JPS6269151A - ウエハ異物検査装置 - Google Patents

ウエハ異物検査装置

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Publication number
JPS6269151A
JPS6269151A JP21052985A JP21052985A JPS6269151A JP S6269151 A JPS6269151 A JP S6269151A JP 21052985 A JP21052985 A JP 21052985A JP 21052985 A JP21052985 A JP 21052985A JP S6269151 A JPS6269151 A JP S6269151A
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JP
Japan
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wafer
irradiation
irradiation angle
light beam
foreign matter
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Pending
Application number
JP21052985A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Taniuchi
谷内 俊明
Yuzo Tanaka
田中 雄三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP21052985A priority Critical patent/JPS6269151A/ja
Publication of JPS6269151A publication Critical patent/JPS6269151A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分身コ この発明は、ウェハの表面における異物の有無なとの検
査を自動的に行うウェハ異物検査装置に関し、特に、光
ビームをウェハ面に斜め方向から照射し、ウェハ而から
の反射光を光電素rで受けて電気信号に変換し、この電
気信号に基づきウェハ面における異物のイr否などを判
定する型式のウェハ異物検査装置に関する。
[従来の技術] このような型式のウェハ異物検査装置として、検査対象
のウェハの種類に応じて、光ビームの照射角度を切り換
えるようにしたものが知られている。より詳しく説明す
れば、そのような従来装置においては、パターンなしウ
ェハのような・14滑表面のウェハを検査する場合には
、レーザ光源から発したレーザ光は、ミラーにより反射
され、約45度の照射角度でウェハ面に照射される。ま
た、パターン付きウェハの場合には、レーザ光源から発
したレーザ光は別のミラーにより反射、され、次にシリ
ンドリカルレンズにより特定方向に絞られ1度ないし2
度の!1(1射角度でウェハ血に照射される。
[解決しようとする問題点] !((1射角度が小さい場合、ウェハ而1・、の光ビー
ムのスポIトが細長く延びてしまい、照射密度が低ドし
て検出感度がドがる。そこで、前述のように、照射角度
が小さい場合に、シリンドリカルレンズによって、スポ
ット形状を円形に近づける方向に光ビームを絞っている
しかし、そのようにしても、照射角度が1度ないし2度
と極端に小さいため、スポット形状がかなり延びてしま
い、ト分な照射密度が得られず、したがって検出感度が
低いという問題があった。
また、照射角度の大きい場合と小さい場合とで、照射密
度が異なるために検出感度がかなり人きく変動するとい
う問題があった。
[発明の1.1的] この発明は、%1射角度が切り換え可能なウェハ異物検
査装置における前記問題点に鑑みなされたものであり、
その[1的は、光ビーム照射系を格別複雑高価にするこ
となく、照射角度が小さい場合の照射密度を従来より1
−げることかできるとともに、照射角度に拘わらず照射
密度をほぼ・定化できるウェハ異物検査装置を提供する
ことにある。
[問題点を解決するための丁°段] この目的を達成するために、この発明によれば、光ビー
ム!1(1射系によりウェハの表面に光ビームを斜め方
向から照射し、該ウェハ面上からの反射光を光電素rで
受けて電気信号・に変換し、該電気信号・のレベルに基
づき前記ウェハ面における異物の存否などを判定するウ
ェハ異物検査装置において、前記光ビーム照射系は、前
記ウェハ面への光ビームの照射角度を第1の照射角度、
または該第1の照射角度より大きい第2の照射角度に切
り換える丁2段と、光源からの光ビームのビーム径を拡
大する第1の光学手段と、前記第1の照射角度に切り換
えられた場合に前記ウェハ面lユの照射スポットの形状
がほぼ円形になるように、前記第1の光学手段によりビ
ーム径が拡大された光ビームの断面形状を補11:、す
る第2の光学手段と、前記第2の照射角度に切り換えら
れた場合に、前記第2の光学手段により補11:、され
た光ビームの断面形状を、前記ウェハ面の照射スポット
の形状がほぼ円形になるように補正する第3の光学手段
とを含み、前記第1の照射角度の場合に前記第2の光学
手段によって補IFされた光ビームがそのまま前記ウェ
ハ面に照射され、前記第2の照射角度の場合に前記第2
の光学手段および前記第3の光学手段により順次補正さ
れた光ビームが前記ウニ/1面に照射されるように構成
される。
[作用コ 従来のように、光源からの光ビームを直接的にシリンド
リカルレンズで絞り、照射光ビームを得ようとした場合
、照射角度が非常に小さいと、シリンドリカルレンズの
