関する。
〔従来の技術〕
多数のディジタル論理回路、たとえばディジタルフィル
タ、信号プロセッサおよびマイク、ロプロセソサでは加
算器が必要とされる。このような加算器の最も簡単な原
理は、生じている1つのけたが直列にそれぞれ下位ビッ
トに対する1つの加算器セルからそれぞれ上位ビットに
対する1つの加算器セルへけた上げされる“波及的けた
上げ(Rippie Carry)”法である。その際
、けた上げ信号の通過時間がほぼ加算時間を決定する。
たとえば公知の“先取りけた上げ(Carry−Loo
k−^hsad) ”法のような一層費用のかかる加算
器原理も“波及的けた上げ”法を要素として構成される
冒頭に記載したftiの加算器セルはたとえばバー・ヴ
アイス(H,Weiss) 、カー・ホーニンガー(K
Horninger)著「集積MO3回路(Integ
rierte MOMOS−3chaltun J 、
スブリンガー出版(Springer−Verlag)
 、ベルリンーハイデルベルグー二二一ヨーク(198
2年)第188〜194頁から公知である。公知の加算
器セルには、このような加算器セルにより構成された演
算装置の全計算時間に対して時間的に臨界的であるけた
上げ枝路のなかに比較的多数のゲートが挿入されており
、かつ(または)けた上げ枝路のなかに挿入されている
ゲートが組合わせゲートの構成部分であるという欠点が
ある。前者の場合には、直列に接続されているゲートの
数がけた上げ信号の通過時間に不利に作用する。後者の
場合には、場合によっては追加的に、けた上げ出力端の
キャパシタンスの充電が、組合わせゲートの構成部分と
して構成されたゲートの比較的高い抵抗に基づいて必要
な立ち上がり時間で行われないという事実が不利に作用
する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の加算器セルであ
って、けた上げ枝路に関する公知の加算器セルの欠点が
有効に回避され、またゲート装置に対するトランジスタ
費用が顕著に減ぜられ、従って全体として占有面積が縮
小される加算器セルを提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第1項お
よび第3項に記載の加算器セルにより達成される。
本発明の有利な実施態様は特許請求の範囲第2項および
第4項にあげられている。
〔実施例〕
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
第1図に示されているように、本発明の第1の実施例に
よる加算器セルは、けた上げ入力端信号の評価のため、
和形成のため、およびけた上げ形成のため、2つの変数
に対する1つのゲート装置を有し、2つの変数のうちの
一方の変数および1つのけた上げ入力端信号に対するそ
れぞれ1つの入力端子と、1つの和信号および1つのけ
た上げ出力端信号に対するそれぞれ1つの出力端子とが
設けられている。ゲート装置は、けた上げ出力端のキャ
パシタンスの充電が2つのトランジスタゲート3.7ま
たは4.8の直列回路を経て供給電圧源から行われるよ
うに形成されており、その際にこれらのトランジスタゲ
ート3.7または4.8は1つの組合わせゲートのなか
に含まれておらず、従ってトランジスタゲートのうちの
一方のトランジスタゲート3または4、すなわち時間的
に臨界的なけた上げ枝路のなかに挿入されていないドラ
イブ・インバータはレイアウト・ジオメトリーによる制
限なしに後続の他方のトランジスタゲート7または8、
すなわち後続の転送ゲートよりもはるかに低抵抗に設定
可能である。図示されている回路装置では、変数A、B
に対する両入力端子はそれぞれナンドゲート1およびノ
アゲート2の第1の入力端または第2の入力端と接続さ
れている。ナンドゲート1の出力端は、インバータとし
て作用する一方のトランジスタゲート3の入力端および
別のナンドゲート5の第1の入力端と接続されている。
ノアゲート2の出力端は、インバータとして作用する他
方のトランジスタゲート4の入力端と接続されている。
一方のトランジスタゲート3の出力端は、pチャネル−
FETとして構成されており転送ゲートとして作用する
一方のトランジスタゲート7のソース電極と接続されて
いる。インバータとして作用する他方のトランジスタゲ
ート4の出力端は、nチャネル−FETとして構成され
ており転送ゲートとして作用する他方のトランジスタゲ
ート8のソース電極と、また別のナンドゲート5の第2
の入力端と接続されている。転送ゲートとして作用する
両トランジスタゲート7.8のドレイン電極がそれぞれ
けた上げ出力信号C3utに対する出力端子と接続され
