JPS6267168A - タ−ゲツト部品 - Google Patents
タ−ゲツト部品Info
- Publication number
- JPS6267168A JPS6267168A JP20533785A JP20533785A JPS6267168A JP S6267168 A JPS6267168 A JP S6267168A JP 20533785 A JP20533785 A JP 20533785A JP 20533785 A JP20533785 A JP 20533785A JP S6267168 A JPS6267168 A JP S6267168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- composite
- target component
- target material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野］
本発明１；１ （１℃線膨張率の金属ま７＝ １．１合
金をスパッターターゲット（Ａとするターゲラ（・部品
１．１ｍ ＋！Ｉする。
金をスパッターターゲット（Ａとするターゲラ（・部品
１．１ｍ ＋！Ｉする。
［発明の技術的背姐とイの問題Ｌ＊ｊ １個別崖聯体ヤ
）Ｉ−８Ｉのブーツし／’ＩＪ、んだ接合（Ｊ際しては
ブツブ基面に拡散バリ１７とし′ｃ’ ”Ｉ’ ！ ”
’ Ｖ 冑の高融貞金属の薄膜を形成さｔＪたり、ある
い１３１磁気記録媒体等において１１Ｃｏ、Ｎｉ合企等
の遷移金属合金の薄膜を形成さｔ！ることが（ｉなわれ
ている。
）Ｉ−８Ｉのブーツし／’ＩＪ、んだ接合（Ｊ際しては
ブツブ基面に拡散バリ１７とし′ｃ’ ”Ｉ’ ！ ”
’ Ｖ 冑の高融貞金属の薄膜を形成さｔＪたり、ある
い１３１磁気記録媒体等において１１Ｃｏ、Ｎｉ合企等
の遷移金属合金の薄膜を形成さｔ！ることが（ｉなわれ
ている。
これらに用いる薄膜（、（、スパッターターゲットによ
り貞空蒸肴（ＰＶＩ））されで形成しているかこのスパ
ッターターゲットは、従来（よスパッタされるターゲッ
ト＋Ａ ｌｉｔをＣｕＩＵのバツー；ングゾレートには
んだ付（Ｊまたはろう（＋ｆｉＪて接合し、このバッキ
ングプレートの表面を水冷りるという構造のｂのが用い
られている。
り貞空蒸肴（ＰＶＩ））されで形成しているかこのスパ
ッターターゲットは、従来（よスパッタされるターゲッ
ト＋Ａ ｌｉｔをＣｕＩＵのバツー；ングゾレートには
んだ付（Ｊまたはろう（＋ｆｉＪて接合し、このバッキ
ングプレートの表面を水冷りるという構造のｂのが用い
られている。
しかしながらト記しＩこスパッターターゲット（Ａはい
ずれも線膨張率が０（１に比較しτ名しく小さいので操
業速度を十げると電ツノ密ｊ良が人さく ＜’＋す、基
板の温ｊ良−に胃か激しく ’、Ｎ−）でターゲラｒ−
＋４とパッキングゾレート材とのバイメタル１１用で両
省が剥離するという問題があった。また接合強度を高め
るためにろう付けした場合には接合後の冷却時にターゲ
ットが反り返り、正確な平面度が１ｑられないという問
題があった。
ずれも線膨張率が０（１に比較しτ名しく小さいので操
業速度を十げると電ツノ密ｊ良が人さく ＜’＋す、基
板の温ｊ良−に胃か激しく ’、Ｎ−）でターゲラｒ−
＋４とパッキングゾレート材とのバイメタル１１用で両
省が剥離するという問題があった。また接合強度を高め
るためにろう付けした場合には接合後の冷却時にターゲ
ットが反り返り、正確な平面度が１ｑられないという問
題があった。
さらに上記した半導体基板の拡散バリヤとして用いる場
合の他に磁気記録媒体用のＮｉ、ｃｏ合金のスパッター
に際し、実用上満足できるスパッタ速度を保持するには
スパッターターゲット材は、例えば幅１２７ｍｍＸ長さ
３８１ｍｍ程度の大きな面積で構成する必要があるので
、線膨販率の差異による影響が大きくなり良好な接合は
困難であった。
合の他に磁気記録媒体用のＮｉ、ｃｏ合金のスパッター
に際し、実用上満足できるスパッタ速度を保持するには
スパッターターゲット材は、例えば幅１２７ｍｍＸ長さ
３８１ｍｍ程度の大きな面積で構成する必要があるので
、線膨販率の差異による影響が大きくなり良好な接合は
困難であった。
［発明の目的］
本発明は以上のような問題点を解決するためになされた
もので、反りや剥離がなく、高効率の操業が可能なター
ゲット部品を提供することを目的とする。
もので、反りや剥離がなく、高効率の操業が可能なター
ゲット部品を提供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわち本発明のターゲット部品は、低線膨張率の金属
または合金で形成されたスパッターターゲット材と、Ｍ
ＯとＣＬＩとの複合材で形成されたバッキングプレート
＋４とが接合されてなることを特徴とする。
または合金で形成されたスパッターターゲット材と、Ｍ
ＯとＣＬＩとの複合材で形成されたバッキングプレート
＋４とが接合されてなることを特徴とする。
本発明の低線膨張率の金属よには合金としてはｒｒ、ｖ
なトノ高融Ｊｉｉｊ金属、Ｊ＞ Ｊ： ヒＣｏ、Ｎ１合
金などの遷移金属があげられ、いずれもＣｕＪ、りも著
しく線膨張率が小さいのでＣｕ甲体をバッキングプレー
トとして使用した場合には反りやはがれが牛じやすいも
のである。
なトノ高融Ｊｉｉｊ金属、Ｊ＞ Ｊ： ヒＣｏ、Ｎ１合
金などの遷移金属があげられ、いずれもＣｕＪ、りも著
しく線膨張率が小さいのでＣｕ甲体をバッキングプレー