配置1−の制約から、シリンドリカルレンズとスポット
との距離はかなり長くなってしまう。このような条件で
は、1″分な照射密度を得ようとすると、シリンドリカ
ルレンズの入射光ビームの径を1・公人きくしなければ
ならない。ところが、後述の実施例のように、光ビーム
としてレーザ光を−・般に用いるため、ビーム径の大き
な光源を得に<<、また高価である。
これに対し、この発明にあっては、光源からの光ビーム
を第1の光学手段により ・1(拡大してから、第2の
光学手段により特定方向に絞り、その光ビームを第1の
照射角度でウニ/1面に!!((射させる。そのため、
第1のQ((射角度が1度ないし2度きいうように一1
1常に小さい場合でも、ビーム径の大きな尤6;1を用
いることなく、第2の光学手段として?f通のシリンド
リカルレンズ用いることにより、光ビーl、を1・分に
絞って、ウェハ面上のスポット形状を円形に1・分近づ
け、高い照射密度を得ることができる。
また、第2の照射角度の場合、第2の光学手段によりビ
ー11形状が補1](された光ビームに、第3の光学手
段により逆方向のビーム形状補+11を施したものをウ
ェハ面に照射させるため、第1の照射角度の場合と同等
の照射密度を得ることができる。
したがって、尤ビームj1(1射系を格別複雑高価にす
ることなく、いずれの照射角度の場合にも、はぼ等しい
高いjj((耐密度および検出感度を得られる。
[実施例] 以ド、図面を参照し、この発明の・実施例について詳細
に説明する。
第1図は、この発明によるウェハ用異物検査装置の光学
系部分なとの構成を簡略化して示す概要図である。第2
図は、同装置の信ジノ・系および処理制御系の概要図で
ある。
まず第1図において、10はX方向に摺動1’+1能に
ベース12に支持されたXステージである。このXステ
ージ10には、ステッピングモータ14の回転軸に直結
されたスクリュー16が螺合しており、ステッピングモ
ータ14を作動させることにより、Xステージ10をX
方向に進退させることができる。18はXステージ10
のX方向位置Xに対応したコード信号を発生するリニア
エンコーダである。
Xステージ10には、Zステージ20がZ方向に移動可
能に取り付けられている。その移動手段は図中省略され
ている。Zステージ20には、被検査物としてのウェハ
30が載置される回転ステージ22が回転可能に支持さ
れている。ここで、ウェハ30としては、ブランク膜付
きウエノ\、鏡面ウェハ、またはパターン付きウエノ為
をセットして検査ijJ能である。
この回転ステージ22は、直流モータ24が連結されて
おり、これを作動させることにより回転されるようにな
っている。このモータ24には、その回転角度位置0に
対応したコード信号・を出力するロークリエンコーダが
内蔵されている。
なお、ウェハ30は、回転ステージ22に負圧吸着によ
り位置決め固定されるが、そのための丁2段は図中省か
れている。
このウェハ用異物検査装置は、偏光レーザ光を利用して
ウェハ301のン4物を自動的に検査するものであり、
ウェハ30の1−2而(被検前面)に、Yツノ向よりφ
l (例えば2度)またはφ2 (例えば30度)の1
!(1射角度で、S偏光レーザ光が照射される。そのた
めに、1対の同様構成の光ビーム照射系32が、回転ス
テー:/22の中心に対して対照な位置に設けられてい
る。ただし、図には−・方の尤ビーム11(1射系32
だけが示されている。
この先ビーム照射系32は、光源としてのS偏光レーザ
光振器36、ビーム径拡大のためのビームエキスパンダ
37、ビーl、形状補IEのためのシリンドリカルレン
ズ44 、固定ミラー38.40゜照射角度切り換え用
の11動ミラー39、それを移動させるためのソレノイ
ド41.および、ビーム形状の逆線1[−のためのシリ
ンドリカルレンズ46から構成されている。S偏光レー
ザ光振器36は、ある波長のS偏光レーザ光を発生する
もので、例えば波長が8300オングストロームの゛ト
導体レーザ発振器である。
S偏光レーザ発振器36より送出されるS偏光レーザ光
は、ビームエキスパンダ37に入射し、そこでビーム径
がシリンドリカルレンズ44の瞳−・杯に拡大される。
このS偏光レーザ光のビームは、シリンドリカルレンズ
44により特定の方向に絞られた後、固定ミラー38に
入射する。
ウェハ30が、パターン付きウェハの場合、またはホト
レジスト膜、アルミニウムM?を膜などのパターンのな
いブランク膜付きウエノ・の場合、照射角度はφlに選
ばれる。この場合、ソレノイド41が作動して、IIJ
動ミラー39を図小の位置から退避させる。鏡面ウェハ
の場合、照射角度はφ2に選ばれ、11動ミラー39は
ソレノイド41により図示の位置へ移動させられる。
さて、照射角度がφIの場合、固定ミラー38により反
射されたS偏光レーザ光は、固定ミラー40により方向
が偏光され、照射角度φノにてウェハ面に照射される。
この場合におけるウェハ面のS偏光レーザ光のスポット
がほぼ円形となるような方向に、シリンドリカルレンズ
44は、その入射S偏光レーザ光ビームの断面形状を絞
る。
この場合、シリンドリカルレンズ44の前段で、S偏光
レーザ光ビームをビームエキスパンダ44により拡大し
ているから、前述のように、S偏光レーザ発振器36と
して一般的な1へ導体レーザ発振器などを用いても、照
射密度の高い円°形状スポットが得られる。
照射角度がφ2に切り換えられた場合、固定ミラー38
により反射されたS偏光レーザ光ビームは可動ミラー3
9に入射され、ウェハ30へ向ケられる。このS偏光レ
ーザ光ビームは、照射角度がφlの場合にスポットがほ
ぼ円形になるようにビーム形状が補正されているから、
そのままウェハ面に照射すると、スポットがY方向につ