ている。別のナンドゲート5の出力端は、nチャネル−
FETとして構成されており転送ゲートとして作用する
別のトランジスタゲート9のソース電極と、またインバ
ータとして作用する別のトランジスタゲート6の入力端
と接続されている。このインバータとして作用する別の
トランジスタゲート6の出力端は、pチャネル−FET
として構成されており転送ゲートとして作用する別のト
ランジスタゲート10のソース電極と接続されている。
転送ゲートとして作用する両トランジスタゲート9.1
0のドレイン電極はそれぞれ和信号Sに対する出力端子
と接続されている。転送ゲートとして作用するすべての
トランジスタゲート7.8.9.10のゲート電極がそ
れぞれけた上げ入力端信号C1nに対する入力端子と接
続されている。
この回路装置で必要とされるトランジスタは22個であ
り、このことはたとえば28個のトランジスタを必要と
する公知の加算器セルの回路にくらべて顕著な節減を意
味する。けた上げ出力端のキャパシタンスの充電は、公
知の原理の場合のように、2つのトランジスタゲートの
直列回路を介して供給電圧源から行われる。しかし、こ
れらのゲートは公知の原理の場合と異なり1つの組合わ
せゲートのなかに含まれていないので、時間的に臨界的
なけた上げ枝路のなかに配置されていないドライブ・イ
ンバータが後続の転送ゲートよりもはるかに低抵抗に、
またレイアウト・ジオメトリーの際の回能なしに設計さ
れ得る。負荷キャパシタンスとして本質的に4つのトラ
ンジスタゲートが充放電されなければならず、このこと
は28個のトランジスタを有する公知の加算器セルに相
当する。
以上に説明した実施例は少数(たとえば2つ)の加算器
セルを有する加算器に特に通している。
なぜならば、トランジスタのカットオフ電圧がけた上げ
枝路のなかで加わり、このことはより多数の加算器セル
の数がより多い場合には信号誤りに通じ得るからである
第2図には本発明の第2の実施例の原理回路図が示され
ている。この第2の実施例は前記の第1の実施例におけ
る制限を有していない。この第2の実施例では、トラン
ジスタのカットオフ、電圧により惹起される電圧降下は
、けた上げ岐路のなかに、組合わせゲートの構成部分で
はなく、従ってまた前記の理由からレイアウト・ジオメ
トリーに関する困難なしに回路装置のその他のトランジ
スタゲートよりも低抵抗に設計され得るインバータが挿
入されていることにより取り除かれる。それによりけた
上げ出力端のキャパシタンスの最大電圧レベルまでの充
電が迅速に行われる。第2の実施例により構成された加
算器セルでは、ゲート装置が、けた上げ出力端のキャパ
シタンスの充電が唯一のトランジスタゲート4′を経て
供給電圧源から行われるように形成されている。2つの
変数A、Bに対する両入力端子はそれぞれナンドゲート
1およびノアゲート2の第1の入力端または第2の入力
端と接続されている。ナンドゲート1の出力端は、pチ
ャネル−FETとして構成されており転送ゲートとして
作用する第1のトランジスタゲート7のソース電極およ
び別のナンドゲート5の第1の入力端と接続されている
。ノアゲート2の出力端は、nチャネル−FETとして
構成されており転送ゲートとして作用する第2のトラン
ジスタゲート8のソース電極と、またインバータとして
作用する別のトランジスタゲート3′の入力端と接続さ
れている。インバータとして作用するトランジスタゲー
ト3′の出力端は別のナンドゲート5の第2の入力端と
接続されている。この別のナンドゲート5の出力端は、
nチャネル−FETとして構成されており転送ゲートと
して作用する第3のトランジスタゲート9のソース電極
と、またインバータとして作用する別のトランジスタゲ
ート6の入力端と接続されている。このインバータとし
て作用する別のトランジスタゲート6の出力端は、pチ
ャネル−FETとして構成されており転送ゲートとして
作用する第4のトランジスタゲート10のソース電極と
接続されている。第1のトランジスタゲート7および第
2のトランジスタゲート8のドレイン電極は共通に、ド
ライブ・インバータとして作用するトランジスタゲート
4′の入力端と接続されている。このドライブ・インバ
ータとして作用するトランジスタゲート4′の出力端は
けた上げ出力信号C3utに対する出力端子と接続され
ている。第3および第4のトランジスタゲート9.10
のドレイン電極は和信号Sに対する出力端と接続されて
いる。転送ゲートとして作用するすべてのトランジスタ
ゲート7.8.9、IOのゲート電極はそれぞれけた上
げ入力端信号C1nに対する入力端子と接続されている