トとして使用した場合には反りやはがれが牛じやすいも
のである。
またバッキングプレー１〜８として用いるＭＯとＣｕど
の複合材としては、ＭＯ板とＣｕ板とを熱間圧希、冷間
圧りまたは爆着によって接合さｌｋもの、ＭＯ焼結体に
Ｃｕを含浸させたーしの、あるいはＬＰＣ（真空プラズ
マ容０＝ｊ ）にＪ、って連続多層成形材（ＭＯとＣｕ
との複合材でぞの組成が順次変化するのもの）としたも
のなどがあげられる。
の複合材としては、ＭＯ板とＣｕ板とを熱間圧希、冷間
圧りまたは爆着によって接合さｌｋもの、ＭＯ焼結体に
Ｃｕを含浸させたーしの、あるいはＬＰＣ（真空プラズ
マ容０＝ｊ ）にＪ、って連続多層成形材（ＭＯとＣｕ
との複合材でぞの組成が順次変化するのもの）としたも
のなどがあげられる。
本発明のターゲット部品は上記のスパッターターゲット
材とバッキングプレート材とをはんだ付けまたはろう接
することによって製造する。
材とバッキングプレート材とをはんだ付けまたはろう接
することによって製造する。
［発明の実施例〕
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例
ＭＯ焼結体にＣｕを含浸させてＭＯ６０ｗｔ％−Ｃｕ
４０ｗ ｔ％の組成を有する厚さ６龍のバッキングプレ
ート材を形成した。このバッキングプレート材に幅１２
７ｍｍＸ長さ３８１１１１Ｘ厚ざ３１ＩｌｖのＴｉより
なるスパッターターゲット材を、ＢＡｑ−１（Ａｇ４５
ｗｔ％−Ｃｕ １５ｗ ｔ％−Ｚ ｎ ｌａｗ ｔ％−
Ｃｄ２４ｗｔ％）を用いて真空中、８００°ｃでろう接
したところ変形のほとんどない強固な接合体が得られた
。この接合体の８００’Ｃにおける反りは０．３ａｍで
、標準規格とされる０、５ｍｍ以下に合致するものであ
った。
４０ｗ ｔ％の組成を有する厚さ６龍のバッキングプレ
ート材を形成した。このバッキングプレート材に幅１２
７ｍｍＸ長さ３８１１１１Ｘ厚ざ３１ＩｌｖのＴｉより
なるスパッターターゲット材を、ＢＡｑ−１（Ａｇ４５
ｗｔ％−Ｃｕ １５ｗ ｔ％−Ｚ ｎ ｌａｗ ｔ％−
Ｃｄ２４ｗｔ％）を用いて真空中、８００°ｃでろう接
したところ変形のほとんどない強固な接合体が得られた
。この接合体の８００’Ｃにおける反りは０．３ａｍで
、標準規格とされる０、５ｍｍ以下に合致するものであ
った。
なおバッキングプレート材としてＣｕ中体を用いたほか
は上記の実施例と同様にして製造した場合の接合体の反
りは１．７酊であった。
は上記の実施例と同様にして製造した場合の接合体の反
りは１．７酊であった。
またスパッターターゲット材としてＶを用いた場合も同
様の結果が得られた。
様の結果が得られた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明のターゲット部品はバッキン
グプレート材をＣｕとＭＯとの複合材とすることによっ
てスパッターターゲット材との線膨張率の差を緩和して
いるので、両者を接合して使用した場合に反りやはがれ
の＞２いターゲラ１〜部品が得られると共に、大面積の
スパッターターゲット材であっても充分使用できる点で
有用である。
グプレート材をＣｕとＭＯとの複合材とすることによっ
てスパッターターゲット材との線膨張率の差を緩和して
いるので、両者を接合して使用した場合に反りやはがれ
の＞２いターゲラ１〜部品が得られると共に、大面積の
スパッターターゲット材であっても充分使用できる点で
有用である。
またバッキングプレート材は何回でも繰り返して使用す
ることがでるので経済↑ノｌの点でも利点が大きい。
ることがでるので経済↑ノｌの点でも利点が大きい。
Claims (5)
- （１）スパッターターゲット材と、ＭｏとＣｕとの複合
材で形成されたバッキングプレート材とが接合されてな
ることを特徴とするターゲット部品。 - （２）スパッターターゲット材はＴｉ、Ｖ、Ｃｏまたは
Ｎｉ、あるいはこれらのうちの一種以上を含む合金であ
る特許請求の範囲第１項記載のターゲット部品。 - （３）複合材はＭｏ焼結体にＣｕを含浸したものである
特許請求の範囲第１項記載のターゲット部品。 - （４）複合材はＣｕ板とＭｏ板とを接合したものである
特許請求の範囲第１項記載のターゲット部品。 - （５）複合材は連続多層成形材である特許請求の範囲第
１項記載のターゲット部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20533785A JPS6267168A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | タ−ゲツト部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20533785A JPS6267168A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | タ−ゲツト部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267168A true JPS6267168A (ja) | 1987-03-26 |
Family