ぶれてしまい、照射角度がφlの場合と同じ照射密度と
ならない。
そこで、可動ミラー41により反射されたS偏光レーザ
光ビームは、シリンドリカルレンズ46により、シリン
ドリカルレンズ44とは逆方向の適度のビーム形状補正
が施されてから、ウェハ面に入射せしめられる。このよ
うにして、照射角度がφlの場合と同様な照射密度のほ
ぼ円形のスポットが得られる。
ここで、パターンなしのブランク膜付きウェハまたは鏡
面ウェハの場合、S偏光レーザ光は、その照射スポット
内に異物が存在しなければ、はぼ正反射され、Z方向に
は反射されないが、異物が存在すれば、それにより乱反
射されてZ方向にも反射される。
なお、ブランク膜付きウェハの場合に!!(1射角度を
φ/  (一般に1度ないし3度の範囲に選ぶのが適切
である)に設定するのは、ウェハの内部の状態による影
響を避けるためである。すなわち、従来は、ブランク膜
付きウエノ1の検査の際の照射角度を例えば30度に設
定していた。この場合、発明者の研究によれば、照射レ
ーザ光がブランク膜内部に侵入し、ブランク膜のドのウ
エノ\素地面で反射され、ブランク膜を経てウェハ表面
に出る現象が起こり、ウェハ面の反射特性がブランク内
部の状態に影響され、これが異物の、誤検出の原因とな
っている。
これに対し、照射角度を極めて小さいφlにすれば、照
射レーザ光はウエノ1而で全反射され、ブランク膜内部
にはS偏光レーザ光は侵入しないため、従来の1一記問
題点を解決できる。
他方、パターン付きウェハの場合、ウニ/”1面に照射
されたS偏光レーザ光の反射レーザ光は、その照射スポ
ット内にパターンが存在すれば、Z方向にも反射される
が、そのパターンの面は微視的に平滑であるため、反射
レーザ光はほとんどS偏光成分だけである。これに対し
、ソ4物の表面には一般に微小な凹凸があるため、照射
スポット内に異物が存在すると、照射されたS偏光レー
ザ光は散乱して偏光方向が変化し、反射レーザ光には、
S偏光成分の外に、P偏光成分をかなり含まれることに
なる。
このような現象に着「1し、このウェハ異物検査装置に
おいては、パターン付きウェハの場合には、ウェハ而か
らのZ方向への反射レーザ光に含まれるP偏光成分のレ
ベルに基づき、異物の有無と異物のサイズを検出する。
他方、ブランク膜付きウェハと鏡面ウェハの場合には、
検出感度を増大させるために、Z方向へのS偏光反射レ
ーザ光およびP偏光反射レーザ光のレベルに基づき、異
物の存吉およびサイズを検出する。ここで、前述のよう
にS偏光レーザ光のブランク膜内への侵入がなく、ブラ
ンク膜内部およびウェハ素地面の状態によってS偏光レ
ーザ光の反射が影響されないめ、ブランクH付きウェハ
の表面の大物を11:、確に検出できる。
1唖び第1図を参照する。ウェハ而からの反射レーザ光
は、前記原理に従い異物を検出する検出系50と、ウェ
ハの11視観察のための顕微鏡52とにノ(通の光学系
に入射する。すなわち、反射レーザ光は、対物レンズ5
4、ハーフミラ−56、ブリズl、58を経111シて
45度プリズム60に達スる。
また、11視MJJ’Mのためにランプ70が没けられ
ている。このランプ70から出たIIJ視光により、ハ
ーフミラ−56および対物レンズ54を介してウェハ而
が(i(1明される。また、45度プリズムOと60度
プリズム62は光路途中に入れ替えられる構造になって
おり、検査時には45度プリズム60が、11視時には
60度プリズム62が、それぞれ光路途中に入れられる
プリズム60を経由して顕微鏡2側に入射した1’lJ
視反射光は、60度プリズム62、フィールドレンズ6
4、リレーレンズ66を順に通過して接眼レンズ68に
入射する。したがって、接眼レンズ68より、ウェハ3
0を1・分大きな倍率で11視観察することができる。
この場合、視!!IFの中心に、ウェハ面上のS偏光レ
ーザ光スポットの範囲か位置する。
また、プリズム58を通してウェハ30を低倍率で観察
することもできる。
プリズム60を経由して検出系側に入射した反射レーザ
光は、スリ’7 ) 72に設けられた4つのアパーチ
ャア4を通過し、分離ミラー88に入射する。
ここで、ウェハ30がパターン付きウェハの場合には、
S偏光カットフィルタ86(偏光板)が符号86゛によ
り示す位置に移動せしめられるため、アパーチャア4を
通過した反射レーザ光のP偏光成分だけが抽出され、分
離ミラー88に入射する。ウェハ30がブランク膜付き
ウェハまたは鏡面ウェハの場合、S偏光カットフィルタ
88は実線で示す位置に移動せしめられるため、反射レ
ーザ光のS偏光成分もP偏光成分も分離ミラー88に入
射する。
87はS偏光カントフィルタ86を移動させるためのソ
レノイドである。
スリット72の4つのアパーチャア4は丁・島状に配置
されており、分離ミラー88は四角用、状の四面鏡であ
る。分離ミラー88の入射面I−における各アパーチャ
ア4の視野74Aは、第3図に示すように、分離ミラー
88の特定の鏡面88Alに入るような位置関係におか
れている。したがって、各アパーチャア4を通過した反
射レーザ光は、対応する鏡面88Aに入射し、Il:い
にほぼ直交する方向に分離されて反射される。分離ミラ
ー88の1−ド左右には、各アパーチャア4と対応した
ホトマルチプライヤ90(光電素Y)が設けられている
。各鏡面88Aにより反射されたレーザ光は、対応した
ホトマルチプライヤ90にそれぞれ人射し、光電変換さ
れる。
このように、アパーチャア4をT・島状に配置したため
、曲中な分離ミラー88(光分離手段)により、4つの
アパーチャア4の通過レーザ光を一度に分離して対応し
たホトマルチプライヤ90に入射させることができる。
ここで、例えば、4つのアパーチャア4を第9図に小す
ように直線的に配置した場合、ミラーまたはプリズムな
どにより、−・度に分離することは困難である。何故な
らば、アパーチャア4とミラーまたはプリズムとの相対
位置の誤差を著しく小さく抑えない七、不適当な位置で
分離されてしまうし、また、その誤差条件を満足できる
と仮定しても、後述するように、各アパーチャア4を図
示のようにある方向(走査方向に対し直交する方向)に
部分的に屯ねる必殻があるため、分離境界が直線的でな
く、穴形のミラーまたはプリズムが必要となるからであ
る。
そこで、このような直線的配列の場合には、第9図にお
ける■の位置を境にして111Il l Iの光分離を
行い、さらに■の位置を境にして21111 I 1の
光分離を行う必要がある。これでは、ミラーまたはプリ
ズムが3側辺1−必・災になるとともに、2回の反射ま
たはに1(折によるボケが生じやすい。また、各回の分
離に関して、 ・度に分離する場合と同様に位置1τを
差によるINを・受けやすいため、分離か不′完全にな
りやすい。
これに対して、T・鳥配列の場合、第3図から明らかな
ように、隣接した各アパーチャの間隔が直交する各方向
とも1・公人きくなるため、前記のような曲中な分離ミ
ラー88により光分離を・度に行うことができる。また
、アパーチャア4と分離ミラー88との相対位置、zt
差をそれほど厳密に制限しなくても、完全な分離が可能
である。
また、ホトマルチプライヤ90はかなり大型であるが、
分[ラー88のF−ド左右に配置されるため、最少のス
ペースですむ。
さて、各ホトマルチプライヤ90から、それぞれの入射
光jilに比例した値の検出信号・が出力される。後述
のように、各ホトマルチプライヤ90の出力信号は加算
され、その加算された信号のレベルに基づき、ウェハ而
(wi密には、各アパーチャア4の視野内の部分)にお
ける異物の有無が判定され、また異物が存在する場合は
、その信号のレベルから異物の粒径が判定される。
ここで、異物検査は、前述のようにウェハを回転させつ
つX方向(’l’径方向)に送りながら行われる。その
ようなウェハ30の移動に従い、第4図に示すように、
S偏光レーザ光のスポット30Aはウェハ30の1ユ而
を外側より中心へ向かって螺旋状に移動する。検111
系50と顕微鏡52は静市しており、アパーチャア4の
視’1Fはスポット30A内に含まれ、またスポット3
0Aの全体または中心部分は顕微鏡52の視野内に入る
。すなわち、ウェハ而は螺旋走査される。
スリット72の各アパーチャア4のウェハ面における視
野74Bは、第5図に示すごとく丁・鳥装置となる。図
示のように、隣合うアパーチャの視野74Bは、走査方
向(0方向)に対して東直な方向、すなわちX方向にα
だけ重なっている。そして、βはウェハのX方向(1へ
径方向)への送りピッチより大きい。したがって、ウェ
ハ而は−・部重複して走査されることになる。
さて、前記ホトマルチプライヤから出力される信号には
、異物に関係した信号成分の外に、被検査部の状態など
によって決まるバックグラウンドノイズも含まれている
。その信号のS/Nを1−げ、微小な異物の検出をIl
l能能するためには、スリットのアパーチャを小さくす
る必要がある。しかし、従来のウェハ異物検査装置のよ
うにアパーチャが1つの場合、アパーチャが小さいと、
走査線(アパーチャ視野の軌跡)のピンチを小さくしな
ければならず、ウェハ而全体を走査して検査するための
時間が増加する。
そこで、本実施例では、アパーチャを4つ設け、全アパ
ーチャの総合視野の走査方向と市直な方向の幅βを拡げ
ることにより、アパーチャを小さくした場合における走
査線ピッチを増加させ、以て検出能の向!−2と走査検
査時間の短縮を達成している。
なお、+J4物の異方性による検出誤差をなくすため、
後述のように、児なる方向から照射した散乱光を検出し
ている各ホトマルチプライヤの出力信号・を加pするよ
うにしている。
次に、このウェハ異物検査装置の信号系および処理制御
系について、第2図を’i−!!((t、て説明する。
まず5LjSJ系について説明する。前記各ホトマルチ
プライヤ90の出力信号は加算増幅器100により加算
増幅され、レベル比較回路102に人力される。
ここで、ウニハト、の異物の粒径と、ホトマルチプライ
ヤ90の出力化−J・レベルとの間には、第6図に示す
ような関係がある。この図において、L/、L2.LJ
はレベル比較回路102.106の閾値である。
レベル比較回路102は、それぞれの人力信シjのレベ
ルを各閾値と比較し、その比較結果に応じた論理レベル
の閾値対応の出力化−〕を送出する。
すなわち、閾値Lt 、L2.LJに対応する出力化’
j O/ + 02 + OJの論理レベルは、その閾
イ1へ以1=のレベルの信号が人力した場合に°l”と
なり、人力信号レベルが閾値未満のときに“0“°とな
る。したがって、例えば、人力信シ」レベルが閾値り、
未満ならば、出力化ジノ・はすべて“0”となり、入力
信号レベルが閾値L2以I−で閾値L3未満ならば、出
力信号は0.と02がi”、o3が“0”となる。
このように、出力信号o、、o2.o3は、人力信号の
レベル比較結果を示す2進コードである。
レベル比較回路102の出カイ、1シ」・は、コードL
(O7を最ド位ビットとした2進コード)として、処理
制御系と信zノ″系とのインターフェイスをtijるイ
ンターフェイス回路108に人力される。
このインターフェイス回路108には、前記ロータリエ
ンコーダおよびリニアエンコーダから、各時点における
同転角度位置θおよびX方向(’l′。
径方向)イ:(i+i: xの情報を示すイ+jS)・
(2進コード)が、バ、ノフ7回路110,112を介
し入力される。これらの入力コードは、一定の周期でイ
ンターフェイス回路108内部のあるレジスタに取り込
まれ、そこに一時的に保持される。
また、インターフェイス回路108の内部には、処理制
御系よりモータ14.24およびソレノイド87の制御
情報がセットされるレジスタもある。
このレジスタにセントされた制御情報に従い、モータコ
ントローラ116によりモータ14.24の駆動制御が
行われ、またソレノイドドライバ117によりソレノイ
ド41.87の駆動制御が11・われる。
つぎに、処理制御系について説明する。この処理制御系
はマイクロブロセ、す120.ROMI22、RAM1
24、フロッピーディスク装置126、X−Yプロッタ
127、CRTディスプレイ装置128、キーボード1
30などからなる。
132はシステムバスであり、マイクロプロセッサ!2
0.ROM122、RAM124、前記インターフェイ
ス回路108が直接的に接続されている。
キーボード130は、オペレータが各種指令やデータを
人力するためのもので、インターフェイス回路134を
介してシステムバス132にfJE続されている。フロ
ッピーディスク装置126は、オペレーティングシステ
ムや各種処理プログラム、検査結果データなどを格納す
るものであり、フロッピーディスクコントローラ13B
を介しシステムバス132に接続されている。
この異物検査装置が起動されると、オペレーティングシ
ステムがフロッピーディスク装置126からRAM12
4のシステム領域124Aヘロ−ドされる。その後、フ
ロッピーディスク装置126に格納されている各種処理
プログラムのうち、必・堤な1つ以1・、の処理プログ
ラムがRAM124のプロゲラl、領域124Bヘロー
ドされ、マイクロプロセッサ120により実行される。
処理途中のデータなどはRAM124の作業領域に・時
的に記憶される。処理結果データは、最終的にフロ、ピ
ーディスク装置126へ転送され格納される。
ROM122には、文字、数字、記号・などのドツトパ
ターンが格納されている。
CRTディスプレイ装置128は、オペレータとの対話
のための各種メンセージの表示、顕物マツプやその他の
データの人事などに利用されるものであり、その表示デ
ータはビデオRAM 138にビットマツプ展開される
。140はビデオコントローラであり、ビデオRAM1
38の+1F込み、読出しなどの制御の外に、ドア)パ
ターンに応じたビデオイ、1−Jの発生、カーソルパタ
ーンの発生なとを行う。このビデオコントローラ140
はインターフェイス回路142を介してシステムバス1
32に接続されている。カーソルのアドレスヲ制御する
ためのカーソルアドレスポインタ140Aがビデオコン
トローラ140に設けられているが、このポインタはキ
ーボード130からのカーソル制御信号に従いインクリ
メントまたはデクリメントされ、またマイクロプロセッ
サ120によりアクセス可能である。
X−Yプロッタ127は異物マツプなどの印刷出力に使
用されるものであり、プロッタコントローラ137を介
してシステムバス132に接続されている。
次に、zt物m査処理について、第8図のフローチャー
トを参照しながら説明する。ここでは、異物の自動検査
、II視観察、印刷なとのジョブをオペレータが指定す
る型式としているが、これは飽くまで一例である。
回転ステージ22の所定位置にウェハ30をセットした
状態で、オペレータがキーボード130より検査開始を
指令すると、検査処理プログラムがフロッピーディスク
装置126からRAM 124のプログラム領域124
Bヘロードされ、走り始める。
マス、マイクロプロセッサ120は、初期化処理行う。
具体的には、XステージlOおよび回転ステージ22を
初期位置に位置決めさせるためのモータ制a 情報、ウ
ェハ30がパターン付きウェハの場合にはS偏光カット
フィルタ86を符号86′の位置に移動させ、ウェハ3
0がブランク膜付きウェハまたは鏡面ウェハの場合には
S偏光力、トフィルタ86を実線位置へ移動させるため
のソレノイド87の制御情報、および、パターン付きウ
ェハまたはブランク膜付きウェハの場合にi1f動ミラ
ー39を退避させ、鏡面ウェハの°場合に+1工動ミラ
ー39を第1図に示す位置へ占位させるためのソレノイ
ド41の制御情報が、インターフェイス回路108の内
部レジスタにセットされる。
このモータ制御情報に従い、モータコントローラ116
がモータ14,24を制御し、各ステージを初期位置に
移動させる。同様に、ソレノイドドライバ117は、ソ
レノイド制御情報に従い、ソレノイド41.87を付勢
または消勢する。また、マイクロプロセンサ120は、
後述のテーブル、カウンタ、検査データのバッファなど
のための記憶領域(第2図参照)をRAM1201tに
確保する(それらの記憶領域はクリアされる)。
1・、記テーブル(テーブル領域1241)に作成され
る)の概念図を第7図に示す。このテーブル150の各
エントリは、異物の番号(検出された順計)、異物の位
置(検出された走査位置x + 0 )、その種類ない
し性質(目視観察によって調べられる)、および粒径か
ら構成されている。
前記初期化の後に、ジョブメニューがCRTディス゛プ
レイ装置128に表示され、オペレータからのジョブ指
定を待つ状態になる。
「自動検査」のジョブが指定された場合の処理の流れを
、第8図(A)のフローチャートを参照して説明する。
自動検査のコードがキーボード130を通じてマイクロ
プロセッサ120に人力されると、マイクロプロセンサ
120は、自動検査処理を開始する。ます、マイクロプ
ロセッサ120は、インターフェイス回路lO8を通じ
、モータコントローラ116に対し走査開始を指示する
(ステ、ンプ210)。この指示を受けたモータコント
ローラ116は、前述のような螺旋走査を一定速度で行
わせるように、モータ14,24を駆動する。
マイクロプロセッサ120は、インターフェイス回路1
08の特定の内部レジスタの内容、すなわち、ウェハ3
0の走査位置X+0のコードと、レベル比較回路102
によるレベル比較結果であるコードLとからなる人力デ
ータを取り込み、RAM1241−の人力バッファ12
4Cにr’Fき込む(ステップ215)。
マイクロプロセッサ120は、取り込んだ走査位置情報
を走査路1泣置の位置情報と比較することにより、走査
の終r判定を行う(ステ、ツブ220)。
この判定の結果がNO(走査途中)ならば、マイクロプ
ロセッサ120は、取り込んだコードLのゼロ判定を行
う(ステップ225)。L=000ならば、その走査位
置にはw物が存在しない。
L≠000ならば、異物が存在する。
ステップ225の判定結果がYESならばステップ21
5に戻る。ステップ225の判定結果がNOならば、マ
イクロプロセッサ120は、取り込んだ位置情報(xv
(:’)と、テーブル150に記憶されている既検出の
他の異物の位置情+%J (x +0)とを比較する(
ステップ230)。
位置情報の−・致がとれた場合、現在の異物は他の異物
と同一・とみなせるので、ステップ215に戻る。
位置情報の比較が不・致の場合、新しい異物が検出され
たとみなせる。そこで、マイクロプロセッサ120は、
RAM124+−に確保された領域124Eであるカウ
ンタNを1だけインクリメントする(ステップ235)
。そして、テーブル150のN番[1のエントリに、当
該異物の位置情報(x、(7)およびコードL(粒径情
報として)をlIFき込む(ステップ240)。
ウェハ30の走査が終rするまで、同様の処理か繰り返
し実行される。
ステ、プ220で走査線rと判定されると、マスク12
0は、インターフェイス回路108を通シテ、モータコ
ントローラ116に対し走査停山指、j<を送る(ステ
ップ250)。この指示に応答して、モータコントロー
ラ116はモータ14゜24の型動を停止1・、する。
次にマイクロプロセッサ120は、テーブル150を参
照し、コードLが12の異物の合計FtTL/1コード
Lが32の異物の合、11数T L 2 、コードLが
72の異物の合計数TL3を計算し、その異物合計数デ
ータを、RAM1241−の特定領域124F、124
G、124Hに占き込む(ステップ251)。そして、
テーブル150の記憶内容および異物合計データを、ウ
ェハ番号・を付加してフロッピーディスク装置126へ
転送し、格納させる(ステップ252)。
これで、自動検査のジョブが終J’L、、CRTディス
プレイ装置128の1+141TI’!にジョブメニュ
ーか表示される。
”つぎに「「−1視観察」の処理の流れを、第8図(B
)ないし第8図(E)のフローチ酬−トにより説明する
。11視検査としては、順次モード、番Sj指定モード
、およびカーソル指定モードがあり、キーボード130
より指定できる。
1−1視観察のジョブおよびモードが指定されると、マ
イクロプロセンサ120は、ウェハの輪郭1m 像のド
ツトパターンデータをフロンビーディスク装置128よ
りビデオRAM138へI)MA転送させる(ステップ
285)。この転送の起動制御はマイクロプロセッサ1
20により行われるが、その後の転送制御はビデオコン
トローラ140およびフロッピーディスクコントローラ
136によって行われる。ビデオRAM138のドツト
パターンデータは、ビデオコントローラ140により順
次読み出されビデオ信号に変換されてCRTディスプレ
イ装置128に送られ、表示される。
つぎにマイクロプロセッサ120は、観察対象のウェハ
の番号(ジョブ選択時にキーボード130より人力され
る)が付加されてフロッピーディスク装置126に格納
されているテーブル150の記憶内容とVd物会合計数
データ読み込み、RAM124の対応する領域に+’F
き込む(ステップ290)。
マイクロプロセンサ120は、RAM1241−のテー
ブル150から、各異物の位置情報とサイズ情m(Lコ
ード)を順次読み出し、Lコードに対応したトンドパタ
ーンデータをROM122から読み出し、位置情報に対
応したビデオRAMl38のアドレス情報とともにビデ
オコントローラ140へ転送し、ビデオRAM 138
に1普Tき込ませる(ステップ295)。この処理によ
り、テーブル150に記憶されている異物のマツプがC
RTディスプレイ装置128の画面に表示される。
つぎにマイクロプロセッサ120は、インターフェイス
回路108を介して、モータコントローラ116に走査
位置の初期位置への位置決めを指事する(ステップ30
0)。以ド、指定モードにより処理がV4なる。
順次モードが指定された場合、マイクロプロセッサ12
0は、カウンタM(RAM124の領域124J)に1
をセットしくステップ320)、テーブル150のM番
11のエントリに格納されている異物(M番Elに検出
された異物)のデータを読み出す(ステップ325)。
そして、その位置情+V(x、/7)に対応した位置に
走査位置を移動させるための制御情報を、インターフェ
イス回路108を介してモータコントローラtteへり
える(ステップ330)。モータコントローラ116に
よりモータ14.24が制御され、走査位置の位置決め
がなされれば、当然、その光学顕微鏡52の視!lIf
の中心に、i目1している一M洛11の異物が位置する
マイクロプロセッサ120は、MMl、Iの異物のしコ
ードに対応する異物パターンと、P番tl(PはRAM
124の領域124にカウンタPの値)の異物のしコー
ドに対応する異物パターンをROM122から読み出し
、2番11の異物のパターンはそのまま、M番11の異
物のパターンは反転して、アドレス情報とともにビデオ
コントローラ140へ順次転送し、それらのパターンを
ビデオRAMの、亥当アドレスに−Fき込ませる(ステ
ップ335)。これで、CRTディスプレイ装置128
の画面に表tJ<されている異物マツプ1−のMMI+
の異物だけは、反転パターンとして表示されることにな
り、他の異物と視覚的に区別される。
マイクロプロセッサ120は、インターフェイス回路1
08を介して位置情報を順次取り込み、MMI+の異物
の位置情報と比較し、位置決めの完rを判定する(ステ
ップ340)。位置決めが完rすると、マイクロプロセ
・ノサ120は、観察++J能の旨のメツセージをビデ
オRAM138に転送し、CRTディスプレイ装置12
8の画面に表示させる(ステップ345)。そして、キ
ー人力を待つ(ステップ350)。
オペレータは、異物の11視観察を行い、その異物の性
質ないし種類を識別し、その性質ないし種類のコードを
キーボード130より入力する。実際的には、11視観
察ジヨブを指定するこことにより、CRTディスプレイ
装置128の画面に、異物の性質ないし種類と番−ノの
表が人事されており、その表の該当する番υ・を入力す
る。
マイクロプロセッサ120は、入力コードが異物の性質
ないし種類のコードならば(ステップ352)、そのコ
ードをテーブル150のM番11のエントリにMき込む
(ステップ355)。たた“し、人力コードがタブなど
の他のコードの場合は、ステップ355はスキップされ
る。
つぎに、マイクロプロセッサ120は、カウンタM、P
を1だけインクリメントしくステップ360)、カウン
タMとカウンタN(この値は検出された異物の総合計数
になっている)との比較判定を行う(ステップ365)
。そして、MANならばステップ325へ戻る。
また、M≧Nならば、RAM 138. I;のテーブ
ル150の記憶内容と異物合計数データを、ウェハ番号
とともにフロッピーディスク装置12 (3へ転送しく
ステップ370)、ジョブメニュー111r+i状態に
戻る。
一方、番号指定モードが指定された場合、マイクロプロ
センサ120はオペレータからの異物番号・の人力を待
つ(ステップ410)。キー人力がなされると、その人
力コードがソ4物番号であるか判定する(ステップ41
5)。W物爵″−3・でなければ、キー人力を待つ。
異物番ジノ・がキー人力されると、マイクロプロセッサ
120は、その異物爵ジノ・をカウンタMにセットしく
ステップ420) 、ステップ325へ進む。
その後、ステップ357でカウンタMの値がカウンタP
にセットされ、次のステップ400において、現在のモ
ードが番号指定モードかカーソル指定モードであるかの
判定が行われる。ここでは、番5フ指定モードであるか
ら、ステップ410へ戻る。
以ド同様にして、異物番号・をキー人力することにより
、指定した異物が顕微鏡52の視野のほぼ中心に自動的
に位置決めされ、11視観察がなされ、Ii視観察の結
果がテーブル150の該当のエントリに8き込まれる。
なお、フローチャートには示されていないが、任意の時
点でキーボード130の終rキーを人力すれば、番号指
定モードが終了し、ステップ370の処理の後、ジョブ
メニュー画面の状態に戻る。
カーソル指定モードについて説明する。カーソル指定モ
ードにおいては、オペレータは、キーボード130に設
けられているカーソル操作キーを操作することにより、
カーソル制御信シタを通じてカーソルアドレスポインタ
140AをEMし、CRTディスプレイ装置128の両
面に表示されているカーソルを、同じく画面に表1J<
されている目的の異物の位置に移動させ、キーボード1
30のカーソル読込みキーを押ドすることにより、観察
すべき異物を指定する。
このモードになると、マイクロプロセンサ120はキー
人力を待ち(ステップ430) 、キー人力がなされる
と、カーソル読込みキーのコードであるか判定する(ス
テップ435)。判定結果がNOならば、キー人力待ち
になる。
判定結果かYESであると、マイクロプロセ。
す120は、カーソルアドレスポインタ140Aの内容
(カーソルアドレス)を読み取る(ステップ440)。
そして、そのカーソルアドレスヲ対応する走合イY装置
、つまり異物位置に変換する(ステ、ブ445)。
次に、テーブル150をサーチし、求めた安物位置とテ
ーブル150に格納されている各異物の位置と比較を1
1い、最も近い異物を検索しくステップ450)、その
異物の詮−シをカウンタMにセットする(ステップ45
5)。そして、ステップ325へ進む。
このようにして、カーソルで指定された異物が自動的に
顕@鏡の視更fに位置決めされ、その観察結束がテーブ
ル150の該当するエントリに、:)き込まれる。
なお、図示されていないが、キーボード130の終rキ
ーを押トすれば、ステップ370に分岐し、その終r後
にジdブ選択1+14 +r+iの状態になる。
前記11視観察によって、11視観察の結果と自動検り
の結束とが統合されたテーブルが得られる。
なお、11視観察において、観察中の異物がCRTディ
スプレイ装置128に画面人生されている5′!物マン
プ1−に、反転パターンとして人事されるため、オペレ
ータ(iilJ察者)は、観察中の異物を異物マツプ1
−で容易に確認できる。
ジョブ選択画面の状態において、「印刷」を指定すれば
、検査結果をX−Yブロック127より印刷出力させる
ことができる。
印刷が指定されると、第8図(F)に示されるように、
マイクロプロセッサ120は、ウェハ輪郭画像データを
フロッピーディスク装置12Bより読み出し、それをプ
ロッタコントローラへ転送する(ステップ465)。
つぎにマイクロプロセッサ120は、印刷対象のウェハ
の番号(ジョブ選択時にキーボード130より人力され
る)が付加されてフロ、ピーディスク装置126に格納
されているテーブル150の記憶内容と異物合計数デー
タを順次読み出し、プロッタコントローラ137へ転送
する(ステップ470)。
かくして、異物マツプ、テーブルの内容(表)、Vd物
会合1;故データ、ウェハ洛−じがX−Yプロッタ12
7により印刷される。
印刷が終rすると、ノ、イブ選択pHr+iの状態に戻
る。
以1・1、この発明の・実施例について説明したが、こ
の発明はそれたけに限定されるものではなく、適宜変形
して実施し得るものである。
例えば、検査系50の走り位置が常に顕微鏡52の視升
内に入るようになっている7認は必ずしもなく、走査位
置と視’!fとが・定の位置関係を維持できればよい。
但し、前記実施例のようにすれば、11視観察中のV4
物の識別などの処理が容易である。
前記ホトマルチプライヤの代わりに、他の適当な光電素
rを用い得る。
走査は螺旋走査に限らず、例えば直線走査としてもよい
。但し、直線走査は走査端で停市するため、走査時間が
増加する傾向があり、また、ウェハのような円形なとの
被検点曲を走査する場合、走査端の位置制御が複雑にな
る傾向がある。したかって、ウェハなどの異物検査の場
合、螺旋走査が一般に右利である。
また、この発明は、ウェハ以外の被検点曲の兇物検森装
置にも同様に適用し得ることは勿論である。また、偏光
レーザ光以外の尤ビームを利用する同様な異物検査装置
にも、この発明は適用++J能である。
[発明の効果] この発明は以1−説明した通りであるから、照射角度が
大きい場合と小さい場合のいずれでも同等な1−分高い
照射密度と検出感度を得ることができ、また、ビーム径
の大きな高価な尤諒も不“Uであり、ビーム形状補11
′、のための光学手段も汀通のシリンドリカルレンズな
どで間に合うため、尤ビーム照射ト段も部局安価に実現
できる、などの効果を達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によるウェハ異物検査装置の光学系な
どの概要図、第2図は同つェハ穴物検査装置の信号系お
よび処理制御系を示す概略プロソり図、第3図はスリツ
トのアパーチャの配置と分離ミラーの鏡面との対応関係
の説明図、第4図はウェハ而走査の説明図、第5図はス
リ、トのアパーチャのウェハ面上における視野に関する
説明図、第6図は児物の粒径とホトマルチプライヤの出
力4r’J−との関係、およびレベル比較の閾値との関
係を示すグラフ、第7図は検査処理に関連するテーブル
の概念図、第8図(A)ないしくF)は検査処理に関す
る処理のフローチャート、第9図はスリットのアパーチ
ャを直線的に配列した場合の光分離に関する説明図であ
る。 10・・・Xステージ、14.24−・・モータ、22
・・・回転ステージ、30・・・ウェハ、32・・・光
ビーム照射径、36・・・S偏光レーザ発振器、37・
・・ビームエキスパンダ、38.40・・・固定ミラー
39・・・l1動ミラー、41.87・・・ソレノイド
、50・・・検出系、52・・・顕微鏡、72・・・ス
リット、74・・・アパーチャ、86・・・S偏光カッ
トフィルタ、87・・・ソレノイド、88・・・分離ミ
ラー、90・・・ホトマルチプライヤ、100・・・加
算増幅器、102・・・レベル比較回路、108・・・
インターフェイス回路、116・・・モータコントロー
ラ、116・・・ソレノイドドライバ、120・・・マ
イクロプロセッサ122・・・ROM1124・・・R
AM、126・・・フロッピーディスク装置、127・
・・X−Yプロッタ、128・・・CRTディスプレイ
装置、130・・・キーボード、138・・・ビデオR
AM、150・・・テーブル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光ビーム照射系によりウェハの表面に光ビームを
    斜め方向から照射し、該ウェハ面上からの反射光を光電
    素子で受けて電気信号に変換し、該電気信号のレベルに
    基づき前記ウェハ面における異物の存否などを判定する
    ウェハ異物検査装置において、前記光ビーム照射系は、
    前記ウェハ面への光ビームの照射角度を第1の照射角度
    、または該第1の照射角度より大きい第2の照射角度に
    切り換える手段と、光源からの光ビームのビーム径を拡
    大する第1の光学手段と、前記第1の照射角度に切り換
    えられた場合に前記ウェハ面上の照射スポットの形状が
    ほぼ円形になるように、前記第1の光学手段によりビー
    ム径が拡大された光ビームの断面形状を補正する第2の
    光学手段と、前記第2の照射角度に切り換えられた場合
    に、前記第2の光学手段により補正された光ビームの断
    面形状を、前記ウェハ面の照射スポットの形状がほぼ円
    形になるように補正する第3の光学手段とを含み、前記
    第1の照射角度の場合に前記第2の光学手段によって補
    正された光ビームがそのまま前記ウェハ面に照射され、
    前記第2の照射角度の場合に前記第2の光学手段および
    前記第3の光学手段により順次補正された光ビームが前
    記ウェハ面に照射されるようにしてなることを特徴とす
    るウェハ異物検査装置。
  2. (2)前記第1の照射角度は、ブランク膜付きウェハの
    表面で光ビームが実質的に全反射されるような小さな角
    度であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    ウェハ異物検査装置。
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