この第2の実施例も、公知技術による場合に28個のト
ランジスタが必要とされるのにくらべて、22個のトラ
ンジスタしか必要としない、このことから、同じく、公
知技術による場合にくらべて占有面積の縮小が達成され
る。
第1の実施例および第2の実施例として説明したゲート
装置は、当業者に知られているように、もちろんプール
代数の規則に従って変形され得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の原理回路図、第2図は
本発明の第2の実施例の原理回路図である。 A、B・・・変数、C1n・・・けた上げ入力信号、C
0ut・・・けた上げ出力信号、S・・・和信号、■・
・・ナンドゲート、2・・・ノアゲート、3.3′、4
.4′・・・トランジスタ(インバータ)、5・・・ナ
ンドゲート、6・・・トランジスタ、インバータ、7.
8.9.10・・・トランジスタゲート(転送ゲート)
。 (1,−、−:、z +、、#− i−;’、=、T I32

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)CMOS技術による波及的けた上げ加算器用の加算
    器セルであつて、けた上げ入力端信号の評価のため、和
    形成のため、およびけた上げ形成のため、2つの変数に
    対する1つのゲート装置を有し、2つの変数のうちの一
    方の変数および1つのけた上げ入力端信号に対するそれ
    ぞれ1つの入力端子と、1つの和信号および1つのけた
    上げ出力端信号に対するそれぞれ1つの出力端子とが設
    けられている加算器セルにおいて、ゲート装置が、けた
    上げ出力端のキャパシタンスの充電が2つのトランジス
    タゲート(3、7または4、8)の直列回路を経て供給
    電圧源から行われるように形成されており、その際にこ
    れらのトランジスタゲート(3、7または4、8)は1
    つの組合わせゲートのなかに含まれておらず、従つてト
    ランジスタゲートのうちの一方のトランジスタゲート(
    3または4)、すなわち時間的に臨界的なけた上げ枝路
    のなかに挿入されていない1つのドライブ・インバータ
    はレイアウト・ジオメトリーによる制限なしに後続の他
    方のトランジスタゲート(7または8)、すなわち後続
    の転送ゲートよりもはるかに低抵抗に設計されることを
    特徴とする波及的けた上げ加算器用加算器セル。 2)変数(A、B)に対する両入力端子がそれぞれナン
    ドゲート(1)およびノアゲート(2)の第1の入力端
    または第2の入力端と接続されており、 ナンドゲート(1)の出力端が、インバータとして作用
    する一方のトランジスタゲート(3)の入力端および別
    のナンドゲート(5)の第1の入力端と接続されており
    、 ノアゲート(2)の出力端が、インバータとして作用す
    る他方のトランジスタゲート(4)の入力端と接続され
    ており、 一方のトランジスタゲート(3)の出力端が、pチャネ
    ル−FETとして構成されており転送ゲートとして作用
    する一方のトランジスタゲート(7)のソース電極と接
    続されており、 インバータとして作用する他方のトランジスタゲート(
    4)の出力端が、nチャネル−FETとして構成されて
    おり転送ゲートとして作用する他方のトランジスタゲー
    ト(8)のソース電極と、また別のナンドゲート(5)
    の第2の入力端と接続されており、 転送ゲートとして作用する両トランジスタゲート(7、
    8)のドレイン電極がそれぞれけた上げ出力信号(Co
    ut)に対する出力端子と接続されており、 別のナンドゲート(5)の出力端が、nチャネル−FE
    Tとして構成されており転送ゲートとして作用する別の
    トランジスタゲート(9)のソース電極と、またインバ
    ータとして作用する別のトランジスタゲート(6)の入
    力端と接続されており、 このインバータとして作用する別のトランジスタゲート
    (6)の出力端が、pチャネル−FETとして構成され
    ており転送ゲートとして作用する別のトランジスタゲー
    ト(10)のソース電極と接続されており、 転送ゲートとして作用する両トランジスタゲート(9、
    10)のドレイン電極がそれぞれ和信号(S)に対する
    出力端子と接続されており、転送ゲートとして作用する
    すべてのトランジスタゲート(7、8、9、10)のゲ
    ート電極がそれぞれけた上げ入力端信号(Cin)に対
    する入力端子と接続されている ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の加算器セ
    ル。 3)CMOS技術による波及的けた上げ加算器用の加算
    器セルであつて、けた上げ入力端信号の評価のため、和
    形成のため、およびけた上げ形成のため、2つの変数に
    対する1つのゲート装置を有し、2つの変数のうちの一
    方の変数および1つのけた上げ入力端信号に対するそれ
    ぞれ1つの入力端子と、1つの和信号および1つのけた
    上げ出力端信号に対するそれぞれ1つの出力端子とが設
    けられている加算器セルにおいて、ゲート装置が、けた
    上げ出力端のキャパシタンスの充電が唯一のトランジス
    タゲート(4′)を経て供給電圧源から行われるように
    形成されており、その際にこのトランジスタゲート(4
    ′)は1つの組合わせゲートのなかに含まれておらず、
    従つてこのトランジスタゲート(4′)は、けた上げ枝
    路のなかに挿入されていないドライブ・インバータとし
    て、レイアウト・ジオメトリーによる制限なしに、転送
    ゲートとして作用する前段の別のトランジスタゲート(
    7または8)よりもはるかに低抵抗に設計されることを
    特徴とする波及的けた上げ加算器用加算器セル。 4)変数(A、B)に対する両入力端子がそれぞれナン
    ドゲート(1)およびノアゲート(2)の第1の入力端
    または第2の入力端と接続されており、 ナンドゲート(1)の出力端が、pチャネル−FETと
    して構成されており転送ゲートとして作用する第1のト
    ランジスタゲート(7)のソース電極および別のナンド
    ゲート(5)の第1の入力端と接続されており、 ノアゲート(2)の出力端が、nチャネル−FETとし
    て構成されており転送ゲートとして作用する第2のトラ
    ンジスタゲート(8)のソース電極と、またインバータ
    として作用する別のトランジスタゲート(3′)の入力
    端と接続されており、 インバータとして作用するトランジスタゲート(3′)
    の出力端が別のナンドゲート(5)の第2の入力端と接
    続されており、 この別のナンドゲート(5)の出力端が、nチャネル−
    FETとして構成されており転送ゲートとして作用する
    第3のトランジスタゲート(9)のソース電極と、また
    インバータとして作用する別のトランジスタゲート(6
    )の入力端と接続されており、 このインバータとして作用する別のトランジスタゲート
    (6)の出力端が、pチャネル−FETとして構成され
    ており転送ゲートとして作用する第4のトランジスタゲ
    ート(10)のソース電極と接続されており、 第1のトランジスタゲート(7)および第2のトランジ
    スタゲート(8)のドレイン電極が共通に、ドライブ・
    インバータとして作用するトランジスタゲート(4′)
    の入力端と接続されており、 このドライブ・インバータとして作用するトランジスタ
    ゲート(4′)の出力端がけた上げ出力信号(Cout
    )に対する出力端子と接続されており、 第3および第4のトランジスタゲート(9、10)のド
    レイン電極が和信号(S)に対する出力端と接続されて
    おり、 転送ゲートとして作用するすべてのトランジスタゲート
    (7、8、9、10)のゲート電極がそれぞれけた上げ
    入力端信号(Cin)に対する入力端子と接続されてい
    る ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の加算器セ
    ル。
JP61229470A 1985-09-30 1986-09-27 波及的けた上げ加算器用加算器セル Expired - Lifetime JPH0833813B2 (ja)

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DE3534892.5 1985-09-30

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EP (1) EP0218071B1 (ja)
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AT (1) ATE85852T1 (ja)
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