ID=16505238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20533785A Pending JPS6267168A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | タ−ゲツト部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267168A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997007258A1 (en) * | 1995-08-16 | 1997-02-27 | Materials Research Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| WO2005106068A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Trägerplatte für sputtertargets |
| DE112006003537T5 (de) | 2005-12-28 | 2008-12-24 | Advanced Material Technology Co. Ltd., Fuji | Sputtertargetaufbau |
| WO2012066764A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット |
| JP2013227619A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Tungsten Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット |
| CN103706797A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-09 | 西安理工大学 | 宽幅多层Cu-CuMo70-Cu复合材料的制备方法 |
| CN103952576A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-07-30 | 中国科学院理化技术研究所 | 在超重力场中燃烧合成制备钼铜合金的方法 |
| WO2016017432A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
| JP2016507651A (ja) * | 2013-01-04 | 2016-03-10 | トーソー エスエムディー，インク． | 機構強化された表面形状及び改善された性能を有するシリコンスパッターターゲット及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP20533785A patent/JPS6267168A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997007258A1 (en) * | 1995-08-16 | 1997-02-27 | Materials Research Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US5857611A (en) * | 1995-08-16 | 1999-01-12 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US6183613B1 (en) | 1995-08-16 | 2001-02-06 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| WO2005106068A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Trägerplatte für sputtertargets |
| DE102004020404B4 (de) * | 2004-04-23 | 2007-06-06 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Trägerplatte für Sputtertargets, Verfahren zu ihrer Herstellung und Einheit aus Trägerplatte und Sputtertarget |
| DE112006003537T5 (de) | 2005-12-28 | 2008-12-24 | Advanced Material Technology Co. Ltd., Fuji | Sputtertargetaufbau |
| DE112006003537B4 (de) | 2005-12-28 | 2017-07-06 | Plansee Se | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargetaufbaus |
| WO2012066764A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット |
| JPWO2012066764A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2014-05-12 | 株式会社アルバック | バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット |
| JP2013227619A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Tungsten Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット |
| JP2016507651A (ja) * | 2013-01-04 | 2016-03-10 | トーソー エスエムディー，インク． | 機構強化された表面形状及び改善された性能を有するシリコンスパッターターゲット及びその製造方法 |
| CN103706797B (zh) * | 2013-12-25 | 2016-08-24 | 西安理工大学 | 宽幅多层Cu-CuMo70-Cu复合材料的制备方法 |
| CN103706797A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-09 | 西安理工大学 | 宽幅多层Cu-CuMo70-Cu复合材料的制备方法 |
| CN103952576A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-07-30 | 中国科学院理化技术研究所 | 在超重力场中燃烧合成制备钼铜合金的方法 |
| WO2016017432A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
| CN106536787A (zh) * | 2014-07-31 | 2017-03-22 | 捷客斯金属株式会社 | 将防腐蚀性金属与Mo或Mo合金扩散接合而得到的背衬板、以及具备该背衬板的溅射靶‑背衬板组件 |
| JPWO2016017432A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2017-04-27 | Ｊｘ金属株式会社 | 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 |
| US10381203B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-08-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Backing plate obtained by diffusion-bonding anticorrosive metal and Mo or Mo alloy, and sputtering target-backing plate assembly provided with said backing plate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5593082A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| KR920001274B1 (ko) | 스파터링 타겟(sputtering targer) | |
| WO1996015283A1 (en) | Method of bonding targets to backing plate member | |
| JPH07504945A (ja) | スパッタ・ターゲット受け板組立体を結合する方法とそれにより製造される組立体 | |
| EP2573205A2 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| JPS6267168A (ja) | タ−ゲツト部品 | |
| JPS63270459A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法 | |
| US20070205102A1 (en) | Support plate for sputter targets | |
| JPS6139951A (ja) | 光学的に読出しうる高記録密度の板状情報担体 | |
| JPS60235773A (ja) | セラミツクス体の結合方法 | |
| JP2898515B2 (ja) | モザイクターゲット | |
| JPS63143258A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JPS6033269A (ja) | 金属とセラミツクの接合方法 | |
| JPH0322706B2 (ja) | ||
| JP2503775B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPS58100412A (ja) | 軟質磁性材料の製法 | |
| JPS61136673A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト材 | |
| JPH0147277B2 (ja) | ||
| JPS5957972A (ja) | 拡散接合方法 | |
| JPH0273971A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH0780634A (ja) | ろう付け方法 | |
| JPS6263670A (ja) | 一体型スパツタ−タ−ゲツト | |
| JP2503776B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPS58197046A (ja) | 繊維強化複合材料のための一次構成部材 | |
| JP2000169959A (ja) | 光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット |